검색
-
- 삼성전자, 2분기 영업익 10.4조 '어닝 서프라이즈' 달성…전년 동기 대비 15배 급등
- 삼성전자가 올해 2분기 10조원이 넘는 영업이익을 내며 '어닝 서프라이즈(깜짝 실적)'를 기록했다. 삼성전자는 올해 2분기(4~6월), 10조원을 상회하는 영업이익을 달성하며 시장 전망치를 뛰어넘는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 이는 인공지능(AI) 시장 확대로 인한 메모리 반도체 수요 증가와 가격 상승이 반도체 부문 실적 개선을 견인하며 전체 실적 상승을 이끌었기 때문으로 분석된다. 삼성전자는 5일, 연결 기준 올해 2분기 영업이익이 10조4000억원으로 전년 동기 대비 1452.24% 증가했으며, 매출은 74조원으로 23.31% 증가했다고 잠정 공시했다. 이는 연합인포맥스가 집계한 증권사 15곳의 컨센서스(실적 전망치)를 크게 상회하는 수준이다. 삼성전자의 분기 영업이익이 10조원을 넘어선 것은 2022년 3분기 이후 7개 분기 만이며, 작년 연간 영업이익(6조 5700억원)을 훌쩍 뛰어넘는 수치이다. 매출도 2분기 연속 70조원대를 이어갔다. 특히, D램과 낸드의 평균판매단가(ASP) 상승으로 메모리 반도체 실적이 시장 기대치를 크게 개선된 점이 매출에 '효자' 노릇을 톡톡히 했다. 잠정 실적인 만큼 부문별 실적은 공개되지 않았으나, 증권업계에서는 당초 4조~5조원으로 추정했던 반도체 사업 부문(DS)의 영업이익 전망치를 상향 조정하는 분위기다. 이는 삼성전자가 시장 기대치를 뛰어넘는 성적표를 제시했기 때문이다. 삼성전자는 지난 1분기에는 DS 부문에서 1조9100억원의 영업이익을 내며 2022년 4분기 이후 5분기 만에 흑자 전환에 성공했다. 반도체 업황 회복세 속에서 AI 시장 확대에 따른 고부가 메모리 판매 증가와 우호적인 환율 효과로 메모리 반도체 판매가격이 시장 전망치를 상회하며 스마트폰 수익성 부진을 상쇄한 것으로 분석된다. 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면, 올해 2분기 전체 D램과 낸드 가격은 각각 13~18%, 15~20% 상승했다. 스마트폰 및 노트북 사업을 담당하는 모바일경험(MX) 사업부는 2조1000억~2조3000억원 수준의 영업이익을 달성한 것으로 예상된다. 2분기는 전통적인 비수기인데다, D램 및 낸드 가격 상승에 따른 원가율 상승으로 수익성이 소폭 하락한 것으로 보인다. 디스플레이 사업부는 애플 등 주력 고객사의 판매 호조에 힘입어 7000억원 안팎의 영업이익을 기록한 것으로 추정되며, 영상디스플레이(VD)와 생활가전(DA) 사업부 역시 에어컨 성수기 효과 등으로 5000억~7000억원 수준의 영업이익을 달성한 것으로 예상된다. 올해 하반기에는 메모리 반도체 업체들의 공격적인 고대역폭 메모리(HBM) 생산능력 증설에 따른 범용 D램 공급 부족 현상 심화와 고용량 eSSD 수요 증가로 메모리 수익성 개선 추세가 지속될 전망이다. 3분기 영업이익 전망치는 전년 동기 대비 393.86% 급증한 12조 181억원, 매출은 22.5% 증가한 82조 5천 722억원으로 집계됐다. 트렌드포스는 "전반적인 소비자 D램 시장은 공급 과잉이 지속되고 있으나, 3대 주요 공급업체(삼성전자·SK하이닉스·마이크론)는 HBM 생산량 압박으로 인해 가격 인상 의지를 분명히 하고 있다"고 분석하며, 3분기 D램과 낸드 가격이 각각 8~13%, 5~10% 상승할 것으로 예상했다. 노근창 현대차증권 연구원은 "HBM 수요 증가로 HBM의 D램 생산능력 잠식 현상이 심화되면서 범용 메모리 반도체의 공급 부족 현상이 예상보다 심화될 수 있다"며 "경쟁사들이 2023년에 설비투자를 줄였다는 점에서 삼성전자의 웨이퍼 생산능력 경쟁력 가치는 시간이 갈수록 상승할 수 있다"고 전망했다.
-
- IT/바이오
-
- 세계 반도체 생산 증가 지속…올해 6%·내년 7% 성장
- 글로벌 반도체 팹(생산공장) 생산능력이 올해와 내년 각각 6%와 7% 성장할 것이라는 전망이 나왔다. 로이터통신 등 외신들에 따르면 국제반도체장비재료협회(SEMI)는 최신 팹 전망 보고서를 통해 세계 반도체 팹 생산 능력이 이 같이 늘어날 것으로 24일 전망했다. 이에 따라 내년에는 8인치 웨이퍼 환산 기준 반도체 산업 생산 능력이 월 3370만장에 도달할 것으로 예상했다. 특히 인공지능(AI) 칩 수요에 대응해 5nm(나노미터, 10억분의 1미터) 이하 첨단 반도체 생산능력은 올해와 내년에 각각 13%, 17% 증가할 것으로 내다봤다. SEMI는 "5nm 이하 첨단 반도체 생산능력은 AI를 위한 칩 수요를 맞추기 위해 올해 13% 증가할 것"이라며 "인텔, 삼성전자, TSMC를 포함한 칩메이커들은 반도체 전력 효율성을 높이기 위해 2nm 공정에서 GAA(Gate-All-Around)를 도입한 칩을 생산, 2025년에는 첨단 반도체 생산능력이 17% 증가할 것"이라고 설명했다. 지역별로는 중국 업체의 생산 능력이 올해 월 885만장으로 15% 증가한 후 내년에는 14% 더 성장해, 전체 반도체 산업의 3분의 1에 가까운 1010만장으로 확대될 것으로 봤다. 과잉 공급 우려에도 중국 칩메이커는 계속 생산 능력 확대에 투자하고 있다. 투자를 주도하는 업체는 화홍그룹, 넥스칩, 시엔, SMIC, CXMT 등이다. 반면 중국 외 다른 지역은 대부분 5% 이하 성장을 예상했다. 내년 대만은 4% 성장한 월 580만장으로 2위를 차지하고, 한국은 올해 처음으로 월 500만장을 넘긴 뒤 내년에는 7% 성장한 월 540만장을 기록, 3위에 오를 것으로 내다봤다. 내년 일본은 3% 성장한 470만장, 미국은 5% 늘어난 320만장, 유럽 및 중동은 4% 증가한 270만장, 동남아시아는 4% 많은 180만장을 각각 전망했다. SEMI는 인텔의 파운드리(반도체 위탁생산) 투자와 중국의 생산 능력 확대에 힘입어 파운드리 부문 생산 능력이 올해 11%, 내년에 10% 성장할 것으로 예상했다. 2026년에는 월 1270만장에 도달할 것으로 내다봤다. SEMI는 "고대역폭 메모리(HBM) 수요 증가로 D램 생산 능력은 올해와 내년에 9%의 성장세를 보일 것"이라며 "3D 낸드 시장은 아직 저조해 올해에는 생산능력 증가는 없으며, 내년에 5% 성장할 것"으로 진단했다.
