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삼성전자, 불확실성 속 반도체 사장 전격 교체…전영현 부회장 발탁
- 삼성전자가 반도체 위기 극복 핵심 전략으로 전영현(64) 미래사업기획단장(부회장)으로 반도체 사업 수장으로 전격 발탁했다. 지난해 반도체 업황 악화로 15조원에 육박하는 적자를 낸 가운데 삼성전자는 불확실성이 큰 대내외 환경 속에서 반도체 사업 경쟁력을 강화하기 위해 '원포인트' 인사를 단행한 것으로 보인다. 삼성전자는 21일 전영현 부회장을 디바이스솔루션(DS)부문장에, 전 부회장이 맡고 있던 미래사업기획단장에 기존 DS부문장이었던 경계현 사장을 각각 임명했다고 발표했다. 삼성전자는 "이번 인사는 불확실한 글로벌 경영 환경하에서 대내외 분위기를 일신해 반도체의 미래 경쟁력을 강화하기 위한 선제적 조치"라고 설명했다. '반도체 신화'의 주역인 전 신임 DS부문장은 LG반도체 출신으로, 2000년 삼성전자 메모리사업부로 입사해 D램·낸드플래시 개발, 전략 마케팅 업무를 거쳐 2014년부터 메모리사업부장을 맡아 왔다. 2017년 삼성SDI로 옮긴 전 부회장은 5년간 삼성SDI 대표이사를 맡았으며, 작년 말 인사에서 '귀환', 신설된 미래사업기획단을 맡아 삼성의 미래 먹거리를 발굴하는 데 주력해왔다. 전 부회장은 DS부문을 이끌며 기술 혁신과 조직의 분위기 쇄신을 통해 반도체 기술 초격차와 미래 경쟁력 강화에 집중할 것으로 보인다. 삼성전자는 지난해 주력인 반도체 업황 부진으로 DS부문에서 연간 14조8800억원의 적자를 기록했다. IT 수요 침체 등의 영향이 컸지만, 최근 인공지능(AI) 시장 확대로 급성장한 고대역폭 메모리(HBM) 시장에서도 SK하이닉스에 주도권을 뺏기는 등 차세대 기술 개발이나 시장 선점에 제대로 대응하지 못했다는 지적도 나오고 있다. 올해 1분기에는 전방 수요 회복과 메모리 가격 상승 등에 힘입어 2022년 4분기 이후 5개 분기 만에 흑자 전환로 돌아섰으며, HBM 5세대인 HBM3E 12단 양산 등에 속도를 내고 있다. 삼성전자는 "전 부회장은 삼성전자 메모리 반도체와 배터리 사업을 글로벌 최고 수준으로 성장시킨 주역으로, 그간 축적된 풍부한 경영 노하우를 바탕으로 반도체 위기를 극복할 것으로 기대한다"고 밝혔다. 삼성전자는 내년 정기 주주총회와 이사회를 통해 전 부회장의 사내이사 및 대표이사 선임 절차를 밟을 계획이다. 한편, 경 사장은 최근 반도체 위기 상황에서 새로운 돌파구 마련을 위해 스스로 부문장에서 물러난 것으로 알려졌다. 한종희 디바이스경험(DX)부문장과 협의하고 이사회에도 사전 보고한 것으로 알려졌다. 다만 종전에 맡고 있던 SAIT(옛 삼성종합기술원) 원장은 경 사장이 계속 담당한다. 2020년부터 삼성전기 대표이사를 맡아 적층세라믹커패시터(MLCC) 기술 경쟁력을 끌어올린 경 사장은 2022년부터 삼성전자 DS부문장을 맡아 반도체 사업을 총괄해 왔으며, 향후 미래사업기획단을 이끌며 미래 먹거리 발굴을 주도할 예정이다 삼성전자는 부문장 이하 사업부장 등에 대한 후속 인사는 검토되지 않았다고 말했다. 한편, 삼성전자 주가는 이날 오전 10시 36분 현재 7만8900원으로 보합세를 보이고 있다.
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삼성전자, 불확실성 속 반도체 사장 전격 교체…전영현 부회장 발탁
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HBM 전체 D램 매출 비중 내년 30% 이상 전망
- 인공지능(AI) 시장 확대로 고대역폭 메모리(HBM) 수요가 급증하는 가운데 내년에는 HBM이 전체 D램 매출의 30% 이상을 차지할 것이라는 전망이 나왔다. 7일(현지시간) 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전체 D램 비트(bit) 용량에서 HBM이 차지하는 비중은 2023년 2%에서 올해 5%로 상승하고 2025년에는 10%를 넘어설 것으로 전망된다. 트렌드포스는 HBM 비중이 시장 가치(매출) 측면에서는 2023년 전체 D램의 8%에서 올해 21%로 늘어나고, 2025년에는 30%를 넘어설 것으로 예상했다. HBM 판매 단가는 2025년 5∼10% 상승할 것으로 봤다. 트렌드포스는 "HBM의 판매 단가는 기존 D램의 몇배, DDR5의 약 5배에 달한다"며 "이러한 가격 책정은 단일 디바이스 HBM 용량을 증가시키는 AI 칩 기술과 결합해 D램 시장에서 용량과 시장 가치 모두 HBM의 점유율을 크게 높일 것"이라고 말했다. 올해 HBM 수요 성장률은 200%에 육박하며 내년에는 2배로 증가할 전망이다. 트렌드포스는 "2025년 HBM 가격 협상이 이미 올해 2분기에 시작됐다"며 "D램의 전체 생산 능력이 제한돼 있어 공급업체들은 미리 가격을 5∼10% 인상했으며 이는 HBM2E, HBM3, HBM3E에 영향을 미쳤다"고 설명했다. 이는 HBM 구매자들이 AI 수요 전망에 대해 높은 신뢰도를 유지하고 있고 지속적인 가격 인상을 받아들일 의향이 있는 데다, HBM3E의 실리콘관통전극(TSV) 수율이 현재 40∼60%에 불과해 개선의 여지가 있기 때문이라고 봤다. 모든 주요 공급업체가 HBM3E 고객 인증을 통과한 것이 아닌 만큼 구매자는 안정적이고 우수한 품질의 공급을 확보하기 위해 더 높은 가격을 수용하게 됐다고 트렌드포스는 분석했다. 트렌드포스는 "향후 Gb(기가비트)당 가격은 D램 공급업체의 신뢰성과 공급 능력에 따라 달라질 수 있으며, 이는 평균판매단가(ASP)에 불균형을 초래해 결과적으로 수익성에 영향을 미칠 수 있다"고 밝혔다. 현재 SK하이닉스와 삼성전자는 HBM 시장의 주도권을 확보하기 위해 HBM 생산능력을 늘리며 수요 증가에 대응하고 있다. 이에 앞서 곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO)는 지난 2일 기자간담회에서 "HBM은 올해 이미 '솔드아웃'(완판)이고, 내년 역시 대부분 솔드아웃됐다"고 말했다. 여기에는 최근 공급을 시작한 HBM3E 8단 제품뿐 아니라 3분기 양산을 준비 중인 HBM3E 12단 제품도 포함된 것으로 알려졌다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)도 지난달 30일 1분기 실적 콘퍼런스콜에서 "올해 HBM 공급 규모는 비트 기준 전년 대비 3배 이상 지속적으로 늘려가고 있고, 해당 물량은 이미 공급사와 협의를 완료했다"며 "2025년에도 올해 대비 최소 2배 이상의 공급을 계획하고 있으며 고객사와 협의를 원활하게 진행 중"이라고 밝혔다.
