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2024-11-22 (금)

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북해 해안에서 미세플라스틱 핫스팟 발견⋯"플라스틱 오염 심각"

영국 북해 해안에서 미세 플라스틱 오염 핫스팟이 발견되어 해양 오염의 심각성을 드러냈다. 영국 환경·어업·양식 과학센터(CEFAS) 연구팀은 2022년 북해 해역에서 특수 제작된 '뉴스턴 미세 플라스틱 카타마란(기계식 유량계와 플라스틱 포집망이 달린 부유식 뗏목)'을 이용하여 미세 플라스틱 농도를 측정했다. 그 결과, 북해 남부 해안에서 미세 플라스틱 농도가 최대 2만5000개/㎢ 이상으로 나타났으며, 평균 농도는 약 8700개/㎢ 이상으로 나타났으며, 평균 농도는 약 8700/㎢ 에 달했다. 이는 인근 스코틀랜드 해역(평균 4500개/㎢)이나 북동 대서양(평균 3200개/㎢)보다 훨씬 높은 수치이다. 최대 5mm에 달하는 미세 플라스틱의 주요 성분은 폴리에틸렌(67%), 폴리프로필렌(16%), 폴리스티렌(8%) 등으로, 일상생활에서 흔히 사용되는 비닐봉투, 플라스틱 용기, 장난감 등에서 발생하는 것으로 추정된다. 중플라스틱(5~25mm)과 거대플라스틱(25mm) 이상은 각각 2000개/㎢과 1000개/㎢의 농도로 존재했으며 주로 큰 플라스틱이 분해되어 파생된 파편과 필라멘트로 구성되어 있지만 마이크로비즈와 필름도 발견됐다. 연구팀은 이러한 미세 플라스틱 핫스팟이 해류를 통해 다른 나라에서 유입된 플라스틱 쓰레기의 영향을 받았을 것으로 분석했다. 영국에서는 2018년부터 화장품과 퍼스널 케어 제품에 마이크로비즈 사용이 금지되었지만, 북해 해안에서 발견된 플라스틱은 해류를 타고 다른 나라에서 이 지역으로 유입된 것으로 추정된다. 모든 해양 쓰레기에서 11가지 색상의 플라스틱이 확인되었으며, 대부분 흰색으로 비닐봉지에서 비롯된 것으로 나타났다. 연구팀은 북해의 미세 플라스틱 오염 농도는 스페인 북부 해안(2017년, 약 25만4000개/㎢), 포르투갈 서부 해안(2019년, 약 4만개/㎢), 카나리아 제도(2024년, 약 100만개/㎢) 등 다른 지역보다는 낮지만, 해양 생태계에 심각한 위협이 될 수 있다는 점을 강조했다. 연구팀은 플라스틱 오염 문제를 위해 영국 해양 전략, 북동 대서양 환경 전략, 유엔 환경 계획 등 다양한 국가 및 국제적 노력이 필요하다고 강조했다. 이번 연구 결과는 프론티어스 인 마린 사이언스(Frontiers in Marine Science)에 게재됐다. 플라스틱 수요는 매년 4억톤을 초과하는 등 꾸준히 증가하고 있다. 한국의 잠실에 있는 롯데타워는 무게가 약 75만톤이다. 플라스틱 4억톤은 롯데타워 약533개를 합친 것과 같은 엄청난 양이다. 참고로 롯데타워는 높이 553m로 2024년 10월 2일 기준 세계에서 여섯 번째로 높은 빌딩이다. 최근 연구에 따르면 미세 플라스틱은 호흡만으로도 우리 몸에 침투할 수 있다. 지난 9월 16일 JAMA 네트워크 오픈 저널에 발표된 연구에 따르면 미세 플라스틱이 처음으로 인간의 후각 중추에서 발견됐다. 입자의 크기는 5.5 마이크론에서 26.4 마이크론까지 다양했다. 그동안의 연구에서는 뇌 장벽이 미세 플라스틱과 같은 독성 입자가 뇌에 들어가지 못하도록 막는 것으로 여겨졌다. 해당 연구는 뇌에서 처음으로 미세 플라스틱이 발견된 것으로 연구진은 치매와 같은 신경계 질환을 일으킬 수 있다고 우려했다. 이전 연구에서는 인간의 폐, 태반, 내장, 간, 혈액, 고환, 심지어 정액에서도 미세 플라스틱이 발견됐다. 인체 곳곳에서 미세 플라스틱이 검출되고 있는 현실은 매우 우려스럽다. 마래 세대를 위해 바다, 육지, 그리고 우리가 숨쉬는 공기까지 플라스틱 오염을 줄이기 위한 전 세계적인 노력이 시급하다.
- 생활경제
2024-10-02
3분기 반도체 최대 매출 예상, 삼성·SK 선전…SK, 3위 도약 전망

상반기 우리나라 '수출 효자' 역할을 감당했던 반도체가 하반기에도 상승세를 이어갈 것이라는 전망이 나왔다. 인공지능(AI) 효과로 반도체 시장이 회복세를 보이면서 삼성전자와 SK하이닉스가 나란히 올해 3분기 역대 최대 매출을 기록할 것이라는 예측이다. 특히 SK하이닉스는 처음으로 미국 기술대기업 인텔의 매출 규모를 앞지를 것으로 전망됐다. 18일 시장조사기관 옴디아에 따르면 올해 3분기(7∼9월) 글로벌 반도체 업계(파운드리 제외)의 총 매출 예상치는 1758억6600만달러로, 2분기(1621억800만달러) 대비 8.5%가량 늘어날 것으로 전망됐다. 'AI' 선두기업 미국 엔비디아가 2분기에 이어 3분기에도 최대 매출을 올리며 점유율 1위(16.0%)를 유지할 것으로 예상됐다. 옴디아가 예상한 엔비디아의 3분기 매출 규모는 281억300만달러다. 앞서 엔비디아는 지난달 28일(현지시간) 2분기(5∼7월)에 매출 300억4000만달러를 기록, 사상 처음으로 분기 매출 300억달러를 넘겼다고 밝혔다. 3분기(8∼10월) 매출은 325억달러에 이를 것으로 예상했다. 삼성전자는 3분기 반도체 매출로 217억1200만달러를 기록하며, 2018년 3분기 이후 6년 만에 최고 기록을 경신할 것으로 예상된다. 시장 점유율 12.3%로 2위 자리를 굳건히 유지하게 된다. SK하이닉스 또한 올해 2분기 최고 매출 기록을 단숨에 뛰어넘어 3분기 매출 128억3400만달러(점유율 7.3%)를 기록하며, 인텔을 누르고 글로벌 3위로 도약할 전망이다. 옴디아가 2002년부터 반도체 업계 매출을 집계한 이래 SK하이닉스가 인텔을 추월하는 것은 이번이 처음이다. 이러한 성과는 AI 시장의 급성장으로 HBM 등 고부가 메모리 수요가 급증한 덕분으로 분석된다. 그러나 최근 증권가에서는 스마트폰, PC 등 기기 수요 회복 지연과 고객사 재고 조정 등을 이유로 삼성전자와 SK하이닉스의 3분기 실적 전망치를 다소 하향 조정하는 움직임이 나타나고 있다. 인텔은 올해 3분기 매출이 121억3400만 달러로 전 분기 대비 소폭 감소하며 4위(점유율 6.9%)로 하락할 것으로 전망된다. 과거 삼성전자와 반도체 매출 1위를 다투던 인텔은 지난해 3분기 엔비디아에게 1위 자리를 내준 후, 지난해 4분기에는 삼성전자에게 2위 자리마저 빼앗겼다. 최근에는 실적 부진으로 대규모 구조조정에 돌입하는 등 창사 이래 최대 위기를 겪고 있다. 한편, 브로드컴은 퀄컴을 추월하여 3분기 매출 5위로 올라설 것으로 예측된다. 옴디아는 브로드컴의 3분기 매출을 84억 5200만 달러(점유율 4.8%)로 예측했는데, 이는 퀄컴의 예상 매출 82억6100만 달러(점유율 4.7%)를 근소하게 앞서는 수치이다. 그 뒤를 이어 마이크론 75억 6100만 달러(4.3%), AMD 66억2000만 달러(3.8%), 애플 55억900만 달러(3.1%), 인피니온 42억8700만 달러(2.4%) 순으로 예상된다.
- IT/바이오
2024-09-18
마이크론, 5세대 12단 HBM3E 제품개발 완료⋯공격적인 라인증설 계획