-
- IT/바이오
-
- 최태원, 대만서 TSMC 회장과 회동…"인류 도움 AI 시대 초석 같이 열자"
- 최태원 SK그룹 회장이 인공지능(AI)반도체 수장들과의 잦은 만남을 통해 AI리더십을 더욱 확대하고 있다. 최 회장은 6일 대만에서 세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 기업인 TSMC 회장과 만나 인공지능 반도체 경쟁력 강화를 위해협력을 더욱 강화하기로 했다. 제난달 30일 이혼 항소심 판결 이후 첫 공식 해외 출장에 나선 최 회장의 행보는 'AI 리더십'을 확보하면서 흔들림 없이 그룹 경영에 매진하기 위한 행보로 해석된다. 7일 SK에 따르면 최 회장은 지난 6일(현지시간) 대만에서 웨이저자 TSMC 이사회 의장(회장), 임원들과 회동했다. 이 자리에는 관노정 SK 하이닉스 사장도 참석했다. 최 회장은 이 자리에서 "인류에 도움이 되는 AI 시대 초석을 함께 열어가자"고 제안하고, 고대역폭 메모리(HBM)분야에서 SK하이닉스와 TSMC의 혁력을 강화하기로 했다. 웨이저자 최고경영자(CEO)는 그동안 장중머우(모리스 창) 창업자 퇴진 이후 류더인 회장과 공동으로 회사를 이끌었으나,. 지난 4일 개최된 주총에서 이사회 의장으로 공식 선임됐다. SK 하이닉스는 지난 4일 6세대 HBM인 HBM4 개발과 어드밴스드 페키징 기술 역량을 강화하기 위해 TSMC와 기술 협력에 대한 양해각서(MOU)를 체결했다. SK 하이닉스는 HBM4부터 성능 향상을 위해 베이스 다이 생산에 TSMC의 로직 선단 공정을 활용할 계획이다. 이를 바탕으로 HBM4를 2025년부터 양상한다는 방침이다. 아울러 양사는 SK 하이닉스의 HBM과 TSMC의 첨단 패키징 공정 '칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트(CoWoS)' 기술 결합도 최적화하고, HBM 관련 곡개 요청에도 공동 대응하기로 했다. 전날 대만으로 출국한 최 회장은 TSMC외에도 대만 IT 업걔 주요 인사들과 만나 AI와 반도체 분양 협업 방안 등을 논의한 것으로 전해졌다. 지난 3일 "개인적인 일로 SK 구성원과 이해관계자 모두에게 심려를 끼쳐 죄송하다"며 "이번 사안에 슬기롭게 대처하는 것 외에 엄혹한 글로벌 환경 변화에 대응하며 사업 경쟁력을 제고하는 등 그룹 경영에 한층 매진하고자 한다"고 이혼 항소심 판결에 대한 공식 입장을 낸 지 사흘 만이다. 최 회장은 인공지능과 반도체 분야에서 글로벌 협력을 확대하기 위해 지난해 말부터 적극적으로 활동하고 있다. 그는 입장문을 통해 "반도체 등 디지털 사업의 확장을 통해 'AI 리더십'을 확보하는 것이 중요하다"고 강조했으며, 이는 인공지능과 반도체 분야에서 고객의 다양한 요구를 충족시킬 수 있는 글로벌 협력 생태계 구축의 중요성이 커지고 있기 때문이다. 지난 4월에는 미국 새너제이의 엔비디아 본사에서 젠슨 황 CEO와 만나 양사 파트너십 강화 방안을 논의했다. 당시 최 회장은 자신의 인스타그램에 황 CEO와 찍은 사진을 올리고 황 CEO가 "AI와 인류의 미래를 함께 만들어가는 파트너십을 위해!"라고 쓴 메시지를 공개했다. SK하이닉스는 전 세계 AI 칩 시장의 80%를 차지하는 엔비디아에 4세대 HBM인 HBM3를 독점적으로 공급해왔으며, 지난 3월에는 메모리 업체 중 가장 먼저 5세대인 HBM3E 8단 제품을 양산해 엔비디아에 공급하기 시작했다. 최 회장은 지난해 12월에는 반도체 업계에서 중요한 네덜란드의 ASML 본사를 방문해 SK하이닉스와 극자외선(EUV)용 수소 가스 재활용 기술 및 차세대 EUV 개발 기술 협력 방안을 논의했다. SK그룹 관계자는 "최 회장의 최근 활동은 한국 AI 반도체 산업과 SK 사업 경쟁력을 강화하기 위해 글로벌 협력 네트워크를 구축하는 것이 중요하다는 판단에 따른 것"이라고 밝혔다. 아울러 SK 하이닉스는 지난 4일부터 나흘 일정으로 열린 '컴퓨텍스 2024'에서 '메모리, 더 파워 오브 AI'를 주제로 부스를 마련해 △ 인공지능(AI) 서버 △ AI PC △ 소비자용 SSD(cSSD) 3개 섹션으로 자사의 AI 메모리 솔루션을 선보였다. AI 서버 솔루션 중에서는 초당 1.18테라바이트(TB)의 데이터를 처리하는 고대역폭 메모리(HBM) 5세대 제품인 HBM3E가 주목을 받았다. SK하이닉스는 지난 3월 메모리 업체 중 최초로 HBM3E 제품을 AI 반도체 시장의 주요 고객인 엔비디아에 공급하기 시작했다. DDR5 기반 메모리 모듈로는 CXL(컴퓨트익스프레스링크) 메모리 컨트롤러를 장착해 기존 시스템보다 대역폭과 용량을 각각 50%, 100% 확장한 CMM-DDR5를 소개했다. 또 데이터 버퍼를 사용해 D램 모듈의 기본 동작 단위인 랭크 2개가 동시 작동하도록 설계한 '128GB TALL MCR DIMM'을 처음 공개했다. SSD 제품은 빅데이터·머신러닝 특화 기업용 SSD(eSSD) 'PS1010'·'PE9010', 온디바이스 AI PC에 최적화한 5세대 PCle 'PCB01', cSSD '플래티넘 P41'·플래티넘 P51', 외장형 SSD '비틀 X31'의 용량을 2TB로 늘린 버전 등을 선보였다. 아울러 히타지-LG 데이터 스토리지(HLDS) 부스에는 SK하이닉스와 HLDS가 공동 개발한 스틱형 SSD '튜브 T31'이 전시됐다. 한편, SK하이닉스 주가는 엔비디아 주가 상승에 힘입어 7일 오전 10시 54분 현재 전 거래일 대비 4.80%(9300원) 오른 20만3000원에 거래됐다. 장중 한때 5.32% 급등해 2만4000원까지 치솟기도 했다.
-
- IT/바이오
-
- "삼성전자 HBM칩, 엔비디아 테스트 통과 지연…발열 등 문제"
- 삼성전자의 현재 고대역폭 메모리(HBM) 기술이 엔비디아의 기준에 부적합한 것으로 알려졌다. 삼성전자가 미국 반도체업체 엔비디아에 고대역폭 메모리(HBM)를 납품하기 위한 테스트를 아직 통과하지 못했다고 로이터통신이 3명의 익명 소식통을 인용해 24일 보도했다고 연합뉴스가 전했다. 소식통들은 삼성전자 HBM의 발열과 전력 소비 등이 문제가 됐다고 전했다. 현재 인공지능(AI)용 그래픽처리장치(GPU)에 주력으로 쓰이는 4세대 제품 HBM3을 비롯해 5세대 제품 HBM3E에 이러한 문제가 있었다는 것. 삼성전자는 지난해부터 엔비디아의 HBM3와 HBM3E 테스트 통과를 위해 노력해왔으며, 지난달 HBM3E 8단 및 12단 제품 테스트 결과가 나왔다. 지난 3월 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 엔비디아 연례 개발자 콘퍼런스 'GTC 2024'의 삼성전자 부스를 찾아 HBM3E 12단 제품에 '젠슨 승인'(JENSEN APPROVED)이라고 사인을 해서 시장에서는 테스트 통과 기대감이 높아졌지만, 결과는 다르게 나왔다. 지적된 문제를 쉽게 수정 가능할지는 아직 명확하지 않지만, 소식통들은 투자자들 사이에 삼성전자가 HBM 분야에서 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론테크놀로지에 더 뒤처질 수 있다는 우려가 나온다고 전했다. 삼성전자는 세계 D램 시장 1위업체다. 그러나 HBM 시장 주도권은 10년 전부터 HBM에 적극적으로 '투입'해온 경쟁사 SK하이닉스가 쥐고 있다. SK하이닉스는 GPU 시장의 80% 이상을 장악한 엔비디아에 HBM3를 사실상 독점 공급해왔으며, 지난 3월에는 HBM3E(8단)를 양산해 엔비디아에 공급하기 시작했다. HBM 경쟁에서 주도권을 놓친 삼성전자는 지난 21일 반도체 사업부 수장을 전격 교체했다. 삼성전자는 전영현 미래사업기획단장(부회장)을 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)부문장에 임명했다. 로이터는 삼성전자는 구체적인 언급을 피하면서도 HBM에는 고객사의 필요에 맞춰 최적화 과정이 필요하다면서 고객사들과 긴밀히 협조하고 있다고 밝혔다고 전했다. 엔비디아는 로이터의 논평 요청에 입장을 밝히지 않았다. 삼성전자는 이날 공식 입장을 내고 HBM의 공급을 위한 태스트를 순조롭게 진행중이라고 밝혔다. 삼성전자는 "현재 다수의 업체와 긴밀하게 협력하며 지속적으로 기술과 성능을 테스트하고 있다"며 "HBM의 품질과 성능을 철저하게 검증하기 위해 다양한 테스트를 수행하고 있다"고 설명했다. 이어 "삼성전자는 모든 제품에 대해 지속적인 품질 개선과 신뢰성 강화를 위해 노력하고 있으며, 이를 통해 고객들에게 최상의 설루션을 제공할 예정"이라고 덧붙였다. 한편, 고대역폭 메모리 (HBM)는 인공지능(AI) 분야에서 핵심적인 역할을 하는 기술이다. 기존 메모리에 비해 훨씬 빠른 데이터 처리 속도와 높은 효율성을 제공하기 때문에 AI 애플리케이션의 성능 향상에 크게 기여한다. AI는 방대한 양의 데이터를 처리하고 분석해야 하는 특성을 가지고 있다. HBM은 기존 메모리보다 훨씬 빠른 데이터 전송 속도를 제공하여 AI 모델의 학습 및 추론 속도를 대폭 향상시킬 수 있다. 특히, 이미지 인식, 자연어 처리, 머신러닝 분야에서 HBM의 빠른 처리 속도는 모델의 정확성을 높이고 처리 시간을 단축하는 데 중요한 역할을 한다. 또한 HBM은 기존 메모리에 비해 낮은 전력 소비로 작동한다. 이는 데이터 센터 환경에서 AI 모델을 운영할 때 중요한 요소다. 낮은 전력 소비는 운영 비용 절감뿐만 아니라 발열량 감소에도 기여해 시스템의 안정성을 높일 수 있다. HBM은 앞으로 더욱 발전할 AI 기술의 요구 사항을 충족시킬 수 있는 잠재력을 가지고 있다. 예를 들어, 인공지능 기반의 자율주행, 스마트 시티, 첨단 의료 시스템 등의 분야에서 HBM은 핵심적인 역할을 할 것으로 예상된다.
-
- IT/바이오
-
- 4월 생산자물가 5개월 연속 상승…농산물 가격은 꺾여
- 국제유가와 금·은 등 원자재 가격 상승 여파에 생산자물가가 5개월 연속 올랐다. 22일 한국은행이 발표한 지난달 생산자물가지수는 119.12(2020=100)로 전월대비 0.3% 증가했다. 생산자물가는 최근 추세를 살피기 위해 지표를 전월대비 수치를 사용한다. 생산자물가의 전월 대비 상승률은 지난해 10월부터 11월까지 2개월 연속 하락했다가 12월(0.1%)부터 지난 4월(0.3%)까지 오름세를 보였다. 농림수산품, 전력·가스·수도 및 폐기물이 내렸지만 국제유가 및 금·은 등 귀금속을 비롯해 반도체 등 공산품이 올랐고, 음식점과 숙박 등 서비스가 상승한 이유가 크다. 전월 대비 등락률을 품목별로 보면 농림수산품이 3.0% 하락했다. 축산물이 1.6% 올랐으나, 농산물이 4.9%, 수산물이 4.2% 각각 내렸다. 공산품은 0.7% 상승했다. 컴퓨터와 전자 및 광학기기(1.8%), 1차 금속제품(1.5%), 석탄 및 석유제품(1.7%) 등이 오른 영향이다. 전력·가스·수도 및 폐기물은 0.6% 하락한 반면 서비스는 0.2% 상승했다. 세부 품목 중에서는 풋고추(-47.4%), 오이(-44.2%), 고등어(-41.5%), 산업용 도시가스(-7.3%) 등의 하락률이 두드러졌다. 반대로 돼지고기(5.3%), 맛김(6.6%), D램(16.4%), 플래시 메모리(11.4%), 전세버스(5.2%) 등은 상대적으로 많이 올랐다. 생산자물가는 생산자가 시장에 공급하는 상품과 서비스 등의 가격 변동을 나타내는 것으로 품목마다 통상 1~3개월 시차를 두고 소비자물가에 반영된다.