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- 산업
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HBM 전체 D램 매출 비중 내년 30% 이상 전망
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SK하이닉스 "3분기, HBM3E 12단 양산…내년 생산 HBM도 완판"
- 곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO)는 2일 "고대역폭 메모리(HBM) 시장의 리더십을 강화하기 위해 세계 최고 성능을 자랑하는 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 공급하고 3분기에는 양산을 시작한 분비가 되어 있다"고 발표했다. 곽 CEO는 "올해 HBM 생산은 이미 '솔드아웃(완판)'된 상태이며, 내년에도 대부분의 제품이 솔드아웃 상태다"라고 덧붙였다. 곽 CEO는 이날 경기도 이천에 위치한 본사에서 'AI 시대, SK하이닉스의 비전과 전략'을 주제로 열린 기자간담회에서 '앞으로 글로벌 파트너사들과의 전략적 협력을 통해 세계 최고의 맞춤형 메모리 솔루션을 제공하겠다'고 말했다. SK하이닉스가 이천 본사에서 기자간담회를 연 것은 이번이 처음이라고 연합뉴스가 전했다. 용인 클러스터 첫 팹(fab·반도체 생산공장) 준공(2027년 5월)을 3년 앞두고 열린 이날 행사에는 곽 CEO와 함께 AI 인프라 담당 김주선 사장 등 주요 경영진이 참석했다. 2027년 5월에 준공 예정인 용인 클러스터의 첫 반도체 생산공장(팹·fab) 개소를 3년 앞둔 이날 행사에는 곽 CEO와 AI 인프라 담당 김주선 사장을 포함한 주요 경영진이 참석했다. 곽 CEO는 "현재 AI는 주로 데이터센터 중심으로 구축되어 있지만, 앞으로는 스마트폰, PC, 자동차 등 다양한 디바이스에서 활용되는 온디바이스 AI로의 확산이 예상된다"며 "이러한 변화는 AI에 최적화된 고속, 대용량, 저전력 메모리의 수요를 급증시킬 것"이라고 전망했다. 지난해 전체 메모리 시장에서 약 5%를 차지했던 HBM과 고용량 D램 모듈 등 AI 전용 메모리의 시장 점유율은 2028년에는 61%에 이를 것으로 보인다. 특히 HBM 시장은 중장기적으로 연평균 약 60%의 수요 성장률을 보일 것으로 예상된다. 곽 CEO는 "올해 이후 HBM 시장은 AI 성능 향상을 위한 파라미터 증가, AI 서비스 공급자의 확대와 같은 요인으로 인해 지속적인 성장이 예상된다"며 "올해는 지난해에 비해 수요 가시성이 훨씬 높아졌다"고 설명했다. HBM 과잉 공급 우려에 대해, 곽 CEO는 "올해 증가하는 HBM 공급 능력은 이미 고객과의 협의를 마친 상태에서 고객의 수요에 맞추어 조절되므로, 과잉 공급의 위험은 줄어들 것"이라고 밝혔다. 또한 "HBM4 이후에는 맞춤형(커스터마이징) 요구가 증가하면서, 제품이 트렌드화되고 주문형 비즈니스로 전환될 것"이라고 예측했다. 김주선 사장은 "프리미엄 제품인 HBM의 생산 캐파 할당이 증가함에 따라 일반 D램 생산이 줄어들 가능성이 있으며, 하반기부터는 전통적인 응용처의 수요 개선을 통해 메모리 시장이 더욱 안정적인 성장을 이룰 것"이라고 전망했다. HBM 후발주자인 삼성전자는 지난달 30일 1분기 실적 콘퍼런스콜에서 업계 최초로 개발한 HBM3E 12단 제품을 올해 2분기 내 양산한다고 발표하며 SK하이닉스를 바짝 추격하고 있다. 이에 대해 곽 CEO는 "고객의 요구에 맞는 기술을 적시에 개발하고, 그에 따른 생산능력도 고객의 요구에 맞춰 조절할 것"이라며 "자만하지 않고, 고객과 긴밀히 협력하여 시장의 요구에 부합하는 제품을 공급할 수 있도록 할 것"이라고 강조했다. 곽 CEO는 2016년부터 올해까지 예상되는 HBM 누적 매출에 대해서는 "하반기 시장 변화 등으로 해 정확히 말할 수는 없지만, 백수십억달러 정도가 될 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스는 HBM 핵심 패키지 기술 중 하나인 MR-MUF 기술의 우수성도 강조했다. 최우진 패키징&테스트(P&T) 담당 부사장은 "일각에서 MR-MUF 기술이 고단 적층에서의 한계를 지적하나, 실제로는 이 기술이 칩의 휨 현상을 효과적으로 제어하는 고온·저압 방식으로, 고단 적층에 가장 적합하다"고 밝혔다. 최 부사장은 이어 "현재 16단 구현을 위한 기술 개발이 순조롭게 진행 중이며, HBM4에도 고급 MR-MUF 기술을 적용하여 16단 제품을 구현할 계획이다. 하이브리드 본딩 기술도 선제적으로 검토 중이다"고 덧붙였다. HBM 리더십 확보를 위한 노력에 대해서는 최태원 회장과 SK그룹 차원에서의 선제적 투자를 강조했다. 곽 CEO는 "AI 반도체의 경쟁력은 단기간 내에 확보하기 어렵다. SK그룹에 2012년 편입된 이후, 메모리 시장이 어려운 상황에서 대부분의 반도체 기업이 투자를 줄였지만, SK그룹은 오히려 투자를 늘렸다"고 설명했다. 또한 "당시 모든 분야에 걸쳐 투자 확대 결정은 시장 개방 시기의 불확실성을 포함하는 HBM 투자도 포함하고 있었다"며 "최태원 회장의 글로벌 네트워킹은 고객사 및 협력사와의 긴밀한 관계 구축을 통해 AI 반도체 리더십 확보에 크게 기여했다"고 말했다. SK하이닉스는 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터 첫 팹 가동 전에 청주에 M15X를 짓기로 했다. M15X는 연면적 6만3천평 규모의 복층 팹으로 EUV를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정이다. SK하이닉스는 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터의 첫 팹 가동 전에 청주에 위치한 M15X 팹을 건설하기로 결정했다. M15X는 6만3000평 규모의 복층 팹으로, EUV를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정이다. M15X는 내년 11월에 준공되어 2026년 3분기부터 본격적으로 양산을 시작할 계획이다. 용인 클러스터의 부지 조성 작업도 순조롭게 진행되고 있다. 또한 미국 인디애나주에 38억7000만달러(약 5조2000억원)를 투자해 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 시설을 짓고 2028년부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산할 계획이다.
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SK하이닉스 "3분기, HBM3E 12단 양산…내년 생산 HBM도 완판"
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SK하이닉스·TSMC, 파운드리-메모리 협력으로 HBM 시장 선점
- SK하이닉스가 세계적인 파운드리(반도체 수탁생산) 기업인 대만 TSMC와 협력해 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 생산과 첨단 패키징 기술 역량을 강화할 계획이다. SK하이닉스는 19일, 최근 대만 타이베이에서 TSMC와 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결하고 TSMC와 협업해 오는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM)를 개발할 계획이라고 발표했다. 특히, 인공지능(AI) 반도체 시장을 이끄는 기업인 엔비디아는 SK하이닉스로부터 AI 연산작업의 핵심인 그래픽처리장치(GPU)용 HBM을 공급받아 TSMC에 패키징 하도록 맡겨 이를 조달하고 있다. SK하이닉스는 "AI 메모리 분야의 글로벌 리더로서, 세계 최대 파운드리 업체인 TSMC와의 협력을 통해 HBM 기술의 새로운 혁신을 이끌어낼 것"이라며, "고객, 파운드리, 메모리 간의 협력을 통해 메모리 성능의 한계를 넘어설 것"이라고 강조했다. 양사는 HBM 패키지의 베이스 다이(base die) 성능 향상을 위해 노력하고 있다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리다. 방대한 데이터를 신속하고 끊임없이 처리해야 하는 생성형 AI를 구동하려면 HBM과 같은 고성능 메모리가 반드시 필요한 것으로 알려졌다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(core die)를 쌓고, 이를 실리콘관통전극(TSV) 기술로 수직 연결해 제조한다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 통제 기능을 수행한다. SK하이닉스는 HBM 4세대인 HBM3 시장의 90%를 점유하고 있다. SK하이닉스는 지난 3월 18일 HBM 5세대인 HBM3E도 이달 말부터 AI 칩 선두 주자인 엔비디아에 공급한다고 밝혔다 SK하이닉스는 5세대 HBM인 HBM3E까지는 자체 D램 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 TSMC가 보유한 로직 초미세 선단공정을 활용해 베이스 다이에 다양한 시스템 기능을 추가할 계획이다. SK하이닉스의 HBM3E는 초당 최대 1.18테라바이트(TB)의 데이터를 처리한다. 이는 풀-HD급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. HBM4는 HBM3에 비해 두 배 가까운 고속과 고용량 성능을 구현해야 한다. 이를 위해 베이스 다이는 단순히 D램 칩과 GPU를 연결하는 기능을 넘어 시스템반도체에서 요구하는 다양한 기능을 수행할 필요가 있으며, 이는 기존의 일반 D램 공정으로는 제작이 어려운 것으로 알려져 있다. SK하이닉스는 이를 통해 성능, 전력 효율 등에 대한 고객들의 폭넓은 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산할 계획이다. 또한, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 첨단 패키징 공정인 '칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트'(CoWoS) 기술을 결합하여 최적화하는 데 협력하며, HBM 관련 고객의 요청에 공동으로 대응하기로 했다. 김주선 SK하이닉스 AI 인프라 담당 사장은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것뿐만 아니라, 글로벌 고객들과의 개방형 협업을 가속화할 것"이라며, "앞으로 맞춤형 메모리 플랫폼의 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'로서의 위상을 확립하겠다"고 밝혔ek. 케빈 장 TSMC 수석부사장은 "TSMC와 SK하이닉스는 수년 동안 견고한 파트너십을 유지해 왔으며, 세계 최고의 AI 솔루션을 시장에 공급해 왔다"며 "HBM4에서도 긴밀한 협력을 통해 AI 기반의 혁신을 지원할 최고의 통합 제품을 제공할 것"이라고 말했다.
