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- TSMC, 내달 '2나노' 수주 돌입⋯파운드리 독주체제 구축
- 세계 최대 파운드리 기업인 TSMC가 올해 말까지 월 5만장 안팎의 생산이 가능한 2나노 공정 라인을 갖추게 될 것으로 예상된다는 보도가 나왔다. 대만 공상시보는 24일(현지시간) TSMC의 2나노미터 공정 생산량은 연말까지 월 5만장를 달성할 수 있으며, 바오산과 가오슝 공장이 완전히 가동되면 8만장까지 늘어날 수 있다고 보도했다. TSMC의 바오산 공장은 4월1일부터 올해 하반기 첫 주문을 받을 예정이며 대만 남부의 가오슝 공장도 31일 확장식을 가질 것으로 전해졌다. 궈밍치 TF인터내셔널 애널리스트는 "TSMC의 2나노미터 시험 생산 수율은 이미 3개월 전에 60~70%에 도달했으며, 지금은 그 이상을 훨씬 웃돌고 있다"라고 주장했다. TSMC는 이미 3나노미터 공정 기술을 통해 인공지능(AI) 반도체 시장에서 압도적인 점유율을 확보했으며 2나노미터 공정 역시 추가적인 수주를 기대하고 있다. TSMC의 첫 고객은 애플이 될 것으로 점쳐진다. 궈밍치는 오는 2026년 하반기에 출시될 예정인 애플의 아이폰 18 시리즈는 TSMC의 2나노미터 공정 기반 칩셋이 탑재될 것이라고 전망했다.
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- IT/바이오
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- [2조 달러 클럽 눈앞] TSMC, 반도체 거물로 우뚝 서다
- 대만 반도체 제조 회사 TSMC. 이 이름은 이제 단순한 반도체 업체를 넘어 세계 경제를 움직이는 핵심 동력으로 통한다. 글로벌 디지털 환경이 폭발적으로 성장하는 가운데, TSMC는 혁신의 중심에서 거대한 성장을 견인해 왔다. 현재 시가총액은 9800억 달러(약 1432조 5640억 원)에 육박하며, 글로벌 파운드리(반도체 위탁생산) 시장의 64%를 장악하는 압도적인 존재감을 자랑한다. 엔비디아, 애플 등 기술 공룡들의 최첨단 제품 이면에는 늘 TSMC의 기술력이 자리하며, 스트리밍 서비스부터 혁신적인 의료 기술에 이르기까지, 그 영향력은 전 산업 분야에 깊숙이 스며들어 있다. 미래는 더욱 밝게 점쳐진다. 인공지능(AI) 시대의 본격적인 개막과 함께 AI 칩 시장은 향후 10년간 연평균 35%의 폭발적인 성장이 예상된다. 이는 곧 TSMC에게 거대한 기회가 될 것임을 의미한다. 실제로 업계 분석가들은 이러한 성장세가 현실화될 경우, TSMC의 매출이 5년 안에 900억 달러(약 131조 5620억 원)에서 무려 2250억 달러(약 328조 9050억 원)로 수직 상승할 수 있다고 전망한다. 이 놀라운 성장 잠재력은 TSMC를 꿈의 2조 달러(약 2923조 6000억 원) 클럽 기업 반열에 올려놓을 가능성을 시사한다. 경쟁자를 압도하는 기술 리더십, 2나노미터 시대를 열다 경쟁 환경 또한 TSMC의 독주를 뒷받침하고 있다. 최대 경쟁사인 삼성전자가 2나노미터 기술 경쟁에서 주춤하는 사이, TSMC는 이미 2025년 2나노미터 양산 체제 구축을 목전에 두고 있다. 이것은 단순한 기술적 우위를 넘어, TSMC가 반도체 산업의 패권을 더욱 공고히 하는 결정적 발판이 될 것이다. 머지않아 TSMC의 공장에서는 이전 세대 칩을 월등히 능가하는 효율과 속도를 자랑하는 2나노미터 칩들이 쏟아져 나올 것이며, 이는 TSMC의 압도적인 기술 리더십을 전 세계에 다시 한번 각인시키는 계기가 될 전망이다. 일본매체 모토패덕은 "TSMC는 기술 산업에서 혁신과 기회의 시너지 효과를 완벽하게 보여준다. TSMC의 최첨단 제조 시설의 분주한 복도를 따라 혁신의 교향곡이 울려 퍼진다. 이곳에서 미세 칩, 즉 작지만 강력한 동력원이 탄생하여 대만 반도체 제조 회사(TSMC)를 전례 없는 성장 영역으로 이끌고 있다"고 진단했다. 모토패덕의 이러한 묘사는 TSMC가 가진 혁신 DNA와 미래 성장 가능성을 함축적으로 보여준다. 불안한 시장 속에서도 빛나는 투자처, TSMC 최근 기술주를 중심으로 시장 변동성이 확대되고 있지만, 오히려 투자자들은 TSMC에서 안정적인 투자 가치를 발견하고 있다. TSMC의 선견지명적인 전략과 흔들림 없는 혁신 DNA는 불확실성이 커지는 시장 상황 속에서도 오히려 더욱 빛을 발하며, 2조 달러 기업으로 도약할 가능성을 한층 더 높이고 있다. 만약 TSMC가 시가총액 2조 달러를 달성한다면, 이는 단순한 숫자적 성과를 넘어 TSMC의 탁월한 비전과 리더십이 빚어낸 기념비적인 성공 사례로 기록될 것이다. 모토패덕은 TSMC의 성장 스토리에 대해 "TSMC의 이야기는 단순히 숫자와 성장에 대한 기록이 아니다. 혁신이 기회를 만났을 때 어떤 무한한 가능성이 펼쳐질 수 있는지 보여주는 드라마와 같다"고 분석했다. TSMC의 성장 스토리는 단순한 기업 성공담을 넘어, 기술 혁신이 가져올 미래 가능성에 대한 기대감을 높이는 서사시와 같다는 것. TSMC, 혁신의 지평을 끝없이 넓히다 TSMC의 혁신은 단순한 매출 증대나 시장 점유율 확대로 그 의미가 국한되지 않는다. TSMC는 반도체 기술 자체의 영역을 쉼 없이 확장하고 있다. 최첨단 게임 콘솔부터 복잡한 인공지능 알고리즘, 미래 자동차와 헬스케어 산업에 이르기까지, TSMC의 칩은 상상 속의 첨단 기술을 현실로 구현하는 핵심 엔진 역할을 수행하고 있다. TSMC, 압도적인 시장 지배력의 원천은? 그렇다면 TSMC는 어떻게 이토록 압도적인 시장 지배력을 구축할 수 있었을까? 그 비결은 바로 끊임없는 기술 혁신과 최고의 품질을 향한 끈질긴 집념에 있다. 2025년 2나노미터 공정 도입은 이러한 TSMC의 핵심 경쟁력을 명확하게 보여주는 대표적 사례다. 글로벌 파운드리 시장의 64%를 점유하는 경이로운 시장 점유율은 TSMC의 뛰어난 기술력과 흔들림 없는 고객 신뢰를 입증하는 가장 확실한 증거다. TSMC 투자, 미래를 위한 현명한 선택될까? 투자 전문가들은 TSMC 투자에 대해 다음과 같은 조언을 제시한다. 첫째, 미래 기술 트렌드에 대한 지속적인 관심이 필요하다. AI, 자율주행, 헬스케어 등 미래 기술 혁신은 TSMC의 성장 잠재력과 직결되므로, 이러한 분야의 발전 추이를 꾸준히 주시하고 TSMC의 성장 가능성을 면밀히 분석해야 한다. 둘째, 투자 포트폴리오를 다각화하여 위험을 관리해야 한다. TSMC는 분명 매력적인 투자처이지만, 투자 포트폴리오를 분산하여 위험을 관리하는 것은 필수적이다. 기술주 외에도 다양한 자산에 분산 투자하여 투자 안정성을 확보하는 전략이 요구된다. 셋째, 변동성이 큰 기술 시장의 특성을 고려하여 시장 상황을 꾸준히 모니터링해야 한다. 거시 경제 지표와 산업 동향을 꼼꼼하게 분석하고, 신중한 투자 결정을 내리는 자세가 필요하다. 주요 산업 전망과 TSMC vs 삼성 주요 산업 전망에 따르면, 향후 5년간 AI 칩 시장은 연평균 35% 성장하고, 이에 따라 TSMC 매출은 연평균 20% 성장할 것으로 예측된다. TSMC와 삼성의 경쟁 구도를 살펴보면, 기술력 측면에서 TSMC는 2나노미터 기술 경쟁에서 삼성을 앞서나가며, 뛰어난 정밀성과 생산 확장 능력을 입증했다는 평가를 받고 있다. 시장 가치 측면에서 TSMC의 시가총액은 9,800억 달러에 육박하며, 이제 2조 달러 클럽 가입 가능성을 현실로 만들 수 있을지 전 세계의 이목이 집중되고 있다. TSMC 투자는 다음과 같은 장점을 지닌다. 타의 추종을 불허하는 최첨단 공정 기술 리더십, 글로벌 기술 업계 리더들과의 견고한 파트너십, 그리고 파운드리 시장에서의 압도적인 시장 점유율은 TSMC 투자의 매력을 더하는 요소다. 하지만 단점도 존재한다. 잠재적인 공급망 불안정 리스크와 지정학적 리스크는 투자자들이 간과할 수 없는 부분이다. TSMC는 단순한 반도체 제조업체를 넘어, 혁신 DNA를 바탕으로 기술 산업의 미래를 개척하는 선구자 역할을 자임하고 있다. 끊임없는 혁신과 공고한 시장 지배력을 토대로 TSMC는 2조 달러 클럽 가입이라는 야심찬 목표를 향해 순항하고 있다. TSMC의 미래 성장 가능성에 주목하고, 장기적인 안목으로 투자 전략을 구체화해야 할 시점이다.