-
- 경제
-
- 삼성전자, 불확실성 속 반도체 사장 전격 교체…전영현 부회장 발탁
- 삼성전자가 반도체 위기 극복 핵심 전략으로 전영현(64) 미래사업기획단장(부회장)으로 반도체 사업 수장으로 전격 발탁했다. 지난해 반도체 업황 악화로 15조원에 육박하는 적자를 낸 가운데 삼성전자는 불확실성이 큰 대내외 환경 속에서 반도체 사업 경쟁력을 강화하기 위해 '원포인트' 인사를 단행한 것으로 보인다. 삼성전자는 21일 전영현 부회장을 디바이스솔루션(DS)부문장에, 전 부회장이 맡고 있던 미래사업기획단장에 기존 DS부문장이었던 경계현 사장을 각각 임명했다고 발표했다. 삼성전자는 "이번 인사는 불확실한 글로벌 경영 환경하에서 대내외 분위기를 일신해 반도체의 미래 경쟁력을 강화하기 위한 선제적 조치"라고 설명했다. '반도체 신화'의 주역인 전 신임 DS부문장은 LG반도체 출신으로, 2000년 삼성전자 메모리사업부로 입사해 D램·낸드플래시 개발, 전략 마케팅 업무를 거쳐 2014년부터 메모리사업부장을 맡아 왔다. 2017년 삼성SDI로 옮긴 전 부회장은 5년간 삼성SDI 대표이사를 맡았으며, 작년 말 인사에서 '귀환', 신설된 미래사업기획단을 맡아 삼성의 미래 먹거리를 발굴하는 데 주력해왔다. 전 부회장은 DS부문을 이끌며 기술 혁신과 조직의 분위기 쇄신을 통해 반도체 기술 초격차와 미래 경쟁력 강화에 집중할 것으로 보인다. 삼성전자는 지난해 주력인 반도체 업황 부진으로 DS부문에서 연간 14조8800억원의 적자를 기록했다. IT 수요 침체 등의 영향이 컸지만, 최근 인공지능(AI) 시장 확대로 급성장한 고대역폭 메모리(HBM) 시장에서도 SK하이닉스에 주도권을 뺏기는 등 차세대 기술 개발이나 시장 선점에 제대로 대응하지 못했다는 지적도 나오고 있다. 올해 1분기에는 전방 수요 회복과 메모리 가격 상승 등에 힘입어 2022년 4분기 이후 5개 분기 만에 흑자 전환로 돌아섰으며, HBM 5세대인 HBM3E 12단 양산 등에 속도를 내고 있다. 삼성전자는 "전 부회장은 삼성전자 메모리 반도체와 배터리 사업을 글로벌 최고 수준으로 성장시킨 주역으로, 그간 축적된 풍부한 경영 노하우를 바탕으로 반도체 위기를 극복할 것으로 기대한다"고 밝혔다. 삼성전자는 내년 정기 주주총회와 이사회를 통해 전 부회장의 사내이사 및 대표이사 선임 절차를 밟을 계획이다. 한편, 경 사장은 최근 반도체 위기 상황에서 새로운 돌파구 마련을 위해 스스로 부문장에서 물러난 것으로 알려졌다. 한종희 디바이스경험(DX)부문장과 협의하고 이사회에도 사전 보고한 것으로 알려졌다. 다만 종전에 맡고 있던 SAIT(옛 삼성종합기술원) 원장은 경 사장이 계속 담당한다. 2020년부터 삼성전기 대표이사를 맡아 적층세라믹커패시터(MLCC) 기술 경쟁력을 끌어올린 경 사장은 2022년부터 삼성전자 DS부문장을 맡아 반도체 사업을 총괄해 왔으며, 향후 미래사업기획단을 이끌며 미래 먹거리 발굴을 주도할 예정이다 삼성전자는 부문장 이하 사업부장 등에 대한 후속 인사는 검토되지 않았다고 말했다. 한편, 삼성전자 주가는 이날 오전 10시 36분 현재 7만8900원으로 보합세를 보이고 있다.
-
- IT/바이오
-
- 2032년 한국 전세계 반도체 생산 점유율 전망, 19%로 역대 최고
- 8년 후인 2032년 한국의 반도체 생산 비중이 전 세계 시장의 약 20%에 육박해 역대 최고치를 기록할 것이라는 전망이 나왔다. 이는 대만을 누르고 중국에 이어 두 번째로 비중이 큰 것이다. 또한 2022년 대비 반도체 생산능력 증가율도 미국에 이어 2위를 차지할 것이라는 예측이다. 미국반도체산업협회(SIA)와 보스턴 컨설팅 그룹(BCG)은 8일(현지시간) '반도체 공급망의 새로운 회복 탄력성' 보고서에서 2032년 전 세계 반도체 시장에서 차지하는 한국의 생산능력은 19%에 달할 것이라고 전망했다. 이는 2022년의 생산비중 17%보다 2%p(포인트) 늘어난 수치로, 역대 가장 높은 수준이 된다. 한국은 중국(21%)에 이어 두 번째로 높고 대만(17%)과 미국(14%)도 앞서는 것으로 나타다. 2022년 기준 우리나라의 반도체 생산 비중은 중국(24%)과 대만(18%)에 이어 일본과 함께 공동 3위로 평가됐다. 그러나 2032년에는 한국의 생산 비중이 19%로 대만을 제칠 것이라는 분석이 나온 것이다. 보고서는 반도체 생산 지역을 한국과 미국, 유럽, 일본, 대만, 중국, 말레이시아와 싱가포르 인도 등을 포함한 기타 등 7개 지역으로 구분했다. 한국의 생산 점유율이 증가하는 것은 반도체 공장 건설을 통해 생산능력이 많이 확대되기 때문이다. 또한 보고서는 이 기간 한국의 반도체 생산능력 증가율을 129%로 추정했다. 이는 미국(203%)에 이어 두 번째로 높은 것으로, 유럽(124%)과 대만(97%), 일본(86%), 중국(86%), 기타(62%) 등을 앞선다. 2012년 대비 2022년 우리나라의 반도체 생산능력 증가율(90%)은 중국(365%)에 이어 두 번째였다. 이 기간 다른 지역의 생산능력 증가율은 대만(67%), 유럽(63%), 일본(36%) 등의 순으로 높았다. 미국은 11%로 가장 낮았다. 이들 지역을 제외한 기타 지역은 72%였다. 다만, 첨단 공정을 포함한 10나노미터(nm·1nm는 10억분의 1m) 이하 한국의 반도체 생산 점유율은 31%에서 9%로 크게 떨어질 것으로 관측됐다. 같은 기간 대만도 69%에서 47%로 하락할 것으로 예상됐다. 이는 미국 정부가 반도체 지원법을 앞세워 미국 내 설비 투자를 장려하면서 첨단 공정을 위한 공장 등을 짓는 등 투자가 많이 늘어난 데 따른 것이다. 미 정부는 반도체 생산 보조금(390억 달러)과 연구개발(R&D) 지원금(132억 달러) 등 모두 527억 달러(75조5000억원)를 지원하고 있다. 이에 따라 2032년 미국의 반도체 생산능력 증가율은 2022년 대비 3배 수준(203%)으로 늘어나고, 생산 점유율도 10%에서 14%로 늘어날 것으로 예상됐다. 보고서는 "반도체 지원법이 없었다면 미국의 점유율은 2032년 8%로 떨어졌을 것"이라고 추정했다. 특히, 미국의 10나노미터 이하 공정의 생산 점유율은 2022년 0%에서 10년 뒤인 2032년에는 28%로 크게 확대 것으로 내다봤다. 보고서는 "한국은 반도체 산업 발전에 일찍 투자해 삼성과 SK하이닉스가 글로벌 반도체 리더로 성장할 수 있도록 지원했다"며 "전 세계 낸드 플래시 메모리와 D램 시장에서 각각 절반 이상의 점유율을 차지하고 있다"고 밝혔다.
-
- IT/바이오
-
- HBM 전체 D램 매출 비중 내년 30% 이상 전망
- 인공지능(AI) 시장 확대로 고대역폭 메모리(HBM) 수요가 급증하는 가운데 내년에는 HBM이 전체 D램 매출의 30% 이상을 차지할 것이라는 전망이 나왔다. 7일(현지시간) 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전체 D램 비트(bit) 용량에서 HBM이 차지하는 비중은 2023년 2%에서 올해 5%로 상승하고 2025년에는 10%를 넘어설 것으로 전망된다. 트렌드포스는 HBM 비중이 시장 가치(매출) 측면에서는 2023년 전체 D램의 8%에서 올해 21%로 늘어나고, 2025년에는 30%를 넘어설 것으로 예상했다. HBM 판매 단가는 2025년 5∼10% 상승할 것으로 봤다. 트렌드포스는 "HBM의 판매 단가는 기존 D램의 몇배, DDR5의 약 5배에 달한다"며 "이러한 가격 책정은 단일 디바이스 HBM 용량을 증가시키는 AI 칩 기술과 결합해 D램 시장에서 용량과 시장 가치 모두 HBM의 점유율을 크게 높일 것"이라고 말했다. 올해 HBM 수요 성장률은 200%에 육박하며 내년에는 2배로 증가할 전망이다. 트렌드포스는 "2025년 HBM 가격 협상이 이미 올해 2분기에 시작됐다"며 "D램의 전체 생산 능력이 제한돼 있어 공급업체들은 미리 가격을 5∼10% 인상했으며 이는 HBM2E, HBM3, HBM3E에 영향을 미쳤다"고 설명했다. 이는 HBM 구매자들이 AI 수요 전망에 대해 높은 신뢰도를 유지하고 있고 지속적인 가격 인상을 받아들일 의향이 있는 데다, HBM3E의 실리콘관통전극(TSV) 수율이 현재 40∼60%에 불과해 개선의 여지가 있기 때문이라고 봤다. 모든 주요 공급업체가 HBM3E 고객 인증을 통과한 것이 아닌 만큼 구매자는 안정적이고 우수한 품질의 공급을 확보하기 위해 더 높은 가격을 수용하게 됐다고 트렌드포스는 분석했다. 트렌드포스는 "향후 Gb(기가비트)당 가격은 D램 공급업체의 신뢰성과 공급 능력에 따라 달라질 수 있으며, 이는 평균판매단가(ASP)에 불균형을 초래해 결과적으로 수익성에 영향을 미칠 수 있다"고 밝혔다. 현재 SK하이닉스와 삼성전자는 HBM 시장의 주도권을 확보하기 위해 HBM 생산능력을 늘리며 수요 증가에 대응하고 있다. 이에 앞서 곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO)는 지난 2일 기자간담회에서 "HBM은 올해 이미 '솔드아웃'(완판)이고, 내년 역시 대부분 솔드아웃됐다"고 말했다. 여기에는 최근 공급을 시작한 HBM3E 8단 제품뿐 아니라 3분기 양산을 준비 중인 HBM3E 12단 제품도 포함된 것으로 알려졌다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)도 지난달 30일 1분기 실적 콘퍼런스콜에서 "올해 HBM 공급 규모는 비트 기준 전년 대비 3배 이상 지속적으로 늘려가고 있고, 해당 물량은 이미 공급사와 협의를 완료했다"며 "2025년에도 올해 대비 최소 2배 이상의 공급을 계획하고 있으며 고객사와 협의를 원활하게 진행 중"이라고 밝혔다.
