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- 삼성전자, HBM3E 개선 제품 1분기 말 공급…HBM4는 하반기 양산 목표
- 삼성전자는 31일 고대역폭 메모리(HBM) 5세대인 HBM3E 개선 제품을 1분기 말부터 주요 고객사에 공급할 예정이라고 밝혔다. 6세대 HBM4는 올해 하반기 양산을 목표로 한다. 다만 미국의 첨단반도체 수출 통제 등의 영향으로 1분기 HBM 제품의 일시적 판매 제약이 예상된다. 삼성전자는 4분기 HBM3E 공급을 확대하며 HBM3 매출을 넘어섰다고 밝혔다. 또한, 2분기 이후 고객 수요가 8단에서 12단으로 빠르게 전환될 것으로 전망하며, HBM 비트 공급량을 전년 대비 2배 확대할 계획이다. 박순철 신임 CFO는 이날 실적 콘퍼런스콜에서 "삼성전자는 위기 속에서도 기술력을 바탕으로 성장해왔다"며 "단기적 어려움을 극복하고 투자자 신뢰를 강화하겠다"고 강조했다. [미니해설] 삼성전자, HBM3E 개선 제품 공급 임박⋯HBM4는 하반기 양산 삼성전자가 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 시장에서 경쟁력을 강화하고 있다. 31일 삼성전자는 HBM3E 개선 제품을 올해 1분기 말부터 주요 고객사에 공급할 계획이며, HBM4는 2025년 하반기 양산을 목표로 개발 중이라고 밝혔다. HBM3E 개선 제품, 1분기 말 공급⋯HBM4 양산 준비 삼성전자는 4분기 실적 콘퍼런스콜에서 "지난해 3분기부터 HBM3E 8단과 12단 제품을 양산했으며, 4분기에는 다수의 GPU 공급사 및 데이터센터 고객에게 공급을 확대했다"고 밝혔다. 이로 인해 HBM3E 매출이 HBM3 매출을 넘어선 성과를 기록했다. HBM3E 개선 제품도 계획대로 준비 중이다. 앞서 삼성전자는 지난해 10월 실적 콘퍼런스콜에서 "주요 고객사의 차세대 GPU 과제에 맞춰 HBM3E 개선 제품을 준비 중"이라며 "기존 제품은 기존 과제용으로 공급을 확대하고 개선 제품은 신규 과제용으로 추가 판매할 것"이라고 밝힌 바 있다. 삼성전자는 2분기부터 HBM3E 개선 제품의 가시적인 공급 증가가 본격화될 것으로 전망했다. 미국 수출 규제와 HBM 수요 변화 삼성전자는 최근 미국 정부의 첨단 반도체 수출 통제 조치로 인해 1분기에는 HBM 제품의 일시적 판매 제약이 있을 것으로 내다봤다. 또한, 개선 제품 발표 이후 주요 고객사들의 기존 수요가 개선 제품으로 이동하면서 일시적인 수요 공백이 발생할 것으로 예상했다. 그러나 삼성전자는 "2분기 이후 고객 수요는 8단에서 12단으로 예상보다 빠르게 전환될 것"이라며, 이에 따라 HBM3E 개선 제품을 고객 수요에 맞춰 생산량을 확대하고, 2025년 전체 HBM 비트 공급량을 전년 대비 2배 수준으로 늘릴 계획"이라고 설명했다. HBM3E 16단 제품은 고객 상용화 수요가 없을 것으로 전망되지만, 16단 스택 기술 검증을 위해 이미 샘플을 제작해 주요 고객사에 제공했다. HBM4는 1c 나노 기반으로 개발 중이며, 2025년 하반기 양산을 목표로 한다. 또한, HBM4E 기반의 맞춤형 제품 개발을 위해 고객사와 기술 협의를 진행 중이다. 메모리 시장 전망과 전략 삼성전자는 메모리 시장이 단기적으로 약세를 이어갈 것으로 예상했다. 모바일과 PC 고객사의 재고 조정이 1분기까지 지속될 것으로 보이며, GPU 공급 제약으로 인해 일부 데이터센터 고객의 과제가 지연되면서 메모리 수요가 이연될 가능성이 크다는 분석이다. 이에 따라 삼성전자는 하이엔드 시장에 집중하고, DDR4와 LPDDR4의 비중을 줄이는 대신 HBM, DDR5, LPDDR5, GDDR7 등 고부가가치 제품의 비중을 확대하는 전략을 추진하고 있다. 특히 DDR4와 LPDDR4 매출 비중을 올해 한 자릿수 수준까지 급격히 축소할 계획이며, 공급 과잉 이슈가 삼성전자에 미칠 영향은 제한적일 것으로 전망된다. 트럼프 2기 출범 대비 전략 삼성전자는 미국 대선 결과에 따른 불확실성에도 대비하고 있다. 삼성전자는 "미국 대선뿐만 아니라 지정학적 환경 변화에 따라 다양한 시나리오를 기반으로 리스크와 기회를 분석하고 있다"며 "향후 정책 변화를 면밀히 주시하면서 사업 영향 분석과 대응 방안을 마련할 것"이라고 밝혔다. 이어 "미국을 포함한 전 세계 생산 역량, 글로벌 공급망 관리 능력, AI 기반 기술 경쟁력을 활용해 트럼프 행정부 출범에 따른 변화와 리스크에 적극 대응할 것"이라고 강조했다. 삼성전자 CFO, 투자자 신뢰 확보 강조 한편, 이날 실적 콘퍼런스콜에서 박순철 삼성전자 최고재무책임자(CFO)가 공식적으로 모습을 드러냈다. 박 CFO는 지난해 말 인사에서 새로 임명됐으며, 이번 콘퍼런스콜이 공식적인 첫 데뷔 무대였다. 박 CFO는 "삼성전자는 다양한 사업 포트폴리오를 보유하고 있으며, 비즈니스 사이클에 따른 변동성이 존재한다"며 "그러나 삼성전자는 항상 근본적인 기술력과 경쟁력을 바탕으로 위기를 극복해왔다"고 말했다. 이어 "현재 이슈는 반드시 짧은 시간 내 해결할 수 있으며, 이를 새로운 성장 기회로 만들 것"이라고 강조했다. 삼성전자는 주주 가치 제고를 위해 지난해 11월 10조 원 규모의 자사주 매입을 발표했고, 이후 3조 원 규모의 자사주를 취득 및 소각했다. 박 CFO는 "추가 7조 원에 대한 실행 시기와 방법은 차후 구체화해 공유할 것"이라고 설명했다. 그는 "2025년에도 불확실한 업황이 지속될 가능성이 크지만, 성장 전략과 수익성 제고 방안을 포함한 밸류업(기업 가치 상승) 계획을 조속히 발표할 수 있도록 노력하겠다"고 밝혔다. 마지막으로 박 CFO는 "투자자들이 삼성전자의 노력을 신뢰하고 지지해 주길 바란다"며 "CFO로서 투자자들과 적극적으로 소통하며 회사에 대한 신뢰를 강화하겠다"고 말했다. 변화하는 반도체 시장과 삼성전자의 대응 최근 중국 AI 스타트업 딥시크VLLM(DeepSeekVLLM)의 부상으로 인해 업계가 긴장하고 있다. 삼성전자는 "GPU에 들어가는 HBM을 여러 고객사에 공급하고 있는 만큼, 다양한 시나리오를 검토하며 업계 동향을 살피고 있다"고 밝혔다. 이어 "신기술 도입에 따른 시장 변화 가능성이 항상 존재하며, 현재의 제한된 정보로 판단하기에는 이르다"면서도 "시장의 장기적인 기회와 단기적 위험 요인이 공존하는 만큼, 급변하는 시장에 적기 대응할 것"이라고 강조했다.