미국 마이크론 테크놀로지(이하 마이크론)가 5세대 HBM(HBM3E) 12단 제품 개발을 완료했다. 이에 따라 마이크론은 HBM 개발은 물론 공격적인 라인 증설까지 계획하면서 삼성전자와 SK하이닉스를 바짝 쫓게 됐다. 마이크론은 최근 자사 웹사이트를 통해 HBM3E 12단 시제품을 공급하고 있다고 공식 발표했다. 사측은 "주요 고객사에 승인(퀄) 테스트를 위한 12단 HBM3E를 출하하고 있다"고 설명했다. 마이크론은 자사의 36기가바이트(GB) HBM3E 12단 제품이 경쟁사 제품보다 뛰어나다고 자신했다. 이들은 HBM3E 12단 칩이 경쟁사의 24GB짜리 8단 HBM보다 50%나 많은 용량을 확보했지만, 전력 소모는 훨씬 적다고 소개했다. 세계 최대 파운드리 회사인 TSMC와의 협력도 공고하게 다지고 있다. TSMC 관계자는 마이크론과의 HBM3E 12단 협력에 대해 "TSMC의 패키징 공정에 마이크론의 HBM을 결합해 AI 고객사들의 혁신을 지원할 수 있을 것"이라고 평가했다. 마이크론은 SK하이닉스, 삼성전자에 이은 D램 업계 3위 회사다. 최근 AI 업계에서 화두가 되고 있는 HBM 분야에서도 후발 주자에 머문다. 하지만 마이크론의 기세는 매섭다. 연초 세계 AI 반도체 1위인 엔비디아에 HBM3E 8단 양산품을 삼성전자보다 먼저 공급하며 저력을 과시했다. 업계에서는 마이크론이 이번 HBM3E 12단 제품 역시 엔비디아의 프리미엄 AI용 칩인 B100, B200 탑재를 겨냥했을 것으로 보고 있다. 또한 마이크론은 HBM 생산능력 확대를 위한 공격적인 투자를 집행하고 있다. D램 생산·패키징 공정이 집약돼 있는 대만 타이중 공장을 HBM 라인으로 확대한 데 이어서 낸드 생산 거점이 있는 싱가포르 공장까지 HBM 후공정 라인으로 증축하는 계획을 세운 것으로 파악된다. 마이크론은 엔비디아·AMD 등 미국의 주요 '빅테크' 기업 외에도 AI 수요가 폭증하고 있는 중국에 보급형 HBM을 공급하는 영업 전략을 세운 것으로도 전해졌다.
- IT/바이오
2024-09-12
[신소재 신기술(93)] 미국 버팔로대학, 세계 최고 성능 초전도체 와이어 개발…에너지 혁신 앞당겨

미국에서 세계 최고 성능의 초전도체 와이어가 개발됐다. 미국 버팔로 대학교 화학생물공학과 아미트 고얄 교수 연구팀이 세계 최고 성능의 초전도(HTS) 와이어 개발에 성공했다고 Phys. org, 인터레스팅엔지니어링 등 다수 외신이 전했다. 이번에 개발된 와이어는 섭씨 영하 268도에서 영하 196도 사이의 온도에서 작동한다. 이는 다른 초전도체의 작동 온도인 절대 영도보다는 높지만 여전히 극저온 환경이다. HTS 와이어는 전력 손실 없이 전기를 전송할 수 있어 미래 에너지 시스템의 핵심 요소로 주목받고 있다. 해상 풍력 발전소의 전력 출력을 두 배로 높이고, 초전도 자기에너지 저장 시스템을 구축하는 등 에너지 인프라 분야에서 다양한 활용이 기대된다. 또한, 최근에는 핵융합 원자로, 차세대 이미징 및 분광 기술에도 적용되고 있다. HTS 와이어는 비교적 높은 온도에서 작동하는 장점이 있지만, 제조 비용이 높다는 단점이 있었다. 버팔로 대학교 연구팀은 이러한 문제를 해결하기 위해 기존의 이온 빔 보조 증착(IBAD) 기술과 나노기둥 결함 기술을 결합한 새로운 방식을 개발했다. 나노기둥 결함 기술은 절연 또는 초전도 물질을 초전도체에 통합하여 더 높은 초전류 흐름을 가능하게 하는 기술이다. 연구팀은 희토류 바륨 구리 산화물(REBCO) 와이어에 펄스 레이저 증착 시스템을 사용하여 HTS 필름을 제작했다. 또한 캐나다 맥마스터 대학교와 이탈리아 살레르노 대학교와의 협력을 통해 원자 해상도 현미경 및 초전도 특성 측정을 수행했다. 이번에 개발된 HTS 와이어는 5 켈빈(-268℃)에서 77 켈빈(-196℃)까지 모든 자기장 및 온도에서 최고의 임계 전류 밀도와 고정력을 달성했다. 특히, 4.2 켈빈에서 외부 자기장 없이 제곱센티미터당 1억 9000만 암페어의 전류를 전달했으며, 7 테슬라의 자기장에서는 제곱센티미터당 9000만 암페어를 전달했다. 또한, 상용 핵융합 반응 온도인 20 켈빈에서는 외부 자기장 없이 제곱센티미터당 1억 5000만 암페어, 7 테슬라 자기장에서는 제곱센티미터당 6000만 암페어 이상의 전류를 전달하는 데 성공했다. 이러한 성과는 0.2 마이크론 두께의 HTS 필름으로 달성되었다는 점에서 더욱 주목할 만하다. 일반적으로 이 정도의 전류를 전달하려면 10배 더 두꺼운 HTS 와이어가 필요하다. 이 연구의 책임 저자인 아미트 고얄 박사는 "이러한 결과는 산업이 상업용 코팅 도체의 가격 대비 성능 지표를 크게 개선하기 위해 증착 및 제조 조건을 더욱 최적화하는 데 도움이 될 것"이라면서 "가격 대비 성능 지표를 더욱 유리하게 만드는 것은 초전도체의 수많은 대규모 예상 응용 분야를 완전히 실현하는 데 필요하다"고 말했다. 이번 연구는 학술지 '네이처 커뮤니케이션'에 게재됐다.
- 포커스온
2024-08-09
미국, SK하이닉스에 6200억원 보조금 지원⋯대출지원·세제혜택도

미국에 반도체 공장을 짓는 SK하이닉스가 미국 정부로부터 최대 4억5000만달러(약 6200억원)의 보조금을 받는다. 미국 상무부는 6일(현지시간) SK하이닉스의 인디애나주 반도체 패키징 생산기지 투자와 관련해 최대 4억5000만달러의 직접보조금, 5억달러의 대출을 지원하는 내용의 예비거래각서(PMT, Preliminary Memorandum of Terms)에 서명했다고 발표했다. SK하이닉스는 지난 4월 38억7000만달러(약 5조2000억원)를 들여 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 AI(인공지능) 반도체 핵심 부품인 HBM(고대역폭메모리) 생산 시설을 건설한다고 밝혔다. AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하고 퍼듀대 등 현지 연구기관과 반도체 연구개발에 협력한다. 인디애나 공장에서는 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품이 양산될 예정이다. SK하이닉스가 HBM 생산기지를 해외에 짓는 것은 이번이 처음이다. 생산 공장을 미국에 건설하는 것 역시 최초다. 현재 SK하이닉스의 생산시설은 한국과 중국에 있다. 미국 상무부는 반도체법에 따라 SK하이닉스에 직접보조금과 대출 지원을 하기로 했다. 미국 정부는 2022년 반도체법을 제정해 첨단 반도체 설계부터 생산, 패키징까지 전 공정을 미국 내에서 이뤄지도록 하는 생산 시스템을 구축 중이다. 이를 위해 미국 정부는 총 390억달러(약 52조6000억원) 규모 보조금을 책정했으며 정부 대출 750억 달러를 지원하기로 했다. 지금까지 TSMC, 인텔, 삼성전자, 마이크론, SK하이닉스 등 5대 주요 반도체 제조업체들이 미국 내 설비투자 계획을 밝혔다. SK하이닉스가 받는 보조금 규모는 미국 인텔(85억 달러), 대만 TSMC(66억 달러), 삼성전자(64억달러) 등보다는 작은 수준이다. 미국 상부무는 아울러 SK하이닉스가 미국에서 투자하는 금액의 최대 25%까지 세제 혜택을 제공하기로 했다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 "AI 기술을 위한 새 허브를 구축하고 인디애나주를 위한 숙련된 일자리를 창출하며 글로벌 반도체 산업을 위한 보다 강력하고 회복력 있는 공급망을 구축하는 데 기여할 수 있기를 기대한다"고 밝혔다.
- 산업
2024-08-07
경기침체 공포에 글로벌 증시 '휘청'...유럽 증시도 일제히 하락

미국과 아시아 증시가 경기침체 우려로 급락한 가운데, 유럽 주요 증시도 2일 일제히 하락세로 출발했다. 범유럽 주가지수인 Stoxx 600지수는 한국 시간 오후 4시 51분 현재 전날보다 1.45% 하락한 504.40을 기록했다. 영국 런던 증시의 FTSE 100지수는 0.42% 하락한 8248.26, 프랑스 파리 증시의 CAC 40 지수는 0.71% 하락한 7317.99, 독일 프랑크푸르트 증시의 DAX 지수는 1.34% 하락한 1만7839.96으로 각각 장을 시작했다. 이탈리아 밀라노 증시의 FTSE MIB 지수도 1.65% 하락한 32314.14를 나타냈다. 이는 미국 빅테크 기업 주가를 끌어 올렸던 인공지능(AI) 거품 우려와 함께, 실업 수당 신청 건수 증가, 7월 제조업 구매관리자지수(PMI) 부진 등 경제 지표 악화로 경기침체 공포가 전 세계 시장을 뒤흔든 결과로 분석된다. 이날 아시아 증시는 '검은 금요일'을 맞았다. 일본 닛케이225 평균주가는 5.81% 폭락했고, 한국 코스피도 3.65% 하락 마감했다. AI 반도체 주식을 이끌던 SK하이닉스는 2일 전날보다 2만100원(-10.40%) 내린 17만3200원에 거래를 마쳤다. 지난 7월 11일 종가 기준 24만1000원으로 연중 최고치를 기록한 주가는 불과 3주 남짓한 기간에 28.13% 급락한 결과 3개월 전인 5월 3일 수준으로 되돌아갔다 삼성전자도 3500원(-4.21%) 내린 7만9600원으로 장을 마감했다. 종가 기준 '8만전자'가 깨진 것은 지난 6월 18일(7만9800원) 이후 약 1개월 반 만이다. 한미반도체도 1만1900원(-9.35%) 떨어진 11만5400원으로 하락 마감했다. 이날 코스피 외국인 순매도 종목 1, 2위는 SK하이닉스(3711억원)와 삼성전자(2886억원)였다. 이들 2개사의 순매도액만 이날 외국인 코스피 순매도액 8464억원의 77.94%에 해당한다. 한국 증시의 급락을 불러온 외국인 자금 이탈은 전날 뉴욕 증시에서 확산한 경기침체 공포가 배경이 됐다는 진단이다. 전날 뉴욕 증시에서는 엔비디아가 6.67% 내린 것을 비롯해 AMD(-8.26%), TSMC(-4.6%), 퀄컴(-9.37%), ASML(-5.66%), 마이크론(-7.57%), 브로드컴(-8.5%) 등 반도체 종목이 동반 하락했다. 필라델피아반도체지수는 7.14% 급락했다. 이는 미국 공급관리협회(ISM)가 발표한 7월 제조업 구매관리자지수(PMI)가 46.8로, 기준선인 50을 밑돌며 경기침체 우려가 확산한 데 따른 것이다. 리처드 헌터 인터랙티브 인베스터 시장 책임자는 "기업 실적과 경제 지표에 대한 의구심이 커지고 경기침체 우려가 확산하면서 시장 심리가 급격히 악화됐다"고 분석했다.
- 경제
2024-08-02
미국, 다음달 HBM 중국 접근 제한 조치 검토⋯미-중 대립 격화 전망