-
- 산업
-
- SK하이닉스 "3분기, HBM3E 12단 양산…내년 생산 HBM도 완판"
- 곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO)는 2일 "고대역폭 메모리(HBM) 시장의 리더십을 강화하기 위해 세계 최고 성능을 자랑하는 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 공급하고 3분기에는 양산을 시작한 분비가 되어 있다"고 발표했다. 곽 CEO는 "올해 HBM 생산은 이미 '솔드아웃(완판)'된 상태이며, 내년에도 대부분의 제품이 솔드아웃 상태다"라고 덧붙였다. 곽 CEO는 이날 경기도 이천에 위치한 본사에서 'AI 시대, SK하이닉스의 비전과 전략'을 주제로 열린 기자간담회에서 '앞으로 글로벌 파트너사들과의 전략적 협력을 통해 세계 최고의 맞춤형 메모리 솔루션을 제공하겠다'고 말했다. SK하이닉스가 이천 본사에서 기자간담회를 연 것은 이번이 처음이라고 연합뉴스가 전했다. 용인 클러스터 첫 팹(fab·반도체 생산공장) 준공(2027년 5월)을 3년 앞두고 열린 이날 행사에는 곽 CEO와 함께 AI 인프라 담당 김주선 사장 등 주요 경영진이 참석했다. 2027년 5월에 준공 예정인 용인 클러스터의 첫 반도체 생산공장(팹·fab) 개소를 3년 앞둔 이날 행사에는 곽 CEO와 AI 인프라 담당 김주선 사장을 포함한 주요 경영진이 참석했다. 곽 CEO는 "현재 AI는 주로 데이터센터 중심으로 구축되어 있지만, 앞으로는 스마트폰, PC, 자동차 등 다양한 디바이스에서 활용되는 온디바이스 AI로의 확산이 예상된다"며 "이러한 변화는 AI에 최적화된 고속, 대용량, 저전력 메모리의 수요를 급증시킬 것"이라고 전망했다. 지난해 전체 메모리 시장에서 약 5%를 차지했던 HBM과 고용량 D램 모듈 등 AI 전용 메모리의 시장 점유율은 2028년에는 61%에 이를 것으로 보인다. 특히 HBM 시장은 중장기적으로 연평균 약 60%의 수요 성장률을 보일 것으로 예상된다. 곽 CEO는 "올해 이후 HBM 시장은 AI 성능 향상을 위한 파라미터 증가, AI 서비스 공급자의 확대와 같은 요인으로 인해 지속적인 성장이 예상된다"며 "올해는 지난해에 비해 수요 가시성이 훨씬 높아졌다"고 설명했다. HBM 과잉 공급 우려에 대해, 곽 CEO는 "올해 증가하는 HBM 공급 능력은 이미 고객과의 협의를 마친 상태에서 고객의 수요에 맞추어 조절되므로, 과잉 공급의 위험은 줄어들 것"이라고 밝혔다. 또한 "HBM4 이후에는 맞춤형(커스터마이징) 요구가 증가하면서, 제품이 트렌드화되고 주문형 비즈니스로 전환될 것"이라고 예측했다. 김주선 사장은 "프리미엄 제품인 HBM의 생산 캐파 할당이 증가함에 따라 일반 D램 생산이 줄어들 가능성이 있으며, 하반기부터는 전통적인 응용처의 수요 개선을 통해 메모리 시장이 더욱 안정적인 성장을 이룰 것"이라고 전망했다. HBM 후발주자인 삼성전자는 지난달 30일 1분기 실적 콘퍼런스콜에서 업계 최초로 개발한 HBM3E 12단 제품을 올해 2분기 내 양산한다고 발표하며 SK하이닉스를 바짝 추격하고 있다. 이에 대해 곽 CEO는 "고객의 요구에 맞는 기술을 적시에 개발하고, 그에 따른 생산능력도 고객의 요구에 맞춰 조절할 것"이라며 "자만하지 않고, 고객과 긴밀히 협력하여 시장의 요구에 부합하는 제품을 공급할 수 있도록 할 것"이라고 강조했다. 곽 CEO는 2016년부터 올해까지 예상되는 HBM 누적 매출에 대해서는 "하반기 시장 변화 등으로 해 정확히 말할 수는 없지만, 백수십억달러 정도가 될 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스는 HBM 핵심 패키지 기술 중 하나인 MR-MUF 기술의 우수성도 강조했다. 최우진 패키징&테스트(P&T) 담당 부사장은 "일각에서 MR-MUF 기술이 고단 적층에서의 한계를 지적하나, 실제로는 이 기술이 칩의 휨 현상을 효과적으로 제어하는 고온·저압 방식으로, 고단 적층에 가장 적합하다"고 밝혔다. 최 부사장은 이어 "현재 16단 구현을 위한 기술 개발이 순조롭게 진행 중이며, HBM4에도 고급 MR-MUF 기술을 적용하여 16단 제품을 구현할 계획이다. 하이브리드 본딩 기술도 선제적으로 검토 중이다"고 덧붙였다. HBM 리더십 확보를 위한 노력에 대해서는 최태원 회장과 SK그룹 차원에서의 선제적 투자를 강조했다. 곽 CEO는 "AI 반도체의 경쟁력은 단기간 내에 확보하기 어렵다. SK그룹에 2012년 편입된 이후, 메모리 시장이 어려운 상황에서 대부분의 반도체 기업이 투자를 줄였지만, SK그룹은 오히려 투자를 늘렸다"고 설명했다. 또한 "당시 모든 분야에 걸쳐 투자 확대 결정은 시장 개방 시기의 불확실성을 포함하는 HBM 투자도 포함하고 있었다"며 "최태원 회장의 글로벌 네트워킹은 고객사 및 협력사와의 긴밀한 관계 구축을 통해 AI 반도체 리더십 확보에 크게 기여했다"고 말했다. SK하이닉스는 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터 첫 팹 가동 전에 청주에 M15X를 짓기로 했다. M15X는 연면적 6만3천평 규모의 복층 팹으로 EUV를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정이다. SK하이닉스는 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터의 첫 팹 가동 전에 청주에 위치한 M15X 팹을 건설하기로 결정했다. M15X는 6만3000평 규모의 복층 팹으로, EUV를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정이다. M15X는 내년 11월에 준공되어 2026년 3분기부터 본격적으로 양산을 시작할 계획이다. 용인 클러스터의 부지 조성 작업도 순조롭게 진행되고 있다. 또한 미국 인디애나주에 38억7000만달러(약 5조2000억원)를 투자해 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 시설을 짓고 2028년부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산할 계획이다.
-
- IT/바이오
-
- SK하이닉스, 청주 M15X서 차세대 D램 생산…20조 이상 투자
- SK하이닉스는 인공지능(AI) 반도체에 대한 수요 급증에 대응하여 고대역폭 메모리(HBM)와 같은 차세대 D램의 생산능력(캐파)을 확장하기로 했다. 24일 SK하이닉스는 이사회 결정을 통해 충북 청주시에 건설될 신규 팹(fab·반도체 생산공장)인 M15X를 D램 생산 기지로 확정하고, 팹 건설에 총 5조 3000억 원을 투자하기로 결정했다고 밝혔다. 팹 건설 공사는 이달 말부터 시작되며, 2025년 11월에 공장을 준공하고 이후 본격적인 양산에 들어갈 계획이다. 또한, SK하이닉스는 M15X에 장비 투자를 순차적으로 진행하여, 장기적으로 총 20조 원 이상을 투자해 생산 기반을 강화할 방침이다. SK하이닉스는 지난 2022년에 M15 팹의 확장 공장인 M15X의 건설 및 생산 설비 구축을 위해 향후 5년 동안 15조 원을 투자할 것이라고 발표했으나, 지난해 4월 반도체 업황 악화로 인해 일시적으로 공사를 중단한 적이 있다. 당초 업계에서는 M15X에서 낸드 메모리를 생산할 것으로 예상했었다. 그동안 SK하이닉스는 M15X 공사 재개 시점에 대해 "시황을 예의주시하겠다"고 밝혀왔지만, 최근 AI 시대의 도래와 함께 D램 수요가 급증함에 따라, M15X의 용도를 변경하고 투자 규모를 확대하기로 결정했다. 연평균 60% 이상의 성장이 예상되는 HBM은 일반 D램 제품에 비해 최소 2배 이상의 생산능력이 요구된다. 이에 따라 SK하이닉스는 2027년 상반기에 용인 반도체 클러스터에서 첫 번째 팹을 준공하기 전에 청주 M15X에서 신규 D램 생산을 시작할 계획이다. M15X는 실리콘 관통 전극(TSV) 생산 능력을 확장 중인 M15와 인접하여 HBM 생산을 최적화할 수 있는 위치에 있다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 "M15X는 전 세계 AI 메모리 시장에 핵심적인 역할을 하게 될 것이며, 회사의 현재와 미래를 잇는 중요한 다리 역할을 할 것"이라고 말했다. 그는 또한 "이번 투자가 단순히 회사의 성장을 넘어 국가 경제에도 긍정적인 영향을 미칠 것으로 확신한다"고 덧붙였다. SK하이닉스는 M15X 외에도 앞으로 증가할 메모리 수요에 대비해 추가 투자의 필요성을 검토하며 수요 상황을 면밀히 점검하고 있다. 이와 함께, 약 120조 원이 투입되는 용인 클러스터를 포함한 국내 투자 계획은 차질 없이 진행한다는 방침이다. 현재 용인 클러스터의 부지 조성 공정률은 약 26%로, 목표치보다 3% 포인트 빠른 진척을 보이고 있다. 또한, SK하이닉스가 들어설 예정인 부지에 대한 보상 절차와 문화재 조사는 이미 완료되었으며, 전력과 용수, 도로 등의 인프라 구축도 계획보다 빠르게 진행되고 있다고 회사 측은 밝혔다. SK하이닉스는 용인의 첫 팹을 2025년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 예정이다. SK하이닉스가 진행하는 국내 투자는 SK그룹 차원의 전체 국내 투자에서도 중요한 부분을 차지하고 있다. 2012년 SK그룹에 편입된 이래, SK하이닉스는 2014년부터 총 46조원을 투자하여 이천 M14를 시작으로 총 세 개의 공장을 추가로 건설하는 '미래비전'을 중심으로 국내 투자를 이어왔다. 이 계획에 따라 2018년 청주 M15와 2021년 이천 M16을 차례로 준공하며 미래비전을 조기에 완성했다. SK하이닉스는 "M15X와 용인 클러스터에 대한 투자는 대한민국을 AI 반도체 강국으로 이끄는 데 중요한 역할을 하며 국가경제를 활성화하는 계기가 될 것"이라고 밝혔다. 회사는 이어 "AI 메모리 시장에서 글로벌 리더로서의 위치를 강화하고, 국내 생산기지에 대한 투자를 확대함으로써 국가경제에 기여할 뿐만 아니라 반도체 강국으로서 대한민국의 위상을 높이는 데 일조할 것"이라고 덧붙였다.