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- SK하이닉스, HBM 매출 100% 이상 성장 전망…HBM4 양산 준비
- SK하이닉스는 23일 올해 고대역폭 메모리(HBM) 매출이 전년 대비 100% 이상 성장할 것이라며, HBM4 제품을 올해 하반기 중 개발과 양산 준비를 마치고 공급을 시작할 계획이라고 밝혔다. 지난해 HBM 매출은 전년 대비 4.5배 증가했으며, HBM3E 12단 제품은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지하며 공급 중이다. HBM4는 12단 제품으로 시작해 16단 제품은 내년 하반기 공급을 목표로 한다. SK하이닉스는 HBM 투자와 인프라 확대에 주력하고, AI 메모리 수요 성장에 따라 수익성 중심의 전략을 강화할 방침이다. [미니해설] SK하이닉스, HBM 기술로 메모리 반도체 시장 선도 SK하이닉스가 HBM4 기술로 올해 메모리 반도체 시장을 선도하겠다고 밝혔다. 올해 투자 대부분도 HBM과 인프라 투자에 집중할 방침이다. SK하이닉스는 23일 "올해 고대역폭 메모리(HBM) 매출이 전년 대비 100% 이상 성장할 것"이라며, HBM4 제품의 하반기 양산 준비를 마치고 공급에 돌입할 계획이라고 말했다. 이번 발표는 지난해 4분기 및 연간 실적 발표 콘퍼런스콜에서 이루어졌으며, 회사는 HBM 기술력을 기반으로 한 안정적 이익 창출 구조를 강조했다. HBM 시장에서의 성과와 전략 지난해 SK하이닉스의 HBM 매출은 전년 대비 4.5배 증가했으며, 4분기에는 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지하며 사상 최대 실적을 기록했다. 특히, 세계 최초로 양산에 성공한 HBM3E 12단 제품은 올해 상반기 내 HBM3E 출하량의 절반 이상을 차지할 것으로 전망된다. SK하이닉스는 6세대인 HBM4 개발에 있어 1b 나노 기술을 적용해 기술 안정성과 양산성을 확보하고 있다. 12단 제품으로 시작한 후, 고객의 요구에 따라 16단 제품은 내년 하반기부터 공급할 예정이다. 어드밴스드 MR-MUF 기술의 선제적 적용 경험을 바탕으로 HBM4 양산에도 동일한 기술을 도입할 계획이다. HBM4 개발에서는 최초로 베이스 다이에 로직 파운드리를 활용해 성능과 전력 효율을 강화하며, 이를 위해 TSMC와 협업 체계를 구축해 기술 경쟁력을 더욱 강화했다. AI 수요와 메모리 시장 변화 AI 기술의 확산과 고성능 메모리 수요 증가로 메모리 시장은 고품질, 고성능 제품 중심으로 전환되고 있다. SK하이닉스는 고객 맞춤형 제품을 적기에 제공하는 전략을 통해 D램 평균판매단가(ASP)를 10% 상승시키며 수익성을 확보했다. 특히, 주문형 반도체(ASIC) 기반 고객 수요가 증가하며 HBM 제품의 장기 계약 체결이 활발히 이루어지고 있다. SK하이닉스는 내년 HBM 공급 물량 대부분에 대한 가시성을 올해 상반기 중 확보할 것으로 전망하며, HBM의 높은 투자 비용을 고려해 안정적인 계약 구조를 유지할 계획이다. 미래 투자와 생산 인프라 확대 HBM과 인프라 투자에 집중하는 SK하이닉스는 청주의 M15X를 올해 4분기 중 오픈하고, 용인 클러스터 1기 팹은 2027년 2분기 가동을 목표로 올해부터 공사를 시작한다. 올해 투자 규모는 HBM과 미래 성장 인프라 확보에 중점을 두며, 지난해 대비 증가할 것으로 예상된다. 낸드 사업은 기존 수익성 중심 운영 기조를 유지하며, 시장 상황에 따라 생산을 탄력적으로 조정하고 재고 정상화에 집중할 방침이다. HBM 중심 성장 전략의 의미 SK하이닉스는 HBM 기술력을 기반으로 메모리 반도체 시장의 변화를 주도하고 있다. 인공지능(AI) 시장의 성장과 맞물려 HBM 수요가 지속적으로 증가할 것으로 예상되며, 회사는 고객 맞춤형 제품을 적시에 공급함으로써 안정적인 이익 창출 구조를 확보하고 있다. 앞으로도 SK하이닉스는 HBM 시장에서의 선도적 위치를 공고히 하며, 고성능 메모리 기술로 글로벌 메모리 반도체 시장의 핵심 플레이어로 자리매김할 것으로 기대된다.
