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삼성전자, 신제윤 신임 이사회 의장 선임…전영현 부회장 대표이사 공식 취임
- 삼성전자가 19일 열린 정기 주주총회 직후 이사회를 개최하고, 신제윤 사외이사를 신임 이사회 의장으로 선임했다. 또한, 반도체 사업을 총괄하는 전영현 디바이스솔루션(DS)부문장(부회장)이 대표이사로 공식 선임되면서 삼성전자는 한종희 부회장과 함께 2인 대표이사 체제를 복원하게 됐다. 신제윤 신임 의장은 금융위원장, 국제자금세탁방지기구(FATF) 의장, 외교부 국제금융협력대사 등을 역임한 국제 금융·재무 전문가로, 지난해 3월부터 삼성전자 사외이사로 활동해왔다. 삼성전자는 2018년부터 대표이사와 이사회 의장을 분리한 데 이어, 2020년부터 사외이사를 이사회 의장으로 선임하는 관행을 유지하고 있다. 신 의장은 박재완(2020~2022년), 김한조(2022~2024년) 전 의장에 이어 삼성전자 역사상 세 번째 사외이사 출신 이사회 의장이 됐다. 이사회 의장으로서 신 의장은 이사회 운영을 총괄하며 안건 상정 및 회의 진행을 주도하고, 이사들 간 의견을 조율하는 역할을 수행하게 된다. 삼성전자는 "신 의장이 사외이사로서 재무 전문성이 요구되는 사안을 면밀히 검토하고, 이해관계자와의 원활한 소통을 통해 이사회 운영을 이끌어온 점을 높이 평가해 의장으로 추대했다"며, "이번 선임을 통해 삼성전자 이사회의 독립성과 경영 투명성이 더욱 강화될 것"이라고 강조했다. 전영현 부회장, 반도체 실적 개선 기대⋯책임경영 강화 이날 이사회 결의를 통해 전영현 부회장이 대표이사로 공식 선임되면서, 삼성전자는 DS부문의 실적 회복과 경쟁력 강화를 위한 본격적인 경영 체제 구축에 나섰다. 전 부회장은 2000년 삼성전자 메모리사업부에 입사해 D램·낸드플래시 개발 및 전략 마케팅 업무를 담당했으며, 2014년부터 메모리사업부장을 역임하며 반도체 산업을 이끌어왔다. 2017년에는 삼성SDI 대표이사로 자리를 옮겨 5년간 회사를 이끌었으며, 2024년부터 삼성전자 미래사업기획단장으로 활동하며 신성장 동력을 모색해왔다. 삼성전자는 "전 부회장은 반도체 개발 및 사업 운영에 있어 풍부한 경험과 경영 노하우를 갖춘 인물로, DS부문의 실적 개선과 근본적인 경쟁력 회복을 이끌 것으로 기대된다"며, "사내이사로 선임된 만큼, 등기임원으로서 책임경영을 더욱 강화할 것"이라고 밝혔다. 2인 대표이사 체제 복원⋯핵심 사업 경쟁력 강화 주력 삼성전자는 기존 한종희 대표이사 부회장과 함께 2인 대표이사 체제를 복원하며, 부문별 사업 책임제를 확립해 핵심 사업의 경쟁력 강화 및 지속 가능한 성장 기반 구축에 집중할 방침이다. 업계에서는 반도체 시장의 회복세가 예상되는 가운데, 전 부회장이 삼성전자의 반도체 사업을 글로벌 최고 수준으로 재도약시키는 데 중추적 역할을 할 것으로 기대하고 있다.
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삼성전자, 신제윤 신임 이사회 의장 선임…전영현 부회장 대표이사 공식 취임
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SK하이닉스, HBM 매출 100% 이상 성장 전망…HBM4 양산 준비
- SK하이닉스는 23일 올해 고대역폭 메모리(HBM) 매출이 전년 대비 100% 이상 성장할 것이라며, HBM4 제품을 올해 하반기 중 개발과 양산 준비를 마치고 공급을 시작할 계획이라고 밝혔다. 지난해 HBM 매출은 전년 대비 4.5배 증가했으며, HBM3E 12단 제품은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지하며 공급 중이다. HBM4는 12단 제품으로 시작해 16단 제품은 내년 하반기 공급을 목표로 한다. SK하이닉스는 HBM 투자와 인프라 확대에 주력하고, AI 메모리 수요 성장에 따라 수익성 중심의 전략을 강화할 방침이다. [미니해설] SK하이닉스, HBM 기술로 메모리 반도체 시장 선도 SK하이닉스가 HBM4 기술로 올해 메모리 반도체 시장을 선도하겠다고 밝혔다. 올해 투자 대부분도 HBM과 인프라 투자에 집중할 방침이다. SK하이닉스는 23일 "올해 고대역폭 메모리(HBM) 매출이 전년 대비 100% 이상 성장할 것"이라며, HBM4 제품의 하반기 양산 준비를 마치고 공급에 돌입할 계획이라고 말했다. 이번 발표는 지난해 4분기 및 연간 실적 발표 콘퍼런스콜에서 이루어졌으며, 회사는 HBM 기술력을 기반으로 한 안정적 이익 창출 구조를 강조했다. HBM 시장에서의 성과와 전략 지난해 SK하이닉스의 HBM 매출은 전년 대비 4.5배 증가했으며, 4분기에는 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지하며 사상 최대 실적을 기록했다. 특히, 세계 최초로 양산에 성공한 HBM3E 12단 제품은 올해 상반기 내 HBM3E 출하량의 절반 이상을 차지할 것으로 전망된다. SK하이닉스는 6세대인 HBM4 개발에 있어 1b 나노 기술을 적용해 기술 안정성과 양산성을 확보하고 있다. 12단 제품으로 시작한 후, 고객의 요구에 따라 16단 제품은 내년 하반기부터 공급할 예정이다. 어드밴스드 MR-MUF 기술의 선제적 적용 경험을 바탕으로 HBM4 양산에도 동일한 기술을 도입할 계획이다. HBM4 개발에서는 최초로 베이스 다이에 로직 파운드리를 활용해 성능과 전력 효율을 강화하며, 이를 위해 TSMC와 협업 체계를 구축해 기술 경쟁력을 더욱 강화했다. AI 수요와 메모리 시장 변화 AI 기술의 확산과 고성능 메모리 수요 증가로 메모리 시장은 고품질, 고성능 제품 중심으로 전환되고 있다. SK하이닉스는 고객 맞춤형 제품을 적기에 제공하는 전략을 통해 D램 평균판매단가(ASP)를 10% 상승시키며 수익성을 확보했다. 특히, 주문형 반도체(ASIC) 기반 고객 수요가 증가하며 HBM 제품의 장기 계약 체결이 활발히 이루어지고 있다. SK하이닉스는 내년 HBM 공급 물량 대부분에 대한 가시성을 올해 상반기 중 확보할 것으로 전망하며, HBM의 높은 투자 비용을 고려해 안정적인 계약 구조를 유지할 계획이다. 미래 투자와 생산 인프라 확대 HBM과 인프라 투자에 집중하는 SK하이닉스는 청주의 M15X를 올해 4분기 중 오픈하고, 용인 클러스터 1기 팹은 2027년 2분기 가동을 목표로 올해부터 공사를 시작한다. 올해 투자 규모는 HBM과 미래 성장 인프라 확보에 중점을 두며, 지난해 대비 증가할 것으로 예상된다. 낸드 사업은 기존 수익성 중심 운영 기조를 유지하며, 시장 상황에 따라 생산을 탄력적으로 조정하고 재고 정상화에 집중할 방침이다. HBM 중심 성장 전략의 의미 SK하이닉스는 HBM 기술력을 기반으로 메모리 반도체 시장의 변화를 주도하고 있다. 인공지능(AI) 시장의 성장과 맞물려 HBM 수요가 지속적으로 증가할 것으로 예상되며, 회사는 고객 맞춤형 제품을 적시에 공급함으로써 안정적인 이익 창출 구조를 확보하고 있다. 앞으로도 SK하이닉스는 HBM 시장에서의 선도적 위치를 공고히 하며, 고성능 메모리 기술로 글로벌 메모리 반도체 시장의 핵심 플레이어로 자리매김할 것으로 기대된다.
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SK하이닉스, HBM 매출 100% 이상 성장 전망…HBM4 양산 준비
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마이크론, 10조원 투자 싱가포르에 HBM 공장 착공
- 미국 메모리반도체 기업 마이크론이 약 10조원을 투입해 싱가포르에 고대역폭메모리(HBM) 전용 생산시설을 건설한다. 8일(현지시간) 블룸버그통신 등 외신들에 따르면 마이크론은 이날 "약 70억 달러(약 10조2200억 원)를 투자해 싱가포르에 HBM 생산시설을 착공했다"고 밝혔다. 마이크론은 그간 싱가포르에서 낸드플래시 반도체 공장만을 운영하고 있었다. HBM 전용 생산시설을 짓는 건 이번이 처음이다. 이날 착공된 공장은 내년 가동 시작을 목표로 하고 있다. 산제이 메흐로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 이날 2030년 HBM 시장이 약 25배 성장할 것이라며 HBM 생산의 중요성을 역설했다. 메흐로트라는 "시장은 2023년 40억 달러(약 5조8400억 원)에서 2030년 1000억 달러(145조9500억 원) 이상으로 급성장할 것"이라며 "시장의 견고한 성장은 AI 구현에 첨단 반도체 기술이 중요한 역할을 한다는 방증"이라고 지적했다. 최근 글로벌 첨단 기업들은 미국의 중국 견제에 따라 동남아시아 투자를 확대하고 있다. 블룸버그통신은 "마이크론은 동남아시아에 주목하고 있는 반도체 제조업체 중 하나"라며 "중국·대만 의존도를 줄이고 미중관계의 영향을 덜 받기 위해 동남아시아로 사업을 확장하고 있다"고 분석했다. 실제로 대만 TSMC의 계열사인 뱅가드국제반도체그룹(VIS)과 네덜란드 반도체업체 NXP도 싱가포르에 합작법인을 세우고 78억 달러(11조3900억 원)를 투자해 반도체 웨이퍼 공장을 건설 중이다.