-
- IT/바이오
-
- SK하이닉스·TSMC, 파운드리-메모리 협력으로 HBM 시장 선점
- SK하이닉스가 세계적인 파운드리(반도체 수탁생산) 기업인 대만 TSMC와 협력해 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 생산과 첨단 패키징 기술 역량을 강화할 계획이다. SK하이닉스는 19일, 최근 대만 타이베이에서 TSMC와 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결하고 TSMC와 협업해 오는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM)를 개발할 계획이라고 발표했다. 특히, 인공지능(AI) 반도체 시장을 이끄는 기업인 엔비디아는 SK하이닉스로부터 AI 연산작업의 핵심인 그래픽처리장치(GPU)용 HBM을 공급받아 TSMC에 패키징 하도록 맡겨 이를 조달하고 있다. SK하이닉스는 "AI 메모리 분야의 글로벌 리더로서, 세계 최대 파운드리 업체인 TSMC와의 협력을 통해 HBM 기술의 새로운 혁신을 이끌어낼 것"이라며, "고객, 파운드리, 메모리 간의 협력을 통해 메모리 성능의 한계를 넘어설 것"이라고 강조했다. 양사는 HBM 패키지의 베이스 다이(base die) 성능 향상을 위해 노력하고 있다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리다. 방대한 데이터를 신속하고 끊임없이 처리해야 하는 생성형 AI를 구동하려면 HBM과 같은 고성능 메모리가 반드시 필요한 것으로 알려졌다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(core die)를 쌓고, 이를 실리콘관통전극(TSV) 기술로 수직 연결해 제조한다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 통제 기능을 수행한다. SK하이닉스는 HBM 4세대인 HBM3 시장의 90%를 점유하고 있다. SK하이닉스는 지난 3월 18일 HBM 5세대인 HBM3E도 이달 말부터 AI 칩 선두 주자인 엔비디아에 공급한다고 밝혔다 SK하이닉스는 5세대 HBM인 HBM3E까지는 자체 D램 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 TSMC가 보유한 로직 초미세 선단공정을 활용해 베이스 다이에 다양한 시스템 기능을 추가할 계획이다. SK하이닉스의 HBM3E는 초당 최대 1.18테라바이트(TB)의 데이터를 처리한다. 이는 풀-HD급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. HBM4는 HBM3에 비해 두 배 가까운 고속과 고용량 성능을 구현해야 한다. 이를 위해 베이스 다이는 단순히 D램 칩과 GPU를 연결하는 기능을 넘어 시스템반도체에서 요구하는 다양한 기능을 수행할 필요가 있으며, 이는 기존의 일반 D램 공정으로는 제작이 어려운 것으로 알려져 있다. SK하이닉스는 이를 통해 성능, 전력 효율 등에 대한 고객들의 폭넓은 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산할 계획이다. 또한, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 첨단 패키징 공정인 '칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트'(CoWoS) 기술을 결합하여 최적화하는 데 협력하며, HBM 관련 고객의 요청에 공동으로 대응하기로 했다. 김주선 SK하이닉스 AI 인프라 담당 사장은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것뿐만 아니라, 글로벌 고객들과의 개방형 협업을 가속화할 것"이라며, "앞으로 맞춤형 메모리 플랫폼의 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'로서의 위상을 확립하겠다"고 밝혔ek. 케빈 장 TSMC 수석부사장은 "TSMC와 SK하이닉스는 수년 동안 견고한 파트너십을 유지해 왔으며, 세계 최고의 AI 솔루션을 시장에 공급해 왔다"며 "HBM4에서도 긴밀한 협력을 통해 AI 기반의 혁신을 지원할 최고의 통합 제품을 제공할 것"이라고 말했다.
-
- IT/바이오
-
- 삼성전자, 1분기 실적 '역대급' 6조6천억원 영업이익…5분기 만에 매출 70조원대
- 삼성전자가 메모리 반도체 시장의 회복과 갤럭시 S24 판매 호조 덕분에 2024년 1분기에 예상을 뛰어넘는 '깜짝 실적(어닝 서프라이즈)'을 올렸다고 발표했다. 삼성전자는 올해 1분기 연결 기준 영업이익이 6조6000억원으로 지난해 같은 기간보다 931.25% 증가한 것으로 잠정 집계됐다고 5일 공시했다. 이는 삼성전자의 지난해 전체 연간 영업이익(6조 5700억 원)을 초과하는 금액이다. 매출액은 71조 원으로 전년 동기 대비 11.37% 상승했다. 삼성전자의 분기별 매출이 70조 원을 넘은 것은 2022년 4분기(70조4646억원) 이후 처음이다. 이번 실적은 시장 예상을 20% 이상 크게 웃도는 수준이다. 최근 1개월 내에 보고서를 낸 18개 증권사의 평균 예측치를 토대로 한 연합인포맥스의 집계에 따르면, 삼성전자의 1분기 매출은 전년 동기 대비 12.88% 증가한 71조 9541억 원, 영업이익은 755.3% 증가한 5조 4756억 원으로 예상됐었다. 올해 초에는 영업이익이 4조원 대 중반을 기록할 것으로 보였으나, 메모리 감산으로 인한 가격 상승 등의 시장 상황이 개선되면서 최근 예측이 상향 조정됐다. 삼성전자의 부문별 성과는 구체적으로 발표되지 않았지만, 증권업계 분석에 따르면 삼성전자의 디바이스솔루션(DS) 부문이 7000억원에서 1조 원 사이의 영업이익을 기록, 2022년 4분기 이후 5분기 만에 흑자로 전환한 것으로 추정된다. SK증권은 DS 부문 영업이익을 1조원으로, 모바일경험(MX)·네트워크와 디스플레이(SDC)는 각각 3조7000억원, 3000억원으로 예상했다. 유진투자증권은 DS 부문의 영업이익을 9000억 원, SDC 부문을 3000억 원, MX와 네트워크를 3조 8000억 원, 영상디스플레이(VD)와 소비자가전(CE)을 3천억 원, 하만을 1천억 원으로 예측했다. 현대차증권은 DS 부문을 7000억 원, SDC 부문을 3500억 원, MX와 네트워크 부문을 3조 9000억 원, VD와 가전 부문을 3800억 원으로 추산했다. 이번 DS 부문의 성공은 D램과 낸드 가격 상승에 따른 것으로, 고부가가치 제품의 집중 판매 전략이 주효했다고 보인다. 삼성전자 메모리사업부의 김재준 부사장은 지난해 4분기 실적 발표에서 생성형 인공지능(AI)에 대응하는 고대역폭 메모리(HBM) 서버와 SSD 수요 증가에 적극 대응하여 수익성 개선에 집중하겠다고 언급한 바 있다. 한동희 SK증권 연구원은 메모리 부문의 수익성 중심 전략과 낸드 가격의 기저 효과로 인해 1분기 가격 상승이 예상을 뛰어넘을 것이라고 전망했다. 이에 따라 재고평가손실 충당금 환입의 효과가 크게 나타날 것으로 기대된다. 모바일 사업 분야에서도 인공지능(AI) 기능을 탑재한 갤럭시 S24의 뛰어난 판매 성과와 함께 스마트폰 출하량 증가로 수익성이 향상된 것으로 파악된다. 지난해 4분기에 영업 손실 500억 원을 기록했던 영상디스플레이(VD) 및 생활가전(DA) 사업부는 프리미엄 TV 및 고부가가치 가전제품의 판매 확대를 통해 수익성이 약간 개선되었다고 볼 수 있다. 이러한 상황에서 메모리 가격의 상승 추세가 지속되면서 삼성전자의 실적 개선 추세가 앞으로도 이어질 것으로 보인다. 대만의 시장조사업체 트렌드포스에 따르면, 1분기 D램의 평균 판매가격(ASP)이 전 분기 대비 최대 20% 상승한 뒤, 2분기에는 3%에서 8% 사이로 추가 상승할 것으로 전망된다. 낸드 가격 역시 1분기에 23%에서 28% 상승한 후, 2분기에는 13%에서 18% 상승할 것으로 예상된다. 연합인포맥스가 집계한 바에 따르면, 삼성전자의 2분기 영업이익 예상치는 전년 동기 대비 약 10배 증가한 7조 3634억 원에 달한다. 또한, 2분기 매출 전망치는 전년 동기 대비 20.73% 증가한 72조4469억 원으로 추정된다. HBM 수요 증가로 실적 개선 기대 HBM(고대역폭 메모리)의 수요 증가가 실적 개선에 기여할 것으로 예상된다. 생성형 AI 서비스의 확장에 힘입어 그래픽 처리 장치(GPU)와 신경망 처리 장치(NPU)의 출하량이 증가하면서, HBM 시장은 2026년까지 빠른 성장세를 유지할 것으로 보인다. 삼성전자는 업계에서 처음으로 D램 칩을 12단까지 쌓는 5세대 HBM, HBM3E를 올해 상반기부터 생산할 계획이며, 올해 HBM 출하량을 지난해 대비 최대 2.9배 증가시킬 예정이다. 김광진 한화투자증권 연구원은 "경쟁사와의 HBM 개발 로드맵 차이를 줄이는 것이 중요하다"며 "삼성전자가 여전히 후발 주자이긴 하지만, 과거 대비 경쟁사와의 기술 격차가 줄어든 것은 긍정적인 신호"라고 평가했다. 파운드리 사업 역시 수주 증가와 수율 개선에 힘입어 4분기에는 흑자 전환될 것으로 전망된다. 대신증권의 신석환 연구원은 "지난해 파운드리 사업이 큰 적자를 기록했지만, 올해는 최대 수주 기록과 함께 하반기 흑자 전환이 기대된다"며 "하반기 HBM 공급 확대와 레거시 제품에 대한 수요 증가로 인해 실적 성장이 예상보다 빠를 것"이라고 내다봤다. 엎서 인공지능(AI) 칩 선두주자인 미국 반도체 기업 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)는 지난 3월 19일 엔비디아의 연례 개발자 회의인 'GTC 2024' 둘째날 삼성이 아직 HBM3E의 양산에 대해 발표하지 않았음에도 삼성의 HBM이 현재 검증 단계를 거치고 있다고 확인했다. 젠슨 황 CEO는 삼성의 12단 HBM3E 디스플레이 옆에 '젠슨 승인'이라고 서명까지 해 삼성의 HBM3E가 검증 과정을 통과할 가능성이 높다는 추측을 불러일으켰다. 황 CEO는 '삼성의 HBM을 사용하고 있느냐'라는 질문에 "아직 사용하고 있지 않다"면서도 "현재 테스트하고(qualifying) 있으며 기대가 크다"고 말했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 크게 높인 제품으로 고성능 컴퓨팅 시스템에 사용되는 차세대 메모리 기술이다. 방대한 데이터를 신속하고 끊임없이 처리해야 하는 생성 AI를 구동하려면 HBM과 같은 고성능 메모리가 반드시 필요한 것으로 알려져 있다.