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- TSMC, 내년 파운드리 점유율 66% 전망…삼성전자 등 경쟁사 압도
- 대만의 세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 기업 TSMC가 내년 글로벌 파운드리 시장 점유율을 66%까지 확대하며 지배력을 더욱 강화할 것이라는 분석이 나왔다. 13일 대만 자유시보와 경제일보는 시장조사기관 IDC의 보고서를 인용해 TSMC가 전통적 파운드리 분야에서 꾸준한 성장세를 이어가며 '패권'을 유지할 것으로 보도했다. IDC는 TSMC의 전통적 파운드리 1.0 시장 점유율이 지난해 59%에서 올해 64%, 내년에는 66%까지 상승할 것으로 전망했다. 이로써 TSMC는 삼성전자, 중국 중신궈지(SMIC), 대만 UMC 등 주요 경쟁사를 큰 격차로 따돌릴 것으로 예상된다. 또한 IDC는 TSMC가 파운드리 외에 비메모리 종합반도체기업(IDM) 제조, 패키징 및 테스트, 포토마스크 제조를 포함한 '파운드리 2.0' 분야에서도 시장 점유율을 확대하며 경쟁 우위를 공고히 할 것으로 내다봤다. TSMC의 파운드리 2.0 시장 점유율은 지난해 28%였으며, 인공지능(AI) 기반 고급 공정 노드에 대한 수요 급증으로 올해와 내년 강한 성장세를 보일 것이라고 분석했다. IDC는 반도체 시장의 전반적인 성장세에도 주목했다. 내년 글로벌 반도체 생산액은 전년 대비 15% 증가할 것으로 예상되며, 특히 첨단 공정이 적용된 AI 서버와 고성능 모바일 반도체 칩 수요가 비메모리 시장 성장을 이끌 것으로 전망했다. 비메모리 반도체 분야는 약 13% 성장할 것으로 예상되며, 메모리 분야는 내년 하반기 6세대 고대역폭 메모리(HBM4)의 출시로 인해 24% 성장률을 기록할 것으로 보인다. 웨이퍼 제조 시설 역시 내년에 전년 대비 7% 증가할 것으로 관측됐다. 첨단 공정은 12% 증가하며 평균 가동률이 90%를 넘어설 것으로 보이며, 성숙 공정에서는 8인치(200mm) 공장의 가동률이 70%에서 75%로, 12인치(300mm) 공장은 76% 이상으로 상승할 것으로 전망된다. TSMC의 첨단 패키징 기술도 주목할 만하다. IDC는 TSMC의 '칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트'(CoWoS) 공정 생산량이 내년에 두 배 증가한 66만 개에 이를 것으로 전망했다. 다만 지정학적 리스크, 글로벌 관세·통화 정책, 최종 소비자 시장의 수요 변화, 반도체 시설 증설에 따른 공급 과잉 가능성 등은 향후 반도체 시장의 주요 변수로 꼽히며, 지속적인 주의가 필요하다고 IDC는 강조했다.
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- 삼성전자, '전영현號' 출범…반도체 위기 돌파, 메모리 초격차 회복 '사활'
- 삼성전자가 반도체 사업 진출 50주년을 앞두고 대대적인 인적 쇄신을 단행했다. 27일 발표된 정기 사장단 인사에는 위기에 빠진 반도체 사업의 '초격차' 경쟁력을 회복하고 '반도체 명가'의 자존심을 지켜내겠다는 굳은 의지가 담겼다. 특히 지난 5월 반도체 사업을 총괄하는 디바이스솔루션(DS) 부문장에 구원투수로 영입된 전영현 부회장이 대표이사로 내정되면서 주력 사업인 메모리를 중심으로 한 '전영현 체제'가 더욱 공고히 구축되었다. '메모리 우선' 전략 가속화…HBM 경쟁력 강화에 사활 최근 불거진 '삼성 위기론'의 핵심은 삼성전자의 핵심 사업인 반도체 부문의 부진이다. 인공지능(AI) 시대 핵심 부품인 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 주도권을 놓치고 파운드리 사업의 적자가 지속되면서 실적 부진의 늪에서 벗어나지 못하고 있는 상황이다. 이러한 위기를 타개하고 경쟁력을 회복하기 위해 삼성전자는 이번 인사에서 메모리와 파운드리를 중심으로 DS 부문의 대대적인 분위기 쇄신을 꾀했다. 가장 주목되는 인사는 DS부문장인 전영현 부회장의 대표이사 내정과 메모리사업부장 겸임이다. 이는 메모리 사업 1위 지위를 회복하고 경쟁력 강화에 총력을 기울이겠다는 이재용 삼성전자 회장의 강력한 의지가 반영된 것으로 분석된다. 전영현 부회장은 2000년 삼성전자 메모리사업부에 입사하여 D램 개발을 담당했으며, 2014년에는 메모리사업부장을 역임한 바 있는 메모리 전문가다. 전 부회장은 취임 이후 '메모리 초격차' 회복을 최우선 과제로 삼고 HBM 경쟁력 강화에 사활을 걸고 있다. 지난 7월에는 HBM 개발팀을 신설했으며, 최근에는 HBM4(6세대)부터 파운드리 1위 기업인 대만 TSMC와의 협력 가능성도 시사했다. '전영현號' 삼성전자, 반도체 위기 극복하고 '초격차' 시대 다시 열까 이번 인사를 통해 삼성전자는 메모리 사업에 힘을 집중하고 HBM 경쟁력 강화를 통해 반도체 사업의 위기를 극복하고 '초격차' 시대를 다시 열겠다는 강력한 의지를 보여주고 있다. '전영현號' 삼성전자가 반도체 시장의 판도를 바꿀 수 있을지 귀추가 주목된다. 더불어 '전략 전문가'인 김용관 사장이 DS부문에 새롭게 마련된 경영전략담당 자리에 오른 만큼 엔비디아와의 협력, 파운드리 고객사 확보 등 고객 사업에도 박차를 가할 것으로 예상된다. 