미국은 빠르면 다음달이라도 중국의 인공지능(AI) 메모리칩과 그 제조장치에 대한 접근을 일방적으로 제한하는 조치를 검토하고 있다. 이에 따라 미중간 첨단기술에서의 대립이 더욱 격화될 것으로 보인다. 블룸버그통신은 31일(현지시간) 소식통을 인용해 미국 정부의 이같은 추가조치는 미국의 마이크론 테크놀로지 뿐만 아니라 한국 SK하이닉스와 삼성전자가 광대역폭 메모리(HBM)를 중국기업에 공급하지 못하도록 하는 것이 목적이라고 보도했다. 이들 3개사는 전세계 HBM시장을 독점하고 있다. 소식통은 최종결정은 내려지지 않았다는 점을 강조했다. HBM은 엔비디아와 어드밴스드 마이크로 디바이스(AMD) 등이 제공하는 AI 악셀레이터를 가동하기 위해 필요한 반도체칩이다. 실제로 이같은 조치가 도입된다면 HBM2와 현재 생산되고 있는 최첨단 메모리칩인 HBM3E, 이들 반도체칩을 제조하기 위해 필요한 제조장치도 규제대상이 될 것이라고 소식통은 전했다. 마이크론은 이같은 질의에 답변을 회피했다. 삼성전자와 SK하이닉스도 답변을 요구했지만 응답하지 않았다.
- IT/바이오
2024-08-01
AI발 메모리 초호황에 반도체 슈퍼사이클 재진입 전망

인공지능(AI)이 이끄는 메모리 반도체 ‘슈퍼사이클’이 다시 찾아왔다는 전망이 제기되고 있다. 고사양 고대역폭메모리(HBM)뿐 아니라 범용 D램과 낸드플래시 등 메모리 전체가 AI 효과를 누리면서 반도체메모리 가격이 강세를 보이고 있다. 삼성전자가 7개 분기 만에 분기 영업이익 10조원을 돌파하며 신호탄을 쏘았고 SK하이닉스는 거의 6년 만의 분기 최대 실적을 기록할 것으로 예상된다. 각각 3년 전(23.6%, 11.0%)에 비해 거래 비중이 감소했다. 8일 업계에 따르면 오는 25일 올해 2분기 실적을 발표하는 SK하이닉스의 시장 컨센서스는 각각 매출 16조420억원, 영업이익 5조766억원이다. 실제 영업이익이 5조원을 넘는다면 지난 2018년 3분기(6조4724억원) 이후 23개 분기 만의, 즉 거의 6년 만의 최대 실적이다. 삼성전자가 2분기 10조4000억원의 잠정 영업이익을 기록하며 7개 분기 만에 10조원대 영업이익을 회복한 데 이어 SK하이닉스까지 호실적을 낼 것으로 시장은 보는 셈이다. 업계에서는 코로나19 팬데믹발(發) 반도체 호황이 저문 지 약 2년 만에 메모리 슈퍼사이클이 도래했다는 평가가 나온다. 범용 제품의 가격부터 치솟으며 실적을 뒷받침하고 있다. DDR5 D램과 낸드플래시 기반 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등이 대표적이다. 시장조사업체 트렌드포스 집계를 보면, 올해 2분기 전체 D램 평균 가격은 전기 대비 최대 18% 올랐다. 3분기에는 추가로 8~13% 상승할 전망이다. 트렌드포스는 "메모리 3사(삼성전자·SK하이닉스·마이크론)는 HBM 생산량 압박으로 (범용 제품의) 가격을 인상할 의향이 분명하다"고 설명했다. 수익성이 높은 HBM의 경우 '효자 종목'이다. 특히 엔비디아에 5세대 HBM3E를 독점적으로 납품하고 있는 SK하이닉스는 HBM 효과를 톡톡히 보고 있다. 메모리 전(全) 제품의 수요 증가는 AI가 급속도로 확산한 결과다. 자체 AI 솔루션을 제공하려는 빅테크 기업들의 데이터센터 투자와 AI 스마트폰, AI PC 등 온디바이스 AI 제품 출시를 앞두고 고사양 메모리 수요가 늘어나고 있기 때문이다. 이규복 한국전자기술연구원(KETI) 연구부원장은 "메모리 필요성이 계속 커지고 시장은 지속 성장할 것"이라고 했다. 다만 일각에선 신중론도 나온다. 세계 경기가 완전한 회복세로 접어들지는 못한 탓이다. 게다가 사내 노동조합인 '전국삼성전자노동조합(전삼노)'이 총파업에 나서면 생산 차질이 발생할 수 있다.
- IT/바이오
2024-07-08
삼성전자, 2분기 영업익 10.4조 '어닝 서프라이즈' 달성…전년 동기 대비 15배 급등

삼성전자가 올해 2분기 10조원이 넘는 영업이익을 내며 '어닝 서프라이즈(깜짝 실적)'를 기록했다. 삼성전자는 올해 2분기(4~6월), 10조원을 상회하는 영업이익을 달성하며 시장 전망치를 뛰어넘는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 이는 인공지능(AI) 시장 확대로 인한 메모리 반도체 수요 증가와 가격 상승이 반도체 부문 실적 개선을 견인하며 전체 실적 상승을 이끌었기 때문으로 분석된다. 삼성전자는 5일, 연결 기준 올해 2분기 영업이익이 10조4000억원으로 전년 동기 대비 1452.24% 증가했으며, 매출은 74조원으로 23.31% 증가했다고 잠정 공시했다. 이는 연합인포맥스가 집계한 증권사 15곳의 컨센서스(실적 전망치)를 크게 상회하는 수준이다. 삼성전자의 분기 영업이익이 10조원을 넘어선 것은 2022년 3분기 이후 7개 분기 만이며, 작년 연간 영업이익(6조 5700억원)을 훌쩍 뛰어넘는 수치이다. 매출도 2분기 연속 70조원대를 이어갔다. 특히, D램과 낸드의 평균판매단가(ASP) 상승으로 메모리 반도체 실적이 시장 기대치를 크게 개선된 점이 매출에 '효자' 노릇을 톡톡히 했다. 잠정 실적인 만큼 부문별 실적은 공개되지 않았으나, 증권업계에서는 당초 4조~5조원으로 추정했던 반도체 사업 부문(DS)의 영업이익 전망치를 상향 조정하는 분위기다. 이는 삼성전자가 시장 기대치를 뛰어넘는 성적표를 제시했기 때문이다. 삼성전자는 지난 1분기에는 DS 부문에서 1조9100억원의 영업이익을 내며 2022년 4분기 이후 5분기 만에 흑자 전환에 성공했다. 반도체 업황 회복세 속에서 AI 시장 확대에 따른 고부가 메모리 판매 증가와 우호적인 환율 효과로 메모리 반도체 판매가격이 시장 전망치를 상회하며 스마트폰 수익성 부진을 상쇄한 것으로 분석된다. 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면, 올해 2분기 전체 D램과 낸드 가격은 각각 13~18%, 15~20% 상승했다. 스마트폰 및 노트북 사업을 담당하는 모바일경험(MX) 사업부는 2조1000억~2조3000억원 수준의 영업이익을 달성한 것으로 예상된다. 2분기는 전통적인 비수기인데다, D램 및 낸드 가격 상승에 따른 원가율 상승으로 수익성이 소폭 하락한 것으로 보인다. 디스플레이 사업부는 애플 등 주력 고객사의 판매 호조에 힘입어 7000억원 안팎의 영업이익을 기록한 것으로 추정되며, 영상디스플레이(VD)와 생활가전(DA) 사업부 역시 에어컨 성수기 효과 등으로 5000억~7000억원 수준의 영업이익을 달성한 것으로 예상된다. 올해 하반기에는 메모리 반도체 업체들의 공격적인 고대역폭 메모리(HBM) 생산능력 증설에 따른 범용 D램 공급 부족 현상 심화와 고용량 eSSD 수요 증가로 메모리 수익성 개선 추세가 지속될 전망이다. 3분기 영업이익 전망치는 전년 동기 대비 393.86% 급증한 12조 181억원, 매출은 22.5% 증가한 82조 5천 722억원으로 집계됐다. 트렌드포스는 "전반적인 소비자 D램 시장은 공급 과잉이 지속되고 있으나, 3대 주요 공급업체(삼성전자·SK하이닉스·마이크론)는 HBM 생산량 압박으로 인해 가격 인상 의지를 분명히 하고 있다"고 분석하며, 3분기 D램과 낸드 가격이 각각 8~13%, 5~10% 상승할 것으로 예상했다. 노근창 현대차증권 연구원은 "HBM 수요 증가로 HBM의 D램 생산능력 잠식 현상이 심화되면서 범용 메모리 반도체의 공급 부족 현상이 예상보다 심화될 수 있다"며 "경쟁사들이 2023년에 설비투자를 줄였다는 점에서 삼성전자의 웨이퍼 생산능력 경쟁력 가치는 시간이 갈수록 상승할 수 있다"고 전망했다.
- IT/바이오
2024-07-05
"엔비디아, 대만에 추가 R&D센터 건설"