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마이크론, 10조원 투자 싱가포르에 HBM 공장 착공
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11월 D램·낸드 가격, 수요 부진에 두 자릿수 급락
- 11월 메모리 반도체의 월평균 가격이 D램과 낸드 모두 수요 부진으로 재고가 쌓이면서 최대 약 30% 하락하는 등 올해 가장 큰 폭으로 떨어졌다. 글로벌 정보기술(IT) 시장 수요 부진으로 공급 과잉과 함께 일부 공급사의 저가 경쟁으로 반도체 시장은 12월까지 회복세가 느리게 진행될 것으로 보인다. 29일 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 PC용 D램 범용 제품(DDR4 8Gb 1Gx8)의 11월 평균 고정거래가격은 전달보다 20.59% 내린 1.35달러로 집계됐다. D램 가격은 작년 10월부터 대체로 상승곡선을 그리다가 지난 5∼7월 보합세를 거쳐 8월 하락세로 돌아섰다. 이어 9월에는 17.07% 급락했고 10월에는 보합세를 나타냈다. 메모리카드·USB용 낸드플래시 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)의 11월 평균 고정거래가격은 전월보다 29.80% 내린 2.16달러를 기록했다. 낸드 가격은 작년 10월부터 5개월 연속 상승 후 보합세를 유지하다가 9월부터 하락 전환했다. 메모리 가격의 하락에도 PC 등 수요 업체가 재고 관리에 집중하고 있는 데다 저가 경쟁이 벌어지고 있어 가격 하락세를 부추기는 모양새다. 시장조사업체 트렌드포스는 메모리 가격 흐름에 관해 "11월 한 달간 대만 공급사들이 시장 점유율과 수주를 늘리기 위해 저가 경쟁을 벌인 결과 SLC 낸드 가격이 떨어졌다"며 "PC 업체의 재고 수준은 4분기 초 기준 10∼16주로, 올해 말까지 8∼14주 낮추는 것을 목표로 할 것"이라고 예측했다. 또한 "연말이 다가오며 시장 확장이 둔화하고 있고, 전반적인 경제 상황에 단기적인 회복 조짐이 나타나지 않고 있다"며 "12월 가격도 소비 개선 부족과 높은 수준의 재고로 인해 회복 가능성이 작을 것"이라고 전망했다.
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11월 D램·낸드 가격, 수요 부진에 두 자릿수 급락
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삼성전자, AI 시대 겨냥 '초고속·초대용량' SSD 출시…AI PC 속도 혁신 이끈다
- 삼성전자가 인공지능(AI) 시대에 최적화된 PC용 SSD(솔리드스테이트드라이브) 신제품 'PM9E1'을 출시하며 PC 속도 혁신에 나섰다. 4일 삼성전자에 따르면, 이번에 양산을 시작한 'PM9E1'은 업계 최고 성능과 최대 용량을 자랑하는 8채널 PCIe 5.0 기반 SSD다. 8세대 V낸드와 자체 설계한 5나노 기반 컨트롤러를 탑재해 AI PC에 최적화된 성능을 제공한다. 특히 연속 읽기·쓰기 속도가 각각 초당 14.5GB(기가바이트)·13GB에 달해, 기존 제품 'PM9A1a'보다 2배 이상 빨라졌다. 14GB 용량의 대형언어모델(LLM)을 SSD에서 D램으로 1초 만에 전송할 수 있어 AI 서비스를 더욱 빠르고 효율적으로 사용할 수 있다. 'PM9E1'은 512GB, 1TB(테라바이트), 2TB, 4TB 등 4가지 용량으로 출시된다. 업계 최대 용량인 4TB 제품은 AI가 만든 콘텐츠, 고해상도 이미지·영상, 게임 등 고용량·고성능이 필요한 작업에 적합하다. 전력 효율도 크게 개선됐다. 전작보다 전력 효율이 50% 이상 향상돼 배터리 사용 시간이 중요한 노트북 등에 유용하다. 데이터 보안도 강화했다. 최신 보안 규격인 'SPDM 1.2'를 적용해 디바이스 인증, 펌웨어 변조 탐지, 보안 채널 등을 통해 데이터 위·변조를 막는다. 이는 생산 및 유통 과정에서 발생할 수 있는 공급망 해킹을 방지하는 데 효과적이다. 삼성전자는 'PM9E1'을 국내외 주요 PC 제조사에 공급하고, 향후 일반 소비자용 PCIe 5.0 기반 SSD 제품도 출시할 계획이다. 삼성전자 메모리사업부 배용철 부사장은 "'PM9E1'은 빠르게 성장하는 온디바이스 AI 시대에 고객들이 최적의 PC 환경을 구축할 수 있도록 지원할 것"이라고 말했다. 한편, 삼성전자는 글로벌 PC SSD 시장에서 33.4%의 점유율로 1위를 차지하고 있다.
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삼성전자, AI 시대 겨냥 '초고속·초대용량' SSD 출시…AI PC 속도 혁신 이끈다
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삼성전자, 업계 최초 '1Tb QLC 9세대 V낸드' 양산…AI 시대 초고용량 스토리지 혁신 주도
- 삼성전자는 12일 인공지능(AI) 시대에 필요한 대용량 서버 저장장치(SSD)를 구현하기 위한 '1테라비트(Tb) 4비트(QLC) 9세대 V낸드'를 세계 최초로 대량 생산에 돌입했다고 발표했다. 삼성의 9세대 V낸드는 '채널 홀 에칭' 기술을 통해 두 개의 낸드 층을 수직으로 쌓는 '더블 스택' 구조로 업계 최고 수준의 적층 단수를 달성했다. 채널 홀 에칭은 몰드 층을 차례대로 쌓은 후 한 번에 전자가 지나가는 통로(채널 홀)를 만드는 기술이다. 특히 이번에 개발된 QLC 9세대 V낸드는 데이터 저장 공간(셀)과 주변 회로(페리)의 크기를 최소화하여 이전 세대 QLC V낸드보다 데이터 저장 밀도를 약 86% 향상시켰다. V낸드의 적층 단수가 높아질수록 층과 층 사이, 그리고 각 층 내의 셀 특성을 균일하게 유지하는 것이 더욱 중요하다. 이에 삼성전자는 이번 V낸드 제품에 '디자인드 몰드' 기술을 적용해 이전 제품보다 데이터 보존 성능을 20% 향상시켰다고 설명했다. 디자인드 몰드는 셀의 특성을 균일하게 하고 최적화하기 위해 셀을 작동시키는 워드라인(WL) 사이의 거리를 조정하여 층층이 쌓는 기술이다. 이번 QLC 9세대 V낸드는 셀의 상태 변화를 예측하여 불필요한 동작을 줄이는 '예측 프로그램 기술' 혁신을 통해 이전 세대 제품에 비해 쓰기 성능은 두 배, 데이터 읽고 쓰는 속도는 60% 향상됐다. 또한, 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 비트라인(BL)만 감지하여 전력 소모를 최소화하는 '저전력 설계 기술'을 통해 데이터 읽기, 쓰기에 필요한 전력 소비량도 각각 약 30%, 50% 감소했다. AI 시대에는 초고속 병렬 연산을 지원하는 고대역폭 메모리(HBM)뿐만 아니라 다양한 메모리 솔루션이 필요하다. 특히 언어 모델 데이터 학습을 위해서는 방대한 데이터를 저장할 공간이 필요하며, 추론 단계에서 알고리즘이 빠르게 작동하기 위한 고성능 저장장치가 필수적이다. 삼성전자는 고성능·고용량의 QLC 9세대 V낸드가 AI 서비스의 보편화를 앞당길 수 있는 혁신적인 제품이라고 기대하고 있다. 낸드플래시는 데이터 저장의 기본 단위인 셀에 몇 개의 비트를 저장할 수 있는지에 따라 SLC(1비트), MLC(2비트), TLC(3비트), QLC(4비트) 등으로 구분됩니다. 비트 수가 증가할수록 더 많은 데이터를 저장할 수 있다. 현재 데이터센터의 규모가 커지고 막대한 양의 데이터를 빠르게 처리해야 하는 요구가 증가하면서, 업계의 주류였던 TLC에서 QLC로의 전환이 가속화되고 있다. 시장조사기관 트렌드포스는 올해 낸드플래시 매출이 작년보다 77% 증가한 674억 달러에 이를 것으로 예측했다. 특히 올해 QLC가 낸드 출하량의 20%를 차지하고, 내년에는 이 비중이 크게 증가할 것으로 전망했다. 이러한 흐름에 발맞춰 삼성전자는 AI 서버용 제품을 중심으로 제품 라인업을 강화하고 있다. 중장기적으로는 온디바이스AI, 자동차 전자장비, 엣지 디바이스 등 미래 유망 분야의 제품 라인업을 확대할 계획이다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 "9세대 TLC 양산 4개월 만에 9세대 QLC V낸드 또한 양산에 성공함으로써 AI용 고성능, 고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 제품군을 모두 갖추게 되었다"며 "최근 AI 용으로 수요가 급증하고 있는 기업용 SSD 시장에서의 선도적인 위치가 더욱 강화될 것"이라고 말했다.