-
- IT/바이오
-
- 삼성전자, 이르면 9월부터 엔비디아에 12단 HBM3E 단독 공급
- 삼성전자가 빠르면 9월부터 엔비디아에 12단 고대역폭 메모리(HBM) 제품을 단독 공급하게 될 것이라는 소식이 전해졌다. 디지타임스가 26일(현지시간) 삼성전자는 HBM 시장에서 빠르게 입지를 다지고 있다며 최근 12단 D램을 탑재한 HBM3E 개발에 성공했다고 발표한 이후 현재 선두주자인 SK하이닉스와 마이크론을 제치고 엔비디아의 유일한 12단 HBM3E 공급업체가 될 수 있다는 보도가 나왔다고 전했다. 업계 소식통에 따르면, 삼성은 12단 HBM3E 개발에서 경쟁사를 앞질러 이르면 2024년 9월부터 엔비디아의 독점 공급업체가 될 것으로 보인다. 이에 대해 삼성은 고객 정보를 공개할 수 없다고 밝혔다. 마이크론은 2024년 2월 말, 8단 HBM3E 양산 개시를 발표했다. 삼성도 36GB 12단 HBM3E 제품 개발에 성공했다고 공개했다. 삼성은 12단 HBM3E가 8단 HBM3E와 동일한 높이를 유지하면서 더 많은 레이어 수를 자랑한다고 강조했다. 최대 1280GB/s의 대역폭을 제공하는 12단 HBM3E는 8단 HBM3에 비해 50% 이상의 성능과 용량을 제공한다. 삼성은 2024년 후반에 12단 HBM3E의 양산을 시작할 것으로 예상된다. 한편, 인공지능(AI) 칩 선두주자인 미국 반도체 기업 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)는 최근 'GTC 2024'에서 삼성이 아직 HBM3E의 양산에 대해 발표하지 않았음에도 삼성의 HBM이 현재 검증 단계를 거치고 있다고 확인했다. 젠슨 황 CEO는 삼성의 12단 HBM3E 디스플레이 옆에 '젠슨 승인'이라고 서명까지 해 삼성의 HBM3E가 검증 과정을 통과할 가능성이 높다는 추측을 불러일으켰다. 젠슨 황 CEO는 지난 3월 19일 엔비디아의 연례 개발자 콘퍼런스 'GTC 24' 둘째 날 삼성전자의 고대역폭 메모리(HBM)를 테스트하고 있다고 밝혔다. 황 CEO는 '삼성의 HBM을 사용하고 있느냐'라는 질문에 "아직 사용하고 있지 않다"면서도 "현재 테스트하고(qualifying) 있으며 기대가 크다"고 말했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 크게 높인 제품으로 고성능 컴퓨팅 시스템에 사용되는 차세대 메모리 기술이다. 방대한 데이터를 신속하고 끊임없이 처리해야 하는 생성 AI를 구동하려면 HBM과 같은 고성능 메모리가 반드시 필요한 것으로 알려져 있다. 고성능 컴퓨팅 시스템에서는 대규모 시뮬레이션과 데이터 분석 과정에 HBM을 사용한다. 아울러 고성능 그래픽 카드에서는 게임, 가상현실(VR), 증강현실(AR) 등의 그래픽 데이터를 빨리 처리하기 위해 HBM이 사용된다. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있으며, HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다. HBM3 시장의 90% 이상을 점유하고 있는 SK하이닉스는 메모리 업체 중 가장 먼저 5세대인 HBM3E D램을 엔비디아에 납품한다고 밝혔다. SK하이닉스는 2024년 3월부터 엔비디아에 8단 HBM3E를 공식 공급하기 시작했다. SK하이닉스는 GTC 2024에서 12단 HBM3E를 선보였으며, 이르면 2024년 2월에 엔비디아에 샘플을 제공할 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 HBM4의 성능을 향상시키기 위해 하이브리드 본딩 기술을 활용할 것이라고 밝혔다. 16단 D램을 적층해 48GB 용량을 구현할 계획이며, 데이터 처리 속도는 HBM3E 대비 40%, 전력 소비는 70% 수준에 불과할 것으로 예상된다. 삼성은 지난 2월 18일부터 21일까지 열린 '2024 국제 반도체 회로 학회(ISSCC 2024)'에서 곧 출시될 HBM4가 초당 2TB의 대역폭을 자랑하며 5세대 HBM(HBM3E) 대비 66% 대폭 증가했다고 발표했다. 또한 입출력(I/O) 수도 두 배로 증가했다.
-
- IT/바이오
-
- SK하이닉스, 5조3천억원 투자 미국 인디애나주 반도체 패키징공장 건설
- SK하이닉스가 미국 인디애나주 서부 웨스트 라피엣에 첨단 반도체 패키징 공장을 건설할 계획이다. 월스트리트저널(WSJ)은 26일(현지시간) 소식통을 인용해 SK하이닉스가 반도체공장 건설을 위해 40억 달러(약 5조3000억 원)를 투자하며 2028년 가동을 개시할 계획이라고 보도했다. SK하이닉스 이사회는 조만간 이 결정을 승인할 것으로 알려졌다. 소식통은 이 공장 건설로 800∼1000개의 일자리가 창출되며 미국 연방정부와 주 정부의 세금 인센티브 등 지원이 프로젝트 자금 조달에 도움이 될 것이라고 설명했다. 공장이 들어서는 인디애나주 웨스트 라피엣에는 미국 최대 반도체 및 마이크로 전자공학 프로그램을 운영하는 대학 중 한 곳인 퍼듀대학이 있다. SK하이닉스는 대만 반도체 기업 TSMC와 인텔 공장이 들어서는 등 반도체 산업이 급성장하고 있는 애리조나주도 고려했으나 퍼듀대를 통해 엔지니어 풀을 확보할 수 있다는 이점을 감안해 인디애나주를 최종 선택했다고 소식통은 지적했다. 패키징은 웨이퍼 형태로 생산된 반도체를 자르고 전기 배선 등을 연결해 전자 기기에 탑재할 수 있는 형태로 조립(패키징)하는 반도체 생산의 마지막 단계다. 이에 앞서 지난 1일 영국 파이낸셜타임스(FT)는 SK하이닉스가 인디애나주를 반도체 패키징 공장 부지로 선정했으며, 이 공장은 엔비디아의 그래픽처리장치(GPU)에 들어갈 고대역폭 메모리(HBM) 제조를 위한 D램 적층에 특화한 시설이 될 것이라고 복수의 소식통을 인용해 보도했다. 세미애널리틱스의 딜런 파텔 수석 애널리스트는 "SK하이닉스 공장은 미국에서 대규모 HBM(고대역폭 메모리) 패키징을 위한 첫 번째 주요 시설이 될 것"이라고 예상했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리다. 방대한 데이터를 신속하고 끊임없이 처리해야 하는 생성형 AI를 구동하려면 HBM과 같은 고성능 메모리가 반드시 필요한 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 HBM 4세대인 HBM3 시장의 90%를 점유하고 있다. SK하이닉스는 HBM 5세대인 HBM3E도 이달 말부터 AI 칩 선두 주자인 엔비디아에 공급한다고 지난 18일 밝혔다. SK하이닉스의 HBM3E는 초당 최대 1.18테라바이트(TB)의 데이터를 처리한다. 이는 풀-HD급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. SK하이닉스는 현재 국내에서 HBM 칩을 생산해 패키징하고 있는데, 이 중 일부를 새로 들어서게 되는 공장에서 처리하게 되며, 이 시설에서는 또 다른 유형의 첨단 패키징도 처리될 예정이라고 소식통은 전했다.
-
- 산업
-
- 삼성전자, 반도체업계 최초 '12단 HBM3E' 개발
- 삼성전자가 업계 최초로 36GB(기가바이트) 'HBM3E' 12H(12단 적층) D램 개발에 성공했다. 삼성전자는 27일 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했다고 밝혔다. HBM3E는 5세대 고대역폭메모리다. 삼성전자는 상반기 양산 예정인 이 제품을 통해 고용량 HBM(고대역폭메모리) 시장 선점의 '터닝포인트'로 삼겠다는 계획이다. 'HBM3E 12H'는 1024개의 입출력 통로(I/O)에서 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공한다. 성능과 용량 모두 전작인 HBM3 8H(8단 적층) 대비 50% 이상 개선됐다. 삼성전자는 'Advanced TC NCF(열압착 비전도성 접착 필름)' 기술로 12H 제품을 8H 제품과 동일한 높이로 구현해 HBM 패키지 규격을 만족시켰다. 이 기술을 적용하면 HBM 적층 수가 증가한다. 특히 칩 두께가 얇아지면서 발생할 수 있는 '휘어짐 현상'을 최소화할 수 있는 장점이 있어 고단 적층 확장에 유리하다. 삼성전자는 NCF 소재 두께도 지속적으로 낮춰 업계 최소 칩 간 간격인 '7마이크로미터(㎛)'를 구현했다. 이를 통해 HBM3 8H 대비 20% 이상 향상된 수직 집적도를 실현했다. 또한 칩과 칩 사이를 접합하는 공정에서 신호 특성이 필요한 곳과 열 방출 특성이 필요한 곳에 각각 다른 사이즈의 범프를 적용함으로써 열 특성을 강화하는 동시에 수율도 극대화했다. 삼성전자에 따르면 이번 12단 HBM3E를 사용할 경우 GPU(그래픽처리장치) 사용량이 줄어 기업들이 총소유 비용(TCO)을 절감할 수 있다는 설명이다. 가령 서버 시스템에 HBM3E 12H를 적용하면 HBM3 8H를 탑재할 때보다 평균 34% 인공지능(AI) 학습 훈련 속도 향상이 가능하며, 추론의 경우에는 최대 11.5배 많은 AI 사용자 서비스가 가능할 것으로 기대된다. 삼성전자는 HBM3E 12H의 샘플을 고객사에 제공하기 시작했으며 올해 상반기 양산할 예정이다.