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- IT/바이오
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- 대만 TSMC, 미국에 146조 규모 투자 발표⋯애리조나에 3번째 공장 건설
- 대만 반도체업체 TSMC가 미국에 1000억 달러(약 145조9000억 원)를 투자키로 했다. 로이터통신 등 외신들에 따르면 TSMC의 웨이저자(魏哲家) 회장은 3일 오후(현지시간) 백악관에서 트럼프 대통령을 면담한 뒤 트럼프 대통령과 함께 기자회견을 하고 이같이 발표했다. 트럼프 대통령은 "TSMC는 향후 짧은 기간에 최첨단 반도체 시설을 건설하기 위해 최소 1000억 달러를 새로 투자할 것"이라면서 "신규 투자는 애리조나주에 5개의 제조시설을 건설하는 데 사용될 것"이라고 말했다. 그는 이어 "이는 수천개의 고임금 일자리를 창출할 것이다. 오늘 발표로 TSMC의 대미국 투자는 모두 1650억달러가 된다"면서 "이것은 미국 및 TSMC에 엄청난 일"이라고 밝혔다. 트럼프 대통령은 "세상에서 가장 강력한 인공지능(AI) 반도체는 바로 이곳 미국에서 만들어질 것이며 그 가운데 상당 부분을 TSMC가 만들 것"이라면서 "이것은 경제 안보는 물론 국가 안보의 문제"라고 지적했다. 트럼프는 "TSMC도 아주 안전한 다른 곳으로 존재(공장)를 다각화할 수 있을 것"이라면서 웨이 회장을 "이 방에서 가장 중요한 사람"이라고 치켜세웠다. 웨이 회장은 TSMC의 대미투자가 트럼프 1기 때인 2020년 시작됐다는 점을 언급한 뒤 새 투자 계획을 발표하고 "우리는 트럼프 대통령의 비전과 지지에 사의를 표한다"라고 밝혔다. 세계 최대의 반도체 파운드리(반도체수탁생산) 업체인 TSMC는 2020년 애리조나에 120억달러를 투자해 반도체 공장을 건설하겠다고 발표했다. TSMC는 이후 투자 규모를 650억달러로 확대했으며 이후 바이든 정부는 반도체 지원법에 따라 대미 투자와 관련해 66억달러(약 9조2000억 원)의 지원금을 지급하기로 약속했다. TSMC의 미국 공장은 지난해부터 대량 생산을 시작했다고 월스트리트저널(WSJ)은 밝혔다. 트럼프 대통령은 반도체 지원법에 따른 보조금 지원에 대해선 비판해 왔다.그는 대선 때 반도체 산업 유치를 위한 보조금 지급 대신 수입 반도체에 관세를 부과하면 업체들이 대미 투자를 늘릴 것이라고 언급했다.이 때문에 업계에서는 TSMC는 물론 삼성전자, SK하이닉스 등에 대한 반도체법 보조금이 취소될 수 있다는 우려가 나오고 있다. 하워드 러트닉 상무부 장관은 지난 1월 인사청문회에서 반도체법에 따른 보조금 지급을 약속할 수 없다면서 "우리가 그것들을 검토해 제대로 할 필요가 있다고 생각한다"고 밝혔다. 러트닉 장관은 이날 TSMC의 투자 발표 행사에 참석해 "바이든 정부에서 TSMC는 60억달러의 보조금을 받았으며 이는 그들이 650억달러를 투자하도록 촉진했다"라면서 "미국은 TSMC가 이곳에 (공장을) 짓도록 그 돈(투자 예정 금액)의 10%를 줬다"라고 비판했다. 그러면서 TSMC가 이번에 미국에 투자한 것은 보조금이 아닌 트럼프 대통령의 관세 정책 때문이라고 설명한 뒤 "그들은 관세를 피할 수 있기 때문에 미국으로 온 것"이라면서 "지금 여러분은 트럼프 대통령의 힘을 보고 있다"라고 강조했다. 트럼프 대통령도 혼다 및 애플 등의 최근 투자 발표를 거론한 뒤 "다른 많은 회사들이 (투자계획을) 발표할 것"이라면서 "미국에 이런 일이 일어난 적이 없다"라고 의미를 부여했다. 그는 또 미국에서 생산해야 관세를 피할 수 있다는 점을 재거론한 뒤 "그것이 정확히 웨이 회장이 하는 일"이라면서 "만약 대만에서 만들고 미국으로 보낸다면 25%나 30%, 50% 등 어떤 수치가 됐든지 간에 관세를 부과받게 될 것이며 그것은 계속 올라갈 것이다. 그런 점에서 웨이 회장은 게임에서 훨씬 앞서간 것"이라고 말했다. 이에 앞서 TSMC는 조 바이든 정부 때 미국의 반도체 지원법에 따라 지난해 11월 대미 투자와 관련해 66억 달러(약 9조2000억 원)의 지원금을 받기로 미국 정부로부터 확정을 받았다. 바이든 전 대통령은 2022년에 반도체법(CHIPS and Science Act)에 서명, TSMC를 비롯해 삼성전자, SK하이닉스 등 반도체 기업의 미국 생산 및 연구에 총 527억 달러의 보조금 지급을 결정했다. TSMC 대변인은 지난달 새로운 행정부가 출범 전에 15억 달러를 받았다고 밝혔다. TSMC는 2028년에 생산을 시작할 것으로 예상되는 애리조나에 있는 두 번째 공장에서 2나노미터 기술을 생산하기로 합의했다. TSMC는 또한 애리조나에서 'A16'이라고 불리는 가장 진보된 칩 제조 기술을 사용하기로 합의했다. TSMC에 수여된 인센티브에는 최대 50억 달러 규모의 저비용 정부 대출이 포함돼 있다.
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- TSMC, 트럼프 정부의 반도체 정책 발맞춰 미국 투자 확대
- 세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 기업 TSMC가 도널드 트럼프 미국 대통령의 자국 내 반도체 생산 장려 정책에 적극적으로 호응하여 미국 투자 확대를 추진할 계획이라고 복수의 대만 언론이 소식통을 인용해 10일(현지시간) 보도했다. 10일부터 11일까지 양일간 미국 애리조나주 공장 부지에서 열리는 TSMC 이사회에서는 트럼프 대통령의 반도체 정책에 대한 투자 대응 방안이 핵심 의제로 논의될 예정이다. 특히, 이사회에서는 애리조나주 피닉스의 21팹(fab·반도체 생산공장)에 1.6㎚(나노미터·10억분의 1m) 공정 신규 건설 안건과 관련한 투자 결정이 이루어질 것으로 전망된다. TSMC는 이미 애리조나주 1공장(P1)에서 4나노 제품 양산을 개시했으며, 2공장(P2)은 올해 상량식 등을 마치고 2027년 3분기부터 3나노 제품 양산에 돌입할 계획이다. 나노는 반도체 회로 선폭을 의미하는 단위로, 선폭이 좁을수록 소비전력이 줄고 처리 속도가 향상된다. 현재 세계에서 가장 앞선 양산 기술은 3나노로 알려져 있다. TSMC는 2나노 이상의 최첨단 분야에서 상당한 우위를 점하고 있다는 것이 전문가들의 평가다. 또한, 3공장(P3)은 올해 기공식에 들어가 2027년 연말에 반도체 생산 설비를 구축할 예정이다. 대만 언론에 따르면, 애리조나 TSMC 공장 부지는 향후 6공장(P6)까지 확장이 가능한 445㏊(헥타르·1㏊는 1만㎡)에 달한다. 이사회에서는 이와 더불어 미국 내 첫 번째 첨단 패키징 공장 건설 계획에 대한 검토도 이루어질 것으로 전해졌다. 지난달 취임한 트럼프 대통령은 최첨단 반도체의 미국 내 생산과 반도체 관련 관세 추가 부과 등에 대한 입장을 여러 차례 표명하며 TSMC의 미국 내 생산 확대를 압박하고 있는 것으로 알려졌다. 한편, TSMC는 지난달 21일 대만 남부 타이난 지역에서 발생한 규모 6.4 지진으로 인해 53억 대만달러(약 2천300억원)의 손실이 발생한 것으로 잠정 평가된다고 이날 밝혔다. 당시 대만 남부과학산업단지(난커·南科) 내 TSMC 공장의 웨이퍼(반도체 제조용 실리콘판) 손상이 예상보다 심각하여 폐기 물량이 수만 장에 달할 것으로 파악되었다. 보험 정산을 거친 최종 순손실액은 1분기 실적에 반영될 예정이다. TSMC는 생산량 회복에 만전을 기하고 있으며, 영업이익률 등 연간 전망에는 변동이 없을 것이라고 밝혔다. TSMC는 2023년 4월에도 규모 7.2 지진의 여파로 그해 2분기 총이익률이 약 0.5%포인트 감소한 바 있다. 한편, 지난 1월 매출은 2932억8800만 대만달러(약 12조9600억원)로, 지난해 동기 대비 35.9% 증가한 것으로 나타났다.
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- TSMC, 대만 남부에 1나노 반도체 공장 건설 계획
- 세계 최대 파운드리(반도체 위탁 생산) 업체인 대만 TSMC가 대만 남부 지역에 최첨단 1㎚(나노미터·10억분의 1m) 공정 생산 공장 건립에 나선다. 연합보 등 대만 현지 매체들은 3일(현지시간) 복수의 소식통을 인용해 TSMC가 남부 타이난 사룬 지역에 12인치(305㎜) 웨이퍼(반도체 제조용 실리콘판) 제품을 생산하는 25팹(fab·반도체 생산 공장) 건설을 결정했다고 보도했다. 소식통에 따르면 해당 팹은 공장 6개가 들어설 수 있는 초대형 규모로 남부과학단지 관리국에 25팹 P1∼P3 공장에 1.4나노, P4∼P6 공장에 1나노 공정을 구축하는 계획을 제출한 상태다. 업계 관계자는 TSMC의 이 같은 행보가 남부과학단지 내 자사의 첨단 3·5나노 생산 공장과의 시너지 확대 및 인근 자이·가오슝·핑둥 등의 과학단지와 연계 등을 고려한 것으로 보인다고 설명했다. 중부과학단지 타이중 지구 확장 건설 상황에 따라 TSMC가 해당 지역에 1.4나노 공장을 건설하고 25팹 P1∼P3 공장에 1나노, P4∼P6 공장에 0.7나노 공정 건설로 계획을 수정할 가능성도 있는 것으로 전해진다. 나노는 반도체 회로 선폭을 의미하는 단위로, 선폭이 좁을수록 소비 전력이 줄고 처리 속도가 빨라진다. 현재 세계에서 가장 앞선 양산 기술은 3나노다. TSMC는 조 바이든 행정부에서 반도체지원법(칩스법)에 따라 66억 달러(약 9조6700억 원)의 보조금을 받아 애리조나 피닉스 등 미국 내 반도체 공장을 확대하는 등 해외 생산 거점을 늘려왔다. TSMC는 이를 통해 TSMC 공장의 외국 이전과 관련한 자국 내 우려를 불식시킬 계획인 것으로 알려졌다. 이에 대해 TSMC 측은 “공장 건설 장소 선정에 고려 사항이 많다”며 “대만은 주요 거점이며 공장 추가 건설과 관련해 어떠한 가능성도 배제하지 않고 있다”고 전했다. 인공지능(AI) 반도체 수요가 급증하면서 파운드리 업계 나노 경쟁은 격화하고 있는 추세다. 지난해까지는 3나노 공정 반도체가 첨단 칩 시장을 주도했고, 올해는 TSMC와 삼성전자 모두 2나노 칩을 양산할 계획이다. TSMC는 1나노대 초미세 공정 경쟁에서도 우위를 계속 가져가겠다는 전략인 것으로 분석된다. 당초 2027년 1.4나노 공정 도입을 계획했다. 하지만 지난해 이 계획을 1년 앞당겨 내년에 1.6나노 공정으로 반도체를 생산하겠다고 발표했다. 추격자인 삼성전자와 인텔은 2027년 1.4나노 공정을 도입한다는 계획이다.