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삼성전자, 업계 최초 '1Tb QLC 9세대 V낸드' 양산…AI 시대 초고용량 스토리지 혁신 주도
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마이크론, 5세대 12단 HBM3E 제품개발 완료⋯공격적인 라인증설 계획
- 미국 마이크론 테크놀로지(이하 마이크론)가 5세대 HBM(HBM3E) 12단 제품 개발을 완료했다. 이에 따라 마이크론은 HBM 개발은 물론 공격적인 라인 증설까지 계획하면서 삼성전자와 SK하이닉스를 바짝 쫓게 됐다. 마이크론은 최근 자사 웹사이트를 통해 HBM3E 12단 시제품을 공급하고 있다고 공식 발표했다. 사측은 "주요 고객사에 승인(퀄) 테스트를 위한 12단 HBM3E를 출하하고 있다"고 설명했다. 마이크론은 자사의 36기가바이트(GB) HBM3E 12단 제품이 경쟁사 제품보다 뛰어나다고 자신했다. 이들은 HBM3E 12단 칩이 경쟁사의 24GB짜리 8단 HBM보다 50%나 많은 용량을 확보했지만, 전력 소모는 훨씬 적다고 소개했다. 세계 최대 파운드리 회사인 TSMC와의 협력도 공고하게 다지고 있다. TSMC 관계자는 마이크론과의 HBM3E 12단 협력에 대해 "TSMC의 패키징 공정에 마이크론의 HBM을 결합해 AI 고객사들의 혁신을 지원할 수 있을 것"이라고 평가했다. 마이크론은 SK하이닉스, 삼성전자에 이은 D램 업계 3위 회사다. 최근 AI 업계에서 화두가 되고 있는 HBM 분야에서도 후발 주자에 머문다. 하지만 마이크론의 기세는 매섭다. 연초 세계 AI 반도체 1위인 엔비디아에 HBM3E 8단 양산품을 삼성전자보다 먼저 공급하며 저력을 과시했다. 업계에서는 마이크론이 이번 HBM3E 12단 제품 역시 엔비디아의 프리미엄 AI용 칩인 B100, B200 탑재를 겨냥했을 것으로 보고 있다. 또한 마이크론은 HBM 생산능력 확대를 위한 공격적인 투자를 집행하고 있다. D램 생산·패키징 공정이 집약돼 있는 대만 타이중 공장을 HBM 라인으로 확대한 데 이어서 낸드 생산 거점이 있는 싱가포르 공장까지 HBM 후공정 라인으로 증축하는 계획을 세운 것으로 파악된다. 마이크론은 엔비디아·AMD 등 미국의 주요 '빅테크' 기업 외에도 AI 수요가 폭증하고 있는 중국에 보급형 HBM을 공급하는 영업 전략을 세운 것으로도 전해졌다.
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마이크론, 5세대 12단 HBM3E 제품개발 완료⋯공격적인 라인증설 계획
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한국, D램 등 세계 1위 품목 4개로 줄어…글로벌 경쟁력 하락
- 한국 기업들이 작년 주요 산업 분야에서 세계 최고 자리를 차지한 품목은 4개로, 미국, 중국, 일본에 이어 세계 4위를 기록했다고 일본 니혼게이자이신문(닛케이)이 10일 전했다. 닛케이가 발표한 2023년 주요 상품·서비스 시장점유율 조사 결과를 보면 한국 기업은 71개 조사 분야 가운데 D램 반도체, 유기발광다이오드(OLED) 패널, 낸드플래시 반도체, 초박형 TV 4개 품목에서 세계 1위를 차지했다. 이들 4개 품목 모두 삼성전자가 2022년에 이어 1위를 지켰다. 다만 한국 1위 품목은 2022년 조사 때 6개에서 2개가 줄어들면서 국가별 순위도 3위에서 4위로 한 계단 내려갔다. 이 기간 삼성전자는 스마트폰에서 미국 애플에 밀렸고, 조선에서는 HD현대중공업이 중국선박집단유한공사(CSSC)에 밀려 각각 2위로 내려갔다. 미국은 지난해 전체 조사 분야의 3분의 1을 넘는 26개 분야에서 선두를 달렸다. 그 뒤를 이어 중국이 17개로 2위, 일본은 10개 분야로 3위를 각각 기록했다. 일본은 2022년 조사에서는 한국과 함께 6개로 공동 3위였으나 작년에는 1위 분야를 4개 늘리며 단독 3위에 올랐다. 특히 일본은 새로 조사 품목에 추가된 반도체 재료 5개 중 포토레지스트(감광제) 등 3개 분야에서 1위를 차지했다. 품목별로 살펴보면 미국이 전기차(테슬라)와 스마트폰·태블릿PC(애플), 생성형 인공지능(AI)(오픈AI) 등에서 1위를 기록했다. 중국은 전기차 필수 부품인 차량용 리튬이온 배터리(CATL)와 이동통신 인프라(화웨이), 냉장고·세탁기(하이얼), 일본 기업은 자동차(도요타자동차)와 CMOS 이미지 센서(소니) 등이 1위를 차지했다. 닛케이는 "중국 기업들이 태양광 패널, 풍력 발전기 등 재생에너지 분야 공급망을 장악하고 있으며, 전기차 분야에서도 중국의 영향력이 커지고 있다"고 진단했다. 또한 "미국과 유럽은 중국에 대한 관세 면제 조치를 끝내는 등 경계심을 높이고 있다"고 덧붙였다.
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한국, D램 등 세계 1위 품목 4개로 줄어…글로벌 경쟁력 하락
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키옥시아, 올해 10월 도쿄증권거래소에 상장 신청
- 일본 낸드플래시 메모리 생산업체 키옥시아(구 도시바 메모리)가 23일(현지시간) 도쿄(東京)증권거래소에 상장신청을 한 것으로 확인됐다. 상장시기는 오는 10월이다. 닛케이(日本經濟新聞)는 이날 키옥시아가 시가총액 1조5000억 엔이상을 목표로 했으며 2024년 최대 기업공개(IPO)가 될 것으로 보인다고 전했다. 주주인 도시바(東芝)와 미국 펀드 베인캐피탈은 상장후에 보유주를 단계적으로 매각할 예정이다. SK하이닉스가 투자한 키옥시아는 이번 IPO를 통해 인공지능(AI)의 보급에 동반해 수요가 확대되고 있는 메모리반도체의 투자경쟁에 대비한다는 계획이다. 키옥시아 대변인은 "적절한 시기의 상장을 목표로 해 준비를 하고 있지만 상장 절차에 관한 것은 밝힐 수 없다"고 말했다. 키옥시아는 전신인 도시바메모리를 중심으로 한 기업연합에 매각된 지 2018년부터 상장할 방침을 내세웠다. 지난 2020년 10월 IPO로 도쿄증권거래소로부터 승인됐지만 시장동향 등을 이유로 IPO 절차를 연기했다. 이후 IPO 방침을 유지하면서 미국 웨스턴디지털(WD)과의 통합을 꾀했지만 베인캐피탈의 펀드에 출자한 한국 SK하이닉스가 반대입장을 취해 계획은 좌절됐다. 카옥시아는 IPO를 우선시킬 방침으로 전환했다고 닛케이는 전했다. SK하이닉스의 올해 반기보고서에 따르면 키옥시아의 특수목적 법인은 올 상반기 1912억원의 평가손실을 기록했다. 키옥시아가 상장하면 SK하이닉스는 평가손실 부담을 덜 수 있을 것으로 보인다. 키옥시아는 데이터 메모리용 낸드형 후레시메모리에서 세계 3위업체다.