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SK하이닉스·TSMC, 파운드리-메모리 협력으로 HBM 시장 선점
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삼성전자, 1분기 실적 '역대급' 6조6천억원 영업이익…5분기 만에 매출 70조원대
- 삼성전자가 메모리 반도체 시장의 회복과 갤럭시 S24 판매 호조 덕분에 2024년 1분기에 예상을 뛰어넘는 '깜짝 실적(어닝 서프라이즈)'을 올렸다고 발표했다. 삼성전자는 올해 1분기 연결 기준 영업이익이 6조6000억원으로 지난해 같은 기간보다 931.25% 증가한 것으로 잠정 집계됐다고 5일 공시했다. 이는 삼성전자의 지난해 전체 연간 영업이익(6조 5700억 원)을 초과하는 금액이다. 매출액은 71조 원으로 전년 동기 대비 11.37% 상승했다. 삼성전자의 분기별 매출이 70조 원을 넘은 것은 2022년 4분기(70조4646억원) 이후 처음이다. 이번 실적은 시장 예상을 20% 이상 크게 웃도는 수준이다. 최근 1개월 내에 보고서를 낸 18개 증권사의 평균 예측치를 토대로 한 연합인포맥스의 집계에 따르면, 삼성전자의 1분기 매출은 전년 동기 대비 12.88% 증가한 71조 9541억 원, 영업이익은 755.3% 증가한 5조 4756억 원으로 예상됐었다. 올해 초에는 영업이익이 4조원 대 중반을 기록할 것으로 보였으나, 메모리 감산으로 인한 가격 상승 등의 시장 상황이 개선되면서 최근 예측이 상향 조정됐다. 삼성전자의 부문별 성과는 구체적으로 발표되지 않았지만, 증권업계 분석에 따르면 삼성전자의 디바이스솔루션(DS) 부문이 7000억원에서 1조 원 사이의 영업이익을 기록, 2022년 4분기 이후 5분기 만에 흑자로 전환한 것으로 추정된다. SK증권은 DS 부문 영업이익을 1조원으로, 모바일경험(MX)·네트워크와 디스플레이(SDC)는 각각 3조7000억원, 3000억원으로 예상했다. 유진투자증권은 DS 부문의 영업이익을 9000억 원, SDC 부문을 3000억 원, MX와 네트워크를 3조 8000억 원, 영상디스플레이(VD)와 소비자가전(CE)을 3천억 원, 하만을 1천억 원으로 예측했다. 현대차증권은 DS 부문을 7000억 원, SDC 부문을 3500억 원, MX와 네트워크 부문을 3조 9000억 원, VD와 가전 부문을 3800억 원으로 추산했다. 이번 DS 부문의 성공은 D램과 낸드 가격 상승에 따른 것으로, 고부가가치 제품의 집중 판매 전략이 주효했다고 보인다. 삼성전자 메모리사업부의 김재준 부사장은 지난해 4분기 실적 발표에서 생성형 인공지능(AI)에 대응하는 고대역폭 메모리(HBM) 서버와 SSD 수요 증가에 적극 대응하여 수익성 개선에 집중하겠다고 언급한 바 있다. 한동희 SK증권 연구원은 메모리 부문의 수익성 중심 전략과 낸드 가격의 기저 효과로 인해 1분기 가격 상승이 예상을 뛰어넘을 것이라고 전망했다. 이에 따라 재고평가손실 충당금 환입의 효과가 크게 나타날 것으로 기대된다. 모바일 사업 분야에서도 인공지능(AI) 기능을 탑재한 갤럭시 S24의 뛰어난 판매 성과와 함께 스마트폰 출하량 증가로 수익성이 향상된 것으로 파악된다. 지난해 4분기에 영업 손실 500억 원을 기록했던 영상디스플레이(VD) 및 생활가전(DA) 사업부는 프리미엄 TV 및 고부가가치 가전제품의 판매 확대를 통해 수익성이 약간 개선되었다고 볼 수 있다. 이러한 상황에서 메모리 가격의 상승 추세가 지속되면서 삼성전자의 실적 개선 추세가 앞으로도 이어질 것으로 보인다. 대만의 시장조사업체 트렌드포스에 따르면, 1분기 D램의 평균 판매가격(ASP)이 전 분기 대비 최대 20% 상승한 뒤, 2분기에는 3%에서 8% 사이로 추가 상승할 것으로 전망된다. 낸드 가격 역시 1분기에 23%에서 28% 상승한 후, 2분기에는 13%에서 18% 상승할 것으로 예상된다. 연합인포맥스가 집계한 바에 따르면, 삼성전자의 2분기 영업이익 예상치는 전년 동기 대비 약 10배 증가한 7조 3634억 원에 달한다. 또한, 2분기 매출 전망치는 전년 동기 대비 20.73% 증가한 72조4469억 원으로 추정된다. HBM 수요 증가로 실적 개선 기대 HBM(고대역폭 메모리)의 수요 증가가 실적 개선에 기여할 것으로 예상된다. 생성형 AI 서비스의 확장에 힘입어 그래픽 처리 장치(GPU)와 신경망 처리 장치(NPU)의 출하량이 증가하면서, HBM 시장은 2026년까지 빠른 성장세를 유지할 것으로 보인다. 삼성전자는 업계에서 처음으로 D램 칩을 12단까지 쌓는 5세대 HBM, HBM3E를 올해 상반기부터 생산할 계획이며, 올해 HBM 출하량을 지난해 대비 최대 2.9배 증가시킬 예정이다. 김광진 한화투자증권 연구원은 "경쟁사와의 HBM 개발 로드맵 차이를 줄이는 것이 중요하다"며 "삼성전자가 여전히 후발 주자이긴 하지만, 과거 대비 경쟁사와의 기술 격차가 줄어든 것은 긍정적인 신호"라고 평가했다. 파운드리 사업 역시 수주 증가와 수율 개선에 힘입어 4분기에는 흑자 전환될 것으로 전망된다. 대신증권의 신석환 연구원은 "지난해 파운드리 사업이 큰 적자를 기록했지만, 올해는 최대 수주 기록과 함께 하반기 흑자 전환이 기대된다"며 "하반기 HBM 공급 확대와 레거시 제품에 대한 수요 증가로 인해 실적 성장이 예상보다 빠를 것"이라고 내다봤다. 엎서 인공지능(AI) 칩 선두주자인 미국 반도체 기업 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)는 지난 3월 19일 엔비디아의 연례 개발자 회의인 'GTC 2024' 둘째날 삼성이 아직 HBM3E의 양산에 대해 발표하지 않았음에도 삼성의 HBM이 현재 검증 단계를 거치고 있다고 확인했다. 젠슨 황 CEO는 삼성의 12단 HBM3E 디스플레이 옆에 '젠슨 승인'이라고 서명까지 해 삼성의 HBM3E가 검증 과정을 통과할 가능성이 높다는 추측을 불러일으켰다. 황 CEO는 '삼성의 HBM을 사용하고 있느냐'라는 질문에 "아직 사용하고 있지 않다"면서도 "현재 테스트하고(qualifying) 있으며 기대가 크다"고 말했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 크게 높인 제품으로 고성능 컴퓨팅 시스템에 사용되는 차세대 메모리 기술이다. 방대한 데이터를 신속하고 끊임없이 처리해야 하는 생성 AI를 구동하려면 HBM과 같은 고성능 메모리가 반드시 필요한 것으로 알려져 있다.