한편 전 부회장은 경계현 사장이 맡았던 SAIT(옛 삼성종합기술원) 원장도 겸임하며 메모리 기술 경쟁력 회복에 온 힘을 쏟을 것으로 보인다. 전 부회장의 전임으로 DS부문을 이끌었던 경 사장은 SAIT 원장에 이어 미래사업기획단장 자리도 고한승 삼성바이오에피스 대표이사 사장에게 넘기고 물러날 것으로 전해졌다. 안기현 한국반도체산업협회 전무는 "이번 인사는 (HBM과 같은) D램 쪽에 힘을 싣기 위한 것으로 당연한 결정"이라며 "메모리가 삼성전자의 핵심 수익원이자 경쟁력이고, 이제는 선택과 집중을 통한 전략이 나와야 할 때"라고 말했다. 파운드리 경쟁력 강화 삼성전자는 이번 인사에서 파운드리 부문의 시장 장악력과 기술 경쟁력을 강화하겠다는 의지를 내비쳤다. 파운드리는 주문 부진과 낮은 가동률에 적자 탈출이 늦어지면서 삼성전자 실적의 발목을 잡고 있다. 대만 TSMC와의 격차도 더욱 커지고 있다. 삼성전자는 위기를 타개할 돌파구로 우선 파운드리 수장을 전격 교체했다. 미국에서는 삼성전자의 반도체 사업을 이끌어온 한진만 DS부문 미주총괄 부사장이 사장으로 승진해 파운드리 사업부장을 맡는다. 파운드리 사업이 고객 주문 사업인만큼 한 사장은 미국에서 쌓아온 글로벌 네트워크를 적극 활용해 파운드리 사업 경쟁력 강화에 나설 것으로 보인다. 특히 최근 이재용 회장이 파운드리와 시스템LSI(설계) 사업의 분사에 관심 없다고 밝힌 만큼, 사업 지속 의지에 따른 무게감이 반영된 인사로 해석된다. 또 파운드리사업부에 사장급 최고기술책임자(CTO) 직책을 신설해 힘을 실었다. 파운드리 CTO를 맡은 남석우 사장은 반도체 연구소에서 메모리 전 제품 공정 개발을 주도한 반도체 공정 개발 및 제조 전문가다. 이번에 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당에서 자리를 옮겼다. 파운드리 업계에서 2나노 이하 미세공정 경쟁이 심화되는 가운데 남 사장은 시장 선점을 위한 선단 공정 기술 경쟁력 강화에 집중할 것으로 예상된다. 남 사장이 반도체 공정 전문성과 풍부한 제조 경험 등 오랜 기간 쌓아온 기술 리더십을 바탕으로 파운드리 기술력 향상을 이끌 것으로 삼성전자는 기대했다. 이처럼 삼성전자 반도체 사업부에 변화의 바람이 불어닥친 가운데 안정을 함께 추구한 점도 눈에 띈다. 비메모리 실적 부진으로 당초 교체 가능성이 제기된 시스템LSI사업부장에는 2021년 말 선임된 박용인 사장이 유임됐다.
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- 최태원, 대만서 TSMC 회장과 회동…"인류 도움 AI 시대 초석 같이 열자"
- 최태원 SK그룹 회장이 인공지능(AI)반도체 수장들과의 잦은 만남을 통해 AI리더십을 더욱 확대하고 있다. 최 회장은 6일 대만에서 세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 기업인 TSMC 회장과 만나 인공지능 반도체 경쟁력 강화를 위해협력을 더욱 강화하기로 했다. 제난달 30일 이혼 항소심 판결 이후 첫 공식 해외 출장에 나선 최 회장의 행보는 'AI 리더십'을 확보하면서 흔들림 없이 그룹 경영에 매진하기 위한 행보로 해석된다. 7일 SK에 따르면 최 회장은 지난 6일(현지시간) 대만에서 웨이저자 TSMC 이사회 의장(회장), 임원들과 회동했다. 이 자리에는 관노정 SK 하이닉스 사장도 참석했다. 최 회장은 이 자리에서 "인류에 도움이 되는 AI 시대 초석을 함께 열어가자"고 제안하고, 고대역폭 메모리(HBM)분야에서 SK하이닉스와 TSMC의 혁력을 강화하기로 했다. 웨이저자 최고경영자(CEO)는 그동안 장중머우(모리스 창) 창업자 퇴진 이후 류더인 회장과 공동으로 회사를 이끌었으나,. 지난 4일 개최된 주총에서 이사회 의장으로 공식 선임됐다. SK 하이닉스는 지난 4일 6세대 HBM인 HBM4 개발과 어드밴스드 페키징 기술 역량을 강화하기 위해 TSMC와 기술 협력에 대한 양해각서(MOU)를 체결했다. SK 하이닉스는 HBM4부터 성능 향상을 위해 베이스 다이 생산에 TSMC의 로직 선단 공정을 활용할 계획이다. 이를 바탕으로 HBM4를 2025년부터 양상한다는 방침이다. 아울러 양사는 SK 하이닉스의 HBM과 TSMC의 첨단 패키징 공정 '칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트(CoWoS)' 기술 결합도 최적화하고, HBM 관련 곡개 요청에도 공동 대응하기로 했다. 전날 대만으로 출국한 최 회장은 TSMC외에도 대만 IT 업걔 주요 인사들과 만나 AI와 반도체 분양 협업 방안 등을 논의한 것으로 전해졌다. 지난 3일 "개인적인 일로 SK 구성원과 이해관계자 모두에게 심려를 끼쳐 죄송하다"며 "이번 사안에 슬기롭게 대처하는 것 외에 엄혹한 글로벌 환경 변화에 대응하며 사업 경쟁력을 제고하는 등 그룹 경영에 한층 매진하고자 한다"고 이혼 항소심 판결에 대한 공식 입장을 낸 지 사흘 만이다. 최 회장은 인공지능과 반도체 분야에서 글로벌 협력을 확대하기 위해 지난해 말부터 적극적으로 활동하고 있다. 