-
- IT/바이오
-
- 삼성전자, Arm과 최첨단 반도체 만든다…'GAA' 경쟁력↑
- 삼성전자가 영국 반도체 설계업체 Arm(암)과 손잡고 게이트올어라운드(GAA·Gate All Around) 공정 기반 최첨단 반도체를 만든다. 삼성전자 파운드리 사업부는 21일 GAA 기반 최첨단 공정에 Arm의 차세대 시스템온칩(SoC) IP을 최적화해 양사 협력을 강화한다고 밝혔다. 삼성전자는 Arm의 설계 자산(IP)을 GAA 공정에 심어 3나노 이하 선단 공정 경쟁력에서 치고 나가며 '파운드리의 봄'을 앞당긴다는 계획이다. '게이트올어라운드(GAA)'는 반도체 기술에서 사용되는 고급 형태의 트랜지스터 디자인이다. 이 기술은 트랜지스터의 게이트가 반도체 채널을 모든 방향으로 감싸는 형태로 디자인되어 있어서 이름이 붙여졌다. GAA 기술은 기존의 3차원 트랜지스터 디자인인 FinFET(Fin Field Effect Transistor)과 비교하면 채널을 둘러싸는 게이트의 구조를 더욱 효율적으로 설계함으로써 더 나은 전기적 특성을 제공한다. 이는 더 높은 성능, 낮은 전력 소비, 더 높은 집적도 등의 장점을 가질 수도 있다. GAA기술은 현재 주로 최첨단 반도체 기술인 3나노미터(3nm) 공정 기술에서 사용되고 있으며, 이를 통해 더욱 높은 성능과 효율성을 갖춘 칩을 개발할 수 있다. 삼성전자는 이번 협력을 통해 팹리스 기업의 최첨단 GAA 공정에 대한 접근성을 높이고, 차세대 제품 개발에 소요되는 시간과 비용을 최소화할 계획이다. GAA는 초미세공정 반도체 생산에 필요한 신기술로, 데이터 처리 속도 및 전력 효율을 높일 수 있다. 삼성전자는 설계 기술 최적화로 향후 팹리스 고객들에게 최선단 GAA 공정 기반 초고성능, 초저전력 Cortex-CPU(중앙처리장치)를 선보일 방침이다. 삼성전자는 Arm과의 협력으로 팹리스 기업들에게 적기에 제품을 제공할 것으로 기대한다. 이를 위해 우수한 PPA(소비전력·성능·면적)를 구현하는 방안에 초점을 맞춘다. 양사는 이와 관련, 협력 초기부터 설계와 제조 최적화를 동시에 처리하는 DTCO(Design-Technology Co-Optimization)를 채택해 Arm의 최신 설계와 삼성전자의 GAA 공정의 PPA 개선 효과를 극대화했다. 양사간 협업으로 팹리스 고객들은 생성형 AI 시대에 맞춘 SoC 제품 개발 과정에서 Arm의 최신형 CPU 접근이 쉬워진다. 앞으로 양사는 차세대 데이터센터 및 인프라 맞춤형 반도체를 위한 2나노 GAA와 미래 생성형 AI 모바일 컴퓨팅 시장을 겨냥한 AI 칩렛 솔루션을 순차적으로 선보일 방침이다. 시장조사업체 옴디아는 미세공정인 5나노 이하의 매출이 연평균 34.4% 성장할 것으로 전망했다. 2023년 230.1억 달러에서 2026년 558.5억 달러로 급증할 것으로 보인다. 계종욱 삼성전자 파운드리 사업부 부사장은 "양사 고객들에게 생성형 AI 시대에 걸맞은 혁신을 지원하게 됐다"고 말했다. 크리스 버기 Arm 부사장 겸 총괄 매니저는 "삼성의 GAA 공정으로 Cortex-X와 Cortex-A 프로세서 최적화를 구현해 양사는 모바일 컴퓨팅의 미래를 재정립할 것"이라고 말했다. 한편, 일본의 소프트뱅크가 지분을 소유하고 있는 영국 반도체 설계 기업 Arm은 실제 반도체를 직접 제조하지 않는다. 대신, 설계한 프로세서 아키텍처와 기술을 다른 기업들에 라이선스 형태로 제공한다. 이들 기업은 이를 바탕으로 실제 칩을 제조한다. Arm 프로세서는 에너지 효율이 뛰어나기로 알려져 있다. 이러한 특성 덕분에 배터리를 사용하는 모바일 장치에 많이 사용된다.
-
- IT/바이오
-
- 일본 키옥시아, 7천억엔 투자로 최첨단 반도체 양산 본격화
- 일본의 낸드플래시 메모리반도체 생산업체인 키옥시아(옛 도시바메모리)가 이르면 내년 가을 미에(三重)현과 이와테(岩手)현 공장에서 최첨단 반도체 양산에 나선다. 닛케이(日本經濟新聞) 등 일본 언론에 따르면 일본경제산업성은 6일(현지시간) 키옥시아 홀딩스와 웨스턴디지털(WD)의 최첨단반도체 메모리의 양산을 위해 2400억엔(약 2조1507억원)을 지원한다고 발표했다. 키옥시아는 일본정부의 자금지원과 자체 자금 등 모두 7000억엔을 투입해 미에현의 욧카이치(四日市) 공장과 이와테현의 기타카미(北上)공장에서 각각 '8세대', '9세대'로 불리는 최첨단 낸드 메모리를 예정보다 앞당긴 내년 9월 생산할 계획이다. 키옥시아는 두 공장에서 각각 월간 6만장, 2만5000장을 생산하는 것을 목표로 한다. 키옥시아는 낸드 플래시 투자를 지속적으로 강화하고 있다. 이 공장과 별도로 키옥시아는 반도체 경기 불황으로 연기된 욧카이치 공장장 설비 투자도 최첨단 제품 양산을 앞당기는 방향으로 다시 검토키로했다. 당초 6세대 생산을 계획했지만 8세대로 전환해 2026년 4월 이후 월 10만5000장을 생산하겠다는 목표다. 요미우리 신문은 "데이터 처리 대용량화와 고속화에 맞춰 최첨단 제품 수요가 커지고 있는 데 따른 것"이라고 분석했다. 앞서 지난해 글로벌 낸드플래시 2, 4위 업체인 일본 키옥시아와 미국 웨스턴디지털(WD) 간의 합병은 난항을 겪다가 무산됐다. 웨스턴디지털은 반도체 메모리 사업을 분리해 키옥시아홀딩스와 지주사를 설립해 경영을 통합하는 방안을 논의했으나 키옥시아에 간접 출자한 SK하이닉스가 동의하지 않은 것으로 알려졌다. 낸드플래시 시장은 삼성전자·SK하이닉스·미국 마이크론이 독과점하고 있는 D램과 달리 삼성(점유율 31.1%), 키옥시아(19.6%), SK하이닉스(17.8%), 웨스턴디지털(14.7%), 마이크론(13%) 등 다섯 업체가 고루 시장을 나눠 갖고 있어 경쟁이 치열하다. 키옥시아는 도시바의 낸드 플래시메모리사업 부문이 분사돼 2019년 자회사로 설립됐다. 미국 사모펀드 배인 케피탈을 필두로 미국의 애플, 델, 씨게이트, 킹스톤 테크놀로지, 한국의 SK하이닉스가 참여하는 컨소시엄이 49.9%의 지분을 보유하고 있는 일본의 호야가 9.9% 갖고 있다. 도시바는 나머지 40.2% 지분을 유지하고 있다.