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- IT/바이오
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- TSMC, 미국서도 첨단 반도체 양산 체제 갖춰-4나노 생산 돌입
- 세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 대만 TSMC가 미국 애리조나 공장에서 최첨단 4나노(1나노는 10억분의 1) 칩 양산을 시작했다고 지나 러몬도 미 상무장관이 밝혔다. 12일(현지시간) 로이터통신에 따르면 러몬도 상무장관이 인터뷰에서 "미국 역사상 처음으로 미국 땅에서 4나노 칩을 생산하고 있다"며 TSMC의 4나노 칩 양산 소식을 전했다. 러몬도 장관은 이어 "미국 노동자들이 대만과 동일한 수준의 수율과 품질로 첨단 4나노미터 칩을 생산하고 있다"며 "최근 몇 주간 생산이 시작됐다"고 설명했다. 러몬도 장관은 "이것은 큰 성과이자, 이전에는 한 번도 이뤄진 적이 없었고 많은 사람이 불가능하다고 생각했던 일"이라며 "이는 바이든 행정부의 반도체 노력에 이정표가 될 것"이라고 강조했다. 현재 가장 앞선 파운드리 상용 기술은 3나노 공정으로 TSMC와 삼성전자는 대만과 한국에서 각각 3나노 제품을 양산 중이다. 바이든 행정부는 막대한 보조금을 제공하며 글로벌 반도체 업체의 미국 내 공장 건설을 독려해 왔으며 지난해 11월 TSMC에 지급할 반도체 지원금 66억 달러를 확정했다. TSMC는 앞서 지난 4월 미국 내 투자 규모를 650억달러로 확대하고, 2030년까지 애리조나주에 2나노 공정이 활용될 세 번째 팹(fab·반도체 생산공장)을 건설한다는 계획을 발표하기도 했다. 러몬도 장관은 이는 상무부가 TSMC를 설득해 미국 내 계획을 확장하도록 했다고 말했다. 그는 "이 일은 저절로 이뤄진 것이 아니다"라며 "TSMC가 확장을 원하도록 우리가 설득해야 했다"고 밝혔다.
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- IT/바이오
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- 일본 라피더스, 브로드컴과 협력 6월까지 2나노 시제품 공급
- 일본 반도체 기업 라피더스가 미국 반도체 기업 브로드컴에 6월까지 최첨단 2나노(㎚·10억분의 1m) 반도체 시제품을 공급한다고 닛케이(日本經濟新聞)가 8일(현지시간) 보도했다. 2022년 설립된 라피더스는 고객사가 설계한 반도체를 수탁 생산하는 업체로 오는 4월 2나노 제품의 시험 생산에 나서며 2027년부터 양산 공장을 가동한다는 목표를 세워둔 상태다. 공장을 안정적으로 가동하기 위해서는 고객을 우선 확보해야 하는데 세계 5위 반도체 업체인 브로드컴과 손을 잡게 되는 것이다. 브로드컴은 라피더스의 2나노 반도체 성능을 확인한 후 데이터 센터용 반도체 등의 생산을 라피더스에 위탁할 계획이다. 닛케이는 "유력 고객을 위한 시제품 생산이 성공하면 본격적인 사업화를 위해 한 걸음 더 나아가게 된다"고 평가했다. 팹리스(반도체 설계전문) 업체인 브로드컴은 인공지능(AI) 칩 선두 주자인 엔비디아처럼 자체 AI 칩을 개발하지는 않는다. 그러나 거대 정보통신기업과 맞춤형 칩 개발을 통해 AI칩 시장의 80% 이상을 장악한 엔비디아를 위협할 수 있다는 전망이 나오고 있다. 이에 따라 지난달 브로드컴의 시가총액은 처음으로 1조 달러(약 1460조 원)를 넘어섰다. 브로드컴은 데이터 센터용 반도체 설계에 강점을 갖고 있으며 구글이나 메타 등을 고객으로 두고 있다. 라피더스는 브로드컴과 협력함으로써 브로드컴 고객사에 반도체를 공급할 수 있게 된다. 라피더스는 브로드컴 이외에도 일본 스타트업 프리퍼드 네크웍스로부터 2나노 제품을 수탁생산 할 예정이다. 아울러 대만 팹리스 업체인 알칩(Alchip·世芯), 유니칩(GUC·創意)과도 협업을 추진하고 있다. 라피더스는 고객 확보를 위해 신흥 기업을 중심으로 30∼40개 업체와 반도체 수탁 생산 협상을 진행 중이다. 라피더스는 도요타, 키옥시아, 소니, NTT, 소프트뱅크, NEC, 덴소, 미쓰비시UFJ은행 등 일본 대표 대기업 8곳이 첨단 반도체 국산화를 위해 2022년 설립한 회사다.
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- [우주의 속삭임(90)] 우주의 찰나의 불꽃, 고속 전파 폭발의 기원 밝혀져
- 극도로 밀집된 천체에서 방출되는 찰나의 강력한 전파 폭발, 고속 전파 폭발(FRB-Fast Radio bursts))의 기원이 마침내 밝혀졌다. 미국 MIT 연구진은 FRB 20221022A로 명명된 고속 전파 폭발을 분석해 그 근원이 중성자별의 자기권임을 규명하는 데 성공했다고 Phys가 1일(현지시간) 전했다. 이번 연구 결과는 학술지 네이처(Nature) 최신호에 게재됐다. 고속 전파 폭발(FRB)은 밀리초 길이의 전파 펄스다. 그 에너지는 너무 강력해서 수십억 광년을 이동하여 지구에서도 감지될 수 있다. 2007년 최초로 발견된 이후, 수천 개의 고속 전파 폭발이 관측되었지만, 그 발생 원리는 여전히 베일에 싸여 있었다. 이러한 우주 전파 섬광은 1,000분의 1초라는 찰나의 순간 동안 은하 전체를 밝힐 만큼 막대한 에너지를 방출한다. 일각에서는 이 현상이 외계 문명에서 기원했을 가능성도 제기됐다. 하버드-스미소니언 천체물리학 센터의 아비 로브 교수 등 일부 이론물리학자들이 이런 주장을 펼쳤다. '섬광 기법'으로 전파 신호의 정확한 위치 파악 MIT 연구진은 FRB 20221022A의 밝기 변화를 분석하는 '섬광' 기법을 통해 전파 신호의 정확한 위치를 파악했다. 연구 결과, FRB는 일부 기존 모델에서 예측했던 먼 거리에서 기원한 것이 아니라, 발생원과 매우 가까운 곳에서 비롯된 것으로 확인됐다. 연구진은 FRB 20221022A가 회전하는 중성자별에서 최대 10,000km 떨어진 곳에서 발생했다고 추정했다. 이는, 뉴욕과 싱가포르까지의 거리보다 가깝다. 이는 폭발이 중성자별을 둘러싼 강력한 자기 영역, 즉 자기권에서 발생했음을 시사한다. 이번 연구는 고속 전파 폭발이 극도로 밀집된 천체 주변의 자기권에서 발생할 수 있다는 결정적인 증거를 최초로 제시했다는 점에서 큰 의미가 있다. 연구를 주도한 MIT 카블리 천체물리학 및 우주 연구소의 켄지 니모 박사는 "중성자별의 자기장은 우주에서 생성될 수 있는 가장 강력한 수준에 이른다"며 "이러한 극한 환경에서 밝은 전파가 방출되고 탈출할 수 있는지에 대한 오랜 논쟁이 있었다"고 말했다. MIT 물리학과 키요시 마스이 부교수는 "자기장이 강력한 중성자별 주변에서는 원자가 존재할 수 없다. 강력한 자기장에 의해 원자는 해체된다"며, "흥미로운 점은 자기장에 저장된 에너지가 꼬이고 재구성되어 우주의 절반을 가로질러 관측 가능한 전파로 방출될 수 있다는 사실"이라고 강조했다. CHIME 망원경이 관측한 고속 전파 폭발 이 연구는 캐나다 수소 강도 매핑 실험(CHIME) 망원경의 관측 데이터를 기반으로 수행됐다. CHIME은 2020년 이후 전 우주에서 수천 개의 FRB를 탐지하며 고속 전파 폭발 연구에 새로운 지평을 열었다. MIT 연구진은 CHIME를 이용해 FRB 20221022A라는 고속 전파 폭발을 관측하고 섬광 현상을 분석했다. 이 폭발은 약 2밀리초 동안 지속되었으며, 밝기 면에서는 일반적인 FRB와 유사했다. 그러나 맥길 대학교 연구진은 FRB 20221022A에서 독특한 특징을 발견했다. 폭발에서 나온 전파는 편광각이 S자 곡선을 그리며 부드럽게 변하는 높은 편광을 보였다. 이는 폭발 지점이 회전하고 있음을 나타내며, 강력한 자기장을 가진 회전하는 중성자별인 펄서에서 관측되는 특징과 유사하다. 고속 전파 폭발에서 이와 같은 편광이 관측된 것은 처음이다. 이는 신호가 중성자별 근처에서 방출됐음을 암시한다. 맥길 대학교 연구팀의 결과는 네이처(Nature)지에 함께 게재됐다. MIT 연구진은 FRB 20221022A가 중성자별 근처에서 발생했다면 섬광을 이용하여 이를 입증할 수 있다고 판단했다. 니모 박사 연구팀은 CHIME 데이터를 분석하여 밝기의 급격한 변화, 즉 섬광 현상을 관측했다. 연구진은 전파를 굴절시키고 걸러내는 가스가 망원경과 FRB 사이 어딘가에 존재한다는 사실을 확인했다. 연구팀은 이 가스의 위치를 파악한 결과, FRB가 속한 은하 내 가스가 섬광 현상의 원인임을 밝혀냈다. 이 가스는 자연적인 렌즈 역할을 하여 연구진이 FRB 발생 지점을 확대해 분석할 수 있도록 했다. 그 결과 폭발이 약 10,000km 폭의 매우 작은 영역에서 발생한 것을 확인했다. 니모 박사는 "이는 FRB가 발생원으로부터 수십만 km 이내에 위치함을 의미한다"며 "이는 매우 가까운 거리다. 만약 충격파에서 발생했다면 신호는 수천만 km 이상 떨어져 있어야 하며 섬광 현상은 전혀 관찰되지 않았을 것"이라고 설명했다. 마스이 부교수는 "2억 광년 떨어진 곳에서 10,000km 영역을 확대하는 것은 달 표면에서 약 2나노미터 폭의 DNA 나선의 너비를 측정하는 것과 같다"며 "상상하기 어려울 정도로 정밀한 수준"이라고 말했다. 이번 연구 결과는 맥길 대학교 연구팀의 결과와 함께, FRB 20221022A가 중성자별 외곽이 아닌 자기권에서 발생했다는 가능성을 최초로 입증했다. 이는 고속 전파 폭발이 매우 강력한 자기장이 존재하는 환경에서 중성자별과 가까운 위치에서 방출될 수 있음을 시사한다. 마스이 부교수는 "이러한 폭발은 매일 일어나고 있으며 CHIME은 하루에도 여러 개를 감지한다"며 "발생 방식과 위치에 다양한 차이가 있을 수 있다. 섬광 기법은 이러한 폭발을 일으키는 다양한 물리적 현상을 분석하는 데 매우 유용할 것"이라고 강조했다. 이번 연구는 고속 전파 폭발의 발생 메커니즘을 규명하는 데 중요한 단서를 제공하며, 우주에 대한 이해를 넓히는 데 크게 기여할 것으로 기대된다.