그는 입장문을 통해 "반도체 등 디지털 사업의 확장을 통해 'AI 리더십'을 확보하는 것이 중요하다"고 강조했으며, 이는 인공지능과 반도체 분야에서 고객의 다양한 요구를 충족시킬 수 있는 글로벌 협력 생태계 구축의 중요성이 커지고 있기 때문이다. 지난 4월에는 미국 새너제이의 엔비디아 본사에서 젠슨 황 CEO와 만나 양사 파트너십 강화 방안을 논의했다. 당시 최 회장은 자신의 인스타그램에 황 CEO와 찍은 사진을 올리고 황 CEO가 "AI와 인류의 미래를 함께 만들어가는 파트너십을 위해!"라고 쓴 메시지를 공개했다. SK하이닉스는 전 세계 AI 칩 시장의 80%를 차지하는 엔비디아에 4세대 HBM인 HBM3를 독점적으로 공급해왔으며, 지난 3월에는 메모리 업체 중 가장 먼저 5세대인 HBM3E 8단 제품을 양산해 엔비디아에 공급하기 시작했다. 최 회장은 지난해 12월에는 반도체 업계에서 중요한 네덜란드의 ASML 본사를 방문해 SK하이닉스와 극자외선(EUV)용 수소 가스 재활용 기술 및 차세대 EUV 개발 기술 협력 방안을 논의했다. SK그룹 관계자는 "최 회장의 최근 활동은 한국 AI 반도체 산업과 SK 사업 경쟁력을 강화하기 위해 글로벌 협력 네트워크를 구축하는 것이 중요하다는 판단에 따른 것"이라고 밝혔다. 아울러 SK 하이닉스는 지난 4일부터 나흘 일정으로 열린 '컴퓨텍스 2024'에서 '메모리, 더 파워 오브 AI'를 주제로 부스를 마련해 △ 인공지능(AI) 서버 △ AI PC △ 소비자용 SSD(cSSD) 3개 섹션으로 자사의 AI 메모리 솔루션을 선보였다. AI 서버 솔루션 중에서는 초당 1.18테라바이트(TB)의 데이터를 처리하는 고대역폭 메모리(HBM) 5세대 제품인 HBM3E가 주목을 받았다. SK하이닉스는 지난 3월 메모리 업체 중 최초로 HBM3E 제품을 AI 반도체 시장의 주요 고객인 엔비디아에 공급하기 시작했다. DDR5 기반 메모리 모듈로는 CXL(컴퓨트익스프레스링크) 메모리 컨트롤러를 장착해 기존 시스템보다 대역폭과 용량을 각각 50%, 100% 확장한 CMM-DDR5를 소개했다. 또 데이터 버퍼를 사용해 D램 모듈의 기본 동작 단위인 랭크 2개가 동시 작동하도록 설계한 '128GB TALL MCR DIMM'을 처음 공개했다. SSD 제품은 빅데이터·머신러닝 특화 기업용 SSD(eSSD) 'PS1010'·'PE9010', 온디바이스 AI PC에 최적화한 5세대 PCle 'PCB01', cSSD '플래티넘 P41'·플래티넘 P51', 외장형 SSD '비틀 X31'의 용량을 2TB로 늘린 버전 등을 선보였다. 아울러 히타지-LG 데이터 스토리지(HLDS) 부스에는 SK하이닉스와 HLDS가 공동 개발한 스틱형 SSD '튜브 T31'이 전시됐다. 한편, SK하이닉스 주가는 엔비디아 주가 상승에 힘입어 7일 오전 10시 54분 현재 전 거래일 대비 4.80%(9300원) 오른 20만3000원에 거래됐다. 장중 한때 5.32% 급등해 2만4000원까지 치솟기도 했다.
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- 엔비디아, 차세대AI 그래픽처리장치 '루빈' 공개⋯2026년 출시
- 인공지능(AI) 반도체시장을 주도하고 있는 엔비디아가 차세대 AI 그래픽처리장치(GPU)인 '루빈'을 공개했다. 2일(현지시간) 로이터통신 등 외신들에 따르면 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 이날 국립대만대학교 체육관에서 2026년부터 루빈을 양산할 계획이라고 밝혔다. 황 CEO는 루빈 GPU에 6세대 고대역폭메모리(HBM)인 'HBM4'가 채택될 것이라고 말했다. 다만 세부 사양에 대해서는 말을 아꼈다. 내년 출시 예정인 블랙웰 후속 제품을 깜짝 공개함으로써 엔비디아가 AI 반도체 시장 우위를 강화하고 있다는 평가다. 외신들은 루빈 GPU에 세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 업체인 대만 TSMC의 3나노미터(nm·10억분의 1m) 공정 제품이 채택될 것이라며 루빈은 HBM4를 사용하는 최초의 GPU가 될 것이라고 보도했다. 또 황 CEO는 최근 실적 발표에서 밝힌 '매년 신제품 출시' 계획과 관련해 2년 전 공개한 자사의 호퍼 아키텍처의 후속 기술인 블랙웰 GPU 플랫폼의 정식 운영을 시작할 예정이라고 밝혔다. 그는 2025년 출시되는 블랙웰 울트라 GPU에는 HBM 5세대인 HBM3E 제품이 탑재된다고 말했다. 아울러 황 CEO는 엔비디아가 곧 자체 중앙처리장치(CPU) '베라'를 출시하고 2027년에는 루빈 울트라 GPU를 선보일 예정이라고 밝혔다. 황 CEO는 생성형 AI 부상이 새로운 산업혁명을 가져왔다며 AI 기술이 개인용 PC에 탑재될 때 엔비디아가 중요한 역할을 할 것으로 기대했다. 또 엔비디아가 클라우드 서비스 제공업체(CSP) 고객을 넘어 고객 기반을 더욱 확대하면 많은 기업과 정부가 AI를 수용할 것이라고 전망했다. 황 CEO는 "새로운 컴퓨팅 시대가 시작됐다"며 "미래의 노트북은 AI에 의해 강화된 애플리케이션을 통해 글쓰기, 사진 편집부터 디지털 휴먼에 이르기까지 뒤에서 끊임없이 도움을 줄 것"이라고 말했다.