인공지능(AI) 칩 전문기업 엔비디아가 대만 남부 가오슝에 AI 연구개발(R&D)센터를 추가로 건설할 예정이라고 공상시보 등 대만언론이 29일 보도했다. 한 소식통은 엔비디아가 남부 가오슝 아완 지역 소프트웨어 산업단지 내에 초고성능 컴퓨터(HPC) 시스템을 구축할 것이라면서 이같이 밝혔다. 대만은 반도체 설계 및 제조 분야에서 세계적인 명성을 앋고 있으며, 이는 엔비디아와 같은 AI및 컴퓨팅 기술 기업에게 매우 중요한 자산이기 때문으로 풀이된다. 게다가 대문 정부는 AI 및 첨단 기술 산업의 성장을 적극적으로 지원하고 있다. 대만정부는 2020년부터 AI, 차세대전력반도체, 새로운 5G 구조 등 가지 분야 관련 A+ 산업혁신 R&D 프로그램을 시작했다. 자격이 부합하는 기업은 투자 금액의 최대 50%에 해당하는 보조금을 받을 수 있다. 한 정부 관계자는 엔비디아가 지난 2021년 이 프로그램에 따른 대만 투자 계획을 승인받았다. 이 소식통은 엔비디아가 가오슝 소프트웨어 산업단지 내 훙하이 빌딩에 대만 최대 규모인 엔비디아의 HPC '타이베이 1'(Taipei-1)의 기계실 설치에 나섰다고 설명했다. 이어 해당 지역에 향후 대만 내 2번째 엔비디아 AI 연구개발(R&D)센터기 들어설 것이라고 전했다. 다만 엔비디아와 대만 폭스콘(훙하이정밀공업) 양측의 협력 방식은 아직 알 수 없다고 말했다. 또다른 소식통은 엔비디아가 대만 경제부의 'A+ 산업혁신 R&D 프로그램'을 통해 북부 타이베이 네이후 지역에 자사 최초의 AI 연구개발(R&D) 센터의 정식 건설에 나서 일부 R&D 시설이 운영되고 있다면서, 엔비디아가 폭스콘과 협력을 통해 지난해 말 가오슝 아완 지역에 HPC의 설치를 마쳤다고 전했다. 이와 관련해 대만 경제부 관계자는 지난달 중순 엔비디아와 함께 '타이베이 1' 사용 신청 설명회를 가졌다고 밝혔다. 이어 엔비디아 측이 해당 HPC 연산 능력을 대만의 생성형 AI, 생성형 AI 제품을 구동하는 거대언어모델(LLM), 디지털 복제 등 미래 비전을 위한 기술의 연구 개발에 제공하겠다고 말했다고 설명했다. 그러면서 대만에는 엔비디아가 2021년 아시아 최초로 대만에 건설을 신청한 'AI 혁신 R&D 센터'뿐이라면서 2번째 R&D 센터 건설 여부에 대해서는 잘 모른다고 했다. 해당 관계자는 또 가오슝의 '타이베이 1'은 R&D 센터가 아니라고 밝혔다. 대만언론은 대만 경제부가 국내외 테크 기업의 대만 투자를 유도하는 'A+ 산업혁신 R&D 프로그램'을 통해 마이크론, 엔비디아에 각각 47억2200만 대만달러(약 1995억원)와 67억 대만달러(약 2832억원)의 보조금을 지원했다고 전했다. 한편, 대만언론은 소식통을 인용해 젠슨 황(중국명 황런쉰) 엔비디아 최고경영자(CEO)가 라이칭더 신임 총통을 만나 엔비디아의 대만 투자, 공급망 및 산업 발전 등의 의제에 대해 논의할 예정이라고 보도했다. 그러나 총통부의 한 관계자는 아직 황 CEO의 총통부 방문 또는 라이 총통의 엔비디아 대만 지사 방문 등의 계획은 없다고 상반된 의견을 밝혔다. 현지 언론은 또 황 CEO가 30일 세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 업체인 대만 TSMC의 장중머우 창업자와 만날 예정이라고도 전했다. 대만언론에 따르면 류징칭 국가발전위원회(NDC) 주임위원(장관급)은 전날 입법원(국회)에서 가진 첫 언론인터뷰에서 "AI 산업이 반도체 산업에 이어 '나라를 지키는 신성한 산(聖山)'이 될 것"이라고 밝혔다. 류 주임위원은 "AI 산업이 5년 이내에 놀랄만한 발전을 이룩할 것"이라고 강조했다. 앞서 라이 총통은 지난 20일 취임 연설에서 "지금의 대만은 반도체 선진 제조 기술을 장악해 AI 혁명의 중심에 서있다"면서 "글로벌 AI화 도전에 직면해 우리는 반도체 칩 실리콘 섬의 기초 위에 서서 전력으로 대만이 'AI 섬'이 되도록 할 것"이라고 했다. 그러면서 "AI 산업화와 AI 혁신을 가속화하고, 산업의 AI화와 AI 컴퓨팅 파워를 이용해 국력과 군사력, 인적 역량, 경제력을 높일 것"이라고 강조했다. 한편, 엔비디아(NVDA) 주식은 28일(현지시간) 사상 처음으로 1100달러 이상으로 거래됐다. 이날 장중 한때 약 8% 오른 1149.39달러를 돌파해 최고가를 경신한 뒤 약 1140달러에 마감됐다. 야후 파이낸스는 이는 일론 머스크가 지난 26일 자사의 인공 지능 스타트업 xAI가 시리즈 B 자금 조달 라운드에서 60억 달러를 조달했다고 발표한 뒤 일어났으며 엔비디아 주가는 다음 거래일에 8%나 상승했다고 전했다. 마스크는 xAI 챗봇 그록(Grok)을 가동하는 데 사용될 새로운 슈퍼 컴퓨터에 엔비디아 칩을 사용할 계획이다. 28일 뉴욕 증시에서 엔비디아 주가는 전 거래일보다 6.98% 오른 1139.01달러(약 153만원)에 거래를 마쳤다. 엔비디아는 실적 발표 다음날인 지난 23일 처음으로 1000달러를 돌파한데 이어 2거래일만에 다시 1100달러를 넘어선 뒤 3거래일 연속 증가하면서 최고치를 경신했다. 이에 엔비디아 시가총액도 2조8010억 달러로 늘어 3조 달러에 근접했다. 시총 2위 애플(2조9130억 달러)과는 1120억 달러, 약 4% 차이에 불과하다.
- IT/바이오
2024-05-29
"삼성전자 HBM칩, 엔비디아 테스트 통과 지연…발열 등 문제"