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키옥시아, 올해 10월 도쿄증권거래소에 상장 신청
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중국 반도체업체들, 미국 제재에도 상반기 실적 급증
- 중국 반도체 회사들이 미국의 집중 견제에도 불구하고 올해 상반기 매출이 급증한 것으로 나타났다. 22일(현지시간) 중국 증권시보 보도에 따르면 올해 상반기 실적 보고서를 공개한 중국의 68개 반도체 회사 중 55개 기업의 매출이 증가했다. 절반이 넘는 29개사가 전년 동기 대비 매출이 100% 이상 늘었고, 40개사는 매출이 50% 이상 증가했다. 업종별로는 메모리 반도체와 첨단이미지센서(CIS), 시스템온칩(SoC) 업체 등의 매출 증가율이 컸고 반도체 장비업체의 실적도 양호했다. 상하이에 있는 반도체 설계회사 웨이얼 반도체는 매출이 8배 가까이 늘었고, 반도체 장비회사 창촨기술은 올 상반기 순이익이 8배 가량 증가했다. 마지화 중국 정보통신산업 분석가는 "지난 몇 년 동안 미국의 심각한 제재가 있었지만 중국 반도체산업은 부활했고 이제는 생산능력이 크게 늘어나는 등 번영을 누리고 있다"며 "특히 베트남과 말레이시아, 인도네시아 등 동남아 국가에 레거시(성숙 공정) 반도체 수출이 크게 늘었다"고 중국 관영 글로벌 타임스에 말했다. 올해 1~7월 중국의 반도체 수출은 6409억위안(120조원)으로 지난해 동기 대비 25.8% 증가했다. 이는 사상 최대 수준의 증가율이다. 조 바이든 미국 행정부는 지난 2022년 10월 16㎚(나노미터) 내지 14㎚의 로직(시스템) 반도체, 128단 이상 낸드플래시, 18㎚ 이하 디(D)램 등의 장비 및 기술에 대한 대중 수출 통제를 시행했다. 이어 2023년 10월에는 규제되는 장비와 반도체를 늘리는 등 수출 통제 조처를 확대했다. 중국은 미국의 수출 규제로 첨단 반도체 생산 길이 막히자, 범용 혹은 구형 반도체인 '레거시 반도체' 생산에 집중하고 있다. 최첨단 기술을 빠른 속도로 따라잡는 '추격 전략'을 뒤로 하고, 레거시 반도체에 집중 투자하는 전략으로 방향을 튼 것이다 시장조사기관 트렌드포스는 지난해 10월 28나노 이상 레거시 반도체 시장에서 중국의 비중이 2023년 29%에서 2027년 33%까지 높아질 것이라고 전망했다. 같은 기간 대만의 레거시 반도체 시장 점유율은 49%에서 42%로 떨어질 것으로 예측했다. 중국이 레거시 반도체 생산에 집중하면서 세계 주요 반도체 장비사들의 대중국 매출이 급증하고 있다. 일본 반도체 장비기업 도쿄일렉트론은 지난 2분기 전체 매출에서 중국 매출이 차지하는 비중이 49.9%에 이른다. 도쿄일렉트론의 지난해 같은 기간 중국 매출은 전체의 40%에 미치지 못했다. 세계에서 유일하게 극자외선(EUV) 노광장비를 생산하는 기업인 네덜란드 에이에스엠엘(ASML)도 올 2분기 중국에서 전체 매출의 49%를 올렸고, 반도체 웨이퍼 검사 장비 기업인 미국 케이엘에이(KLA)는 올 2분기 중국 매출 비중이 44%를 기록했다. 중국 당국은 반도체 자립을 위한 국가 차원의 지원도 지속하고 있다. 지난 5월말 세번째 반도체산업 육성 펀드인 중국집적회로산업투자기금이 3440억위안(64조원) 규모로 출범했다. 이는 2014년 1차 투자기금 1390억위안(26조원)과 2019년 2차 투자기금 2040억위안(38조원)을 합친 것과 비슷한 규모이다.
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- IT/바이오
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중국 반도체업체들, 미국 제재에도 상반기 실적 급증
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삼성전자, 반도체 2분기 영업익 6.5조원…TSMC 넘어섰다
- 삼성전자가 '메모리 반도체 혹한기'를 극복하고 화려하게 부활했다. 올해 2분기 반도체 사업에서만 6조원이 넘는 영업이익을 달성하며 반도체 시장의 반등을 이끌었다. 특히 최근 급성장한 인공지능(AI) 시장이 메모리 반도체 수요를 견인하며 가격 상승을 이끌었고, 이는 삼성전자 반도체 부문의 실적 개선을 넘어 전체 실적을 끌어올리는 견인차 역할을 톡톡히 했다. 메모리 반도체 업황 부진으로 지난해 어려움을 겪었던 삼성전자는 올해 들어 감산 효과와 AI 시장 확대로 반도체 수요가 회복되면서 실적 반등에 성공했다. 특히 챗GPT 등 생성형 AI 서비스 확산으로 고성능 메모리 반도체인 HBM 수요가 급증하면서 삼성전자의 반도체 사업은 새로운 성장 동력을 확보했다는 평가다. 이러한 반도체 사업의 호조는 삼성전자 전체 실적에도 긍정적인 영향을 미쳤다. 2분기 영업이익은 10조원을 돌파하며 시장 전망치를 뛰어넘는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 증권가에서는 하반기에도 메모리 반도체 가격 상승세가 이어지면서 삼성전자의 실적 개선 추세가 지속될 것으로 전망하고 있다. 2분기 사업 부문별 실적을 살펴보면, 반도체 사업을 책임지는 디바이스솔루션(DS) 부문은 28조5600억원의 매출과 6조4500억원의 영업이익을 달성했다. 특히 DS 부문 매출은 2022년 2분기 이후 처음으로 TSMC의 매출을 뛰어넘는 성과를 거두었다. 메모리 사업은 생성형 AI 서버용 제품 수요 급증과 기업용 자체 서버 시장 확대에 힘입어 DDR5, 고용량 SSD 등의 수요가 늘어나면서 시장 회복세를 이어갔다. 시스템LSI 사업은 주요 고객사의 신제품에 탑재되는 시스템온칩(SoC), 이미지센서 등의 공급 확대로 실적이 개선되어 상반기 기준 역대 최고 매출을 기록했다. 파운드리 사업은 5나노 이하 초미세 공정 수주 증가에 힘입어 AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야 고객사가 전년 대비 약 2배 늘어났다. 또한, 게이트올어라운드(GAA) 2나노 공정 설계 키트 개발 및 배포를 통해 고객사들의 제품 설계가 본격화되었으며, 2025년 2나노 양산 준비도 순조롭게 진행되고 있다. 디바이스경험(DX) 부문은 42조 700억원의 매출과 2조7200억원의 영업이익을 기록했다. 스마트폰 사업을 이끄는 모바일 경험 부문은 2분기 스마트폰 시장의 전통적인 비수기 영향으로 신제품 출시 효과를 누렸던 1분기보다 매출이 감소했다. 하지만 갤럭시 S24 시리즈는 2분기 및 상반기 출하량과 매출 모두 전년 동기 대비 두자릿수 성장을 기록하며 선전했다. 영상디스플레이(VD) 사업은 '2024 파리 올림픽' 등 대형 스포츠 이벤트 특수에 힘입어 선진 시장을 중심으로 전년 대비 매출이 증가했다. 생활가전 사업 역시 에어컨 성수기 진입과 비스포크 AI 신제품 판매 호조로 실적 회복세를 이어가고 있다. 하만(Harman)은 매출 3조6200억원, 영업이익 3200억원으로 실적 개선을 이루었다. 하만은 삼성전자가 2017년 인수한 미국 오디오 전문 기업이다. 디스플레이(SDC)는 유기발광다이오드(OLED) 판매 호조 등으로 7조6500억원의 매출과 1조100억원의 영업이익을 달성했다. 2분기 시설 투자 12조원대 삼성전자의 2분기 시설투자액은 12조1000억원으로, 이 중 반도체에 9조9000억원, 디스플레이에 1조 8000억원을 투자했다. 또한, 역대 최대 규모인 8조 500억원의 연구개발(R&D) 비용을 집행하며 4분기 연속 최대 R&D 투자 기록을 경신했다. 하반기에도 메모리 반도체 가격 상승세가 지속되면서 메모리 중심의 수익성 개선 추세가 이어질 것으로 예상된다. 특히 '온디바이스 AI' 시대 도래와 주요 클라우드 서비스 제공업체 및 기업들의 AI 서버 투자 확대로 고성능·고용량 D램과 낸드 수요가 급증할 것으로 전망된다. KB증권 김동원 연구원은 "범용 D램 매출 비중이 연말로 갈수록 확대될 것으로 예상되어 하반기 실적 개선 폭이 더욱 커질 것"이라며 "현재 반도체 사이클에서는 HBM보다 범용 D램에 주목해야 한다"고 분석했다. 흥국증권 이의진 연구원은 "연말로 갈수록 생산량 증가보다 평균판매단가(ASP) 상승에 따른 실적 개선이 지속될 것"이라고 전망했다. 하반기 HBM3E 판매 비중 증가 계획 HBM3 출하량 증가와 HBM3E 양상 여부는 하반기 실적 개선에 대한 기대감을 높이는 요인이다. 삼성전자는 현재 HBM3E의 품질 검증을 진행 중이며, 블룸버그통신은 익명의 소식통을 인용해 "삼성전자의 HBM3E가 2~4개월 내에 품질 테스트를 통과할 것"이라고 보도했다. 이에 따라 삼성전자는 HBM 생산 능력을 확대하여 5세대 HBM인 HBM3E 판매 비중을 늘릴 계획이다. 서버용 D램 분야에서는 1b나노 32Gb DDR5 기반의 128GB, 256GB 모듈 등 고용량 제품을 중심으로 시장 경쟁력을 강화할 예정이다. 낸드 플래시 메모리 분야에서는 서버, PC, 모바일 등 다양한 분야에 최적화된 QLC SSD 제품군을 기반으로 고객 수요에 신속하게 대응할 계획이다. 시스템LSI 사업은 플래그십 스마트폰에 탑재될 엑시노스 2500의 안정적인 공급에 역량을 집중할 예정이다. 업계 최초 3나노 공정이 적용된 웨어러블 제품의 초기 시장 반응이 긍정적이며, 하반기에는 주요 고객사의 SoC 채용 모델 확대가 예상된다. 파운드리 사업은 모바일 제품 수요 회복과 함께 AI 및 고성능 컴퓨팅 분야 제품 수요 증가가 기대된다. 삼성전자는 초미세 공정 사업 확대와 GAA 3나노 2세대 공정 본격 양산을 통해 올해 시장 성장률을 뛰어넘는 매출 성장을 목표로 하고 있으며, 하반기에도 AI 및 고성능 컴퓨팅 분야 수주를 확대할 계획이다.