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- IT/바이오
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- SK하이닉스 "3분기, HBM3E 12단 양산…내년 생산 HBM도 완판"
- 곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO)는 2일 "고대역폭 메모리(HBM) 시장의 리더십을 강화하기 위해 세계 최고 성능을 자랑하는 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 공급하고 3분기에는 양산을 시작한 분비가 되어 있다"고 발표했다. 곽 CEO는 "올해 HBM 생산은 이미 '솔드아웃(완판)'된 상태이며, 내년에도 대부분의 제품이 솔드아웃 상태다"라고 덧붙였다. 곽 CEO는 이날 경기도 이천에 위치한 본사에서 'AI 시대, SK하이닉스의 비전과 전략'을 주제로 열린 기자간담회에서 '앞으로 글로벌 파트너사들과의 전략적 협력을 통해 세계 최고의 맞춤형 메모리 솔루션을 제공하겠다'고 말했다. SK하이닉스가 이천 본사에서 기자간담회를 연 것은 이번이 처음이라고 연합뉴스가 전했다. 용인 클러스터 첫 팹(fab·반도체 생산공장) 준공(2027년 5월)을 3년 앞두고 열린 이날 행사에는 곽 CEO와 함께 AI 인프라 담당 김주선 사장 등 주요 경영진이 참석했다. 2027년 5월에 준공 예정인 용인 클러스터의 첫 반도체 생산공장(팹·fab) 개소를 3년 앞둔 이날 행사에는 곽 CEO와 AI 인프라 담당 김주선 사장을 포함한 주요 경영진이 참석했다. 곽 CEO는 "현재 AI는 주로 데이터센터 중심으로 구축되어 있지만, 앞으로는 스마트폰, PC, 자동차 등 다양한 디바이스에서 활용되는 온디바이스 AI로의 확산이 예상된다"며 "이러한 변화는 AI에 최적화된 고속, 대용량, 저전력 메모리의 수요를 급증시킬 것"이라고 전망했다. 지난해 전체 메모리 시장에서 약 5%를 차지했던 HBM과 고용량 D램 모듈 등 AI 전용 메모리의 시장 점유율은 2028년에는 61%에 이를 것으로 보인다. 특히 HBM 시장은 중장기적으로 연평균 약 60%의 수요 성장률을 보일 것으로 예상된다. 곽 CEO는 "올해 이후 HBM 시장은 AI 성능 향상을 위한 파라미터 증가, AI 서비스 공급자의 확대와 같은 요인으로 인해 지속적인 성장이 예상된다"며 "올해는 지난해에 비해 수요 가시성이 훨씬 높아졌다"고 설명했다. HBM 과잉 공급 우려에 대해, 곽 CEO는 "올해 증가하는 HBM 공급 능력은 이미 고객과의 협의를 마친 상태에서 고객의 수요에 맞추어 조절되므로, 과잉 공급의 위험은 줄어들 것"이라고 밝혔다. 또한 "HBM4 이후에는 맞춤형(커스터마이징) 요구가 증가하면서, 제품이 트렌드화되고 주문형 비즈니스로 전환될 것"이라고 예측했다. 김주선 사장은 "프리미엄 제품인 HBM의 생산 캐파 할당이 증가함에 따라 일반 D램 생산이 줄어들 가능성이 있으며, 하반기부터는 전통적인 응용처의 수요 개선을 통해 메모리 시장이 더욱 안정적인 성장을 이룰 것"이라고 전망했다. HBM 후발주자인 삼성전자는 지난달 30일 1분기 실적 콘퍼런스콜에서 업계 최초로 개발한 HBM3E 12단 제품을 올해 2분기 내 양산한다고 발표하며 SK하이닉스를 바짝 추격하고 있다. 이에 대해 곽 CEO는 "고객의 요구에 맞는 기술을 적시에 개발하고, 그에 따른 생산능력도 고객의 요구에 맞춰 조절할 것"이라며 "자만하지 않고, 고객과 긴밀히 협력하여 시장의 요구에 부합하는 제품을 공급할 수 있도록 할 것"이라고 강조했다. 곽 CEO는 2016년부터 올해까지 예상되는 HBM 누적 매출에 대해서는 "하반기 시장 변화 등으로 해 정확히 말할 수는 없지만, 백수십억달러 정도가 될 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스는 HBM 핵심 패키지 기술 중 하나인 MR-MUF 기술의 우수성도 강조했다. 최우진 패키징&테스트(P&T) 담당 부사장은 "일각에서 MR-MUF 기술이 고단 적층에서의 한계를 지적하나, 실제로는 이 기술이 칩의 휨 현상을 효과적으로 제어하는 고온·저압 방식으로, 고단 적층에 가장 적합하다"고 밝혔다. 최 부사장은 이어 "현재 16단 구현을 위한 기술 개발이 순조롭게 진행 중이며, HBM4에도 고급 MR-MUF 기술을 적용하여 16단 제품을 구현할 계획이다. 하이브리드 본딩 기술도 선제적으로 검토 중이다"고 덧붙였다. HBM 리더십 확보를 위한 노력에 대해서는 최태원 회장과 SK그룹 차원에서의 선제적 투자를 강조했다. 곽 CEO는 "AI 반도체의 경쟁력은 단기간 내에 확보하기 어렵다. SK그룹에 2012년 편입된 이후, 메모리 시장이 어려운 상황에서 대부분의 반도체 기업이 투자를 줄였지만, SK그룹은 오히려 투자를 늘렸다"고 설명했다. 또한 "당시 모든 분야에 걸쳐 투자 확대 결정은 시장 개방 시기의 불확실성을 포함하는 HBM 투자도 포함하고 있었다"며 "최태원 회장의 글로벌 네트워킹은 고객사 및 협력사와의 긴밀한 관계 구축을 통해 AI 반도체 리더십 확보에 크게 기여했다"고 말했다. SK하이닉스는 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터 첫 팹 가동 전에 청주에 M15X를 짓기로 했다. M15X는 연면적 6만3천평 규모의 복층 팹으로 EUV를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정이다. SK하이닉스는 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터의 첫 팹 가동 전에 청주에 위치한 M15X 팹을 건설하기로 결정했다. M15X는 6만3000평 규모의 복층 팹으로, EUV를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정이다. M15X는 내년 11월에 준공되어 2026년 3분기부터 본격적으로 양산을 시작할 계획이다. 용인 클러스터의 부지 조성 작업도 순조롭게 진행되고 있다. 또한 미국 인디애나주에 38억7000만달러(약 5조2000억원)를 투자해 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 시설을 짓고 2028년부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산할 계획이다.