삼성전자의 현재 고대역폭 메모리(HBM) 기술이 엔비디아의 기준에 부적합한 것으로 알려졌다. 삼성전자가 미국 반도체업체 엔비디아에 고대역폭 메모리(HBM)를 납품하기 위한 테스트를 아직 통과하지 못했다고 로이터통신이 3명의 익명 소식통을 인용해 24일 보도했다고 연합뉴스가 전했다. 소식통들은 삼성전자 HBM의 발열과 전력 소비 등이 문제가 됐다고 전했다. 현재 인공지능(AI)용 그래픽처리장치(GPU)에 주력으로 쓰이는 4세대 제품 HBM3을 비롯해 5세대 제품 HBM3E에 이러한 문제가 있었다는 것. 삼성전자는 지난해부터 엔비디아의 HBM3와 HBM3E 테스트 통과를 위해 노력해왔으며, 지난달 HBM3E 8단 및 12단 제품 테스트 결과가 나왔다. 지난 3월 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 엔비디아 연례 개발자 콘퍼런스 'GTC 2024'의 삼성전자 부스를 찾아 HBM3E 12단 제품에 '젠슨 승인'(JENSEN APPROVED)이라고 사인을 해서 시장에서는 테스트 통과 기대감이 높아졌지만, 결과는 다르게 나왔다. 지적된 문제를 쉽게 수정 가능할지는 아직 명확하지 않지만, 소식통들은 투자자들 사이에 삼성전자가 HBM 분야에서 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론테크놀로지에 더 뒤처질 수 있다는 우려가 나온다고 전했다. 삼성전자는 세계 D램 시장 1위업체다. 그러나 HBM 시장 주도권은 10년 전부터 HBM에 적극적으로 '투입'해온 경쟁사 SK하이닉스가 쥐고 있다. SK하이닉스는 GPU 시장의 80% 이상을 장악한 엔비디아에 HBM3를 사실상 독점 공급해왔으며, 지난 3월에는 HBM3E(8단)를 양산해 엔비디아에 공급하기 시작했다. HBM 경쟁에서 주도권을 놓친 삼성전자는 지난 21일 반도체 사업부 수장을 전격 교체했다. 삼성전자는 전영현 미래사업기획단장(부회장)을 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)부문장에 임명했다. 로이터는 삼성전자는 구체적인 언급을 피하면서도 HBM에는 고객사의 필요에 맞춰 최적화 과정이 필요하다면서 고객사들과 긴밀히 협조하고 있다고 밝혔다고 전했다. 엔비디아는 로이터의 논평 요청에 입장을 밝히지 않았다. 삼성전자는 이날 공식 입장을 내고 HBM의 공급을 위한 태스트를 순조롭게 진행중이라고 밝혔다. 삼성전자는 "현재 다수의 업체와 긴밀하게 협력하며 지속적으로 기술과 성능을 테스트하고 있다"며 "HBM의 품질과 성능을 철저하게 검증하기 위해 다양한 테스트를 수행하고 있다"고 설명했다. 이어 "삼성전자는 모든 제품에 대해 지속적인 품질 개선과 신뢰성 강화를 위해 노력하고 있으며, 이를 통해 고객들에게 최상의 설루션을 제공할 예정"이라고 덧붙였다. 한편, 고대역폭 메모리 (HBM)는 인공지능(AI) 분야에서 핵심적인 역할을 하는 기술이다. 기존 메모리에 비해 훨씬 빠른 데이터 처리 속도와 높은 효율성을 제공하기 때문에 AI 애플리케이션의 성능 향상에 크게 기여한다. AI는 방대한 양의 데이터를 처리하고 분석해야 하는 특성을 가지고 있다. HBM은 기존 메모리보다 훨씬 빠른 데이터 전송 속도를 제공하여 AI 모델의 학습 및 추론 속도를 대폭 향상시킬 수 있다. 특히, 이미지 인식, 자연어 처리, 머신러닝 분야에서 HBM의 빠른 처리 속도는 모델의 정확성을 높이고 처리 시간을 단축하는 데 중요한 역할을 한다. 또한 HBM은 기존 메모리에 비해 낮은 전력 소비로 작동한다. 이는 데이터 센터 환경에서 AI 모델을 운영할 때 중요한 요소다. 낮은 전력 소비는 운영 비용 절감뿐만 아니라 발열량 감소에도 기여해 시스템의 안정성을 높일 수 있다. HBM은 앞으로 더욱 발전할 AI 기술의 요구 사항을 충족시킬 수 있는 잠재력을 가지고 있다. 예를 들어, 인공지능 기반의 자율주행, 스마트 시티, 첨단 의료 시스템 등의 분야에서 HBM은 핵심적인 역할을 할 것으로 예상된다.
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2024-05-24
삼성전자, 업계 최초 '9세대 V낸드' 양산…290단 적층 구현

삼성전자가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작해 메모리 기술에서 리더십을 강화했다. 이 기술은 인공지능(AI) 시대의 고용량 및 고성능 낸드에 대한 수요 증가에 대응하기 위한 것이다. 삼성전자는 23일, '더블 스택' 구조를 적용한 최고 단수 제품인 9세대 V낸드를 양산한다고 발표했다. 이 제품은 현재 주력 제품인 236단 8세대 V낸드를 뒤이어, 약 290단 수준의 기술로 구현되었다고 한다. 더블 스택 기술은 낸드플래시 메모리의 각 레이어를 두 번의 '채널 홀 에칭' 과정을 통해 나누고 이를 단일 칩으로 결합하는 고난도의 제조 방식을 의미한다. 삼성전자는 이 채널 홀 에칭 기술을 통해 한 번의 공정으로 업계 최대의 단수를 달성하는 생산 효율성을 크게 향상시켰다고 설명했다. 채널 홀 에칭 기술은 몰드층을 순차적으로 쌓은 후 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 형성하는 방식으로, 적층 단수가 높아질수록 한 번에 더 많은 채널을 생성할 수 있어 생산 효율이 증가한다. 이 과정은 높은 정밀도와 고도의 기술이 요구된다. 낸드 메모리의 적층 경쟁이 치열해지면서 적층 공정의 기술력이 더욱 중요해지고 있다. V낸드에서 원가 경쟁력은 가능한 적은 공정 단계로 높은 적층 단수를 달성하는 데 있어, 스택 수가 적으면 거쳐야 하는 공정 수도 줄어들어 시간과 비용을 절감할 수 있어 경쟁력을 높인다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell), 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도(단위 면적당 저장되는 비트의 수)를 이전 세대에 비해 약 1.5배 증가시켰다. 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole) 제거 기술로 셀의 평면적을 줄이고, 셀 크기 축소로 인한 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술과 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품의 품질과 신뢰성을 향상시켰다. 9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 '토글(Toggle) 5.1'을 적용해 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps(초당 기가비트)의 데이터 전송 속도를 구현했다. 삼성전자는 이를 토대로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하며 고성능 SSD 시장을 확대하여 낸드플래시 기술의 리더십을 강화할 계획이다. 또한, 9세대 V낸드는 저전력 설계 기술을 적용해 이전 세대 제품에 비해 전력 소비를 약 10% 줄였다. 삼성전자는 올해 하반기에 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'의 양산을 시작하는 등 AI 시대의 요구에 부응하는 고용량, 고성능 낸드 개발에 박차를 가할 예정이다. 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장 허성회 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화함에 따라 고용량, 고성능 제품에 대한 고객의 요구가 증가하고 있다"며 "극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 향상시켰다. 9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 적합한 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도할 것"이라고 말했다. 시장조사기관 옴디아의 보고에 따르면, 낸드플래시 매출은 2023년 387억 달러에서 2028년에는 1148억 달러로 성장할 것으로 예상되며, 이는 연평균 약 24%의 성장률을 보일 전망이다. 이러한 성장은 AI 서버 시장의 확대와 직결되어 있으며, 높은 데이터 전송 속도와 성능을 요구하는 신규 AI 서버 설치가 증가함에 따라 SSD에 대한 수요도 증가하고 있다. 옴디아는 "AI 관련 작업에서의 훈련 및 추론 수요 증가와 함께, 대규모 언어 모델(LLM)과 추론 모델에 필요한 데이터 저장을 위해 더 큰 저장 용량이 요구되고 있다"고 말했다. 이러한 시장 수요 증가로 인해 낸드 적층 기술의 경쟁도 치열해지고 있다. 삼성전자는 작년 3분기 실적 발표에서 2030년까지 1,000단 V낸드 개발 계획을 발표했다. SK하이닉스는 작년 8월 미국에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2023'에서 업계 최초로 300단을 넘는 '1Tb TLC 321단 4D 낸드' 샘플을 공개하며, 이를 2025년 상반기부터 양산할 계획임을 밝혔다. 마이크론은 2022년에 세계 최초로 232단 낸드를 양산하기 시작했다. 후발주자인 중국의 YMTC(양쯔메모리테크놀로지)도 지난해 232단 낸드 생산을 시작한 데 이어 올해 하반기에는 300단 이상의 제품 출시를 계획하고 있다. 한편, 삼성전자 주식은 이날 '9세대 V낸드' 양산 발표 이후 소폭 상승했다. 이날 23일 11시 27분 현재 삼성전자 주가는 전일 대비 0.26% 올라 7만6300원에 거래됐다.
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2024-04-23
TSMC 전망 하향 조정에 반도체 주식 급락세...글로벌 불확실성 심화

글로벌 불확실성과 TSMC의 성장 전망 하향 조정으로 인해 전 세계 반도체 주식 시장이 급락세를 보이고 있다. 이번 주 초까지 급등했던 칩 관련 주가는 투자자들의 이익 실현으로 인해 하락세를 걷고 있다고 닛케이 아시아가 20일(현지시간) 보도했다. 이스라엘의 이란 보복 공격 소식과 함께 TSMC의 성장 전망 하향 조정이 전해지면서 19일 도쿄, 서울 등 아시아 시장에서 칩 관련 주가가 급락했다. 미국 필라델피아 반도체 지수(SOX)도 지난 18일 약 2개월 만에 최저치를 기록했고, 19일 오전 현재 하락세를 보이고 있다. TSMC 주가 하락, 시장 정서 악화 1~3월 기간 TSMC의 실적이 시장 기대치를 뛰어넘었음에도 불구하고, 성장 전망 하향 조정으로 인해 TSMC 주가 하락이 이어졌다. 이는 다른 업계 주식에도 영향을 미쳐 미국 증시는 5%, 대만 증시는 7% 하락했다. TSMC가 올해 글로벌 로직 반도체 산업 전망을 10% 이상에서 10% 성장으로 하향 조정한 것이 반도체 주가 하락의 주요 원인으로 분석된다. 이러한 변화는 전기차, 컴퓨터, 스마트폰 등에 사용되는 칩 수요 회복에 대한 우려를 증폭시켰다. 리소나자산운용의 수석 펀드 매니저 토다 코지는 "시장은 TSMC의 강력한 분기별 실적이 대부분의 가격에 반영됐다"고 지적하며 시장 상황을 분석했다. 이와이코스모 증권의 수석 애널리스트 카이즈요 사이토는 "AI 분야의 성장으로 인해 칩주가 주목받고 있었던 상황에서 전망에 대한 미묘한 우려조차 큰 매도세를 촉발했다"고 강조했다. AI 칩주 주목도 감소 한편, 최근 AI 칩주에 대한 투자자들의 관심이 감소하고 있다. 이는 AI 붐의 핵심 동인인 엔비디아와 경쟁사인 AMD의 주가가 3월 초부터 상승세가 둔화된 데 따른 것이다. 투자자들은 엔비디아용 반도체를 만드는 TSMC와 TSMC에 장비를 공급하는 일본 기업에 더욱 주목하고 있다. 반면, 메모리 칩 제조업체들은 이익을 얻고 있다. 마이크론 테크놀로지는 엔비디아의 AI 그래픽 처리 장치에 사용되는 고대역폭 메모리(HBM)의 2024년 공급량을 모두 매진했으며 2025년 공급량도 대부분 판매했다고 밝혔다. 단기 투자자들의 이익 실현 최근의 칩주 시장 침체는 부분적으로 단기 투자자들이 단기적인 이익을 얻기 위해 매도한 결과라고 분석된다. 페이스북 모회사인 메타 플랫폼, 마이크로소프트, 알파벳, SK하이닉스 및 아드반테스트를 포함한 주요 업계 업체들은 다음 주 분기별 결과를 발표할 예정이다.
- IT/바이오
2024-04-20
"미국, 다음 주 삼성전자 반도체 보조금 발표"…60억~70억 달러 추정