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- IT/바이오
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- 삼성전자, 美 텍사스 공장 2026년 조기 가동⋯상무부 보조금 6.9조 확정
- 삼성전자가 미국 텍사스주 테일러시에 건설 중인 최첨단 반도체 공장 가동에 속도를 낸다. 미국 상무부가 20일(현지시간) 삼성전자에 47억 4500만 달러(약 6조 9000억 원) 규모의 반도체 보조금 지원을 최종 확정했기 때문이다. 이는 당초 예상보다 줄어든 규모지만, 삼성전자는 2026년 테일러 공장 가동 목표를 앞당기고 첨단 로직 반도체 생산 및 R&D 허브로 육성할 계획이다. 지나 라이몬도 미 상무부 장관은 "삼성전자의 투자로 미국은 세계에서 유일하게 5대 첨단 반도체 제조업체를 모두 보유한 국가가 됐다"며 "미국 내 반도체 생태계 강화와 공급망 안정화에 크게 기여할 것"이라고 평가했다. [미니해설] 美 반도체 보조금 확보⋯삼성, 테일러 공장으로 글로벌 경쟁 '정조준' 삼성전자가 미국 반도체법에 따른 보조금 지원을 확정받으며 텍사스주 테일러시에 건설 중인 차세대 반도체 공장 가동 준비에 박차를 가하고 있다. 이는 미국이 반도체 제조 경쟁력 강화를 위해 2022년 제정한 칩스법(CHIPS Act)의 일환으로, 미·중 기술 패권 경쟁 속에서 자국 내 반도체 생산 기반을 강화하려는 미국의 전략적 행보로 풀이된다. 47억 달러 지원⋯삼성, "첨단 미세공정 개발 가속화" 삼성전자는 미국 상무부와의 협상 끝에 47억 4500만 달러(약 6조 9000억 원)의 보조금을 확보했다. 당초 발표된 64억 달러보다 감소했지만, 삼성전자는 이를 통해 2026년 테일러 공장 가동을 앞당기고 첨단 로직 반도체 생산 및 연구개발(R&D) 허브로 육성할 계획이다. 2030년까지 총 370억 달러 이상을 투자하여 최첨단 3나노, 2나노급 반도체 생산 라인을 구축하고, 파운드리(반도체 위탁생산) 사업 경쟁력 강화에 나선다는 전략이다. 삼성전자 관계자는 "중장기 투자 계획을 수정해 전반적인 투자 효율성을 최적화했다"며 "이번 지원을 통해 첨단 미세공정 개발에 박차를 가하고, 미국 내 고객사와의 협력을 강화할 것"이라고 밝혔다. 이번 보조금 지원은 미국 정부가 글로벌 반도체 제조 공급망 주도권을 확보하기 위한 핵심 전략으로 풀이된다. 지나 라이몬도 미 상무부 장관은 "삼성전자에 대한 이번 투자로 미국은 세계에서 유일하게 5대 첨단 반도체 제조업체(삼성전자, TSMC, 인텔, 마이크론, 글로벌파운드리)를 모두 보유한 국가가 됐다"고 강조했다. 미국은 칩스법을 통해 자국 내 반도체 생산 시설 유치에 총력을 기울이고 있다. 텍사스인스트루먼트(TI)는 텍사스주와 유타주에 총 180억 달러를 투자하며 16억 1000만 달러의 보조금을 지원받았고, 앰코는 애리조나주에 첨단 반도체 패키징 시설을 구축하기 위해 4억 700만 달러를 지원받는 등 반도체 기업들의 미국 내 투자가 활발히 이뤄지고 있다. 격화되는 미·중 반도체 전쟁…삼성, '기술 초격차'로 승부수 글로벌 반도체 시장은 미·중 기술 패권 경쟁 심화 속에 치열한 경쟁 국면에 접어들었다. 대만 TSMC는 내년부터 2나노미터(㎚) 공정 제품 양산에 돌입할 예정이며, 미국 인텔도 78억 달러 규모의 보조금을 확보하며 공격적인 투자에 나서고 있다. 중국은 미국산 칩의 안정성에 대한 의혹을 제기하며 견제에 나서는 등 반도체를 둘러싼 갈등이 고조되고 있다. 이러한 상황에서 삼성전자는 이번 보조금을 기반으로 2나노 공정 생산량 확대와 테일러 공장 가동에 전력을 다할 것으로 보인다. 한진만 삼성전자 파운드리사업부장은 "내년에 가시적인 턴어라운드를 기대할 수 있을 것"이라며 첨단 공정 기술 개발에 대한 강한 의지를 드러냈다. 삼성전자는 '기술 초격차' 전략을 통해 글로벌 파운드리 시장 1위인 TSMC를 추격하고, 인텔 등 경쟁사를 따돌리겠다는 목표다. 테일러 공장, '글로벌 반도체 허브' 도약…삼성, 미래 성장 동력 확보 테일러 공장은 삼성전자의 미래 성장 동력 확보를 위한 핵심 거점으로 부상할 전망이다. 삼성전자는 이곳에 최첨단 로직 반도체 생산 라인과 연구개발 시설을 구축하여 미국 내 주요 고객사와의 협력을 강화하고, 안정적인 공급망을 구축하여 글로벌 반도체 시장에서의 영향력을 확대할 계획이다. 업계 전문가들은 "삼성전자의 테일러 공장은 단순한 생산 기지를 넘어 글로벌 반도체 기술 경쟁력 확보와 안정적인 공급망 구축에 중추적인 역할을 담당할 것"이라며 "미·중 기술 패권 경쟁 속에서 삼성전자가 어떤 전략으로 글로벌 리더십을 강화해나갈지 주목된다"고 분석했다.
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- 산업
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- 삼성전자, '전영현號' 출범…반도체 위기 돌파, 메모리 초격차 회복 '사활'
- 삼성전자가 반도체 사업 진출 50주년을 앞두고 대대적인 인적 쇄신을 단행했다. 27일 발표된 정기 사장단 인사에는 위기에 빠진 반도체 사업의 '초격차' 경쟁력을 회복하고 '반도체 명가'의 자존심을 지켜내겠다는 굳은 의지가 담겼다. 특히 지난 5월 반도체 사업을 총괄하는 디바이스솔루션(DS) 부문장에 구원투수로 영입된 전영현 부회장이 대표이사로 내정되면서 주력 사업인 메모리를 중심으로 한 '전영현 체제'가 더욱 공고히 구축되었다. '메모리 우선' 전략 가속화…HBM 경쟁력 강화에 사활 최근 불거진 '삼성 위기론'의 핵심은 삼성전자의 핵심 사업인 반도체 부문의 부진이다. 인공지능(AI) 시대 핵심 부품인 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 주도권을 놓치고 파운드리 사업의 적자가 지속되면서 실적 부진의 늪에서 벗어나지 못하고 있는 상황이다. 이러한 위기를 타개하고 경쟁력을 회복하기 위해 삼성전자는 이번 인사에서 메모리와 파운드리를 중심으로 DS 부문의 대대적인 분위기 쇄신을 꾀했다. 가장 주목되는 인사는 DS부문장인 전영현 부회장의 대표이사 내정과 메모리사업부장 겸임이다. 이는 메모리 사업 1위 지위를 회복하고 경쟁력 강화에 총력을 기울이겠다는 이재용 삼성전자 회장의 강력한 의지가 반영된 것으로 분석된다. 전영현 부회장은 2000년 삼성전자 메모리사업부에 입사하여 D램 개발을 담당했으며, 2014년에는 메모리사업부장을 역임한 바 있는 메모리 전문가다. 전 부회장은 취임 이후 '메모리 초격차' 회복을 최우선 과제로 삼고 HBM 경쟁력 강화에 사활을 걸고 있다. 지난 7월에는 HBM 개발팀을 신설했으며, 최근에는 HBM4(6세대)부터 파운드리 1위 기업인 대만 TSMC와의 협력 가능성도 시사했다. '전영현號' 삼성전자, 반도체 위기 극복하고 '초격차' 시대 다시 열까 이번 인사를 통해 삼성전자는 메모리 사업에 힘을 집중하고 HBM 경쟁력 강화를 통해 반도체 사업의 위기를 극복하고 '초격차' 시대를 다시 열겠다는 강력한 의지를 보여주고 있다. '전영현號' 삼성전자가 반도체 시장의 판도를 바꿀 수 있을지 귀추가 주목된다. 더불어 '전략 전문가'인 김용관 사장이 DS부문에 새롭게 마련된 경영전략담당 자리에 오른 만큼 엔비디아와의 협력, 파운드리 고객사 확보 등 고객 사업에도 박차를 가할 것으로 예상된다. 한편 전 부회장은 경계현 사장이 맡았던 SAIT(옛 삼성종합기술원) 원장도 겸임하며 메모리 기술 경쟁력 회복에 온 힘을 쏟을 것으로 보인다. 전 부회장의 전임으로 DS부문을 이끌었던 경 사장은 SAIT 원장에 이어 미래사업기획단장 자리도 고한승 삼성바이오에피스 대표이사 사장에게 넘기고 물러날 것으로 전해졌다. 안기현 한국반도체산업협회 전무는 "이번 인사는 (HBM과 같은) D램 쪽에 힘을 싣기 위한 것으로 당연한 결정"이라며 "메모리가 삼성전자의 핵심 수익원이자 경쟁력이고, 이제는 선택과 집중을 통한 전략이 나와야 할 때"라고 말했다. 파운드리 경쟁력 강화 삼성전자는 이번 인사에서 파운드리 부문의 시장 장악력과 기술 경쟁력을 강화하겠다는 의지를 내비쳤다. 파운드리는 주문 부진과 낮은 가동률에 적자 탈출이 늦어지면서 삼성전자 실적의 발목을 잡고 있다. 대만 TSMC와의 격차도 더욱 커지고 있다. 삼성전자는 위기를 타개할 돌파구로 우선 파운드리 수장을 전격 교체했다. 미국에서는 삼성전자의 반도체 사업을 이끌어온 한진만 DS부문 미주총괄 부사장이 사장으로 승진해 파운드리 사업부장을 맡는다. 파운드리 사업이 고객 주문 사업인만큼 한 사장은 미국에서 쌓아온 글로벌 네트워크를 적극 활용해 파운드리 사업 경쟁력 강화에 나설 것으로 보인다. 특히 최근 이재용 회장이 파운드리와 시스템LSI(설계) 사업의 분사에 관심 없다고 밝힌 만큼, 사업 지속 의지에 따른 무게감이 반영된 인사로 해석된다. 또 파운드리사업부에 사장급 최고기술책임자(CTO) 직책을 신설해 힘을 실었다. 파운드리 CTO를 맡은 남석우 사장은 반도체 연구소에서 메모리 전 제품 공정 개발을 주도한 반도체 공정 개발 및 제조 전문가다. 이번에 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당에서 자리를 옮겼다. 파운드리 업계에서 2나노 이하 미세공정 경쟁이 심화되는 가운데 남 사장은 시장 선점을 위한 선단 공정 기술 경쟁력 강화에 집중할 것으로 예상된다. 남 사장이 반도체 공정 전문성과 풍부한 제조 경험 등 오랜 기간 쌓아온 기술 리더십을 바탕으로 파운드리 기술력 향상을 이끌 것으로 삼성전자는 기대했다. 이처럼 삼성전자 반도체 사업부에 변화의 바람이 불어닥친 가운데 안정을 함께 추구한 점도 눈에 띈다. 비메모리 실적 부진으로 당초 교체 가능성이 제기된 시스템LSI사업부장에는 2021년 말 선임된 박용인 사장이 유임됐다.