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- IT/바이오
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- SK하이닉스·TSMC, 파운드리-메모리 협력으로 HBM 시장 선점
- SK하이닉스가 세계적인 파운드리(반도체 수탁생산) 기업인 대만 TSMC와 협력해 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 생산과 첨단 패키징 기술 역량을 강화할 계획이다. SK하이닉스는 19일, 최근 대만 타이베이에서 TSMC와 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결하고 TSMC와 협업해 오는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM)를 개발할 계획이라고 발표했다. 특히, 인공지능(AI) 반도체 시장을 이끄는 기업인 엔비디아는 SK하이닉스로부터 AI 연산작업의 핵심인 그래픽처리장치(GPU)용 HBM을 공급받아 TSMC에 패키징 하도록 맡겨 이를 조달하고 있다. SK하이닉스는 "AI 메모리 분야의 글로벌 리더로서, 세계 최대 파운드리 업체인 TSMC와의 협력을 통해 HBM 기술의 새로운 혁신을 이끌어낼 것"이라며, "고객, 파운드리, 메모리 간의 협력을 통해 메모리 성능의 한계를 넘어설 것"이라고 강조했다. 양사는 HBM 패키지의 베이스 다이(base die) 성능 향상을 위해 노력하고 있다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리다. 방대한 데이터를 신속하고 끊임없이 처리해야 하는 생성형 AI를 구동하려면 HBM과 같은 고성능 메모리가 반드시 필요한 것으로 알려졌다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(core die)를 쌓고, 이를 실리콘관통전극(TSV) 기술로 수직 연결해 제조한다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 통제 기능을 수행한다. SK하이닉스는 HBM 4세대인 HBM3 시장의 90%를 점유하고 있다. SK하이닉스는 지난 3월 18일 HBM 5세대인 HBM3E도 이달 말부터 AI 칩 선두 주자인 엔비디아에 공급한다고 밝혔다 SK하이닉스는 5세대 HBM인 HBM3E까지는 자체 D램 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 TSMC가 보유한 로직 초미세 선단공정을 활용해 베이스 다이에 다양한 시스템 기능을 추가할 계획이다. SK하이닉스의 HBM3E는 초당 최대 1.18테라바이트(TB)의 데이터를 처리한다. 이는 풀-HD급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. HBM4는 HBM3에 비해 두 배 가까운 고속과 고용량 성능을 구현해야 한다. 이를 위해 베이스 다이는 단순히 D램 칩과 GPU를 연결하는 기능을 넘어 시스템반도체에서 요구하는 다양한 기능을 수행할 필요가 있으며, 이는 기존의 일반 D램 공정으로는 제작이 어려운 것으로 알려져 있다. SK하이닉스는 이를 통해 성능, 전력 효율 등에 대한 고객들의 폭넓은 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산할 계획이다. 또한, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 첨단 패키징 공정인 '칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트'(CoWoS) 기술을 결합하여 최적화하는 데 협력하며, HBM 관련 고객의 요청에 공동으로 대응하기로 했다. 김주선 SK하이닉스 AI 인프라 담당 사장은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것뿐만 아니라, 글로벌 고객들과의 개방형 협업을 가속화할 것"이라며, "앞으로 맞춤형 메모리 플랫폼의 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'로서의 위상을 확립하겠다"고 밝혔ek. 케빈 장 TSMC 수석부사장은 "TSMC와 SK하이닉스는 수년 동안 견고한 파트너십을 유지해 왔으며, 세계 최고의 AI 솔루션을 시장에 공급해 왔다"며 "HBM4에서도 긴밀한 협력을 통해 AI 기반의 혁신을 지원할 최고의 통합 제품을 제공할 것"이라고 말했다.
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- IT/바이오
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- 삼성전자, 이르면 9월부터 엔비디아에 12단 HBM3E 단독 공급
- 삼성전자가 빠르면 9월부터 엔비디아에 12단 고대역폭 메모리(HBM) 제품을 단독 공급하게 될 것이라는 소식이 전해졌다. 디지타임스가 26일(현지시간) 삼성전자는 HBM 시장에서 빠르게 입지를 다지고 있다며 최근 12단 D램을 탑재한 HBM3E 개발에 성공했다고 발표한 이후 현재 선두주자인 SK하이닉스와 마이크론을 제치고 엔비디아의 유일한 12단 HBM3E 공급업체가 될 수 있다는 보도가 나왔다고 전했다. 업계 소식통에 따르면, 삼성은 12단 HBM3E 개발에서 경쟁사를 앞질러 이르면 2024년 9월부터 엔비디아의 독점 공급업체가 될 것으로 보인다. 이에 대해 삼성은 고객 정보를 공개할 수 없다고 밝혔다. 마이크론은 2024년 2월 말, 8단 HBM3E 양산 개시를 발표했다. 삼성도 36GB 12단 HBM3E 제품 개발에 성공했다고 공개했다. 삼성은 12단 HBM3E가 8단 HBM3E와 동일한 높이를 유지하면서 더 많은 레이어 수를 자랑한다고 강조했다. 최대 1280GB/s의 대역폭을 제공하는 12단 HBM3E는 8단 HBM3에 비해 50% 이상의 성능과 용량을 제공한다. 삼성은 2024년 후반에 12단 HBM3E의 양산을 시작할 것으로 예상된다. 한편, 인공지능(AI) 칩 선두주자인 미국 반도체 기업 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)는 최근 'GTC 2024'에서 삼성이 아직 HBM3E의 양산에 대해 발표하지 않았음에도 삼성의 HBM이 현재 검증 단계를 거치고 있다고 확인했다. 젠슨 황 CEO는 삼성의 12단 HBM3E 디스플레이 옆에 '젠슨 승인'이라고 서명까지 해 삼성의 HBM3E가 검증 과정을 통과할 가능성이 높다는 추측을 불러일으켰다. 젠슨 황 CEO는 지난 3월 19일 엔비디아의 연례 개발자 콘퍼런스 'GTC 24' 둘째 날 삼성전자의 고대역폭 메모리(HBM)를 테스트하고 있다고 밝혔다. 황 CEO는 '삼성의 HBM을 사용하고 있느냐'라는 질문에 "아직 사용하고 있지 않다"면서도 "현재 테스트하고(qualifying) 있으며 기대가 크다"고 말했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 크게 높인 제품으로 고성능 컴퓨팅 시스템에 사용되는 차세대 메모리 기술이다. 방대한 데이터를 신속하고 끊임없이 처리해야 하는 생성 AI를 구동하려면 HBM과 같은 고성능 메모리가 반드시 필요한 것으로 알려져 있다. 고성능 컴퓨팅 시스템에서는 대규모 시뮬레이션과 데이터 분석 과정에 HBM을 사용한다. 아울러 고성능 그래픽 카드에서는 게임, 가상현실(VR), 증강현실(AR) 등의 그래픽 데이터를 빨리 처리하기 위해 HBM이 사용된다. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있으며, HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다. HBM3 시장의 90% 이상을 점유하고 있는 SK하이닉스는 메모리 업체 중 가장 먼저 5세대인 HBM3E D램을 엔비디아에 납품한다고 밝혔다. SK하이닉스는 2024년 3월부터 엔비디아에 8단 HBM3E를 공식 공급하기 시작했다. SK하이닉스는 GTC 2024에서 12단 HBM3E를 선보였으며, 이르면 2024년 2월에 엔비디아에 샘플을 제공할 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 HBM4의 성능을 향상시키기 위해 하이브리드 본딩 기술을 활용할 것이라고 밝혔다. 16단 D램을 적층해 48GB 용량을 구현할 계획이며, 데이터 처리 속도는 HBM3E 대비 40%, 전력 소비는 70% 수준에 불과할 것으로 예상된다. 삼성은 지난 2월 18일부터 21일까지 열린 '2024 국제 반도체 회로 학회(ISSCC 2024)'에서 곧 출시될 HBM4가 초당 2TB의 대역폭을 자랑하며 5세대 HBM(HBM3E) 대비 66% 대폭 증가했다고 발표했다. 또한 입출력(I/O) 수도 두 배로 증가했다.