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삼성전자, 1분기 실적 '역대급' 6조6천억원 영업이익…5분기 만에 매출 70조원대
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SK하이닉스, 미국 인디애나에 5.2조원 투자 차세대 HBM 공장 건설
- SK하이닉스가 5조2000억원을 투자해 미국 인디애나주에 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 생산 기지를 짓는다. SK하이닉스는 4일 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하고, 퍼듀대학교 등 현지 연구기관과 반도체 연구·개발에 협력하기로 했다고 밝혔다. SK하이닉스는 2028년 하반기 양산을 목표로 하고 있으며 인공지능(AI) 반도체 핵심인 HBM의 생산 공장을 해외에 짓는 것은 이번이 처음이다. 미국에 AI용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 짓는 것은 반도체 업계 최초다. SK하이닉스는 3일(현지시간) 웨스트라피엣에 소재한 퍼듀대에서 인디애나주와 퍼듀대, 미 정부 관계자들과 함께 투자협약식을 열고 이 같은 계획을 공식 발표했다. SK하이닉스는 이 사업에 38억7000만 달러(약 5조2000억 원)를 투자할 계획이다. 이날 행사에는 에릭 홀콤 인디애나 주지사, 토드 영 상원의원, 아라티 프라바카 백악관 과학기술정책실장, 아룬 벤카타라만 상무부 차관보, 멍 치앙 퍼듀대 총장 등 미국 측 인사와 조현동 주미 대사, 김정한 주시카고 총영사가 참석했다. SK에서는 유정준 미주 대외협력 총괄 부회장, 곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO) 등 경영진이 참석했다. SK하이닉스는 인디애나 공장에서 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정이다. SK하이닉스 측은 "이를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장설 것"이라며 "인디애나에 건설하는 생산기지와 연구개발(R&D) 시설을 바탕으로 현지에서 1000개 이상의 일자리를 창출해 지역사회 발전에도 기여하겠다"고 밝혔다. 현재 SK하이닉스는 HBM 시장 점유율 1위를 차지하고 있다. HBM 4세대인 HBM3를 AI 칩 선두 주자인 엔비디아에 사실상 독점 공급하고 있으며, 5세대인 HBM3E도 지난달 말부터 고객사 공급을 시작한다고 밝힌 바 있다. AI 시장 확대로 HBM 등 초고성능 메모리 수요가 급증하고 어드밴스드 패키징의 중요성이 커지는 가운데 SK하이닉스는 기술 리더십을 강화하기 위해 미국에 대한 첨단 후공정 분야 투자를 결정하고 부지를 물색해 왔다. 그동안 다양한 후보지를 검토했으나 인디애나 주 정부가 투자 유치에 적극 나선 데다 지역 내 반도체 생산에 필요한 제조 인프라가 풍부해 인디애나주를 최종 투자지로 선정했다. 반도체 등 첨단 공학 연구로 유명한 퍼듀대가 있다는 점도 영향을 미쳤다고 SK하이닉스는 설명했다. 미국 정부에 반도체 생산 보조금 신청서도 이미 제출한 것으로 알려졌다. 조 바이든 행정부는 2022년 반도체 지원법을 제정, 자국에 반도체 공장을 짓는 기업에 생산 보조금 총 390억 달러(약 52조2000억 원), 연구개발(R&D) 지원금으로 총 132억 달러(약 17조7000억 원) 등 5년간 총 527억 달러(약 70조5000억 원)를 지원하기로 했다. 170억달러를 투자해 텍사스주 테일러에 신규 공장을 짓고 있는 삼성전자의 경우 60억 달러(약 7조9000억 원) 이상의 보조금을 받을 것이라는 외신 보도가 나오기도 했다. 에릭 홀콤 인디애나 주지사는 "인디애나주는 미래 경제의 원동력이 될 혁신적인 제품을 창출하는 글로벌 선두주자"라며 "SK하이닉스와의 새로운 파트너십이 장기적으로 인디애나주와 퍼듀대를 비롯한 지역사회를 발전시킬 것으로 확신한다"고 밝혔다. 토드 영 상원의원은 "SK하이닉스는 곧 미국에서 유명 기업이 될 것"이라며 "미 정부의 반도체 지원법을 통해 인디애나는 발전의 계기를 마련했고, SK하이닉스가 우리의 첨단기술 미래를 구축하는 데 도움을 줄 것"이라고 감사의 뜻을 전했다. 멍 치앙 퍼듀대 총장은 "SK하이닉스는 AI용 메모리 분야의 글로벌 개척자이자 지배적인 시장 리더"라며 "이 혁신적인 투자는 인디애나주와 퍼듀대가 가진 첨단 반도체 분야 경쟁력을 보여주면서 미국 내 디지털 공급망을 완성하는 기념비적인 일"이라고 말했다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 "반도체 업계 최초로 AI용 어드밴스드 패키징 생산시설을 미국에 건설하게 돼 기쁘다"라며 "이번 투자를 통해 갈수록 고도화되는 고객의 요구와 기대에 부응해 맞춤형(Customized) 메모리 제품을 공급해 나갈 것"이라고 말했다. SK하이닉스는 인디애나 주와 지역사회 발전을 위한 파트너십을 구축하는 한편 퍼듀 연구재단, 지역 비영리단체, 자선단체의 활동도 지원할 예정이다.
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- 산업
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SK하이닉스, 미국 인디애나에 5.2조원 투자 차세대 HBM 공장 건설
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삼성전자, 이르면 9월부터 엔비디아에 12단 HBM3E 단독 공급
- 삼성전자가 빠르면 9월부터 엔비디아에 12단 고대역폭 메모리(HBM) 제품을 단독 공급하게 될 것이라는 소식이 전해졌다. 디지타임스가 26일(현지시간) 삼성전자는 HBM 시장에서 빠르게 입지를 다지고 있다며 최근 12단 D램을 탑재한 HBM3E 개발에 성공했다고 발표한 이후 현재 선두주자인 SK하이닉스와 마이크론을 제치고 엔비디아의 유일한 12단 HBM3E 공급업체가 될 수 있다는 보도가 나왔다고 전했다. 업계 소식통에 따르면, 삼성은 12단 HBM3E 개발에서 경쟁사를 앞질러 이르면 2024년 9월부터 엔비디아의 독점 공급업체가 될 것으로 보인다. 이에 대해 삼성은 고객 정보를 공개할 수 없다고 밝혔다. 마이크론은 2024년 2월 말, 8단 HBM3E 양산 개시를 발표했다. 삼성도 36GB 12단 HBM3E 제품 개발에 성공했다고 공개했다. 삼성은 12단 HBM3E가 8단 HBM3E와 동일한 높이를 유지하면서 더 많은 레이어 수를 자랑한다고 강조했다. 최대 1280GB/s의 대역폭을 제공하는 12단 HBM3E는 8단 HBM3에 비해 50% 이상의 성능과 용량을 제공한다. 삼성은 2024년 후반에 12단 HBM3E의 양산을 시작할 것으로 예상된다. 한편, 인공지능(AI) 칩 선두주자인 미국 반도체 기업 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)는 최근 'GTC 2024'에서 삼성이 아직 HBM3E의 양산에 대해 발표하지 않았음에도 삼성의 HBM이 현재 검증 단계를 거치고 있다고 확인했다. 젠슨 황 CEO는 삼성의 12단 HBM3E 디스플레이 옆에 '젠슨 승인'이라고 서명까지 해 삼성의 HBM3E가 검증 과정을 통과할 가능성이 높다는 추측을 불러일으켰다. 젠슨 황 CEO는 지난 3월 19일 엔비디아의 연례 개발자 콘퍼런스 'GTC 24' 둘째 날 삼성전자의 고대역폭 메모리(HBM)를 테스트하고 있다고 밝혔다. 황 CEO는 '삼성의 HBM을 사용하고 있느냐'라는 질문에 "아직 사용하고 있지 않다"면서도 "현재 테스트하고(qualifying) 있으며 기대가 크다"고 말했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 크게 높인 제품으로 고성능 컴퓨팅 시스템에 사용되는 차세대 메모리 기술이다. 방대한 데이터를 신속하고 끊임없이 처리해야 하는 생성 AI를 구동하려면 HBM과 같은 고성능 메모리가 반드시 필요한 것으로 알려져 있다. 고성능 컴퓨팅 시스템에서는 대규모 시뮬레이션과 데이터 분석 과정에 HBM을 사용한다. 아울러 고성능 그래픽 카드에서는 게임, 가상현실(VR), 증강현실(AR) 등의 그래픽 데이터를 빨리 처리하기 위해 HBM이 사용된다. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있으며, HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다. HBM3 시장의 90% 이상을 점유하고 있는 SK하이닉스는 메모리 업체 중 가장 먼저 5세대인 HBM3E D램을 엔비디아에 납품한다고 밝혔다. SK하이닉스는 2024년 3월부터 엔비디아에 8단 HBM3E를 공식 공급하기 시작했다. SK하이닉스는 GTC 2024에서 12단 HBM3E를 선보였으며, 이르면 2024년 2월에 엔비디아에 샘플을 제공할 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 HBM4의 성능을 향상시키기 위해 하이브리드 본딩 기술을 활용할 것이라고 밝혔다. 16단 D램을 적층해 48GB 용량을 구현할 계획이며, 데이터 처리 속도는 HBM3E 대비 40%, 전력 소비는 70% 수준에 불과할 것으로 예상된다. 삼성은 지난 2월 18일부터 21일까지 열린 '2024 국제 반도체 회로 학회(ISSCC 2024)'에서 곧 출시될 HBM4가 초당 2TB의 대역폭을 자랑하며 5세대 HBM(HBM3E) 대비 66% 대폭 증가했다고 발표했다. 또한 입출력(I/O) 수도 두 배로 증가했다.