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- IT/바이오
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- [신소재 신기술(136)] 나노파스타, 상처 드레싱의 새로운 혁명…초박막 기술로 치유 잠재력
- 유니버시티 칼리지 런던(ULC: University College London)의 화학자 팀이 일반 밀가루, 액체, 그리고 청색광 파장보다 좁은 372나노미터 폭에 불과한 가닥을 만들 수 있는 전기 충전 장비를 이용, 세계에서 가장 얇은 스파게티를 만들었다고 ULC가 공식 홈페이지를 통해 전했다. 만들어진 스파게티는 소위 나노파스타로서, 너무 가늘기 때문에 전자 현미경으로만 볼 수 있다고 한다. 전분으로 만들어졌지만 너무 가늘어 식재료로 사용될 수는 없고, 의학 등 다른 용도로 활용이 기대된다. 이 연구는 나노스케일 어드밴시스 저널에 발표됐다. 게시글에 따르면, ULC 화학자 팀은 나노파스타를 사용해 2cm 폭의 매트를 만들었다. 매트는 당연히 육안으로 보이지만, 매트를 구성하고 있는 개별 섬유는 보이지 않는다. 밀가루와 액체 포름산은 '전기 방사'라는 기술을 사용해 방적됐다. 생 파스타 혼합물은 전하로 바늘 끝을 통해 당겨져 머리카락보다 200배 더 얇은 스파게티를 형성했다. 연구를 주도한 애덤 클랜시 박사는 게시글에서 "스파게티는 물과 밀가루 혼합물을 금속 구멍에 밀어 넣어 만들어진다. 연구팀도 같은 방법을 사용했지만, 전하로 밀가루 혼합물을 끌어당겼다는 점이 다르다. 같은 스파게티지만 이것이 훨씬 가늘다"라고 말했다. 개발된 스파게티는 세계에서 가장 얇다. 지금까지 개발된 두 번째로 얇은 것은 너비가 400마이크론으로 이번에 개발된 것보다 약 1000배 더 굵으며, 이는 기계로 만들어지지 않았다. 수 필린데우(Su filindeu: 신의 실을 의미하거나 아랍어로 머리카락을 의미하는 단어에서 유래했을 수 있음)라는 이름의 스파게티는 사르데냐의 누오로 시에서 약 10명의 여성이 직접 만들었다. 연구팀의 개러스 윌리엄스 교수는 "개발된 스파게티는 안타깝게도 파스타(스파게티를 포함한 면요리 통칭)로는 유용하지 않다. 팬에 넣으면 1초도 채 걸리지 않아 너무 익는다"고 말했다. 그렇다면 이 얇은 스파게티 기술을 어디에 쓸 수 있을가. 연구팀이 제안하는 것은 의학 분야다. 당연히 연구팀도 새로운 파스타를 개발하려고 한 것이 니었다. 연구팀은 개발된 전분 나노실, 즉 나노파스타를 다른 기술 응용 분야에 활용할 계획이며, 그중 몇몇은 의료계에서 사용될 것을 기대하고 있다. 윌리엄스는 "전분으로 만든 나노섬유는 다공성이기 때문에 상처 드레싱에 사용할 수 있는 잠재력을 갖고 있다. 또 세포 조직을 재생하기 위한 지지대로 활용하는 연구가 활발하다"고 설명했다. 클랜시도 "전분은 풍부하고 재생 가능하기 때문에 유망한 활용 소재다. 셀룰로스에 이어 지구상에서 두 번째로 큰 바이오매스 공급원이며 생분해성이 있어 체내에서 분해될 수 있다"고 덧붙였다. 그러나 전분을 정제하려면 많은 가공이 필요하다. 이번 연구 성과는 밀가루를 사용해 나노섬유를 만드는 더 간단한 방법이 가능하다는 것을 보여주었다. 연구팀은 다음 단계로 나노파스타의 특성을 추가 조사할 계획이다. 예를 들어, 나노파스타는 얼마나 빨리 분해되는지, 세포와 어떻게 상호 작용하는지, 그리고 대량 생산이 가능한지 등을 연구할 방침이다.
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- IT/바이오
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- 대만 TSMC, 내달 미국 공장서 4나노 공정 제품 첫 정식 생산 예정
- 세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 업체인 대만 TSMC가 오는 12월 미국 애리조나 공장에서 첨단 4㎚(나노미터·10억분의 1m) 공정 기술을 채택한 웨이퍼를 정식 생산할 예정이다. 연합보 등 대만언론들은 4일(현지시간) 소식통을 인용해 TSMC가 내달 초 애리조나 피닉스의 21팹(fab·반도체 생산공장)의 1공장 완공식을 거행한 후 TSMC 4나노 기술을 채택한 12인치(305㎜) 웨이퍼의 정식 생산에 들어가고 양산 시점은 내년 1분기 예정이라고 보도했다. 애리조나 공장은 TSMC가 처음 해외에 설립하는 12인치(300㎜) 웨이퍼 공장으로 클린룸 면적이 일반 로직(시스템) 반도체 공장의 2배에 달하는 메가 팹(Mega Fab) 설계를 채택한 것으로 알려졌다. TSMC는 2020년부터 미국 애리조나주 피닉스에 400억달러를 투자해 두 곳의 생산공장을 짓기 시작했다.TSMC의 애리조나 1공장(Fab 21 P1)은 지난 9월부터 4나노 공정 가동에 들어갔으며 첫 고객사는 애플로 알려졌다. 2공장(Fab 21 P2)은 3나노 공정으로 예정돼 있었으나 4나노 주문이 폭증하자 일단 4나노 공정으로 운영하다가 3나노 공정으로 전환할 계획이다. TSMC에 따르면 애리조나 공장 면적은 약 445㏊(헥타르·1㏊는 1만㎡)로 1기 공정(1공장)은 올해 하반기 4나노 양산 예정이었으나 내년 1분기로 일정이 미뤄졌다. 2기 공정은 2026년부터 3나노 생산 예정이었으나 2028년으로 연기됐다. 3기 공정은 2나노 또는 A16(1.6나노급) 공정을 도입할 예정이며 2030년 양산 계획이 잡혀 있다. 한편 지난 25일 트럼프 전 대통령은 TSMC, 삼성전자 등 미국에 공장을 짓는 반도체 기업에 보조금을 지급하는 반도체법을 정면 비판하며 관세 부과 압박으로 글로벌 기업이 미국에 공장을 짓도록 만들어야 한다고 주장했다. TSMC는 미국에 650억달러를 투자하고 66억달러의 보조금을, 삼성전자는 440억달러를 투자하고 64억달러의 보조금을 받기로 돼 있다. 트럼프 전 대통령이 미국 제조업 육성을 위해 기업의 법인세를 현행 21%에서 15%로 낮추겠다고 했기 때문에 TSMC가 여전히 미국에 공장을 지을 긍정적 유인이 있다는 평가도 나온다. 경제일보는 이와 함께 트럼프의 대선 승리시 TSMC가 미국 애리조나주에 4공장, 심지어 5공장, 6공장 건설계획을 한꺼번에 발표함으로써 차기 대통령의 체면을 세워줄 수 있다고 보도했다. 신문은 정통한 소식통을 인용해 미국 애리조나주에 있는 TSMC 1공장 로비에는 전체 부지 내 6개 생산라인의 모형도가 전시돼 있으며 이는 이미 발표한 1~3공장 외에 4~6공장의 확장 계획까지 준비 중임을 의미한다고 전했다.