미국 정부가 반도체지원법에 따라 대만 TSMC에 보조금 66억달러(약 8조9000억원)를 지원한다고 발표한 가운데 삼성전자에 대한 미국 정부의 보조금 규모가 TSMC 다음이 될 것이라고 연합뉴스가 8일(현지시간) 로이터통신을 인용해 9일 보도했다. 한 소식통은 이 매체에 삼성전자의 보조금 규모가 미국 반도체업체 인텔과 대만의 TSMC에 이어 세번째로 큰 규모가 될 것이라고 전했다. 다른 2명의 소식통은 미국 정부가 다음 주에 삼성전자에 대한 60억(약 8조1234억원)~70억달러(약 9조4773억원) 사이의 반도체법 보조금을 발표할 것이라고 말했다고 로이터통신은 보도했다. 소식통에 따르면, 지나 러먼도 상무부 장관이 공개할 보조금은 삼성이 지난 2021년 발표한 텍사스주 테일러시에 짓고 있는 170억 달러(약23조 163억원) 규모의 칩 제조 공장 한 곳과 또 다른 공장 한 곳, 첨단 패키징 시설, 연구개발센터 등 테일러에 4개 시설을 건설하는 데 사용될 예정이다. 대만의 TSMC는 8일 보조금으로 66억 달러(약 8조 9357억원)를 지급받았다. 투자 규모는 250억 달러(약 33조 8475억원)에서 650억 달러(약 88조 35억원)로 확대하고 2030년까지 세 번째 애리조나 공장을 추가하기로 미 정부와 합의했다. 미 상무부는 이날 TSMC에 반도체법 보조금 66억달러를 지원할 예정이라고 발표했다. 반도체 보조금과 관련한 TSMC의 투자 금액도 기존 400억 달러(약 54조1640억원)에서 650억달러로 늘어났다. 투자 금액 대비 보조금 비율은 10.1% 정도이다. TSMC는 반도체법상 보조금과 별도로 투자금에 대한 일부 세액 공제 혜택도 받을 것으로 알려졌다. 월스트리트저널(WSJ)은 지난 5일 삼성전자는 텍사스주 테일러에 170억달러를 투자해 반도체 공장을 건설 중이며 15일에 추가 투자 계획을 발표할 예정이라고 보도했다. 추가 투자 규모까지 포함해 삼성전자의 텍사스주 공장 관련 전체 투자 금액은 440억달러(약 59조 5584억원)가 될 전망이다. 외신은 여기에는 텍사스주 테일러의 새 반도체 공장, 패키징 시설, 연구개발(R&D) 센터에 더해 알려지지 않은 장소에 대한 투자도 포함된다고 전했다. 미국 의회는 지난 2022년 자국내 반도체 생산을 증가시키기 위해 연구 및 제조 분야에 527억 달러(약 71조 3600억원)의 보조금을 제공하는 '반도체 및 과학 법안'을 통과시켰다. 더불어, 의회는 이 보조금 외에도 정부 대출에 750억 달러(약 101조 5575억원)의 권한을 추가로 승인했다. 하지만 삼성은 별도의 대출 지원을 받지 않을 예정이라는 소식이 전해졌다. 미국 반도체산업협회(SIA)에 따르면, 반도체 법안의 주된 목적은 글로벌 시장 내에서 미국의 반도체 제조 분야 점유율이 1990년의 37%에서 2020년에는 12%로 하락한 상태를 개선해 자국내 제조 비율을 증가시키고, 이로 인해 중국 및 대만에 대한 의존도를 감소시키는 것이다. 이날 연합뉴스는 블룸버그통신을 인용해 삼성전자에 이어 미국 반도체 업체인 마이크론도 수주 내 수십억달러의 지원을 받을 것으로 전망된다고 전했다. 한편, 디지타임스는 8일(현지시간) 삼성전자의 첨단 패키징 사업부인 AVP가 엔비디아의 주문을 받았다고 보도했다. 외신에 따르면 AVP는 엔비디아의 차세대 그래픽 카드용으로 인터포저와 2.5D 패키징(I-Cube) 솔루션을 공급할 것으로 예상된다. 이번 주문 확보는 삼성이 TSMC와의 치열한 경쟁 속에서 고급 패키징 기술력을 인정받은 것으로 평가된다. 인터포저는 다수의 칩을 연결하는 다이 간 연결(Interconnect) 기판으로, 칩 사이의 데이터 전송 속도를 높이고 전력 소비를 줄이는 데 도움이 된다. 2.5D 패키징은 인터포저 위에 칩을 쌓아 3D 구조를 만드는 기술로, 더욱 높은 성능과 효율성을 제공한다.
- IT/바이오
2024-04-09
삼성전자, 이르면 9월부터 엔비디아에 12단 HBM3E 단독 공급

삼성전자가 빠르면 9월부터 엔비디아에 12단 고대역폭 메모리(HBM) 제품을 단독 공급하게 될 것이라는 소식이 전해졌다. 디지타임스가 26일(현지시간) 삼성전자는 HBM 시장에서 빠르게 입지를 다지고 있다며 최근 12단 D램을 탑재한 HBM3E 개발에 성공했다고 발표한 이후 현재 선두주자인 SK하이닉스와 마이크론을 제치고 엔비디아의 유일한 12단 HBM3E 공급업체가 될 수 있다는 보도가 나왔다고 전했다. 업계 소식통에 따르면, 삼성은 12단 HBM3E 개발에서 경쟁사를 앞질러 이르면 2024년 9월부터 엔비디아의 독점 공급업체가 될 것으로 보인다. 이에 대해 삼성은 고객 정보를 공개할 수 없다고 밝혔다. 마이크론은 2024년 2월 말, 8단 HBM3E 양산 개시를 발표했다. 삼성도 36GB 12단 HBM3E 제품 개발에 성공했다고 공개했다. 삼성은 12단 HBM3E가 8단 HBM3E와 동일한 높이를 유지하면서 더 많은 레이어 수를 자랑한다고 강조했다. 최대 1280GB/s의 대역폭을 제공하는 12단 HBM3E는 8단 HBM3에 비해 50% 이상의 성능과 용량을 제공한다. 삼성은 2024년 후반에 12단 HBM3E의 양산을 시작할 것으로 예상된다. 한편, 인공지능(AI) 칩 선두주자인 미국 반도체 기업 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)는 최근 'GTC 2024'에서 삼성이 아직 HBM3E의 양산에 대해 발표하지 않았음에도 삼성의 HBM이 현재 검증 단계를 거치고 있다고 확인했다. 젠슨 황 CEO는 삼성의 12단 HBM3E 디스플레이 옆에 '젠슨 승인'이라고 서명까지 해 삼성의 HBM3E가 검증 과정을 통과할 가능성이 높다는 추측을 불러일으켰다. 젠슨 황 CEO는 지난 3월 19일 엔비디아의 연례 개발자 콘퍼런스 'GTC 24' 둘째 날 삼성전자의 고대역폭 메모리(HBM)를 테스트하고 있다고 밝혔다. 황 CEO는 '삼성의 HBM을 사용하고 있느냐'라는 질문에 "아직 사용하고 있지 않다"면서도 "현재 테스트하고(qualifying) 있으며 기대가 크다"고 말했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 크게 높인 제품으로 고성능 컴퓨팅 시스템에 사용되는 차세대 메모리 기술이다. 방대한 데이터를 신속하고 끊임없이 처리해야 하는 생성 AI를 구동하려면 HBM과 같은 고성능 메모리가 반드시 필요한 것으로 알려져 있다. 고성능 컴퓨팅 시스템에서는 대규모 시뮬레이션과 데이터 분석 과정에 HBM을 사용한다. 아울러 고성능 그래픽 카드에서는 게임, 가상현실(VR), 증강현실(AR) 등의 그래픽 데이터를 빨리 처리하기 위해 HBM이 사용된다. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있으며, HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다. HBM3 시장의 90% 이상을 점유하고 있는 SK하이닉스는 메모리 업체 중 가장 먼저 5세대인 HBM3E D램을 엔비디아에 납품한다고 밝혔다. SK하이닉스는 2024년 3월부터 엔비디아에 8단 HBM3E를 공식 공급하기 시작했다. SK하이닉스는 GTC 2024에서 12단 HBM3E를 선보였으며, 이르면 2024년 2월에 엔비디아에 샘플을 제공할 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 HBM4의 성능을 향상시키기 위해 하이브리드 본딩 기술을 활용할 것이라고 밝혔다. 16단 D램을 적층해 48GB 용량을 구현할 계획이며, 데이터 처리 속도는 HBM3E 대비 40%, 전력 소비는 70% 수준에 불과할 것으로 예상된다. 삼성은 지난 2월 18일부터 21일까지 열린 '2024 국제 반도체 회로 학회(ISSCC 2024)'에서 곧 출시될 HBM4가 초당 2TB의 대역폭을 자랑하며 5세대 HBM(HBM3E) 대비 66% 대폭 증가했다고 발표했다. 또한 입출력(I/O) 수도 두 배로 증가했다.
- IT/바이오
2024-03-27
외신 "삼성, 칩 생산에 MUF 기술 도입 계획"…삼성, 부인