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삼성전자, 이르면 9월부터 엔비디아에 12단 HBM3E 단독 공급
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SK하이닉스, 5조3천억원 투자 미국 인디애나주 반도체 패키징공장 건설
- SK하이닉스가 미국 인디애나주 서부 웨스트 라피엣에 첨단 반도체 패키징 공장을 건설할 계획이다. 월스트리트저널(WSJ)은 26일(현지시간) 소식통을 인용해 SK하이닉스가 반도체공장 건설을 위해 40억 달러(약 5조3000억 원)를 투자하며 2028년 가동을 개시할 계획이라고 보도했다. SK하이닉스 이사회는 조만간 이 결정을 승인할 것으로 알려졌다. 소식통은 이 공장 건설로 800∼1000개의 일자리가 창출되며 미국 연방정부와 주 정부의 세금 인센티브 등 지원이 프로젝트 자금 조달에 도움이 될 것이라고 설명했다. 공장이 들어서는 인디애나주 웨스트 라피엣에는 미국 최대 반도체 및 마이크로 전자공학 프로그램을 운영하는 대학 중 한 곳인 퍼듀대학이 있다. SK하이닉스는 대만 반도체 기업 TSMC와 인텔 공장이 들어서는 등 반도체 산업이 급성장하고 있는 애리조나주도 고려했으나 퍼듀대를 통해 엔지니어 풀을 확보할 수 있다는 이점을 감안해 인디애나주를 최종 선택했다고 소식통은 지적했다. 패키징은 웨이퍼 형태로 생산된 반도체를 자르고 전기 배선 등을 연결해 전자 기기에 탑재할 수 있는 형태로 조립(패키징)하는 반도체 생산의 마지막 단계다. 이에 앞서 지난 1일 영국 파이낸셜타임스(FT)는 SK하이닉스가 인디애나주를 반도체 패키징 공장 부지로 선정했으며, 이 공장은 엔비디아의 그래픽처리장치(GPU)에 들어갈 고대역폭 메모리(HBM) 제조를 위한 D램 적층에 특화한 시설이 될 것이라고 복수의 소식통을 인용해 보도했다. 세미애널리틱스의 딜런 파텔 수석 애널리스트는 "SK하이닉스 공장은 미국에서 대규모 HBM(고대역폭 메모리) 패키징을 위한 첫 번째 주요 시설이 될 것"이라고 예상했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리다. 방대한 데이터를 신속하고 끊임없이 처리해야 하는 생성형 AI를 구동하려면 HBM과 같은 고성능 메모리가 반드시 필요한 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 HBM 4세대인 HBM3 시장의 90%를 점유하고 있다. SK하이닉스는 HBM 5세대인 HBM3E도 이달 말부터 AI 칩 선두 주자인 엔비디아에 공급한다고 지난 18일 밝혔다. SK하이닉스의 HBM3E는 초당 최대 1.18테라바이트(TB)의 데이터를 처리한다. 이는 풀-HD급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. SK하이닉스는 현재 국내에서 HBM 칩을 생산해 패키징하고 있는데, 이 중 일부를 새로 들어서게 되는 공장에서 처리하게 되며, 이 시설에서는 또 다른 유형의 첨단 패키징도 처리될 예정이라고 소식통은 전했다.
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SK하이닉스, 5조3천억원 투자 미국 인디애나주 반도체 패키징공장 건설
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한국 3월 중순까지 수출 11% 증가…반도체 46% 급증
- 한국 수출량이 3월 중반까지 반도체 등 일부 품목의 강세에 힘입어 10% 이상 증가했다. 중국으로의 수출은 상승세를 기록했으나, 승용차 수출은 계속해서 감소했다. 관세청은 21일 24년 3월 1일 ~ 3월 20일 수출입 현황 보고서를 통해, 3월 1일부터 20일까지의 수출액(통관 기준 예비치)은 341억 2500만 달러로, 전년 동기 대비 11.2% 상승했다고 발표했다. 관세청에 따르면 수출은 341억 달러로 전년 동기 대비 11.2%증가했으며, 수입은 348억달러로 전년 동기 대비 6.3% 감소했다. 수역 수지는 7억 달러 적자를 기록했다. 일별 평균 수출액 역시 11.2% 증가했으며, 이 기간동안의 조업일수는 14.5일로, 전년과 동일했다. 월별 수출액은 지난해 10월부터 5개월 연속 증가 추세를 유지했으며, 이번 달에도 증가할 것으로 예상된다. 품목별 세부 내용을 살펴보면, 반도체 수출은 46.5% 증가했다. 월간 반도체 수출액은 작년 11월(10.8%)과 12월(19.0%), 올해 1월(52.8%), 2월(63.0%) 등 4개월 연속 두 자릿수 증가율을 보이고 있다. 선박 수출은 주문이 계속되면서 370.8% 급증했다. 그러나 승용차 수출은 7.7% 줄었다. 승용차 수출은 지난달 8.2% 줄어든 데 이어 두 달 연속 감소세를 이어가고 있다. 국가별로 살펴보면, 중국으로의 수출이 7.5% 증가했으며, 지난달 중국의 춘제 영향으로 한 달 만에 감소세를 보였던 대중 수출이 다시 증가세로 전환했다. 그밖에 미국(18.2%), 유럽연합(EU·4.9%), 베트남(16.6%), 홍콩(94.9%) 등으로의 수출도 좋은 성과를 보였다. 한편 3월 1∼20일 수입액은 348억3600만달러로 6.3% 감소한 것으로 나타났다. 원유(-5.5%), 가스(-37.5%), 석탄(-36.0%), 승용차(-14.2%) 등의 수입이 줄었다. 반면 석유제품(32.1%), 반도체(8.8%)의 수입은 증가했다. 국가별 수입 감소국은 중국(-9.0%), 일본(-5.8%), 호주(-22.8%) 등이었다. 이 기간 동안 무역수지는 7억1100만달러 적자를 기록했다. 이는 지난달 같은 기간 12억3100만달러 적자보다 감소한 수치다. 월간 무역수지는 지난달까지 9개월 연속 흑자를 나타냈다. 대중 무역수지는 9억8000만달러 적자였다. 대중 수출 호조에도 수입액이 수출액을 초과했기 때문이다. 조익노 산업통상자원부 무역정책관은 "반도체와 조선 분야의 강세 덕분에 수출이 두 자릿수 상승하는 견고한 성장률을 유지했다"며, "이번 달에 남은 근무일이 지난해보다 1.5일 적어 3월 말까지의 수출 성장률이 약간 조정될 수 있으나, 정보기술(IT) 관련 제품의 지속적인 강세를 바탕으로 수출 증가세와 무역 흑자 추세는 계속될 것"이라고 예측했다. 한편, 일본의 무역 수지는 2개월 연속 적자를 기록했다. 일본 재무성이 21일 발표한 2월 무역통계(속보치)에 따르면 지난달 무역수지 적자액은 3794억엔(약 3조3500억원)으로 집계됐다. 적자 규모는 전월(1조7603억엔)보다 78.4% 줄고 작년 동월(9289억엔)보다는 59.2% 감소한 수준이다. 적자 규모 축소는 지난달 수출이 8조2492억엔(약 72조7513억원)으로 자동차 등의 선전에 힘입어 작년 같은 달보다 7.8% 늘어난 데 따른 것이다. 수입은 8조6286억엔으로 작년 동월보다 0.5% 늘었다. 참고로 2월 한국 수출액은 524억1000만달러(약 69조5166억원)로 지난해 같은 달보다 4.8% 증가했다. 한국의 2월 수입액은 481억1000만달러(약 63조8275억원)로 지난해 같은 달보다 13.1% 감소했다.
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한국 3월 중순까지 수출 11% 증가…반도체 46% 급증
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엔비디아, 차세대 AI칩 'B200' 3만달러 이상 예상
- 인공지능(AI) 반도체 기업 엔비디아가 공개한 차세대 AI 칩 '블랙웰B200'의 가격이 3만~4만달러가 될 것으로 예상된다. 19일(이하 현지시간) 로이터통신 등 외신들에 따르면 엔비디아 젠슨 황 최고책임자(CEO)는 이같이 밝혔다. 그는 또 블랙웰 플랫폼의 연구개발 예산이 약 100억 달러였다는 점도 공개했다. 엔비디아는 지난 18일 미국 캘리포니아 새너제이 SAP 센터에서 개막된 개발자 콘퍼런스 'GTC(GPU Technology Conference) 2024'에서 AI칩 블랙웰B200을 내놓았다. 올해 행사에선 900개 세션과 250개 이상의 전시, 수십 개의 기술 워크숍 등이 진행됐다. B200은 두 개의 다이(TSMC 4NP 공정에서 생산)와 8개의 24기가바이트(GB) HBM3E로 구성돼 있다. 다이와 HBM3E 연결을 위해 TSMC 칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트(CoWoS)-S 기술이 적용됐다. 엔비디아는 B200에 대해 2080억개의 트랜지스터가 탑재된 역사상 가장 강력한 칩이라고 소개했다. 엔비디아는 챗봇으로부터의 답변을 제공하는 작업에서는 30배 빠르지만 챗봇을 훈련하기 위해 방대한 양의 데이터를 처리할 때의 성능에 대해서는 구체적인 세부사항을 밝히지 않았다. 젠슨 황 엔비디아 CEO 신제품에 대해 "블랙웰B200 GPU는 이 새로운 산업 혁명을 구동하는 엔진"이라고 설명했다. 이어 "세계에서 가장 역동적인 기업들과 협력해 모든 산업에서 AI의 가능성을 실현할 것"이라고 말했다. '블랙웰'은 흑인으로는 최초로 미국국립과학원에 입회한 '데이비드 헤롤드 블랙웰'을 기리기 위해 붙여진 이름이다.