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삼성전자, 반도체 2분기 영업익 6.5조원…TSMC 넘어섰다
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AI발 메모리 초호황에 반도체 슈퍼사이클 재진입 전망
- 인공지능(AI)이 이끄는 메모리 반도체 ‘슈퍼사이클’이 다시 찾아왔다는 전망이 제기되고 있다. 고사양 고대역폭메모리(HBM)뿐 아니라 범용 D램과 낸드플래시 등 메모리 전체가 AI 효과를 누리면서 반도체메모리 가격이 강세를 보이고 있다. 삼성전자가 7개 분기 만에 분기 영업이익 10조원을 돌파하며 신호탄을 쏘았고 SK하이닉스는 거의 6년 만의 분기 최대 실적을 기록할 것으로 예상된다. 각각 3년 전(23.6%, 11.0%)에 비해 거래 비중이 감소했다. 8일 업계에 따르면 오는 25일 올해 2분기 실적을 발표하는 SK하이닉스의 시장 컨센서스는 각각 매출 16조420억원, 영업이익 5조766억원이다. 실제 영업이익이 5조원을 넘는다면 지난 2018년 3분기(6조4724억원) 이후 23개 분기 만의, 즉 거의 6년 만의 최대 실적이다. 삼성전자가 2분기 10조4000억원의 잠정 영업이익을 기록하며 7개 분기 만에 10조원대 영업이익을 회복한 데 이어 SK하이닉스까지 호실적을 낼 것으로 시장은 보는 셈이다. 업계에서는 코로나19 팬데믹발(發) 반도체 호황이 저문 지 약 2년 만에 메모리 슈퍼사이클이 도래했다는 평가가 나온다. 범용 제품의 가격부터 치솟으며 실적을 뒷받침하고 있다. DDR5 D램과 낸드플래시 기반 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등이 대표적이다. 시장조사업체 트렌드포스 집계를 보면, 올해 2분기 전체 D램 평균 가격은 전기 대비 최대 18% 올랐다. 3분기에는 추가로 8~13% 상승할 전망이다. 트렌드포스는 "메모리 3사(삼성전자·SK하이닉스·마이크론)는 HBM 생산량 압박으로 (범용 제품의) 가격을 인상할 의향이 분명하다"고 설명했다. 수익성이 높은 HBM의 경우 '효자 종목'이다. 특히 엔비디아에 5세대 HBM3E를 독점적으로 납품하고 있는 SK하이닉스는 HBM 효과를 톡톡히 보고 있다. 메모리 전(全) 제품의 수요 증가는 AI가 급속도로 확산한 결과다. 자체 AI 솔루션을 제공하려는 빅테크 기업들의 데이터센터 투자와 AI 스마트폰, AI PC 등 온디바이스 AI 제품 출시를 앞두고 고사양 메모리 수요가 늘어나고 있기 때문이다. 이규복 한국전자기술연구원(KETI) 연구부원장은 "메모리 필요성이 계속 커지고 시장은 지속 성장할 것"이라고 했다. 다만 일각에선 신중론도 나온다. 세계 경기가 완전한 회복세로 접어들지는 못한 탓이다. 게다가 사내 노동조합인 '전국삼성전자노동조합(전삼노)'이 총파업에 나서면 생산 차질이 발생할 수 있다.
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AI발 메모리 초호황에 반도체 슈퍼사이클 재진입 전망
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삼성전자, 2분기 영업익 10.4조 '어닝 서프라이즈' 달성…전년 동기 대비 15배 급등
- 삼성전자가 올해 2분기 10조원이 넘는 영업이익을 내며 '어닝 서프라이즈(깜짝 실적)'를 기록했다. 삼성전자는 올해 2분기(4~6월), 10조원을 상회하는 영업이익을 달성하며 시장 전망치를 뛰어넘는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 이는 인공지능(AI) 시장 확대로 인한 메모리 반도체 수요 증가와 가격 상승이 반도체 부문 실적 개선을 견인하며 전체 실적 상승을 이끌었기 때문으로 분석된다. 삼성전자는 5일, 연결 기준 올해 2분기 영업이익이 10조4000억원으로 전년 동기 대비 1452.24% 증가했으며, 매출은 74조원으로 23.31% 증가했다고 잠정 공시했다. 이는 연합인포맥스가 집계한 증권사 15곳의 컨센서스(실적 전망치)를 크게 상회하는 수준이다. 삼성전자의 분기 영업이익이 10조원을 넘어선 것은 2022년 3분기 이후 7개 분기 만이며, 작년 연간 영업이익(6조 5700억원)을 훌쩍 뛰어넘는 수치이다. 매출도 2분기 연속 70조원대를 이어갔다. 특히, D램과 낸드의 평균판매단가(ASP) 상승으로 메모리 반도체 실적이 시장 기대치를 크게 개선된 점이 매출에 '효자' 노릇을 톡톡히 했다. 잠정 실적인 만큼 부문별 실적은 공개되지 않았으나, 증권업계에서는 당초 4조~5조원으로 추정했던 반도체 사업 부문(DS)의 영업이익 전망치를 상향 조정하는 분위기다. 이는 삼성전자가 시장 기대치를 뛰어넘는 성적표를 제시했기 때문이다. 삼성전자는 지난 1분기에는 DS 부문에서 1조9100억원의 영업이익을 내며 2022년 4분기 이후 5분기 만에 흑자 전환에 성공했다. 반도체 업황 회복세 속에서 AI 시장 확대에 따른 고부가 메모리 판매 증가와 우호적인 환율 효과로 메모리 반도체 판매가격이 시장 전망치를 상회하며 스마트폰 수익성 부진을 상쇄한 것으로 분석된다. 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면, 올해 2분기 전체 D램과 낸드 가격은 각각 13~18%, 15~20% 상승했다. 스마트폰 및 노트북 사업을 담당하는 모바일경험(MX) 사업부는 2조1000억~2조3000억원 수준의 영업이익을 달성한 것으로 예상된다. 2분기는 전통적인 비수기인데다, D램 및 낸드 가격 상승에 따른 원가율 상승으로 수익성이 소폭 하락한 것으로 보인다. 디스플레이 사업부는 애플 등 주력 고객사의 판매 호조에 힘입어 7000억원 안팎의 영업이익을 기록한 것으로 추정되며, 영상디스플레이(VD)와 생활가전(DA) 사업부 역시 에어컨 성수기 효과 등으로 5000억~7000억원 수준의 영업이익을 달성한 것으로 예상된다. 올해 하반기에는 메모리 반도체 업체들의 공격적인 고대역폭 메모리(HBM) 생산능력 증설에 따른 범용 D램 공급 부족 현상 심화와 고용량 eSSD 수요 증가로 메모리 수익성 개선 추세가 지속될 전망이다. 3분기 영업이익 전망치는 전년 동기 대비 393.86% 급증한 12조 181억원, 매출은 22.5% 증가한 82조 5천 722억원으로 집계됐다. 트렌드포스는 "전반적인 소비자 D램 시장은 공급 과잉이 지속되고 있으나, 3대 주요 공급업체(삼성전자·SK하이닉스·마이크론)는 HBM 생산량 압박으로 인해 가격 인상 의지를 분명히 하고 있다"고 분석하며, 3분기 D램과 낸드 가격이 각각 8~13%, 5~10% 상승할 것으로 예상했다. 노근창 현대차증권 연구원은 "HBM 수요 증가로 HBM의 D램 생산능력 잠식 현상이 심화되면서 범용 메모리 반도체의 공급 부족 현상이 예상보다 심화될 수 있다"며 "경쟁사들이 2023년에 설비투자를 줄였다는 점에서 삼성전자의 웨이퍼 생산능력 경쟁력 가치는 시간이 갈수록 상승할 수 있다"고 전망했다.
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삼성전자, 2분기 영업익 10.4조 '어닝 서프라이즈' 달성…전년 동기 대비 15배 급등
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세계 반도체 생산 증가 지속…올해 6%·내년 7% 성장
- 글로벌 반도체 팹(생산공장) 생산능력이 올해와 내년 각각 6%와 7% 성장할 것이라는 전망이 나왔다. 로이터통신 등 외신들에 따르면 국제반도체장비재료협회(SEMI)는 최신 팹 전망 보고서를 통해 세계 반도체 팹 생산 능력이 이 같이 늘어날 것으로 24일 전망했다. 이에 따라 내년에는 8인치 웨이퍼 환산 기준 반도체 산업 생산 능력이 월 3370만장에 도달할 것으로 예상했다. 특히 인공지능(AI) 칩 수요에 대응해 5nm(나노미터, 10억분의 1미터) 이하 첨단 반도체 생산능력은 올해와 내년에 각각 13%, 17% 증가할 것으로 내다봤다. SEMI는 "5nm 이하 첨단 반도체 생산능력은 AI를 위한 칩 수요를 맞추기 위해 올해 13% 증가할 것"이라며 "인텔, 삼성전자, TSMC를 포함한 칩메이커들은 반도체 전력 효율성을 높이기 위해 2nm 공정에서 GAA(Gate-All-Around)를 도입한 칩을 생산, 2025년에는 첨단 반도체 생산능력이 17% 증가할 것"이라고 설명했다. 지역별로는 중국 업체의 생산 능력이 올해 월 885만장으로 15% 증가한 후 내년에는 14% 더 성장해, 전체 반도체 산업의 3분의 1에 가까운 1010만장으로 확대될 것으로 봤다. 과잉 공급 우려에도 중국 칩메이커는 계속 생산 능력 확대에 투자하고 있다. 투자를 주도하는 업체는 화홍그룹, 넥스칩, 시엔, SMIC, CXMT 등이다. 반면 중국 외 다른 지역은 대부분 5% 이하 성장을 예상했다. 내년 대만은 4% 성장한 월 580만장으로 2위를 차지하고, 한국은 올해 처음으로 월 500만장을 넘긴 뒤 내년에는 7% 성장한 월 540만장을 기록, 3위에 오를 것으로 내다봤다. 내년 일본은 3% 성장한 470만장, 미국은 5% 늘어난 320만장, 유럽 및 중동은 4% 증가한 270만장, 동남아시아는 4% 많은 180만장을 각각 전망했다. SEMI는 인텔의 파운드리(반도체 위탁생산) 투자와 중국의 생산 능력 확대에 힘입어 파운드리 부문 생산 능력이 올해 11%, 내년에 10% 성장할 것으로 예상했다. 2026년에는 월 1270만장에 도달할 것으로 내다봤다. SEMI는 "고대역폭 메모리(HBM) 수요 증가로 D램 생산 능력은 올해와 내년에 9%의 성장세를 보일 것"이라며 "3D 낸드 시장은 아직 저조해 올해에는 생산능력 증가는 없으며, 내년에 5% 성장할 것"으로 진단했다.