삼성전자가 SK하이닉스가 사용하는 반도체 제조 기술을 도입할 계획이라는 외신 보도를 부인했다. 연합뉴스는 로이터통신을 인용해 인공지능(AI) 붐에 따른 수요 급증에 대응해 반도체 업계의 고성능 반도체 경쟁이 가열되는 가운데, 삼성전자가 경쟁사인 SK하이닉스가 사용하는 반도체 제조 기술을 도입할 계획이라고 13일 보도했다. 로이터통신은 여러 익명 소식통을 인용해 삼성전자가 최근 '몰디드 언더필(MUF)' 기술과 관련된 반도체 제조 장비를 구매 주문했다고 전했다. 하지만 삼성전자는 반도체 칩 생산에 '매스 리플로우(MR)-MUF' 기술을 도입할 계획이 없다며 이 보도를 부인했다. AI 시장의 확대로 고대역폭 메모리(HBM)에 대한 수요가 증가함에 따라, 삼성전자는 이 분야에서 SK하이닉스나 마이크론과는 달리 선두 업체인 엔비디아와 HBM 칩 공급 계약을 체결하지 못한 상황이다. 이에 로이터는 애널리스트들을 인용해, 삼성전자가 경쟁에서 뒤처진 이유 중 하나로 비전도성 필름(NCF) 방식을 고수하고 있음에 따른 생산상의 문제점을 지적했다. HBM(High Bandwidth Memory) 칩은 고대역폭 메모리 기술로, 특히 고성능 컴퓨팅, 서버, 그래픽 처리 장치(GPU) 등에서 데이터 처리 속도를 향상시키기 위해 설계된 반도체 메모리다. HBM은 기존의 DDR(Dual Data Rate) 메모리보다 더 많은 데이터를 빠르게 전송할 수 있는 것이 특징이며, 이를 통해 시스템의 전반적인 성능을 크게 개선할 수 있다. HBM 기술은 여러 개의 메모리 레이어를 수직으로 적층하여 3D 패키징을 구현한다. 이러한 구조는 메모리 칩 사이의 거리를 단축시켜 데이터 전송 속도를 높이고, 전력 소모를 줄이며, 공간 효율성을 개선하는 장점이 있다. HBM 메모리는 그래픽 카드나 고성능 컴퓨팅 분야에서 요구되는 고대역폭과 낮은 전력 소모 요구 사항을 충족시키기 위해 널리 사용되고 있다. 반대로, SK하이닉스는 NCF 방식의 문제점을 해결하기 위해 MR-MUF 방식으로 전환했으며, 결과적으로 엔비디아에 HBM3 칩을 공급하는 성과를 이루었다. 현재 시장에서는 삼성전자의 HBM3 칩 수율이 약 10∼20% 정도인 반면, SK하이닉스의 수율은 60∼70%에 달한다고 추산된다. 삼성전자는 MUF 재료 공급을 위해 일본의 나가세 등 관련 업체와 협상 중인 것으로 알려졌다. 한 소식통에 따르면, 삼성전자가 추가적인 테스트를 진행해야 하기 때문에 MUF를 사용한 고성능 칩의 대량 생산이 내년까지는 어려울 것으로 예상했다. 또 다른 소식통은 삼성전자의 HBM3 칩이 엔비디아에 공급되기 위한 과정을 아직 통과하지 못했다고 밝혔다. 소식통에 따르면 삼성전자가 HBM 칩 생산에 기존 NCF 기술과 MUF 기술을 모두 사용할 계획이라고 전하기도 했다. 한편, MUF(Molded Underfill) 기술은 반도체 칩과 기판 사이의 공간을 채우기 위해 사용되는 고급 패키징 기술이다. 이 기술은 반도체 칩을 기판에 장착한 후, 칩과 기판 사이의 미세한 공간에 특정 물질을 주입하여 경화시키는 과정을 포함한다. MUF 기술은 칩의 열 관리를 개선하고, 기계적 강도를 증가시키며, 전기적 성능을 향상시키는 데 도움을 준다. 또한, 이 기술은 칩의 신뢰성을 높이고, 고밀도 패키징이 요구되는 반도체 제품에서 특히 유용하게 사용된다. NCF(Non-Conductive Film) 기술은 반도체 칩과 기판 사이의 연결 공정에서 사용되는 비전도성 필름을 말한다. 이 기술은 반도체 칩의 미세한 배선 패턴과 기판 사이를 연결할 때 사용되는데, 특히 고밀도 패키징 어셈블리에서 중요한 역할을 한다. NCF는 전기적으로는 비전도성이면서 열적, 기계적 성질을 개선해주어 칩의 신뢰성과 성능을 높이는 데 기여한다. 플립 칩(Flip-chip) 기술과 같은 패키징 공정에서 사용되며, 칩과 기판 사이의 미세한 불균일을 채우고, 열 확산을 도와주며, 기계적인 스트레스를 줄여주는 역할을 한다.
- IT/바이오
2024-03-13
2023년 4분기 글로벌 낸드 매출, 전분기 대비 24% 급증

글로벌 낸드플래시 매출이 지난해 4분기에 전 분기 대비 24% 이상 대폭 증가한 것으로 나타났다. 낸드플래시(NAND Flash)는 비휘발성 플래시 메모리의 한 유형으로, 전원이 꺼져도 데이터를 유지할 수 있는 저장 매체다. 낸드플래시는 빠른 읽기와 쓰기 속도, 높은 밀도, 낮은 전력 소비 등의 특성으로 인해 다양한 전자기기에 널리 사용된다. 예를 들어, 스마트폰, 태블릿, USB 메모리 스틱, SSD(Solid State Drive)와 같은 저장 장치, 디지털 카메라 등에서 데이터 저장용으로 활용된다. 낸드플래시는 여러 개의 메모리 셀을 포함하며, 이 셀들이 전기적으로 데이터를 저장한다. 각 메모리 셀은 1비트에서부터 멀티 레벨 셀(MLC), 트리플 레벨 셀(TLC), 심지어 쿼드 레벨 셀(QLC)과 같이 여러 비트를 저장할 수 있도록 진화해왔다. 이러한 기술의 발달은 저장 용량을 크게 향상시키는 동시에 생산 비용을 줄이는 데 기여했다. 시장조사업체 트렌드포스는 6일 작년 4분기 전 세계 낸드 매출은 직전 3분기보다 24.5% 증가한 114억8580만달러를 기록했다고 발표했다. 트렌드포스는 "연말 프로모션에 따른 최종 수요 안정화와 부품 시장의 주문 확대로 전년 동기 대비 출하량이 호조를 보였다"며 "2024년 수요에 대한 기업 부문의 긍정적인 전망과 전력적 비축도 출하량 증가를 촉진했다"고 설명했다. 업체별로 보면 삼성전자의 작년 4분기 낸드 매출은 42억달러로 전 분기보다 44.8% 증가했다. 서버, 노트북, 스마트폰 전반에 걸쳐 수요가 급증한 영향이다. 삼성전자의 낸드 시장 점유율도 전 분기 31.4%에서 36.6%로 오르며 1위를 유지했다. SK하이닉스와 자회사 솔리다임의 작년 4분기 매출은 24억8040만달러로 전 분기보다 33.1% 상승했다. 시장 점유율도 20.2%에서 21.6%로 소폭 올라 2위를 유지했다. 3위 웨스턴디지털(WD)의 지난해 4분기 매출은 7.0% 증가한 16억6500만달러, 4위 키옥시아의 매출은 8.0% 증가한 14억4300만달러로 각각 집계됐다. 5위 마이크론은 수익성 개선을 위해 공급량을 대폭 줄여 비트 출하량은 전분기 대비 10% 이상 감소했고 매출은 1.1% 감소한 11억3750만 달러를 기록했다. 트렌드포스는 "공급망 재고 수준의 개선과 잠재적인 공급 부족을 피하려는 고객들의 주문 확대로 전통적인 비수기임에도 불구하고 2024년 1분기는 낸드 매출이 추가로 20% 더 증가할 것"이라고 전망했다. 아울러 지속적인 주문 규모 확대로 낸드 플래시 고정 가격은 평균 25% 상승할 것으로 예상했다.
- IT/바이오
2024-03-06
교통 스모그, 알츠하이머 발병 증가의 원인? 새로운 연구 결과 발표