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엔비디아, 차세대 AI칩 'B200' 3만달러 이상 예상
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외신 "삼성, 칩 생산에 MUF 기술 도입 계획"…삼성, 부인
- 삼성전자가 SK하이닉스가 사용하는 반도체 제조 기술을 도입할 계획이라는 외신 보도를 부인했다. 연합뉴스는 로이터통신을 인용해 인공지능(AI) 붐에 따른 수요 급증에 대응해 반도체 업계의 고성능 반도체 경쟁이 가열되는 가운데, 삼성전자가 경쟁사인 SK하이닉스가 사용하는 반도체 제조 기술을 도입할 계획이라고 13일 보도했다. 로이터통신은 여러 익명 소식통을 인용해 삼성전자가 최근 '몰디드 언더필(MUF)' 기술과 관련된 반도체 제조 장비를 구매 주문했다고 전했다. 하지만 삼성전자는 반도체 칩 생산에 '매스 리플로우(MR)-MUF' 기술을 도입할 계획이 없다며 이 보도를 부인했다. AI 시장의 확대로 고대역폭 메모리(HBM)에 대한 수요가 증가함에 따라, 삼성전자는 이 분야에서 SK하이닉스나 마이크론과는 달리 선두 업체인 엔비디아와 HBM 칩 공급 계약을 체결하지 못한 상황이다. 이에 로이터는 애널리스트들을 인용해, 삼성전자가 경쟁에서 뒤처진 이유 중 하나로 비전도성 필름(NCF) 방식을 고수하고 있음에 따른 생산상의 문제점을 지적했다. HBM(High Bandwidth Memory) 칩은 고대역폭 메모리 기술로, 특히 고성능 컴퓨팅, 서버, 그래픽 처리 장치(GPU) 등에서 데이터 처리 속도를 향상시키기 위해 설계된 반도체 메모리다. HBM은 기존의 DDR(Dual Data Rate) 메모리보다 더 많은 데이터를 빠르게 전송할 수 있는 것이 특징이며, 이를 통해 시스템의 전반적인 성능을 크게 개선할 수 있다. HBM 기술은 여러 개의 메모리 레이어를 수직으로 적층하여 3D 패키징을 구현한다. 이러한 구조는 메모리 칩 사이의 거리를 단축시켜 데이터 전송 속도를 높이고, 전력 소모를 줄이며, 공간 효율성을 개선하는 장점이 있다. HBM 메모리는 그래픽 카드나 고성능 컴퓨팅 분야에서 요구되는 고대역폭과 낮은 전력 소모 요구 사항을 충족시키기 위해 널리 사용되고 있다. 반대로, SK하이닉스는 NCF 방식의 문제점을 해결하기 위해 MR-MUF 방식으로 전환했으며, 결과적으로 엔비디아에 HBM3 칩을 공급하는 성과를 이루었다. 현재 시장에서는 삼성전자의 HBM3 칩 수율이 약 10∼20% 정도인 반면, SK하이닉스의 수율은 60∼70%에 달한다고 추산된다. 삼성전자는 MUF 재료 공급을 위해 일본의 나가세 등 관련 업체와 협상 중인 것으로 알려졌다. 한 소식통에 따르면, 삼성전자가 추가적인 테스트를 진행해야 하기 때문에 MUF를 사용한 고성능 칩의 대량 생산이 내년까지는 어려울 것으로 예상했다. 또 다른 소식통은 삼성전자의 HBM3 칩이 엔비디아에 공급되기 위한 과정을 아직 통과하지 못했다고 밝혔다. 소식통에 따르면 삼성전자가 HBM 칩 생산에 기존 NCF 기술과 MUF 기술을 모두 사용할 계획이라고 전하기도 했다. 한편, MUF(Molded Underfill) 기술은 반도체 칩과 기판 사이의 공간을 채우기 위해 사용되는 고급 패키징 기술이다. 이 기술은 반도체 칩을 기판에 장착한 후, 칩과 기판 사이의 미세한 공간에 특정 물질을 주입하여 경화시키는 과정을 포함한다. MUF 기술은 칩의 열 관리를 개선하고, 기계적 강도를 증가시키며, 전기적 성능을 향상시키는 데 도움을 준다. 또한, 이 기술은 칩의 신뢰성을 높이고, 고밀도 패키징이 요구되는 반도체 제품에서 특히 유용하게 사용된다. NCF(Non-Conductive Film) 기술은 반도체 칩과 기판 사이의 연결 공정에서 사용되는 비전도성 필름을 말한다. 이 기술은 반도체 칩의 미세한 배선 패턴과 기판 사이를 연결할 때 사용되는데, 특히 고밀도 패키징 어셈블리에서 중요한 역할을 한다. NCF는 전기적으로는 비전도성이면서 열적, 기계적 성질을 개선해주어 칩의 신뢰성과 성능을 높이는 데 기여한다. 플립 칩(Flip-chip) 기술과 같은 패키징 공정에서 사용되며, 칩과 기판 사이의 미세한 불균일을 채우고, 열 확산을 도와주며, 기계적인 스트레스를 줄여주는 역할을 한다.
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외신 "삼성, 칩 생산에 MUF 기술 도입 계획"…삼성, 부인
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삼성전자, 반도체업계 최초 '12단 HBM3E' 개발
- 삼성전자가 업계 최초로 36GB(기가바이트) 'HBM3E' 12H(12단 적층) D램 개발에 성공했다. 삼성전자는 27일 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했다고 밝혔다. HBM3E는 5세대 고대역폭메모리다. 삼성전자는 상반기 양산 예정인 이 제품을 통해 고용량 HBM(고대역폭메모리) 시장 선점의 '터닝포인트'로 삼겠다는 계획이다. 'HBM3E 12H'는 1024개의 입출력 통로(I/O)에서 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공한다. 성능과 용량 모두 전작인 HBM3 8H(8단 적층) 대비 50% 이상 개선됐다. 삼성전자는 'Advanced TC NCF(열압착 비전도성 접착 필름)' 기술로 12H 제품을 8H 제품과 동일한 높이로 구현해 HBM 패키지 규격을 만족시켰다. 이 기술을 적용하면 HBM 적층 수가 증가한다. 특히 칩 두께가 얇아지면서 발생할 수 있는 '휘어짐 현상'을 최소화할 수 있는 장점이 있어 고단 적층 확장에 유리하다. 삼성전자는 NCF 소재 두께도 지속적으로 낮춰 업계 최소 칩 간 간격인 '7마이크로미터(㎛)'를 구현했다. 이를 통해 HBM3 8H 대비 20% 이상 향상된 수직 집적도를 실현했다. 또한 칩과 칩 사이를 접합하는 공정에서 신호 특성이 필요한 곳과 열 방출 특성이 필요한 곳에 각각 다른 사이즈의 범프를 적용함으로써 열 특성을 강화하는 동시에 수율도 극대화했다. 삼성전자에 따르면 이번 12단 HBM3E를 사용할 경우 GPU(그래픽처리장치) 사용량이 줄어 기업들이 총소유 비용(TCO)을 절감할 수 있다는 설명이다. 가령 서버 시스템에 HBM3E 12H를 적용하면 HBM3 8H를 탑재할 때보다 평균 34% 인공지능(AI) 학습 훈련 속도 향상이 가능하며, 추론의 경우에는 최대 11.5배 많은 AI 사용자 서비스가 가능할 것으로 기대된다. 삼성전자는 HBM3E 12H의 샘플을 고객사에 제공하기 시작했으며 올해 상반기 양산할 예정이다.