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- IT/바이오
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세계 반도체 생산 증가 지속…올해 6%·내년 7% 성장
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삼성전자, 불확실성 속 반도체 사장 전격 교체…전영현 부회장 발탁
- 삼성전자가 반도체 위기 극복 핵심 전략으로 전영현(64) 미래사업기획단장(부회장)으로 반도체 사업 수장으로 전격 발탁했다. 지난해 반도체 업황 악화로 15조원에 육박하는 적자를 낸 가운데 삼성전자는 불확실성이 큰 대내외 환경 속에서 반도체 사업 경쟁력을 강화하기 위해 '원포인트' 인사를 단행한 것으로 보인다. 삼성전자는 21일 전영현 부회장을 디바이스솔루션(DS)부문장에, 전 부회장이 맡고 있던 미래사업기획단장에 기존 DS부문장이었던 경계현 사장을 각각 임명했다고 발표했다. 삼성전자는 "이번 인사는 불확실한 글로벌 경영 환경하에서 대내외 분위기를 일신해 반도체의 미래 경쟁력을 강화하기 위한 선제적 조치"라고 설명했다. '반도체 신화'의 주역인 전 신임 DS부문장은 LG반도체 출신으로, 2000년 삼성전자 메모리사업부로 입사해 D램·낸드플래시 개발, 전략 마케팅 업무를 거쳐 2014년부터 메모리사업부장을 맡아 왔다. 2017년 삼성SDI로 옮긴 전 부회장은 5년간 삼성SDI 대표이사를 맡았으며, 작년 말 인사에서 '귀환', 신설된 미래사업기획단을 맡아 삼성의 미래 먹거리를 발굴하는 데 주력해왔다. 전 부회장은 DS부문을 이끌며 기술 혁신과 조직의 분위기 쇄신을 통해 반도체 기술 초격차와 미래 경쟁력 강화에 집중할 것으로 보인다. 삼성전자는 지난해 주력인 반도체 업황 부진으로 DS부문에서 연간 14조8800억원의 적자를 기록했다. IT 수요 침체 등의 영향이 컸지만, 최근 인공지능(AI) 시장 확대로 급성장한 고대역폭 메모리(HBM) 시장에서도 SK하이닉스에 주도권을 뺏기는 등 차세대 기술 개발이나 시장 선점에 제대로 대응하지 못했다는 지적도 나오고 있다. 올해 1분기에는 전방 수요 회복과 메모리 가격 상승 등에 힘입어 2022년 4분기 이후 5개 분기 만에 흑자 전환로 돌아섰으며, HBM 5세대인 HBM3E 12단 양산 등에 속도를 내고 있다. 삼성전자는 "전 부회장은 삼성전자 메모리 반도체와 배터리 사업을 글로벌 최고 수준으로 성장시킨 주역으로, 그간 축적된 풍부한 경영 노하우를 바탕으로 반도체 위기를 극복할 것으로 기대한다"고 밝혔다. 삼성전자는 내년 정기 주주총회와 이사회를 통해 전 부회장의 사내이사 및 대표이사 선임 절차를 밟을 계획이다. 한편, 경 사장은 최근 반도체 위기 상황에서 새로운 돌파구 마련을 위해 스스로 부문장에서 물러난 것으로 알려졌다. 한종희 디바이스경험(DX)부문장과 협의하고 이사회에도 사전 보고한 것으로 알려졌다. 다만 종전에 맡고 있던 SAIT(옛 삼성종합기술원) 원장은 경 사장이 계속 담당한다. 2020년부터 삼성전기 대표이사를 맡아 적층세라믹커패시터(MLCC) 기술 경쟁력을 끌어올린 경 사장은 2022년부터 삼성전자 DS부문장을 맡아 반도체 사업을 총괄해 왔으며, 향후 미래사업기획단을 이끌며 미래 먹거리 발굴을 주도할 예정이다 삼성전자는 부문장 이하 사업부장 등에 대한 후속 인사는 검토되지 않았다고 말했다. 한편, 삼성전자 주가는 이날 오전 10시 36분 현재 7만8900원으로 보합세를 보이고 있다.
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삼성전자, 불확실성 속 반도체 사장 전격 교체…전영현 부회장 발탁
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2032년 한국 전세계 반도체 생산 점유율 전망, 19%로 역대 최고
- 8년 후인 2032년 한국의 반도체 생산 비중이 전 세계 시장의 약 20%에 육박해 역대 최고치를 기록할 것이라는 전망이 나왔다. 이는 대만을 누르고 중국에 이어 두 번째로 비중이 큰 것이다. 또한 2022년 대비 반도체 생산능력 증가율도 미국에 이어 2위를 차지할 것이라는 예측이다. 미국반도체산업협회(SIA)와 보스턴 컨설팅 그룹(BCG)은 8일(현지시간) '반도체 공급망의 새로운 회복 탄력성' 보고서에서 2032년 전 세계 반도체 시장에서 차지하는 한국의 생산능력은 19%에 달할 것이라고 전망했다. 이는 2022년의 생산비중 17%보다 2%p(포인트) 늘어난 수치로, 역대 가장 높은 수준이 된다. 한국은 중국(21%)에 이어 두 번째로 높고 대만(17%)과 미국(14%)도 앞서는 것으로 나타다. 2022년 기준 우리나라의 반도체 생산 비중은 중국(24%)과 대만(18%)에 이어 일본과 함께 공동 3위로 평가됐다. 그러나 2032년에는 한국의 생산 비중이 19%로 대만을 제칠 것이라는 분석이 나온 것이다. 보고서는 반도체 생산 지역을 한국과 미국, 유럽, 일본, 대만, 중국, 말레이시아와 싱가포르 인도 등을 포함한 기타 등 7개 지역으로 구분했다. 한국의 생산 점유율이 증가하는 것은 반도체 공장 건설을 통해 생산능력이 많이 확대되기 때문이다. 또한 보고서는 이 기간 한국의 반도체 생산능력 증가율을 129%로 추정했다. 이는 미국(203%)에 이어 두 번째로 높은 것으로, 유럽(124%)과 대만(97%), 일본(86%), 중국(86%), 기타(62%) 등을 앞선다. 2012년 대비 2022년 우리나라의 반도체 생산능력 증가율(90%)은 중국(365%)에 이어 두 번째였다. 이 기간 다른 지역의 생산능력 증가율은 대만(67%), 유럽(63%), 일본(36%) 등의 순으로 높았다. 미국은 11%로 가장 낮았다. 이들 지역을 제외한 기타 지역은 72%였다. 다만, 첨단 공정을 포함한 10나노미터(nm·1nm는 10억분의 1m) 이하 한국의 반도체 생산 점유율은 31%에서 9%로 크게 떨어질 것으로 관측됐다. 같은 기간 대만도 69%에서 47%로 하락할 것으로 예상됐다. 이는 미국 정부가 반도체 지원법을 앞세워 미국 내 설비 투자를 장려하면서 첨단 공정을 위한 공장 등을 짓는 등 투자가 많이 늘어난 데 따른 것이다. 미 정부는 반도체 생산 보조금(390억 달러)과 연구개발(R&D) 지원금(132억 달러) 등 모두 527억 달러(75조5000억원)를 지원하고 있다. 이에 따라 2032년 미국의 반도체 생산능력 증가율은 2022년 대비 3배 수준(203%)으로 늘어나고, 생산 점유율도 10%에서 14%로 늘어날 것으로 예상됐다. 보고서는 "반도체 지원법이 없었다면 미국의 점유율은 2032년 8%로 떨어졌을 것"이라고 추정했다. 특히, 미국의 10나노미터 이하 공정의 생산 점유율은 2022년 0%에서 10년 뒤인 2032년에는 28%로 크게 확대 것으로 내다봤다. 보고서는 "한국은 반도체 산업 발전에 일찍 투자해 삼성과 SK하이닉스가 글로벌 반도체 리더로 성장할 수 있도록 지원했다"며 "전 세계 낸드 플래시 메모리와 D램 시장에서 각각 절반 이상의 점유율을 차지하고 있다"고 밝혔다.