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- IT/바이오
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- TSMC, 2나노 웨이퍼 가격 3만 달러…4·5나노의 2배 "초격차 전략"
- 세계 최대 파운드리(반도체 수탁 기업) 기업인 대만 TSMC가 차세대 2나노미터(nm) 공정 웨이퍼 가격을 장당 3만 달러(약 4039만 원)로 책정하며 반도체 업계에 파란을 일으켰다. 8일 공상시보 등 대만 언론은 소식통을 인용하여 TSMC가 2025년 양산 예정인 2나노 공정 제품에 대해 이와 같은 가격 정책을 확정했다고 보도했다. 이는 기존 4나노 및 5나노 웨이퍼 가격(약 1만5000달러)의 두 배에 달하는 수준으로, TSMC의 압도적인 기술력에 대한 자신감을 여실히 드러낸 것으로 풀이된다. 업계 전문가들은 TSMC의 이러한 가격 책정이 첨단 웨이퍼 시장에서의 독점적 지위를 공고히 하고, 기술 리더십을 더욱 강화하려는 전략의 일환으로 분석하고 있다. 실제로 TSMC는 2나노 공정 개발에서 경쟁사들을 압도하며 기술적 우위를 확보한 것으로 평가받고 있다. 이에 앞서 TSMC는 지난 8월, 전 세계적인 인공지능(AI) 열풍에 힘입어 주력 제품인 3나노 및 5나노 공정 제품 가격을 8% 인상했다. 이번 2나노 웨이퍼 가격 책정은 AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야의 폭발적인 성장과 맞물려 TSMC의 매출 증대에 크게 기여할 것으로 전망된다. 대만 언론은 AI와 HPC가 첨단 공정 및 패키징 기술 수요를 견인하며 향후 5년간 파운드리 산업 성장의 핵심 동력이 될 것으로 내다봤다. 올해 전 세계 파운드리 시장 규모는 전년 대비 14% 증가한 1591억 달러(약 214조2000억원)에 이를 것으로 예상되며, 2025년에는 1840억 달러(약 247조7000억원), 2029년에는 2700억 달러(약 363조 5000억 원)까지 성장할 것으로 전망했다. nm(나노미터)는 반도체 회로 선폭을 나타내는 단위로, 선폭이 좁을수록 소비 전력이 감소하고 처리 속도는 향상된다. 현재 양산 기술의 최첨단은 3나노 공정이며, TSMC는 2나노 공정에서도 선두 자리를 굳건히 지키며 반도체 업계의 '초격차'를 이어갈 것으로 기대된다.
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- IT/바이오
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- TSMC, '2나노' 가오슝 공장 내년 가동⋯차세대 노광장비도 곧 도입
- 세계 최대 파운드리 기업인 대만 TSMC가 남부 가오슝(高雄)에 건설하고 있는 첨단 2나노 1·2 공장이 내년 가동될 예정인 것으로 알려졌다. 자유시보 등 대만언론들은 18일(현지시간) 소식통을 인용해 이같이 보도했다. 보도에 따르면 TSMC는 오슝 난쯔 과학단지에 2나노 공장 3곳을 건설할 계획으로, 해당 1·2공장(PI, P2)이 각각 2025년 1분기와 3분기에 운영을 시작할 예정인 것으로 전해졌다. 아울러 해당 단지에 4공장과 5공장 증설 여부를 평가 중이고, 해당 공장에서 1.4나노 공정이 배치될 가능성이 높다고 덧붙였다. 또 내년 상반기 4나노 공정 제품을 양산할 예정인 미국 애리조나주 피닉스 1공장의 수율이 지난달 말까지 70%를 넘어서면서 남부 타이난의 남부과학단지 내 18 팹(fab·반도체 생산공장)과 비슷한 수준에 도달한 것으로도 전해졌다. TSMC는 글로벌 파운드리 시장 1위 자리를 굳건히 하고 있는 상황에서 최선단공정 제조에 필요한 '하이 NA EUV' 노광장비도 이달 말 도입하기로 했다. 당초 예정했던 시기보다 1분기 이상 빠르게 앞당기면서 초미세공정 두고 주도권을 다투는 삼성전자보다 한 발 빠른 행보를 보이고 있다. 인텔이 파운드리 사업에서 극심한 부진을 겪으면서 TSMC가 경쟁에서 발 빠르게 치고 나갈 수 있는 환경도 갖춰진다. 반면 삼성전자는 3년 뒤에나 해당 장비를 확보할 것으로 전해져 설치부터 가동까지 최적화 작업에 상당한 시간이 소요된다는 점에서 도입 시기를 앞당기는데 주력할 것으로 보인다.
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- IT/바이오
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- 오픈AI 등 글로벌 테크기업, TSMC 1.6나노 공급 쟁탈전…차세대 AI 주도권 노린다
- 세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 대만 TSMC가 오는 2026년 하반기 양산 예정인 1.6㎚(나노미터·10억분의 1m) 반도체칩에 대한 수요가 벌써부터 대기상태에 돌입한 것으로 알려졌다. 3일(현지시간) 대만 연합보에 따르면 애플이 TSMC의 1.6㎚ 공정인 A16 기술을 활용한 첫번째 칩 생산을 예약한 데 이어 '챗GPT' 개발사인 오픈AI도 예약 명단에 이름을 올렸다. A16 기술은 칩 뒷면을 통해 전력을 공급하고 차세대 나노시트 트랜지스터를 탑재해 성능을 높인 것이 특징이다. 최근 수요가 급증하는 인공지능(AI) 칩 고객을 겨냥해 개발됐다. TSMC는 개별 고객사에 관해 언급하지 않는다는 입장이지만, 업계는 오픈AI가 엔비디아에 대한 의존도를 낮추려 주문형 반도체(ASIC) 개발에 적극적으로 나선 만큼 차세대 공정 확보는 자연스러운 수순이라고 보고 있다. 현재 오픈AI는 ASIC 칩 개발을 위해 미국 반도체 설계 기업 브로드컴, 마벨 등과 협력하고 있는데, 브로드컴과 마벨 역시 TSMC의 고객이다. 따라서 오픈AI와 이들 기업이 협력해 개발한 ASIC 칩은 TSMC의 3㎚ 공정과 이후 1.6㎚ 공정에서 순차적으로 생산될 전망이다. TSMC는 지난 4월 앞서 밝힌 2025년 2㎚와 2027년 1.4㎚ 로드맵 중간에 1.6㎚ 공정을 적용하겠다고 깜짝 발표했다. TSMC는 "AI 칩 업체들의 수요로 예상보다 빨리 새로운 A16 칩 제조 프로세스를 개발했다"며 "A16은 칩 뒷면에서 전력을 공급할 수 있어 AI 칩의 속도를 높일 수 있다"고 설명했다. 케빈 장 TSMC 사업개발담당 수석부사장은 당시 구체적인 고객사는 언급하지 않고 "스마트폰 제조업체보다 AI 칩 제조업체가 이 기술(A16)을 가장 먼저 채택할 가능성이 높다"며 "AI 칩 제조 기업들은 칩 설계를 최적화해 그 성능을 극대화하려고 하고 있다"고 말했다. 2년 뒤 예정된 공정에 큰손 고객들이 줄을 서면서 TSMC가 미세공정 경쟁에서 주도권을 쉽게 뺏기지 않을 것이란 평가가 나온다. 삼성전자는 TSMC와 유사하게 내년 2㎚, 2027년 1.4㎚ 공정 양산을 계획하고 있으나, 3㎚ 이하 공정에서 여전히 대형 고객사 수주에 어려움을 겪고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 2분기 TSMC의 세계 파운드리 시장 점유율(매출 기준)은 62.3%, 삼성전자 11.5%, 중국 SMIC 5.7% 순이다. 3년 전 파운드리 사업에 재도전장을 낸 인텔은 당초 올해 말 1.8㎚ 공정을 양산한다는 계획이었으나, 실적 부진으로 파운드리 사업을 축소하거나 분리·매각하는 방안을 검토 중인 것으로 전해졌다.
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- 삼성전자, 업계 최박형 12나노급 모바일 D램 양산 개시…초슬림 기기 설계 혁신 이끌어
- 삼성전자는6일 업계 최소 두께를 자랑하는 차세대 모바일 D램, 12나노급 LPDDR5X D램 12GB(기가 바이트) 및 16GB 패키지의 양산을 시작한다고 발표했다. 이번 신제품은 두께가 단 0.65mm에 불과해, 현존하는 12GB 이상 LPDDR D램 중 가장 얇은 초박형 솔루션이다. 삼성전자는 독보적인 반도체 기술력을 바탕으로 업계 최소 크기의 12나노급 LPDDR D램을 4단으로 적층하고, 첨단 패키지 기술 및 ECM 기술을 최적화해 이러한 혁신을 이뤄냈다. 이를 통해 기존 제품 대비 두께를 약 9% 감소시키고 열저항은 21.2% 개선하는 쾌거를 달성했다. 특히, 웨이퍼 박판화 기술인 백랩(Back-lap) 공정을 극대화해 궁극의 슬림함을 구현한 점이 주목할만하다. 모바일 D램은 저전력, 고성능, 고용량 특성은 물론, 얇은 패키징 기술 또한 중요한 경쟁력으로 꼽힌다. 최근 모바일 기기의 초슬림화 및 고성능화 추세에 발맞춰 모바일 D램 역시 점점 얇아지고 있다. 이는 곧 기기 내부 발열 관리에도 직결되는 문제다. 삼성전자의 이번 신제품은 얇아진 두께만큼 확보된 여유 공간을 통해 원활한 공기 흐름을 유도하고 기기 내부 온도를 효과적으로 제어한다. 일반적으로 고성능이 필요한 온디바이스 인공지능(AI)은 발열 때문에 기기 온도가 일정 구간을 넘기면 성능을 제한하는 온도 제어 기능이 작동한다. 이번 제품을 탑재하면 온디바이스 AI 구동 시 발생하는 발열 문제를 해결해, 속도와 화면 밝기 저하 등 기기 성능 저하를 최소화하고 사용자 경험을 극대화할 수 있다. 시장조사기관 옴디아는 고성능 스마트폰에 탑재되는 모바일 D램의 유닛당 용량이 2028년까지 약 2배 이상 증가할 것으로 전망했다. 이제 LPDDR D램은 모바일을 넘어 AI 가속기, PC, 전장 등 다양한 분야에서 핵심 메모리 솔루션으로 자리매김하고 있다. 삼성전자는 이번 0.65mm 모바일 LPDDR5X D램을 모바일 애플리케이션 프로세서 및 모바일 제조사에 신속하게 공급해 저전력 D램 시장의 지배력을 강화할 방침이다. 더 나아가, 6단 구조 기반 24GB 및 8단 구조 32GB 모듈 역시 업계 최박형 LPDDR D램 패키지로 개발해 기술 리더십을 공고하 할 계획이다. 배용철 삼성전자 메모리 사업부 상품기획실장은 "고성능 온디바이스 AI 시대의 도래와 함께 LPDDR D 램의 성능 향상 뿐만 아니라 효율적인 온도 제어 역량 또한 중요한 화두로 떠올랐다" 며 "삼성전자는 시장의 지석적인 초박형 저전력 D램 개발과 고객 맞춤형 솔루션 제공을 통해 시장의 요구에 부응하고 혁신을 선도해 나갈 것이다"라고 밝혔다.