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- IT/바이오
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- 삼성전자, 올해 1분기 메모리반도체 흑자전환 예상
- 삼성전자가 작년 4분기 D램 흑자 전환에 성공한 데 이어 올해 1분기 메모리 사업이 흑자를 낼 수 있을 것으로 예상했다. 다만 고대역폭 메모리(HBM) 등 인공지능(AI)용 D램이 이끄는 메모리 수요 회복에도 기존 감산 기조에는 변함이 없다는 입장을 재확인했다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 31일 작년 4분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 "생성형 AI 관련 HBM 서버와 SSD 수요에 적극 대응하면서 수익성 개선에 집중할 계획"이라며 "이에 따라 올해 1분기 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다"고 말했다. 김 부사장은 "업계 전반으로 보면 메모리 생산 전반의 비트그로스(bit growth·비트 단위로 환산한 생산량 증가율)가 제한적일 것으로 예상되는 만큼 고객의 재고 비축 수요보다는 진성 수요 위주로 공급 대응을 할 계획"이라고 설명했다. 지난해 4분기 삼성전자의 D램과 낸드 비트그로스는 각각 전 분기 대비 30% 중반대 증가를 기록했다. 평균판매단가(ASP)는 D램이 두 자릿수 초반, 낸드가 높은 한 자릿수 각각 상승했다. 삼성전자는 올해 1분기 비트그로스는 D램이 시장 수준인 1% 중반 하락하고, 낸드는 시장 수준인 낮은 한 자릿수 감소를 약간 밑돌 것으로 예상했다. 이 같은 시장 환경에서 삼성전자는 기존 재고 정상화 목표와 이를 위한 생산량 조정 기조에는 변함이 없다는 입장을 밝혔다. 김 부사장은 "4분기 출하량 증가와 지금까지의 생산 하향 조정으로 재고 수준은 빠른 속도로 감소했으며, 특히 시황 개선 속도가 상대적으로 빠른 D램을 중심으로 재고 수준이 상당 부분 감소했다"고 전했다. 그는 "D램과 낸드 모두 세부 제품별 재고 수준에는 차이가 있어서 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 선별적인 생산 조정은 이어 나갈 계획"이라고 밝혔다. 그는 이어 "D램 재고는 1분기가 지나면서 정상 범위에 도달할 것으로 보이며 낸드도 수요나 시장 환경에 따라 시점의 차이가 있을 수 있으나 늦어도 상반기 내에 정상화될 것으로 기대한다"며 "앞으로도 시장 수요와 재고 수준을 상시 점검해 이에 따른 사업 전략을 유연하게 하겠다"고 덧붙였다. HBM 판매량의 경우 지난해 4분기에 전 분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비 3.5배 규모로 성장했다. 삼성전자는 작년 3분기 HBM3의 첫 양산을 시작했고, 4분기에는 주요 그래픽처리장치(GPU) 업체를 고객군에 추가하며 판매를 확대했다고 전했다. 김 부사장은 "HBM3를 포함한 선단 제품 비중은 지속적으로 증가해 올해 상반기 중 판매 수량의 절반 이상을 차지하고 하반기에는 그 비중이 90% 수준에 도달할 것"이라고 밝혔다. 삼성전자는 차세대 HBM3E 제품 사업화와 그다음 세대 HBM4 개발도 계획대로 순조롭게 진행 중이라고 밝혔다. 이와 관련해 김 부사장은 "HBM3E는 주요 고객사에 샘플을 공급 중이며 올해 상반기 내에 양산 준비가 완료될 예정"이라며 "HBM4의 경우 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중"이라고 전했다. 김부사장은 이어 "생성형 AI 성장과 함께 고객 맞춤형 HBM에 대한 요구가 증가하는 상황에서 표준 제품뿐 아니라 로직 칩을 추가해 성능을 고객별로 최적화한 커스텀 HBM 제품도 함께 개발 중"이라며 "현재 주요 고객사와 세부 스펙을 협의하고 있다"고 덧붙였다. 올해 전반적인 메모리 수요 환경은 점진적인 회복세를 보이고, 지난해 위축된 시설투자(캐펙스·CAPEX)는 HBM을 중심으로 회복할 것으로 회사 측은 예상했다. 김 부사장은 "최근 생성형 AI에 의한 서버향 HBM 및 고용량 DDR5 채용이 늘고 낸드에서는 8테라바이트급 이상 고용량 SSD 수요도 접수되고 있어서 수요 회복에 긍정적인 요인으로 작용할 것"이라고 내다봤다. 아울러 "올해는 업계 내 캐펙스가 일부 회복될 것으로 예상된다"며 "다만 상당한 비중으로 HBM에 집중되고, HBM외 제품들은 비트그로스 성장이 제한적일 수밖에 없을 것으로 보인다"고 진단했다. 작년 4분기에 시장 수요 약화로 실적이 부진했던 파운드리 부문에서는 올해 기기 자체에서 AI를 구동하는 온디바이스 AI 수요에 기대를 걸고 있다. 정기봉 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 "온디바이스 AI 제품이 많이 출시될 것으로 예상되고, 고객들은 더 빠른 AI 기능을 요구한다"며 "AI 성능 증가에 따라 NPU(신경망처리장치) 블록 사이즈가 커지고 S램 용량이 증가해 향후 파운드리 수요에 더 크게 기여할 것"이라고 기대했다.
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