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- IT/바이오
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2032년 한국 전세계 반도체 생산 점유율 전망, 19%로 역대 최고
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SK하이닉스, 청주 M15X서 차세대 D램 생산…20조 이상 투자
- SK하이닉스는 인공지능(AI) 반도체에 대한 수요 급증에 대응하여 고대역폭 메모리(HBM)와 같은 차세대 D램의 생산능력(캐파)을 확장하기로 했다. 24일 SK하이닉스는 이사회 결정을 통해 충북 청주시에 건설될 신규 팹(fab·반도체 생산공장)인 M15X를 D램 생산 기지로 확정하고, 팹 건설에 총 5조 3000억 원을 투자하기로 결정했다고 밝혔다. 팹 건설 공사는 이달 말부터 시작되며, 2025년 11월에 공장을 준공하고 이후 본격적인 양산에 들어갈 계획이다. 또한, SK하이닉스는 M15X에 장비 투자를 순차적으로 진행하여, 장기적으로 총 20조 원 이상을 투자해 생산 기반을 강화할 방침이다. SK하이닉스는 지난 2022년에 M15 팹의 확장 공장인 M15X의 건설 및 생산 설비 구축을 위해 향후 5년 동안 15조 원을 투자할 것이라고 발표했으나, 지난해 4월 반도체 업황 악화로 인해 일시적으로 공사를 중단한 적이 있다. 당초 업계에서는 M15X에서 낸드 메모리를 생산할 것으로 예상했었다. 그동안 SK하이닉스는 M15X 공사 재개 시점에 대해 "시황을 예의주시하겠다"고 밝혀왔지만, 최근 AI 시대의 도래와 함께 D램 수요가 급증함에 따라, M15X의 용도를 변경하고 투자 규모를 확대하기로 결정했다. 연평균 60% 이상의 성장이 예상되는 HBM은 일반 D램 제품에 비해 최소 2배 이상의 생산능력이 요구된다. 이에 따라 SK하이닉스는 2027년 상반기에 용인 반도체 클러스터에서 첫 번째 팹을 준공하기 전에 청주 M15X에서 신규 D램 생산을 시작할 계획이다. M15X는 실리콘 관통 전극(TSV) 생산 능력을 확장 중인 M15와 인접하여 HBM 생산을 최적화할 수 있는 위치에 있다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 "M15X는 전 세계 AI 메모리 시장에 핵심적인 역할을 하게 될 것이며, 회사의 현재와 미래를 잇는 중요한 다리 역할을 할 것"이라고 말했다. 그는 또한 "이번 투자가 단순히 회사의 성장을 넘어 국가 경제에도 긍정적인 영향을 미칠 것으로 확신한다"고 덧붙였다. SK하이닉스는 M15X 외에도 앞으로 증가할 메모리 수요에 대비해 추가 투자의 필요성을 검토하며 수요 상황을 면밀히 점검하고 있다. 이와 함께, 약 120조 원이 투입되는 용인 클러스터를 포함한 국내 투자 계획은 차질 없이 진행한다는 방침이다. 현재 용인 클러스터의 부지 조성 공정률은 약 26%로, 목표치보다 3% 포인트 빠른 진척을 보이고 있다. 또한, SK하이닉스가 들어설 예정인 부지에 대한 보상 절차와 문화재 조사는 이미 완료되었으며, 전력과 용수, 도로 등의 인프라 구축도 계획보다 빠르게 진행되고 있다고 회사 측은 밝혔다. SK하이닉스는 용인의 첫 팹을 2025년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 예정이다. SK하이닉스가 진행하는 국내 투자는 SK그룹 차원의 전체 국내 투자에서도 중요한 부분을 차지하고 있다. 2012년 SK그룹에 편입된 이래, SK하이닉스는 2014년부터 총 46조원을 투자하여 이천 M14를 시작으로 총 세 개의 공장을 추가로 건설하는 '미래비전'을 중심으로 국내 투자를 이어왔다. 이 계획에 따라 2018년 청주 M15와 2021년 이천 M16을 차례로 준공하며 미래비전을 조기에 완성했다. SK하이닉스는 "M15X와 용인 클러스터에 대한 투자는 대한민국을 AI 반도체 강국으로 이끄는 데 중요한 역할을 하며 국가경제를 활성화하는 계기가 될 것"이라고 밝혔다. 회사는 이어 "AI 메모리 시장에서 글로벌 리더로서의 위치를 강화하고, 국내 생산기지에 대한 투자를 확대함으로써 국가경제에 기여할 뿐만 아니라 반도체 강국으로서 대한민국의 위상을 높이는 데 일조할 것"이라고 덧붙였다.
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SK하이닉스, 청주 M15X서 차세대 D램 생산…20조 이상 투자
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삼성전자, 업계 최초 '9세대 V낸드' 양산…290단 적층 구현
- 삼성전자가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작해 메모리 기술에서 리더십을 강화했다. 이 기술은 인공지능(AI) 시대의 고용량 및 고성능 낸드에 대한 수요 증가에 대응하기 위한 것이다. 삼성전자는 23일, '더블 스택' 구조를 적용한 최고 단수 제품인 9세대 V낸드를 양산한다고 발표했다. 이 제품은 현재 주력 제품인 236단 8세대 V낸드를 뒤이어, 약 290단 수준의 기술로 구현되었다고 한다. 더블 스택 기술은 낸드플래시 메모리의 각 레이어를 두 번의 '채널 홀 에칭' 과정을 통해 나누고 이를 단일 칩으로 결합하는 고난도의 제조 방식을 의미한다. 삼성전자는 이 채널 홀 에칭 기술을 통해 한 번의 공정으로 업계 최대의 단수를 달성하는 생산 효율성을 크게 향상시켰다고 설명했다. 채널 홀 에칭 기술은 몰드층을 순차적으로 쌓은 후 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 형성하는 방식으로, 적층 단수가 높아질수록 한 번에 더 많은 채널을 생성할 수 있어 생산 효율이 증가한다. 이 과정은 높은 정밀도와 고도의 기술이 요구된다. 낸드 메모리의 적층 경쟁이 치열해지면서 적층 공정의 기술력이 더욱 중요해지고 있다. V낸드에서 원가 경쟁력은 가능한 적은 공정 단계로 높은 적층 단수를 달성하는 데 있어, 스택 수가 적으면 거쳐야 하는 공정 수도 줄어들어 시간과 비용을 절감할 수 있어 경쟁력을 높인다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell), 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도(단위 면적당 저장되는 비트의 수)를 이전 세대에 비해 약 1.5배 증가시켰다. 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole) 제거 기술로 셀의 평면적을 줄이고, 셀 크기 축소로 인한 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술과 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품의 품질과 신뢰성을 향상시켰다. 9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 '토글(Toggle) 5.1'을 적용해 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps(초당 기가비트)의 데이터 전송 속도를 구현했다. 삼성전자는 이를 토대로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하며 고성능 SSD 시장을 확대하여 낸드플래시 기술의 리더십을 강화할 계획이다. 또한, 9세대 V낸드는 저전력 설계 기술을 적용해 이전 세대 제품에 비해 전력 소비를 약 10% 줄였다. 삼성전자는 올해 하반기에 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'의 양산을 시작하는 등 AI 시대의 요구에 부응하는 고용량, 고성능 낸드 개발에 박차를 가할 예정이다. 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장 허성회 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화함에 따라 고용량, 고성능 제품에 대한 고객의 요구가 증가하고 있다"며 "극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 향상시켰다. 9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 적합한 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도할 것"이라고 말했다. 시장조사기관 옴디아의 보고에 따르면, 낸드플래시 매출은 2023년 387억 달러에서 2028년에는 1148억 달러로 성장할 것으로 예상되며, 이는 연평균 약 24%의 성장률을 보일 전망이다. 이러한 성장은 AI 서버 시장의 확대와 직결되어 있으며, 높은 데이터 전송 속도와 성능을 요구하는 신규 AI 서버 설치가 증가함에 따라 SSD에 대한 수요도 증가하고 있다. 옴디아는 "AI 관련 작업에서의 훈련 및 추론 수요 증가와 함께, 대규모 언어 모델(LLM)과 추론 모델에 필요한 데이터 저장을 위해 더 큰 저장 용량이 요구되고 있다"고 말했다. 이러한 시장 수요 증가로 인해 낸드 적층 기술의 경쟁도 치열해지고 있다. 삼성전자는 작년 3분기 실적 발표에서 2030년까지 1,000단 V낸드 개발 계획을 발표했다. SK하이닉스는 작년 8월 미국에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2023'에서 업계 최초로 300단을 넘는 '1Tb TLC 321단 4D 낸드' 샘플을 공개하며, 이를 2025년 상반기부터 양산할 계획임을 밝혔다. 마이크론은 2022년에 세계 최초로 232단 낸드를 양산하기 시작했다. 후발주자인 중국의 YMTC(양쯔메모리테크놀로지)도 지난해 232단 낸드 생산을 시작한 데 이어 올해 하반기에는 300단 이상의 제품 출시를 계획하고 있다. 한편, 삼성전자 주식은 이날 '9세대 V낸드' 양산 발표 이후 소폭 상승했다. 이날 23일 11시 27분 현재 삼성전자 주가는 전일 대비 0.26% 올라 7만6300원에 거래됐다.