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- IT/바이오
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삼성전자, 반도체업계 최초 '12단 HBM3E' 개발
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삼성전자, 올해 1분기 메모리반도체 흑자전환 예상
- 삼성전자가 작년 4분기 D램 흑자 전환에 성공한 데 이어 올해 1분기 메모리 사업이 흑자를 낼 수 있을 것으로 예상했다. 다만 고대역폭 메모리(HBM) 등 인공지능(AI)용 D램이 이끄는 메모리 수요 회복에도 기존 감산 기조에는 변함이 없다는 입장을 재확인했다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 31일 작년 4분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 "생성형 AI 관련 HBM 서버와 SSD 수요에 적극 대응하면서 수익성 개선에 집중할 계획"이라며 "이에 따라 올해 1분기 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다"고 말했다. 김 부사장은 "업계 전반으로 보면 메모리 생산 전반의 비트그로스(bit growth·비트 단위로 환산한 생산량 증가율)가 제한적일 것으로 예상되는 만큼 고객의 재고 비축 수요보다는 진성 수요 위주로 공급 대응을 할 계획"이라고 설명했다. 지난해 4분기 삼성전자의 D램과 낸드 비트그로스는 각각 전 분기 대비 30% 중반대 증가를 기록했다. 평균판매단가(ASP)는 D램이 두 자릿수 초반, 낸드가 높은 한 자릿수 각각 상승했다. 삼성전자는 올해 1분기 비트그로스는 D램이 시장 수준인 1% 중반 하락하고, 낸드는 시장 수준인 낮은 한 자릿수 감소를 약간 밑돌 것으로 예상했다. 이 같은 시장 환경에서 삼성전자는 기존 재고 정상화 목표와 이를 위한 생산량 조정 기조에는 변함이 없다는 입장을 밝혔다. 김 부사장은 "4분기 출하량 증가와 지금까지의 생산 하향 조정으로 재고 수준은 빠른 속도로 감소했으며, 특히 시황 개선 속도가 상대적으로 빠른 D램을 중심으로 재고 수준이 상당 부분 감소했다"고 전했다. 그는 "D램과 낸드 모두 세부 제품별 재고 수준에는 차이가 있어서 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 선별적인 생산 조정은 이어 나갈 계획"이라고 밝혔다. 그는 이어 "D램 재고는 1분기가 지나면서 정상 범위에 도달할 것으로 보이며 낸드도 수요나 시장 환경에 따라 시점의 차이가 있을 수 있으나 늦어도 상반기 내에 정상화될 것으로 기대한다"며 "앞으로도 시장 수요와 재고 수준을 상시 점검해 이에 따른 사업 전략을 유연하게 하겠다"고 덧붙였다. HBM 판매량의 경우 지난해 4분기에 전 분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비 3.5배 규모로 성장했다. 삼성전자는 작년 3분기 HBM3의 첫 양산을 시작했고, 4분기에는 주요 그래픽처리장치(GPU) 업체를 고객군에 추가하며 판매를 확대했다고 전했다. 김 부사장은 "HBM3를 포함한 선단 제품 비중은 지속적으로 증가해 올해 상반기 중 판매 수량의 절반 이상을 차지하고 하반기에는 그 비중이 90% 수준에 도달할 것"이라고 밝혔다. 삼성전자는 차세대 HBM3E 제품 사업화와 그다음 세대 HBM4 개발도 계획대로 순조롭게 진행 중이라고 밝혔다. 이와 관련해 김 부사장은 "HBM3E는 주요 고객사에 샘플을 공급 중이며 올해 상반기 내에 양산 준비가 완료될 예정"이라며 "HBM4의 경우 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중"이라고 전했다. 김부사장은 이어 "생성형 AI 성장과 함께 고객 맞춤형 HBM에 대한 요구가 증가하는 상황에서 표준 제품뿐 아니라 로직 칩을 추가해 성능을 고객별로 최적화한 커스텀 HBM 제품도 함께 개발 중"이라며 "현재 주요 고객사와 세부 스펙을 협의하고 있다"고 덧붙였다. 올해 전반적인 메모리 수요 환경은 점진적인 회복세를 보이고, 지난해 위축된 시설투자(캐펙스·CAPEX)는 HBM을 중심으로 회복할 것으로 회사 측은 예상했다. 김 부사장은 "최근 생성형 AI에 의한 서버향 HBM 및 고용량 DDR5 채용이 늘고 낸드에서는 8테라바이트급 이상 고용량 SSD 수요도 접수되고 있어서 수요 회복에 긍정적인 요인으로 작용할 것"이라고 내다봤다. 아울러 "올해는 업계 내 캐펙스가 일부 회복될 것으로 예상된다"며 "다만 상당한 비중으로 HBM에 집중되고, HBM외 제품들은 비트그로스 성장이 제한적일 수밖에 없을 것으로 보인다"고 진단했다. 작년 4분기에 시장 수요 약화로 실적이 부진했던 파운드리 부문에서는 올해 기기 자체에서 AI를 구동하는 온디바이스 AI 수요에 기대를 걸고 있다. 정기봉 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 "온디바이스 AI 제품이 많이 출시될 것으로 예상되고, 고객들은 더 빠른 AI 기능을 요구한다"며 "AI 성능 증가에 따라 NPU(신경망처리장치) 블록 사이즈가 커지고 S램 용량이 증가해 향후 파운드리 수요에 더 크게 기여할 것"이라고 기대했다.
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삼성전자, 올해 1분기 메모리반도체 흑자전환 예상
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SK하이닉스, AI성장 힘입어 5분기만에 적자 탈출
- 인공지능(AI) 시장 성장으로 메모리 반도체 업황이 회복 조짐을 보이자 그동안 부진했던 국내 반도체 기업들도 기지개를 펴고 있다. AI 반도체에 발빠르게 투자했던 SK하이닉스의 경우 5분기만에 흑자전환에 성공하며 지난해 4분기 '깜짝 실적'을 내놓았다. 2022년 4분기부터 이어져온 영업적자에서 1년 만에 벗어난 것이다. SK하이닉스는 25일 지난해 4분기 매출 11조3055억원, 영업이익 3460억원(영업이익률 3%), 순손실 1조3795억원의 경영실적을 기록했다고 밝혔다. 지난해 4분기 AI 서버와 모바일향 제품 수요가 늘고, 평균판매단가가 상승하는 등 메모리 시장 환경이 개선된 영향이 컸다. SK하이닉스 관계자는 "메모리 반도체 업황 반등이 본격화된 가운데 그동안 지속해온 수익성 중심 경영활동이 효과를 내면서 1년 만에 분기 영업흑자를 기록하게 됐다"고 설명했다. 이에 따라 SK하이닉스는 지난해 3분기까지 이어져온 누적 영업손실 규모를 줄여 2023년 연간 실적은 매출 32조7657억원, 영업손실 7조7303억원, 순손실 9조1375억원을 기록했다. SK하이닉스는 D램에서 시장을 선도하는 기술력을 바탕으로 고객 수요에 적극 대응한 결과, 주력제품인 DDR5와 HBM3 매출이 전년 대비 각각 4배, 5배 이상으로 증가했다고 밝혔다. SK하이닉스는 현재 엔비디아에 4세대 HBM인 HBM3를 사실상 독점 공급하고 있다. 메모리 반도체 업황 회복에도 삼성전자 반도체 사업 부문은 아직 적자탈출을 하지 못하고 있다. 지난해 삼성전자 반도체 사업부는 1분기 4조5800억원, 2분기 4조3600억원, 3분기 3조7500억원 적자를 냈다. 3분기까지 누적 적자는 12조6900억원에 달한다. 증권업계에 따르면 삼성전자는 지난해 반도체(DS)부문에서 13조원대의 적자를 기록할 것으로 예상되는데 이는 창립 이래 연간 최대 규모의 영업손실이다. 메모리 업황이 개선되는 반면 시스템 LSI와 파운드리 가동률이 부진한 영향이 크다고 업계에서는 보고 있다. 다만 지난해 3개 분기 연속 적자 폭을 줄여나가고는 있어 실적 개선세를 분명하게 보여주고 있다는 분석이 우세하다. 올해 메모리 반도체 가격이 상승세에 접어든 것은 국내 반도체 업계에 긍정적인 요인이다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 올해 메모리 반도체 제품인 D램과 낸드플래시 모두 1년 내내 평균판매가격(ASP)이 상승할 것이라고 전망됐다. 올해 1분기 D램의 경우 전 분기 대비 13~18%, 낸드플래시는 18~23% 오를 것으로 추정되고 있다. 메모리 반도체 수요 급증에 가격 상승까지 예상됨에 따라 시장에서는 반도체 기업들이 공급 기조에 변화를 줄 지 주목하고 있다. 그 동안 삼성전자와 SK하이닉스는 반도체 수요 부진이 지속되자 공급을 줄여 반도체 가격을 올리는 전략을 취했다. 이에 앞서 곽노정 SK하이닉스 사장은 지난 8일(현지시간) 미국 라스베이거스에서 열린 미디어 콘퍼런스에서 "D램은 최근 시황 개선 조짐이 보여 수요가 많은 제품은 당연히 최대한 생산하고 수요가 취약한 부분은 조절해나갈 것"이라며 "D램은 1분기에 (감산에) 변화를 줘야 할 것 같고 낸드는 2분기나 3분기 등 중반기가 지나 시장 상황을 보면서 같은 원칙을 갖고 하려고 한다"고 밝혔다.
