미국정부는 인공지능(AI)용 반도체기술에 대한 중국의 접근을 더욱 제한하는 조치를 검토하고 있다.

블룸버그통신 등 외신들 11일(현지시간) 소식통을 인용해 이같이 보도했다.

소식통은 게이트올어라운드(GAA)로 불리는 최첨단 반도체 아키텍처(구조)를 이용하는 중국의 능력을 제한하는 조치를 검토하고 있다고 전했다. 다만 미국정부의 최종결정 시기는 불분명하며 규제 범위도 결정되지 않았다고 덧붙였다. 

엔비디아와 인텔, AMD 등 미국 반도체대기업 뿐만 아니라 대만 TSMC와 한국 삼성전자는 내년에라도 GAA로 설계된 반도체의 양산에 돌입하는 것을 목표로 하고 있다. 

GAA 기술은 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 반도체 핵심 기술로, 차세대 파운드리 '게임 체인저'로 평가받고 있다. 삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 GAA를 3나노 공정에 도입했다.

GAA 구조는 게이트가 채널 4개면을 통과하는 기술이다. 3개면이었던 접합면을 4개로 늘려 게이트의 간섭력을 높였다. 이렇게 되면 더 많은 소자를 집적할 수 있어 성능과 면적도 개선된다. 

삼성전자는 채널을 선(Wire) 형태가 아닌 넓게 편 시트(Sheet) 모양의 채널 구조를 3㎚ 공정 노드에 우선 적용했다. 이 기술은 'MBC펫(MBCFET)'으로 명명됐다.