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삼성전자, 업계 최초 '9세대 V낸드' 양산…290단 적층 구현
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삼성전자, 1분기 실적 '역대급' 6조6천억원 영업이익…5분기 만에 매출 70조원대
- 삼성전자가 메모리 반도체 시장의 회복과 갤럭시 S24 판매 호조 덕분에 2024년 1분기에 예상을 뛰어넘는 '깜짝 실적(어닝 서프라이즈)'을 올렸다고 발표했다. 삼성전자는 올해 1분기 연결 기준 영업이익이 6조6000억원으로 지난해 같은 기간보다 931.25% 증가한 것으로 잠정 집계됐다고 5일 공시했다. 이는 삼성전자의 지난해 전체 연간 영업이익(6조 5700억 원)을 초과하는 금액이다. 매출액은 71조 원으로 전년 동기 대비 11.37% 상승했다. 삼성전자의 분기별 매출이 70조 원을 넘은 것은 2022년 4분기(70조4646억원) 이후 처음이다. 이번 실적은 시장 예상을 20% 이상 크게 웃도는 수준이다. 최근 1개월 내에 보고서를 낸 18개 증권사의 평균 예측치를 토대로 한 연합인포맥스의 집계에 따르면, 삼성전자의 1분기 매출은 전년 동기 대비 12.88% 증가한 71조 9541억 원, 영업이익은 755.3% 증가한 5조 4756억 원으로 예상됐었다. 올해 초에는 영업이익이 4조원 대 중반을 기록할 것으로 보였으나, 메모리 감산으로 인한 가격 상승 등의 시장 상황이 개선되면서 최근 예측이 상향 조정됐다. 삼성전자의 부문별 성과는 구체적으로 발표되지 않았지만, 증권업계 분석에 따르면 삼성전자의 디바이스솔루션(DS) 부문이 7000억원에서 1조 원 사이의 영업이익을 기록, 2022년 4분기 이후 5분기 만에 흑자로 전환한 것으로 추정된다. SK증권은 DS 부문 영업이익을 1조원으로, 모바일경험(MX)·네트워크와 디스플레이(SDC)는 각각 3조7000억원, 3000억원으로 예상했다. 유진투자증권은 DS 부문의 영업이익을 9000억 원, SDC 부문을 3000억 원, MX와 네트워크를 3조 8000억 원, 영상디스플레이(VD)와 소비자가전(CE)을 3천억 원, 하만을 1천억 원으로 예측했다. 현대차증권은 DS 부문을 7000억 원, SDC 부문을 3500억 원, MX와 네트워크 부문을 3조 9000억 원, VD와 가전 부문을 3800억 원으로 추산했다. 이번 DS 부문의 성공은 D램과 낸드 가격 상승에 따른 것으로, 고부가가치 제품의 집중 판매 전략이 주효했다고 보인다. 삼성전자 메모리사업부의 김재준 부사장은 지난해 4분기 실적 발표에서 생성형 인공지능(AI)에 대응하는 고대역폭 메모리(HBM) 서버와 SSD 수요 증가에 적극 대응하여 수익성 개선에 집중하겠다고 언급한 바 있다. 한동희 SK증권 연구원은 메모리 부문의 수익성 중심 전략과 낸드 가격의 기저 효과로 인해 1분기 가격 상승이 예상을 뛰어넘을 것이라고 전망했다. 이에 따라 재고평가손실 충당금 환입의 효과가 크게 나타날 것으로 기대된다. 모바일 사업 분야에서도 인공지능(AI) 기능을 탑재한 갤럭시 S24의 뛰어난 판매 성과와 함께 스마트폰 출하량 증가로 수익성이 향상된 것으로 파악된다. 지난해 4분기에 영업 손실 500억 원을 기록했던 영상디스플레이(VD) 및 생활가전(DA) 사업부는 프리미엄 TV 및 고부가가치 가전제품의 판매 확대를 통해 수익성이 약간 개선되었다고 볼 수 있다. 이러한 상황에서 메모리 가격의 상승 추세가 지속되면서 삼성전자의 실적 개선 추세가 앞으로도 이어질 것으로 보인다. 대만의 시장조사업체 트렌드포스에 따르면, 1분기 D램의 평균 판매가격(ASP)이 전 분기 대비 최대 20% 상승한 뒤, 2분기에는 3%에서 8% 사이로 추가 상승할 것으로 전망된다. 낸드 가격 역시 1분기에 23%에서 28% 상승한 후, 2분기에는 13%에서 18% 상승할 것으로 예상된다. 연합인포맥스가 집계한 바에 따르면, 삼성전자의 2분기 영업이익 예상치는 전년 동기 대비 약 10배 증가한 7조 3634억 원에 달한다. 또한, 2분기 매출 전망치는 전년 동기 대비 20.73% 증가한 72조4469억 원으로 추정된다. HBM 수요 증가로 실적 개선 기대 HBM(고대역폭 메모리)의 수요 증가가 실적 개선에 기여할 것으로 예상된다. 생성형 AI 서비스의 확장에 힘입어 그래픽 처리 장치(GPU)와 신경망 처리 장치(NPU)의 출하량이 증가하면서, HBM 시장은 2026년까지 빠른 성장세를 유지할 것으로 보인다. 삼성전자는 업계에서 처음으로 D램 칩을 12단까지 쌓는 5세대 HBM, HBM3E를 올해 상반기부터 생산할 계획이며, 올해 HBM 출하량을 지난해 대비 최대 2.9배 증가시킬 예정이다. 김광진 한화투자증권 연구원은 "경쟁사와의 HBM 개발 로드맵 차이를 줄이는 것이 중요하다"며 "삼성전자가 여전히 후발 주자이긴 하지만, 과거 대비 경쟁사와의 기술 격차가 줄어든 것은 긍정적인 신호"라고 평가했다. 파운드리 사업 역시 수주 증가와 수율 개선에 힘입어 4분기에는 흑자 전환될 것으로 전망된다. 대신증권의 신석환 연구원은 "지난해 파운드리 사업이 큰 적자를 기록했지만, 올해는 최대 수주 기록과 함께 하반기 흑자 전환이 기대된다"며 "하반기 HBM 공급 확대와 레거시 제품에 대한 수요 증가로 인해 실적 성장이 예상보다 빠를 것"이라고 내다봤다. 엎서 인공지능(AI) 칩 선두주자인 미국 반도체 기업 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)는 지난 3월 19일 엔비디아의 연례 개발자 회의인 'GTC 2024' 둘째날 삼성이 아직 HBM3E의 양산에 대해 발표하지 않았음에도 삼성의 HBM이 현재 검증 단계를 거치고 있다고 확인했다. 젠슨 황 CEO는 삼성의 12단 HBM3E 디스플레이 옆에 '젠슨 승인'이라고 서명까지 해 삼성의 HBM3E가 검증 과정을 통과할 가능성이 높다는 추측을 불러일으켰다. 황 CEO는 '삼성의 HBM을 사용하고 있느냐'라는 질문에 "아직 사용하고 있지 않다"면서도 "현재 테스트하고(qualifying) 있으며 기대가 크다"고 말했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 크게 높인 제품으로 고성능 컴퓨팅 시스템에 사용되는 차세대 메모리 기술이다. 방대한 데이터를 신속하고 끊임없이 처리해야 하는 생성 AI를 구동하려면 HBM과 같은 고성능 메모리가 반드시 필요한 것으로 알려져 있다.
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삼성전자, 1분기 실적 '역대급' 6조6천억원 영업이익…5분기 만에 매출 70조원대
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2023년 4분기 글로벌 낸드 매출, 전분기 대비 24% 급증
- 글로벌 낸드플래시 매출이 지난해 4분기에 전 분기 대비 24% 이상 대폭 증가한 것으로 나타났다. 낸드플래시(NAND Flash)는 비휘발성 플래시 메모리의 한 유형으로, 전원이 꺼져도 데이터를 유지할 수 있는 저장 매체다. 낸드플래시는 빠른 읽기와 쓰기 속도, 높은 밀도, 낮은 전력 소비 등의 특성으로 인해 다양한 전자기기에 널리 사용된다. 예를 들어, 스마트폰, 태블릿, USB 메모리 스틱, SSD(Solid State Drive)와 같은 저장 장치, 디지털 카메라 등에서 데이터 저장용으로 활용된다. 낸드플래시는 여러 개의 메모리 셀을 포함하며, 이 셀들이 전기적으로 데이터를 저장한다. 각 메모리 셀은 1비트에서부터 멀티 레벨 셀(MLC), 트리플 레벨 셀(TLC), 심지어 쿼드 레벨 셀(QLC)과 같이 여러 비트를 저장할 수 있도록 진화해왔다. 이러한 기술의 발달은 저장 용량을 크게 향상시키는 동시에 생산 비용을 줄이는 데 기여했다. 시장조사업체 트렌드포스는 6일 작년 4분기 전 세계 낸드 매출은 직전 3분기보다 24.5% 증가한 114억8580만달러를 기록했다고 발표했다. 트렌드포스는 "연말 프로모션에 따른 최종 수요 안정화와 부품 시장의 주문 확대로 전년 동기 대비 출하량이 호조를 보였다"며 "2024년 수요에 대한 기업 부문의 긍정적인 전망과 전력적 비축도 출하량 증가를 촉진했다"고 설명했다. 업체별로 보면 삼성전자의 작년 4분기 낸드 매출은 42억달러로 전 분기보다 44.8% 증가했다. 서버, 노트북, 스마트폰 전반에 걸쳐 수요가 급증한 영향이다. 삼성전자의 낸드 시장 점유율도 전 분기 31.4%에서 36.6%로 오르며 1위를 유지했다. SK하이닉스와 자회사 솔리다임의 작년 4분기 매출은 24억8040만달러로 전 분기보다 33.1% 상승했다. 시장 점유율도 20.2%에서 21.6%로 소폭 올라 2위를 유지했다. 3위 웨스턴디지털(WD)의 지난해 4분기 매출은 7.0% 증가한 16억6500만달러, 4위 키옥시아의 매출은 8.0% 증가한 14억4300만달러로 각각 집계됐다. 5위 마이크론은 수익성 개선을 위해 공급량을 대폭 줄여 비트 출하량은 전분기 대비 10% 이상 감소했고 매출은 1.1% 감소한 11억3750만 달러를 기록했다. 트렌드포스는 "공급망 재고 수준의 개선과 잠재적인 공급 부족을 피하려는 고객들의 주문 확대로 전통적인 비수기임에도 불구하고 2024년 1분기는 낸드 매출이 추가로 20% 더 증가할 것"이라고 전망했다. 아울러 지속적인 주문 규모 확대로 낸드 플래시 고정 가격은 평균 25% 상승할 것으로 예상했다.
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2023년 4분기 글로벌 낸드 매출, 전분기 대비 24% 급증
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