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SK하이닉스, AI성장 힘입어 5분기만에 적자 탈출
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SK하이닉스, AI 열풍으로 D램 시장 점유율 사상 최고치
- SK하이닉스가 인공지능(AI) 열풍으로 올해 3분기 기준 D램(DRAM) 시장의 35%를 점유해 사상 최고치를 기록했다고 기술 전문매체 톰스하드웨어가 26일(현지시간) 보도했다. 시장 조사업체 오미다(Omida)는 SK하이닉스는 AI 하드웨어에 대한 수요 증가에 힘입어 업계에서 큰 성장을 이루었다고 보고했다. AI 하드웨어는 상대적으로 많은 메모리를 사용하기 때문에 D램 산업 전반에 큰 성장세가 관찰되고 있다. 특히 SK하이닉스는 이러한 새로운 환경에서 특히 두각을 나타내며 시장 점유율에서 사상 최고치를 기록했다고 평가했다. 데이터 센터용 GPU는 AI 모델 학습 및 관련 작업에 사용되는데, 이러한 장치들은 이전보다 더 많은 VRAM(비디오 RAM은 그래픽 데이터를 저장하는 데 사용되는 특수한 유형의 메모리)을 탑재하고 있다. 예를 들어, AMD의 2020년 라데온 인스팅트 MI100은 32GB의 HBM2를, 2021년 MI200은 64GB의 HBM2e를 탑재했으며, 최신 MI300X는 192GB의 HBM3를 제공한다. 엔비디아(Nvidia)의 최신 플래그십 H200도 141GB의 HBM3e를 탑재하고 있다. 이러한 칩들은 모두 고대역폭 메모리(HBM)를 사용하기 때문에, HBM 부시장이 52%라는 높은 성장률을 기록할 것으로 예상된다. 이는 전체 D램 시장의 21% 성장률을 크게 앞서고 있다. AI 칩에 대한 수요로 인한 빠른 성장은 시장에 변화를 가져왔다. HBM(High Bandwidth Memory, 고대역폭 메모리)는 그래픽 처리와 같은 고성능 컴퓨팅 작업에 사용되는 최신 메모리 기술이다. HBM은 기존 D램(Dynamic Ramdom Access Memory, 동적 랜덤 접근 메모리, 용량이 크고 바끄기 때문에 커뮤터의 주력 메모리로 사용되는 램을 의미함)과 다르게 설계되어 대역폭이 더 높고 에너지 효율성도 높다. HBM은 고해상도 비디오 게임, AI 모델 학습, 고성능컴퓨팅과 같은 메모리 대역폭이 중요한 응용프로그램에서 주로 사용된다. SK하이닉스의 최근 성장은 주로 HBM 덕분인 것으로 보인다. 현재 HBM은 D램 수익의 10%를 차지하지만, SK하이닉스는 지난 4월 이미 HBM 시장의 50%를 점유하고 있었다고 트렌드포스(Trendforce)는 밝혔다. 그 이후 HBM 시장은 계속 성장하고 있으며, SK하이닉스의 시장 점유율 역시 더 늘어났을 가능성이 있다. 오미다의 데이터에 따르면, SK하이닉스는 삼성과 마이크론과 같은 다른 주요 RAM 제조업체와 비교해 어떤 위치에 있는지는 구체적으로 밝히지 않았지만 SK하이닉스가 2위를 차지하고 있을 것으로 추정했다. 트렌드포스에 따르면, 삼성은 3월 기준 D램 시장의 45%, HBM 시장의 40%를 차지하고 있었으며, 적어도 10% 이상 뒤처지지는 않았을 것으로 보인다고 톰스하드웨어는 전했다. 업계에서는 삼성은 몇 년 동안 가장 큰 메모리 제조업체로 자리매김했지만, AI 시장의 변화로 새로운 리더가 탄생할 수 있다고 전망했다.
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SK하이닉스, AI 열풍으로 D램 시장 점유율 사상 최고치
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삼성전자, 반도체 부진 터널 벗어나나…반도체 적자 축소
- 삼성전자는 메모리 시장 회복세와 정보기술(IT) 수요 개선으로 영업이익이 급감했으나 반도체 적자는 크게 줄어든 것으로 나타났다. 삼성전자는 31일 연결 기준 올해 3분기 영업이익이 2조4336억원으로 지난해 동기보다 77.57% 감소한 것으로 집계됐다고 공시했다. 매출은 67조4047억원으로 작년 동기 대비 12.21% 줄어들었다. 삼성전자는 금리·물가 인상 등 거시 경제 악화로 사상 초유의 메모리 불황과 IT 기기 수요 부진을 겪고 있다. 직전 분기인 2분기에는 영업이익 6700억원을 기록하면서 위기를 겪었지만 3분기에는 반도체 공급량 조절과 점진적 수요 회복 등으로 조 원대 영업이익을 기록하며 회복세에 진입했다. 부문별로 보면 삼성전자의 주력 사업인 반도체(DS) 부문은 3분기 매출 16조 4400억원, 영업손실 3조 7500억원을 기록했다. 삼성전자 DS부문 매출의 60~70%를 차지하는 메모리 반도체 사업은 △ 고대역폭메모리(HBM) △ DDR5 △ LPDDR5x 등 고부가 제품 판매 확대와 일부 판가 상승으로 전분기 대비 적자 폭이 축소됐다. 삼성전자 관계자는 "업황 저점에 대한 인식이 확산되며 부품 재고를 확보하기 위한 고객사의 구매 문의가 다수 접수됐다"고 설명했다. 시스템 반도체 설계 사업을 담당하는 시스템LSI 사업부는 주요 고객사의 수요 회복이 지연되고 재고 조정으로 인해 실적 개선이 부진했다. 파운드리는 라인 가동률 저하 등으로 실적 부진은 지속됐으나 고성능컴퓨팅(HPC)용 칩 주문이 늘어나면서 역대 최대 분기 수주를 달성했다. 스마트폰·가전 등을 담당하는 디바이스경험(DX) 부문은 매출 44조 200억원, 영업이익 3조 7300억원을 기록했다. 스마트폰 판매가 주력인 모바일경험(MX) 사업부는 갤럭시 Z플립 등 고성능 제품 출시로 매출, 영업이익은 2분기 대비 견조한 성장을 보였다. 네트워크 사업부는 통신사업자들의 투자 감소로 북미 등 주요 해외 시장 매출이 감소했다. 비주얼 디스플레이(VD) 사업의 경우 글로벌 TV 수요는 전년 동기 대비 감소했으나 퀀텀닷발광다이오드(QLED), 유기발광다이오드(OLED) 초대형 TV 등 고부가 제품 판매에 주력하면서 전년 동기 대비 수익성을 개선했다. 생활 가전은 성수기 효과 감소로 전년 수준의 실적을 기록했다. 삼성의 전장·오디오 자회사 하만(Harman)은 전장 고객사의 수주 확대와 카오디오 판매 확대로 역대 분기 최대 실적을 달성했다. 삼성디스플레이는 중소형 패널의 경우 주요 고객사의 플래그십 제품 출시에 적극 대응해 전분기 대비 이익이 대폭 증가했다. 삼성전자 측은 올 4분기 글로벌 IT 수요가 점진적으로 개선돼 전사 실적 개선에도 긍정적 영향을 줄 것으로 전망했다. DS부문의 경우 메모리는 고객사 재고 수준이 대체적으로 정상화됐고 전분기 대비 가격 상승폭이 점차 확대될 것으로 보인다. 회사는 생성형 AI 수요 증가에 맞추어 HBM3 양산 판매를 본격적으로 확대할 계획이다. 중장기 경쟁력 강화와 첨단공정 비중 확대를 위해 신규 라인인 평택 3 공장 초기 가동에 들어갔으며 △DDR5 △LPDDR5x △유니버설 플래시 스토리지(UFS) 4.0 등 신규 제품 수요에도 적극 대응한다는 설명이다. 시스템LSI는 시장의 수요 회복세 진입이 전망되는 가운데 갤럭시 S 신규 스마트폰 등 모바일 고객사의 신제품 부품 공급 증가로 큰 폭의 실적 개선이 기대된다. 파운드리 사업은 게이트올어라운드(GAA) 3나노 2세대 공정 양산과 테일러 공장 가동을 통해 기술 경쟁력을 더욱 강화하고 다양한 응용처로 수주를 확대해 나갈 방침이다. 특히 최근 관심이 확대되고 있는 어드밴스드 패키지 사업의 경우 국내외 HPC 고객사로부터 로직반도체와 HBM, 2.5D 패키징을 아우르는 턴키 주문을 포함한 다수의 패키지 사업을 수주해 내년 본격적인 양산을 준비 중이다. MX는 스마트폰 시장 경쟁이 심화되는 가운데, 연말 성수기 다양한 프로그램을 통해 폴더블 신제품과 S23 시리즈의 견조한 판매를 지속 추진할 계획이다. 태블릿과 웨어러블도 프리미엄 신제품 중심으로 거래선 협업을 통해 판매를 확대할 방침이다. VD 사업부는 블랙 프라이데이 등 성수기에 대비해 온·오프라인 채널 판매 경쟁력을 지속 강화하고 고부가 제품군 비중을 확대해 수익성 확보에 주력할 방침이다. 삼성디스플레이는 중소형의 경우 신규 응용처 수요 확대에 집중하고 대형 패널은 시장내 기반 강화 및 수익성 개선을 추진할 예정이다. 삼성전자 관계자는 "내년은 거시경제 불확실성이 상존할 것으로 예상되나 메모리 시황과 IT 수요의 회복이 기대된다"고 지적했다.
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삼성전자, 반도체 부진 터널 벗어나나…반도체 적자 축소
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