-
- IT/바이오
-
- 삼성전자, 올해 1분기 메모리반도체 흑자전환 예상
- 삼성전자가 작년 4분기 D램 흑자 전환에 성공한 데 이어 올해 1분기 메모리 사업이 흑자를 낼 수 있을 것으로 예상했다. 다만 고대역폭 메모리(HBM) 등 인공지능(AI)용 D램이 이끄는 메모리 수요 회복에도 기존 감산 기조에는 변함이 없다는 입장을 재확인했다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 31일 작년 4분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 "생성형 AI 관련 HBM 서버와 SSD 수요에 적극 대응하면서 수익성 개선에 집중할 계획"이라며 "이에 따라 올해 1분기 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다"고 말했다. 김 부사장은 "업계 전반으로 보면 메모리 생산 전반의 비트그로스(bit growth·비트 단위로 환산한 생산량 증가율)가 제한적일 것으로 예상되는 만큼 고객의 재고 비축 수요보다는 진성 수요 위주로 공급 대응을 할 계획"이라고 설명했다. 지난해 4분기 삼성전자의 D램과 낸드 비트그로스는 각각 전 분기 대비 30% 중반대 증가를 기록했다. 평균판매단가(ASP)는 D램이 두 자릿수 초반, 낸드가 높은 한 자릿수 각각 상승했다. 삼성전자는 올해 1분기 비트그로스는 D램이 시장 수준인 1% 중반 하락하고, 낸드는 시장 수준인 낮은 한 자릿수 감소를 약간 밑돌 것으로 예상했다. 이 같은 시장 환경에서 삼성전자는 기존 재고 정상화 목표와 이를 위한 생산량 조정 기조에는 변함이 없다는 입장을 밝혔다. 김 부사장은 "4분기 출하량 증가와 지금까지의 생산 하향 조정으로 재고 수준은 빠른 속도로 감소했으며, 특히 시황 개선 속도가 상대적으로 빠른 D램을 중심으로 재고 수준이 상당 부분 감소했다"고 전했다. 그는 "D램과 낸드 모두 세부 제품별 재고 수준에는 차이가 있어서 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 선별적인 생산 조정은 이어 나갈 계획"이라고 밝혔다. 그는 이어 "D램 재고는 1분기가 지나면서 정상 범위에 도달할 것으로 보이며 낸드도 수요나 시장 환경에 따라 시점의 차이가 있을 수 있으나 늦어도 상반기 내에 정상화될 것으로 기대한다"며 "앞으로도 시장 수요와 재고 수준을 상시 점검해 이에 따른 사업 전략을 유연하게 하겠다"고 덧붙였다. HBM 판매량의 경우 지난해 4분기에 전 분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비 3.5배 규모로 성장했다. 삼성전자는 작년 3분기 HBM3의 첫 양산을 시작했고, 4분기에는 주요 그래픽처리장치(GPU) 업체를 고객군에 추가하며 판매를 확대했다고 전했다. 김 부사장은 "HBM3를 포함한 선단 제품 비중은 지속적으로 증가해 올해 상반기 중 판매 수량의 절반 이상을 차지하고 하반기에는 그 비중이 90% 수준에 도달할 것"이라고 밝혔다. 삼성전자는 차세대 HBM3E 제품 사업화와 그다음 세대 HBM4 개발도 계획대로 순조롭게 진행 중이라고 밝혔다. 이와 관련해 김 부사장은 "HBM3E는 주요 고객사에 샘플을 공급 중이며 올해 상반기 내에 양산 준비가 완료될 예정"이라며 "HBM4의 경우 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중"이라고 전했다. 김부사장은 이어 "생성형 AI 성장과 함께 고객 맞춤형 HBM에 대한 요구가 증가하는 상황에서 표준 제품뿐 아니라 로직 칩을 추가해 성능을 고객별로 최적화한 커스텀 HBM 제품도 함께 개발 중"이라며 "현재 주요 고객사와 세부 스펙을 협의하고 있다"고 덧붙였다. 올해 전반적인 메모리 수요 환경은 점진적인 회복세를 보이고, 지난해 위축된 시설투자(캐펙스·CAPEX)는 HBM을 중심으로 회복할 것으로 회사 측은 예상했다. 김 부사장은 "최근 생성형 AI에 의한 서버향 HBM 및 고용량 DDR5 채용이 늘고 낸드에서는 8테라바이트급 이상 고용량 SSD 수요도 접수되고 있어서 수요 회복에 긍정적인 요인으로 작용할 것"이라고 내다봤다. 아울러 "올해는 업계 내 캐펙스가 일부 회복될 것으로 예상된다"며 "다만 상당한 비중으로 HBM에 집중되고, HBM외 제품들은 비트그로스 성장이 제한적일 수밖에 없을 것으로 보인다"고 진단했다. 작년 4분기에 시장 수요 약화로 실적이 부진했던 파운드리 부문에서는 올해 기기 자체에서 AI를 구동하는 온디바이스 AI 수요에 기대를 걸고 있다. 정기봉 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 "온디바이스 AI 제품이 많이 출시될 것으로 예상되고, 고객들은 더 빠른 AI 기능을 요구한다"며 "AI 성능 증가에 따라 NPU(신경망처리장치) 블록 사이즈가 커지고 S램 용량이 증가해 향후 파운드리 수요에 더 크게 기여할 것"이라고 기대했다.
-
- IT/바이오
-
- SK하이닉스, AI성장 힘입어 5분기만에 적자 탈출
- 인공지능(AI) 시장 성장으로 메모리 반도체 업황이 회복 조짐을 보이자 그동안 부진했던 국내 반도체 기업들도 기지개를 펴고 있다. AI 반도체에 발빠르게 투자했던 SK하이닉스의 경우 5분기만에 흑자전환에 성공하며 지난해 4분기 '깜짝 실적'을 내놓았다. 2022년 4분기부터 이어져온 영업적자에서 1년 만에 벗어난 것이다. SK하이닉스는 25일 지난해 4분기 매출 11조3055억원, 영업이익 3460억원(영업이익률 3%), 순손실 1조3795억원의 경영실적을 기록했다고 밝혔다. 지난해 4분기 AI 서버와 모바일향 제품 수요가 늘고, 평균판매단가가 상승하는 등 메모리 시장 환경이 개선된 영향이 컸다. SK하이닉스 관계자는 "메모리 반도체 업황 반등이 본격화된 가운데 그동안 지속해온 수익성 중심 경영활동이 효과를 내면서 1년 만에 분기 영업흑자를 기록하게 됐다"고 설명했다. 이에 따라 SK하이닉스는 지난해 3분기까지 이어져온 누적 영업손실 규모를 줄여 2023년 연간 실적은 매출 32조7657억원, 영업손실 7조7303억원, 순손실 9조1375억원을 기록했다. SK하이닉스는 D램에서 시장을 선도하는 기술력을 바탕으로 고객 수요에 적극 대응한 결과, 주력제품인 DDR5와 HBM3 매출이 전년 대비 각각 4배, 5배 이상으로 증가했다고 밝혔다. SK하이닉스는 현재 엔비디아에 4세대 HBM인 HBM3를 사실상 독점 공급하고 있다. 메모리 반도체 업황 회복에도 삼성전자 반도체 사업 부문은 아직 적자탈출을 하지 못하고 있다. 지난해 삼성전자 반도체 사업부는 1분기 4조5800억원, 2분기 4조3600억원, 3분기 3조7500억원 적자를 냈다. 3분기까지 누적 적자는 12조6900억원에 달한다. 증권업계에 따르면 삼성전자는 지난해 반도체(DS)부문에서 13조원대의 적자를 기록할 것으로 예상되는데 이는 창립 이래 연간 최대 규모의 영업손실이다. 메모리 업황이 개선되는 반면 시스템 LSI와 파운드리 가동률이 부진한 영향이 크다고 업계에서는 보고 있다. 다만 지난해 3개 분기 연속 적자 폭을 줄여나가고는 있어 실적 개선세를 분명하게 보여주고 있다는 분석이 우세하다. 올해 메모리 반도체 가격이 상승세에 접어든 것은 국내 반도체 업계에 긍정적인 요인이다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 올해 메모리 반도체 제품인 D램과 낸드플래시 모두 1년 내내 평균판매가격(ASP)이 상승할 것이라고 전망됐다. 올해 1분기 D램의 경우 전 분기 대비 13~18%, 낸드플래시는 18~23% 오를 것으로 추정되고 있다. 메모리 반도체 수요 급증에 가격 상승까지 예상됨에 따라 시장에서는 반도체 기업들이 공급 기조에 변화를 줄 지 주목하고 있다. 그 동안 삼성전자와 SK하이닉스는 반도체 수요 부진이 지속되자 공급을 줄여 반도체 가격을 올리는 전략을 취했다. 이에 앞서 곽노정 SK하이닉스 사장은 지난 8일(현지시간) 미국 라스베이거스에서 열린 미디어 콘퍼런스에서 "D램은 최근 시황 개선 조짐이 보여 수요가 많은 제품은 당연히 최대한 생산하고 수요가 취약한 부분은 조절해나갈 것"이라며 "D램은 1분기에 (감산에) 변화를 줘야 할 것 같고 낸드는 2분기나 3분기 등 중반기가 지나 시장 상황을 보면서 같은 원칙을 갖고 하려고 한다"고 밝혔다.
-
- 산업
-
- 인텔, 지난해 반도체 매출 삼성 제치고 1위 탈환
- 인텔이 최악의 메모리업황 한파에 삼성전자를 제치고 지난해 세계반도체 공급사 매출 1위 자리를 다시 차지한 것으로 나타났다. 17일 시장조사업체 가트너에 따르면 2023년 전 세계 반도체 매출은 2022년보다 11.1% 감소한 5330억 달러(약 715조 원)를 기록했다. 상위 25개 반도체 공급 업체의 총 반도체 매출은 전년보다 14.1% 감소했다. 이들 25개사가 전체 시장에서 차지하는 비중은 77.2%에서 74.4%로 하락했다. 가트너 집계 기준 전년 대비 반도체 매출 증가율이 2021년 26.3%에서 2022년 1.1%로 둔화하고, 2023년에는 역성장한 점을 보면 업황 둔화세가 눈에 띈다. 가트너의 VP 애널리스트인 앨런 프리스틀리는 "2023년 반도체 산업은 메모리 매출이 사상 최악의 감소세를 기록하는 등 어려운 한 해를 보냈다"고 지적했다. 지난해 메모리 매출은 전년보다 37% 줄며 사상 최악의 감소세를 보였다. D램 매출은 38.5% 감소한 484억달러, 낸드플래시 매출은 37.5% 감소한 362억달러로 각각 집계됐다. 비메모리 매출은 시장 수요 약세와 채널 재고 과잉 등에도 3% 감소에 그치며 상대적으로 선방했다. 메모리 공급사들의 부진 속에 상위 반도체 업체 순위에도 변동이 있었다. 인텔은 2년 만에 삼성전자를 제치고 1위를 탈환했다. 지난해 인텔 매출은 전년보다 16.7% 감소한 487억달러, 삼성전자 매출은 37.5% 줄어든 399억달러였다. 이어 퀄컴이 290억달러로 3위를 유지했고, 브로드컴(256억달러)이 6위에서 4위로, 엔비디아(240억달러)가 12위에서 5위로 각각 상승했다. 특히 엔비디아는 인공지능(AI) 반도체 시장에서 선도적인 입지를 확보하면서 지난해 매출이 전년의 153억달러에서 56.4% 증가했다. 반면 2022년 4위였던 SK하이닉스는 작년 매출이 228억달러로 전년보다 32.1% 줄면서 6위로 밀려났다. 이번 조사에서 반도체 위탁 생산만을 전문으로 하는 세계 1위 파운드리 업체인 대만 TSMC는 제외했다. TSMC가 최근 발표한 지난해 연간 매출은 전년 대비 4.5% 감소한 2조1617억 대만달러(약 686억달러)다. TSMC까지 포함하면 TSMC가 사실상 지난해 세계 반도체 매출 1위에 오를 가능성도 있다. TSMC는 오는 18일 작년 4분기 확정 실적을 발표한다. 조 언스워스 가트너 VP 애널리스트는 "메모리 D램과 낸드의 3대 시장인 스마트폰, PC, 서버는 작년 상반기에 예상보다 약한 수요와 채널 재고 과잉에 직면했다"며 "반면 대부분 비메모리 공급업체의 가격 환경은 비교적 양호했다"고 설명했다. 이어 "비메모리의 가장 강력한 성장 동력은 AI용 비메모리 반도체 수요, 전기차를 포함한 자동차 부문, 국방 및 항공우주 산업 등이 다른 애플리케이션 부문을 능가하는 성과를 거두면서 매출을 이끌었다"고 덧붙였다.
-
- IT/바이오
검색 결과가 없습니다.