SK하이닉스는 23일 올해 고대역폭 메모리(HBM) 매출이 전년 대비 100% 이상 성장할 것이라며, HBM4 제품을 올해 하반기 중 개발과 양산 준비를 마치고 공급을 시작할 계획이라고 밝혔다. 

지난해 HBM 매출은 전년 대비 4.5배 증가했으며, HBM3E 12단 제품은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지하며 공급 중이다. HBM4는 12단 제품으로 시작해 16단 제품은 내년 하반기 공급을 목표로 한다. SK하이닉스는 HBM 투자와 인프라 확대에 주력하고, AI 메모리 수요 성장에 따라 수익성 중심의 전략을 강화할 방침이다.

[미니해설] SK하이닉스, HBM 기술로 메모리 반도체 시장 선도

SK하이닉스가 HBM4 기술로 올해 메모리 반도체 시장을 선도하겠다고 밝혔다. 올해 투자 대부분도 HBM과 인프라 투자에 집중할 방침이다. 

SK하이닉스는 23일 "올해 고대역폭 메모리(HBM) 매출이 전년 대비 100% 이상 성장할 것"이라며, HBM4 제품의 하반기 양산 준비를 마치고 공급에 돌입할 계획이라고 말했다. 

이번 발표는 지난해 4분기 및 연간 실적 발표 콘퍼런스콜에서 이루어졌으며, 회사는 HBM 기술력을 기반으로 한 안정적 이익 창출 구조를 강조했다.

지난해 SK하이닉스의 HBM 매출은 전년 대비 4.5배 증가했으며, 4분기에는 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지하며 사상 최대 실적을 기록했다. 특히, 세계 최초로 양산에 성공한 HBM3E 12단 제품은 올해 상반기 내 HBM3E 출하량의 절반 이상을 차지할 것으로 전망된다.

SK하이닉스는 6세대인 HBM4 개발에 있어 1b 나노 기술을 적용해 기술 안정성과 양산성을 확보하고 있다. 12단 제품으로 시작한 후, 고객의 요구에 따라 16단 제품은 내년 하반기부터 공급할 예정이다. 어드밴스드 MR-MUF 기술의 선제적 적용 경험을 바탕으로 HBM4 양산에도 동일한 기술을 도입할 계획이다.

HBM4 개발에서는 최초로 베이스 다이에 로직 파운드리를 활용해 성능과 전력 효율을 강화하며, 이를 위해 TSMC와 협업 체계를 구축해 기술 경쟁력을 더욱 강화했다.

AI 기술의 확산과 고성능 메모리 수요 증가로 메모리 시장은 고품질, 고성능 제품 중심으로 전환되고 있다. SK하이닉스는 고객 맞춤형 제품을 적기에 제공하는 전략을 통해 D램 평균판매단가(ASP)를 10% 상승시키며 수익성을 확보했다.

특히, 주문형 반도체(ASIC) 기반 고객 수요가 증가하며 HBM 제품의 장기 계약 체결이 활발히 이루어지고 있다. SK하이닉스는 내년 HBM 공급 물량 대부분에 대한 가시성을 올해 상반기 중 확보할 것으로 전망하며, HBM의 높은 투자 비용을 고려해 안정적인 계약 구조를 유지할 계획이다.

HBM과 인프라 투자에 집중하는 SK하이닉스는 청주의 M15X를 올해 4분기 중 오픈하고, 용인 클러스터 1기 팹은 2027년 2분기 가동을 목표로 올해부터 공사를 시작한다. 올해 투자 규모는 HBM과 미래 성장 인프라 확보에 중점을 두며, 지난해 대비 증가할 것으로 예상된다.

낸드 사업은 기존 수익성 중심 운영 기조를 유지하며, 시장 상황에 따라 생산을 탄력적으로 조정하고 재고 정상화에 집중할 방침이다.

SK하이닉스는 HBM 기술력을 기반으로 메모리 반도체 시장의 변화를 주도하고 있다. 인공지능(AI) 시장의 성장과 맞물려 HBM 수요가 지속적으로 증가할 것으로 예상되며, 회사는 고객 맞춤형 제품을 적시에 공급함으로써 안정적인 이익 창출 구조를 확보하고 있다.

앞으로도 SK하이닉스는 HBM 시장에서의 선도적 위치를 공고히 하며, 고성능 메모리 기술로 글로벌 메모리 반도체 시장의 핵심 플레이어로 자리매김할 것으로 기대된다.