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- 삼성전자, 반도체 2분기 영업익 6.5조원…TSMC 넘어섰다
- 삼성전자가 '메모리 반도체 혹한기'를 극복하고 화려하게 부활했다. 올해 2분기 반도체 사업에서만 6조원이 넘는 영업이익을 달성하며 반도체 시장의 반등을 이끌었다. 특히 최근 급성장한 인공지능(AI) 시장이 메모리 반도체 수요를 견인하며 가격 상승을 이끌었고, 이는 삼성전자 반도체 부문의 실적 개선을 넘어 전체 실적을 끌어올리는 견인차 역할을 톡톡히 했다. 메모리 반도체 업황 부진으로 지난해 어려움을 겪었던 삼성전자는 올해 들어 감산 효과와 AI 시장 확대로 반도체 수요가 회복되면서 실적 반등에 성공했다. 특히 챗GPT 등 생성형 AI 서비스 확산으로 고성능 메모리 반도체인 HBM 수요가 급증하면서 삼성전자의 반도체 사업은 새로운 성장 동력을 확보했다는 평가다. 이러한 반도체 사업의 호조는 삼성전자 전체 실적에도 긍정적인 영향을 미쳤다. 2분기 영업이익은 10조원을 돌파하며 시장 전망치를 뛰어넘는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 증권가에서는 하반기에도 메모리 반도체 가격 상승세가 이어지면서 삼성전자의 실적 개선 추세가 지속될 것으로 전망하고 있다. 2분기 사업 부문별 실적을 살펴보면, 반도체 사업을 책임지는 디바이스솔루션(DS) 부문은 28조5600억원의 매출과 6조4500억원의 영업이익을 달성했다. 특히 DS 부문 매출은 2022년 2분기 이후 처음으로 TSMC의 매출을 뛰어넘는 성과를 거두었다. 메모리 사업은 생성형 AI 서버용 제품 수요 급증과 기업용 자체 서버 시장 확대에 힘입어 DDR5, 고용량 SSD 등의 수요가 늘어나면서 시장 회복세를 이어갔다. 시스템LSI 사업은 주요 고객사의 신제품에 탑재되는 시스템온칩(SoC), 이미지센서 등의 공급 확대로 실적이 개선되어 상반기 기준 역대 최고 매출을 기록했다. 파운드리 사업은 5나노 이하 초미세 공정 수주 증가에 힘입어 AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야 고객사가 전년 대비 약 2배 늘어났다. 또한, 게이트올어라운드(GAA) 2나노 공정 설계 키트 개발 및 배포를 통해 고객사들의 제품 설계가 본격화되었으며, 2025년 2나노 양산 준비도 순조롭게 진행되고 있다. 디바이스경험(DX) 부문은 42조 700억원의 매출과 2조7200억원의 영업이익을 기록했다. 스마트폰 사업을 이끄는 모바일 경험 부문은 2분기 스마트폰 시장의 전통적인 비수기 영향으로 신제품 출시 효과를 누렸던 1분기보다 매출이 감소했다. 하지만 갤럭시 S24 시리즈는 2분기 및 상반기 출하량과 매출 모두 전년 동기 대비 두자릿수 성장을 기록하며 선전했다. 영상디스플레이(VD) 사업은 '2024 파리 올림픽' 등 대형 스포츠 이벤트 특수에 힘입어 선진 시장을 중심으로 전년 대비 매출이 증가했다. 생활가전 사업 역시 에어컨 성수기 진입과 비스포크 AI 신제품 판매 호조로 실적 회복세를 이어가고 있다. 하만(Harman)은 매출 3조6200억원, 영업이익 3200억원으로 실적 개선을 이루었다. 하만은 삼성전자가 2017년 인수한 미국 오디오 전문 기업이다. 디스플레이(SDC)는 유기발광다이오드(OLED) 판매 호조 등으로 7조6500억원의 매출과 1조100억원의 영업이익을 달성했다. 2분기 시설 투자 12조원대 삼성전자의 2분기 시설투자액은 12조1000억원으로, 이 중 반도체에 9조9000억원, 디스플레이에 1조 8000억원을 투자했다. 또한, 역대 최대 규모인 8조 500억원의 연구개발(R&D) 비용을 집행하며 4분기 연속 최대 R&D 투자 기록을 경신했다. 하반기에도 메모리 반도체 가격 상승세가 지속되면서 메모리 중심의 수익성 개선 추세가 이어질 것으로 예상된다. 특히 '온디바이스 AI' 시대 도래와 주요 클라우드 서비스 제공업체 및 기업들의 AI 서버 투자 확대로 고성능·고용량 D램과 낸드 수요가 급증할 것으로 전망된다. KB증권 김동원 연구원은 "범용 D램 매출 비중이 연말로 갈수록 확대될 것으로 예상되어 하반기 실적 개선 폭이 더욱 커질 것"이라며 "현재 반도체 사이클에서는 HBM보다 범용 D램에 주목해야 한다"고 분석했다. 흥국증권 이의진 연구원은 "연말로 갈수록 생산량 증가보다 평균판매단가(ASP) 상승에 따른 실적 개선이 지속될 것"이라고 전망했다. 하반기 HBM3E 판매 비중 증가 계획 HBM3 출하량 증가와 HBM3E 양상 여부는 하반기 실적 개선에 대한 기대감을 높이는 요인이다. 삼성전자는 현재 HBM3E의 품질 검증을 진행 중이며, 블룸버그통신은 익명의 소식통을 인용해 "삼성전자의 HBM3E가 2~4개월 내에 품질 테스트를 통과할 것"이라고 보도했다. 이에 따라 삼성전자는 HBM 생산 능력을 확대하여 5세대 HBM인 HBM3E 판매 비중을 늘릴 계획이다. 서버용 D램 분야에서는 1b나노 32Gb DDR5 기반의 128GB, 256GB 모듈 등 고용량 제품을 중심으로 시장 경쟁력을 강화할 예정이다. 낸드 플래시 메모리 분야에서는 서버, PC, 모바일 등 다양한 분야에 최적화된 QLC SSD 제품군을 기반으로 고객 수요에 신속하게 대응할 계획이다. 시스템LSI 사업은 플래그십 스마트폰에 탑재될 엑시노스 2500의 안정적인 공급에 역량을 집중할 예정이다. 업계 최초 3나노 공정이 적용된 웨어러블 제품의 초기 시장 반응이 긍정적이며, 하반기에는 주요 고객사의 SoC 채용 모델 확대가 예상된다. 파운드리 사업은 모바일 제품 수요 회복과 함께 AI 및 고성능 컴퓨팅 분야 제품 수요 증가가 기대된다. 삼성전자는 초미세 공정 사업 확대와 GAA 3나노 2세대 공정 본격 양산을 통해 올해 시장 성장률을 뛰어넘는 매출 성장을 목표로 하고 있으며, 하반기에도 AI 및 고성능 컴퓨팅 분야 수주를 확대할 계획이다.
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- 삼성전자, '종합 반도체' 강점 앞세워 파운드리 생태계 확장…TSMC 추격 가속화
- 삼성전자가 파운드리(반도체 위탁 생산) 생태계 확장을 위해 다양한 파트너사와 협력을 강화하고 있다. 파운드리 후발주자인 삼성전자는 종합 반도체 회사의 강점을 살려 생태계를 키워 세계 파운드리 1위인 대만 TSMC 추격에 속도를 낸다는 전략이다. 삼성전자는 9일 서울 강남구 코엑스에서 개최한 '삼성 파운드리 포럼 및 SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼 2024'에서 종합 반도체 기업으로서의 강점을 살려 디자인 솔루션, 설계자산(IP), 설계 자동화 툴(EDA), 테스트 및 패키징(OSAT) 등 다양한 분야의 100여 개 파트너사와 협력하며 파운드리 생태계를 구축하고 있다고 밝혔다. 특히 EDA 파트너사 수는 경쟁사인 TSMC를 넘어섰으며, 5300개 이상의 IP를 확보하는 등 빠른 속도로 성장하고 있다. 공정별 핵심 IP를 모두 보유하고 있으며, 파트너사들과 지속적으로 협력해 포트폴리오는 계속 성장 중이라는 게 회사 측 설명이다. 삼성전자 파운드리는 글로벌 EDA 기업인 시높시스, 케이던스 등 IP 파트너와 선제적이고 장기적인 파트너십을 구축하며 IP 개발에 노력 중이다. 그 결과 2017년 파운드리사업부 출범 당시 14곳이던 IP 파트너는 현재 3.6배인 50곳으로 늘어났다. 삼성전자는 2나노 반도체 설계를 위한 IP 확보 계획을 발표하고, 고성능컴퓨팅(HPC) 및 인공지능(AI) 분야의 폭발적인 수요 증가에 대응하여 디자인 서비스 업체(DSP)와의 협력을 강화하고 있다. 국내 DSP 업체와의 협력을 통해 턴키 솔루션을 제공하며, 한국 팹리스 기업들의 HPC 및 AI 시장 진출을 지원하고 있다. DSP 업체들은 팹리스가 설계한 반도체를 파운드리가 제조할 수 있게 돕는 회로 분석, 설계오류 수정, 설계 최적화 등 디자인 서비스를 제공한다. 고객들은 DSP와 같은 지역에 있으면 신속하고 밀접한 서비스를 받는 등 파운드리 이용 편의가 높아진다. 이번 파운드리 포럼에서 삼성전자는 국내 DSP 업체 가온칩스와 협력해 일본 프리퍼드 네트웍스(PFN)의 AI 가속기 반도체를 수주한 성과를 소개했다. 삼성전자는 PFN의 AI 가속기 반도체를 2나노 공정을 기반으로 양산하고 2.5D 패키지 기술까지 모두 제공하는 턴키 반도체 솔루션을 수주한 것. 기존 패키지가 단순히 칩을 외부와 전기적으로 연결하고 보호하는 역할이었다면, 최근에는 패키지의 역할이 칩으로 구현하기 어려운 부분의 보완으로까지 확대되는 양상이다. 이에 삼성전자는 기술적 한계를 넘어서기 위해 2.5D 및 3D 패키지 기술 등 새로운 융복합 패키지 개발에 주력하고 있다. 특히 삼성전자는 파운드리만 하는 TSMC와 달리 파운드리를 품은 종합 반도체 기업으로서 강점을 파운드리 생태계 구축을 부각하고 있다. AI 시대를 맞아 고객의 AI 아이디어 구현을 위해 파운드리 기술은 물론 메모리, 패키지 분야와의 협력을 통해 시너지를 창출하는 차별화 전략을 강조하고 있다. 고성능·저전력 반도체에 최적화한 차세대 트랜지스터 GAA(Gate-All-Around) 공정 기술, 적은 전력으로도 고속 데이터처리가 가능한 광학소자 기술 등을 활용한 '원스톱 AI 솔루션'을 내세웠다. 통합 솔루션을 활용하는 팹리스 고객은 파운드리, 메모리, 패키지 업체를 각각 사용할 때보다 칩 개발부터 생산에 걸리는 시간을 약 20% 단축할 수 있다는 게 삼성전자의 설명이다. 삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 GAA 구조를 적용한 3나노 양산을 시작했다. 올해 하반기에는 2세대 3나노 공정 양산에 돌입할 예정이다. TSMC는 GAA보다 한 단계 아래 기술로 평가받는 기존 핀펫(FinFET) 트랜지스터 구조를 3나노에 활용 중이며, 2나노 공정부터 GAA를 적용한다는 계획이다. 최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장은 이날 파운드리 포럼 기조연설에서 "삼성전자는 국내 팹리스 고객과의 긴밀한 협력을 위해 첨단 공정뿐만 아니라 AI, 고성능 저전력 반도체, 고감도 센서 등 다양한 분야의 특화된 공정 기술을 지원하고 있다"며, "AI 시대에 발맞춰 고객에게 최적화된 맞춤형 AI 솔루션을 제공하여 차별화된 가치를 창출해 나갈 것"이라고 강조했다.
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- TSMC, 내년 설비투자 50조원까지 확대
- 세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 기업 대만 TSMC가 내년도 자본지출(설비투자) 규모를 최대 약 50조 원으로 확대할 방침이다. 연합보 등 대만언론은 1일(현지시간) 소식통들을 인용해 TSMC가 2나노(나노미터·10억분의 1m) 반도체 등 최첨단 공정 연구개발(R&D) 확대와 2나노 관련 수요 증가로 인해 공정 업그레이드를 위한 관련 생산 설비 도입에 나섰다면서 이같이 밝혔다. 한 소식통은 TSMC가 남부과학단지에 관련 생산시설을 확충할 계획이라며 이를 위한 내년 설비투자 금액이 올해 280억∼320억 달러(약 38조6000억∼44조1000억 원)에서 12.5∼14.3% 늘어난 320억∼360억 달러(약 44조1000억~49조6000억 원)에 달할 것으로 내다봤다. 그러면서 2025년도 설비 투자 금액이 2022년(362억 9000만 달러)에 이어 역대 두 번째가 될 것이라고 덧붙였다. 다른 소식통은 미국 애플 외에 다른 고객사들도 최근 인공지능(AI) 붐에 따라 적극적으로 TSMC의 2나노 제품 채택을 고려하고 있다고 밝혔다. 그는 TSMC가 북부 신주과학단지 바오산 지역과 남부 가오슝( 高雄) 난쯔(楠梓) 과학산업단지 등 대만 전역에 최소 8개의 2나노 공장을 배치할 계획이라고 전했다. 이어 남부과학산업단지의 2나노 공장에서는 2025년 말부터 2026년에 양산이 시작될 것으로 내다봤다. 이와 관련해 TSMC 측은 이같은 보도에 대해 논평하지 않겠다고 밝혔다. 이어 설비투자와 2나노 관련 상황에 대해서는 지난 4월 실적설명회에서 밝힌 것처럼 시장의 장기적 수요를 토대로 신중하게 대처할 것이라고 설명했다. 이에 앞서 웨이저자(魏哲家) TSMC 회장은 지난달 초 언론 인터뷰에서 생산능력 확대를 위해 2021년부터 3년간 1000억 달러(약 137조8000억 원) 규모의 투자 계획을 지난해 종료했다고 밝혔다. 나노는 반도체 회로 선폭을 의미하는 단위로, 선폭이 좁을수록 소비전력이 줄고 처리 속도가 빨라진다. 현재 세계에서 가장 앞선 양산 기술은 3나노다. 2나노 부문에서는 TSMC가 대체로 우세한 것으로 전문가들은 평가하고 있다.
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- 삼성전자, AI칩 '원스톱' 솔루션 제공…2027년 첨단 파운드리 기술 도입
- 삼성전자가 2027년 첨단 파운드리(반도체 위탁생산) 기술을 도입해 인공지능(AI) 칩 개발에서부터 위탁생산, 조립에 이르기까지 AI 칩 생산을 위한 원스톱 서비스를 강화한다고 12일(현지시간) 발표했다. 삼성전자는 이날 미국 실리콘밸리에서 '삼성 파운드리 포럼 2024'를 개최, AI 시대를 주도할 반도체 부문의 기술 전략을 공개했다. 종합 반도체 기업으로서의 장점을 극대화해 AI 열풍에 따른 AI 칩 수요에 적극적으로 대응하고, 세계 최대 파운드리 업체인 대만의 TSMC를 추격할 계획이다. 삼성전자는 현재 파운드리와 메모리, 어드밴스드 패키지(첨단 조립)를 '원팀'으로 제공하고 있는 AI 칩 생산을 위한 원스톱 턴키(일괄) 서비스를 2027년 더욱 강화할 계획이라고 밝혔다. 삼성전자는 현재 파운드리의 시스템 반도체와 메모리의 고대역폭(HBM), 이를 패키징하는 통합 'AI 솔루션'을 통해 고성능 저전력 AI 칩 제품을 출시 해오고 있다. 이를 통해 기존 공정 대비 칩 개발에서부터 생산에 걸리는 시간을 약 20% 단축하고 있다고 삼성전자는 설명했다. 2027년에는 새로운 파운드리 기술을 도입해 이를 더욱 강화한다는 방침이다. 먼저 2027년까지 2나노(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 공정에 '후면전력공급(BSPDN)' 기술을 도입(SF2Z)하기로 했다. 삼성전자는 이미 내년부터 2나노 공정을 시작한다고 밝혔다. 여기에 '후면전력공급' 기술을 탑재한다는 것이다. '후면전력공급'은 전력선을 웨이퍼 후면에 배치해 전력과 신호 라인의 병목 현상을 개선하는 고난도 기술로, 전세계적으로 아직 상용화 사례가 없다. 그동안 반도체 전력선은 웨이퍼 앞면에 회로를 그렸지만, 후면전력공급에 의해 후면에도 회로를 그리게 되면 초미세화 공정을 구현할 수 있는 '게임 체인저'로 평가됐다. 대만 TSMC는 2026년 말 2나노 이하 1.6공정에 '후면전력공급' 기술을 도입하겠다고 밝힌 바 있다. 삼성전자는 후면전력공급 기술을 통해 기존 2나노 공정 대비 소비전력·성능·면적의 개선 효과와 함께 전류의 흐름을 불안정하게 만드는 전압 강하 현상을 대폭 줄여 고성능 컴퓨팅 설계 성능을 향상할 것으로 기대하고 있다. 또한 삼성전자는 2027년에는 AI 솔루션에 적은 전력 소비로도 고속 데이터 처리가 가능한, 빛을 이용한 광학 소자 기술까지 통합할 계획이다. 게다가 2025년에는 기존 4나노 공정에 칩을 더 작게 만들면서 성능을 높이는 '광학적 축소' 기술을 도입(SF4U)해 양산할 예정이라고 말했다. 지난 4월 TSMC가 2026년부터 1.6나노 공정 양산 계획을 발표하자, 업계에서는 삼성전자도 1.4나노 양산 시점을 앞당길 수 있을 것이라고 전망했다. 삼성전자는 그러나 이날 2027년 1.4나노 공정 양산 계획을 재확인하며 "목표한 성능과 수율을 확보하고 있다"고 밝혔다. 수율은 웨이퍼 1장에 설계된 최대 칩 개수 대비 실제로 생산된 정상 칩의 개수를 백분율로 나타낸 수치이다. 수율이 높을 수록 생산성이 좋아지고, 수율이 낮으면 불량품이 많아져 손실이 커지고, 생산 비용도 증가하게 된다. 삼성전자 파운드리 사업부 최시영 사장은 이날 기조연설에서 "AI 시대 가장 중요한 건 AI 구현을 가능케 하는 고성능·저전력 반도체"라며 "AI 반도체에 최적화된 게이트올어라운드(GAA) 공정 기술과 광학 소자 기술 등을 통해 AI 시대 고객들이 필요로 하는 원스톱 AI 솔루션을 제공할 것"이라고 말했다. 이날 행사에는 영국 반도체 설계 기업인 암(Arm) 르네 하스 최고경영자(CEO)와 캐나다 AI 반도체 기업 그로크의 조나단 로스 CEO 등이 각각 협력사가 참여했다. 이들은 고객사 자격으로 무대에 올라 'AI 시대에 가속화되는 컴퓨트 플랫폼'과 '생성형 AI를 위한 그로크의 전환'을 주제로 연설했다. 한편, 올해 1분기 파운드리(반도체 위탁생산) 세계 1위 업체인 대만 TSMC와 삼성전자의 시장 점유율 격차가 더 커진 것으로 나타났다. 12일 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 글로벌 10대 파운드리 업체의 올해 1분기 합산 매출은 291억7200만달러로, 전 분기 대비 4.3% 감소했다. TSMC의 1분기 매출은 188억4700만달러로 전 분기 대비 4.1% 감소했다. AI 관련 고성능컴퓨터(HPC) 수요 강세에도 스마트폰 등 소비재 재고 비수기에 따른 것으로 해석된다. 다만 다른 경쟁사들의 부진으로 TSMC의 시장 점유율은 61.7%로 전 분기(61.2%)보다 0.5%포인트 증가했다. 업계 2위인 삼성전자의 1분기 매출은 33억5700만달러로, 7.2% 감소했다. 시장 점유율은 11.0%로 전 분기(11.3%)보다 0.3%포인트 감소했다. 이에 따라 TSMC와 삼성전자 간 점유율 격차는 2023년 4분기 49.9%포인트에서 2024년 1분기에 50.7%포인트로 확대됐다.
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