교통 관련 대기 오염이 뇌에 알츠하이머 질환을 유발하는 아밀로이드 플라크의 축적과 연관될 수 있다는 연구 결과가 발표됐다. 22일(현지시간) 학술 전문매체 스터디 파인즈(StudyFinds)에 따르면 미국 신경학회(American Academy of Neurology)에서 수행한 연구에서, 교통으로 인한 대기 오염에 자주 노출된 사람들이 뇌에서 아밀로이드 플라크의 높은 수준을 경험할 가능성이 더 크다는 사실이 밝혀졌다. 아밀로이드 플라크는 알츠하이머병의 주요 병리학적 특징 중 하나로 알려져 있다. 연구팀은 직경이 2.5마이크론 이하인 미세먼지(PM2.5) 농도를 평가했다. 이어서, 치매 연구를 위해 사후에 뇌를 기증한 224명의 개인의 뇌 조직을 분석했다. 연구 결과, 사망하기 1년 및 3년 전에 더 높은 수준의 스모그에 노출된 개인들은 뇌에서 아밀로이드 플라크가 더 많이 발견됐다. 특히, 사망 전 1년 동안 PM2.5에 1 µg/m3 추가로 노출된 사람들은 더 높은 플라크 수준을 보일 가능성이 거의 두 배였으며, 사망 전 3년 동안 높은 노출을 경험한 사람들은 더 높은 플라크 수준을 가질 확률이 87% 더 높았다. 주목할 만한 사실은 알츠하이머병과 연관된 주요 유전적 변이(APOE e4)를 지니지 않는 개인들 사이에서 대기 오염과 알츠하이머병 징후 간의 가장 강력한 연관성이 관찰되었다는 점이다. 이는 환경적 요소가 유전적 요소와 별개로 알츠하이머병의 발생에 중요한 역할을 할 수 있음을 나타낸다. 이 연구는 대기 오염이 직접적으로 뇌에 플라크를 형성한다는 직접적 증거를 제공하는 것은 아니다. 그러나 교통량이 많은 지역에서 스모그에 노출되는 것이 뇌 건강에 해로울 수 있음을 우리에게 상기시킨다. 현재 연구는 주로 교육 수준이 높은 백인 개인에 초점을 맞추어 진행되었기 때문에, 이 결과가 다양한 인구 집단에도 동일하게 적용될 수 있을지는 확실하지 않다. 그럼에도 불구하고, 우리 주변 환경의 대기 오염이 뇌 건강에 미치는 영향을 탐구하는 연구는 앞으로 더 많이 이루어질 것으로 예상된다.
- 생활경제
2024-02-23
일본 키옥시아, 7천억엔 투자로 최첨단 반도체 양산 본격화

일본의 낸드플래시 메모리반도체 생산업체인 키옥시아(옛 도시바메모리)가 이르면 내년 가을 미에(三重)현과 이와테(岩手)현 공장에서 최첨단 반도체 양산에 나선다. 닛케이(日本經濟新聞) 등 일본 언론에 따르면 일본경제산업성은 6일(현지시간) 키옥시아 홀딩스와 웨스턴디지털(WD)의 최첨단반도체 메모리의 양산을 위해 2400억엔(약 2조1507억원)을 지원한다고 발표했다. 키옥시아는 일본정부의 자금지원과 자체 자금 등 모두 7000억엔을 투입해 미에현의 욧카이치(四日市) 공장과 이와테현의 기타카미(北上)공장에서 각각 '8세대', '9세대'로 불리는 최첨단 낸드 메모리를 예정보다 앞당긴 내년 9월 생산할 계획이다. 키옥시아는 두 공장에서 각각 월간 6만장, 2만5000장을 생산하는 것을 목표로 한다. 키옥시아는 낸드 플래시 투자를 지속적으로 강화하고 있다. 이 공장과 별도로 키옥시아는 반도체 경기 불황으로 연기된 욧카이치 공장장 설비 투자도 최첨단 제품 양산을 앞당기는 방향으로 다시 검토키로했다. 당초 6세대 생산을 계획했지만 8세대로 전환해 2026년 4월 이후 월 10만5000장을 생산하겠다는 목표다. 요미우리 신문은 "데이터 처리 대용량화와 고속화에 맞춰 최첨단 제품 수요가 커지고 있는 데 따른 것"이라고 분석했다. 앞서 지난해 글로벌 낸드플래시 2, 4위 업체인 일본 키옥시아와 미국 웨스턴디지털(WD) 간의 합병은 난항을 겪다가 무산됐다. 웨스턴디지털은 반도체 메모리 사업을 분리해 키옥시아홀딩스와 지주사를 설립해 경영을 통합하는 방안을 논의했으나 키옥시아에 간접 출자한 SK하이닉스가 동의하지 않은 것으로 알려졌다. 낸드플래시 시장은 삼성전자·SK하이닉스·미국 마이크론이 독과점하고 있는 D램과 달리 삼성(점유율 31.1%), 키옥시아(19.6%), SK하이닉스(17.8%), 웨스턴디지털(14.7%), 마이크론(13%) 등 다섯 업체가 고루 시장을 나눠 갖고 있어 경쟁이 치열하다. 키옥시아는 도시바의 낸드 플래시메모리사업 부문이 분사돼 2019년 자회사로 설립됐다. 미국 사모펀드 배인 케피탈을 필두로 미국의 애플, 델, 씨게이트, 킹스톤 테크놀로지, 한국의 SK하이닉스가 참여하는 컨소시엄이 49.9%의 지분을 보유하고 있는 일본의 호야가 9.9% 갖고 있다. 도시바는 나머지 40.2% 지분을 유지하고 있다.
- IT/바이오
2024-02-06
하버드대 연구팀, 고체 배터리 재충전 10분대로 단축

미국 스타트업이 가격이 저렴하면서도 충전 시간을 획기적으로 줄인 전기자동차(EV)용 전고체 배터리를 개발했다. 현대 사회에서 탄소 중립을 향한 움직임이 활발해지면서, 전세계 에너지 기업들은 화석 연료에 대한 의존도를 줄이는 데 집중하고 있다. 이러한 상황에서 전기차용 배터리의 중요성이 더욱 강조되고 있으며, 특히 환경 친화적이고 에너지 효율이 높은 전고체 배터리 개발이 업계의 중요한 과제로 부상했다. 기술 전문 매체 클린테크니카(cleantechnica)는 최근 하버드 대학의 스핀오프 기업인 아덴 에너지(Adden Energy)가 충전 시간을 10분대로 낮춘 새로운 전고체 배터리를 개발했다고 보도했다. 이 배터리는 최대 6000사이클 동안 사용 가능하며, 재충전 시간은 단 10분에 불과하다. 이는 연료 탱크를 채우는 시간과 유사하다고 한다. 비용에 대한 구체적인 언급은 없었으나, 이 회사의 배터리는 수명이 길어 전기차의 제조 비용을 줄이는 데 크게 기여할 것으로 전망된다. 새로운 고체 에너지 저장 기술은 기존 리튬 이온 배터리의 액체를 폴리머, 첨단 세라믹 또는 기타 고체 재료로 대체하는 차세대 기술이다. 리튬 이온이 고체를 통과해 이동하게 하는 것은 어려운 기술이지만, 그로 인해 더 긴 사용 범위와 더 빠른 충전 시간을 제공한다. 새로운 고체 에너지 저장 기술은 기존 리튬 이온 배터리에서 사용되는 액체 전해질을 폴리머, 첨단 세라믹, 또는 다른 고체 재료로 대체하는 혁신적인 접근법이다. 리튬 이온이 고체를 통과해 이동하는 것은 기술적으로 어려운 과제이지만, 이를 통해 배터리의 사용 가능 범위를 확장하고 충전 시간을 단축할 수 있다. 아덴 에너지는 여러 고체 배터리 혁신 기업 중 하나로, 이온 이동의 장애를 극복하는 데 중점을 두고 있다. 특히 이 회사는 리튬 이온 배터리의 양극에서 발생하는 수상돌기 문제에 대한 강력한 해결책을 제시했다. 덴드라이트(일종의 수지상의 골격을 형성한 결정)는 리튬 이온 배터리의 양극에서 발생하는 작은 양치류의 돌기처럼 생긴 현상으로, 배터리 성능을 저하시키고 화재 위험을 증가시키는 요인이다. 2018년, 아덴 에너지는 국제 학술지 네이처 커뮤니케이션즈(Nature Communications)에 황화물 기반의 고체 전해질 연구 결과를 발표하며 고체 배터리 분야에서 중요한 발전을 이루었다. 아덴 에너지는 "우리 논문의 목표는 LGPS와 LSPS라는 두 가지 유형의 결정질 황화물 고체 전해질의 미세 구조를 조절하고 수정함으로써 전압 안정성을 향상시킬 수 있다는 점을 입증하는 것이다"라며 두 가지 유형의 결정질 황화물 고체 전해질에 대해 밝혔다. 더 나아가, 회사는 "황화물 고체 전해질의 미세 구조와 성능 간의 기본 메커니즘을 밝히는 것이 중요하다"며 "이는 미래 재료 및 배터리 셀 설계에 대한 지침이 될 수 있다"고 기대했다. 덴드라이트 현상은 과거에는 주로 액체 전해질을 사용하는 배터리에서만 관찰되었지만, 최근 연구에 따르면 고체 배터리에서도 문제가 될 수 있음이 밝혀졌다. 이 문제를 해결하기 위한 여러 방법이 연구되고 있는 가운데, 하버드 대학 SEAS(John A. Paulson School of Engineering and Applied Sciences)의 재료과학 부교수 신 리(Xin Li) 팀은 이 현상을 완전히 멈추는 데 성공했다. 하버드 대학의 언론 담당자 레아 버로우스(Leah Burrows)는 리 팀의 새로운 연구에 대해 "연구팀은 리튬화 반응을 제어하고 균일한 리튬 금속층의 도금을 촉진하기 위해 양극에 마이크론 크기의 실리콘 입자를 사용하여 덴드라이트 형성을 방지했다"고 설명했다. 버로우스는 "이 코팅된 입자가 전류 밀도가 균일하게 분포되는 표면을 만들어 덴드라이트의 성장을 막는다"고 설명했다. 또한, "이런 설계 덕분에 도금과 박리 과정이 평평한 표면에서 더 빠르게 일어날 수 있어 배터리를 약 10분 만에 재충전할 수 있다"고 덧붙였다. 리 부교수는 "우리의 설계에서 리튬 금속이 실리콘 입자를 감싸는 것은 초콜릿 트러플에 있는 헤이즐넛 코어를 단단한 초콜릿 껍질이 감싸는 것과 유사하다"라고 비유했다. 이 혁신적인 새 배터리는 현재 상업적 생산을 위한 확장 단계에 있다. 연구팀은 우표 크기의 파우치 셀을 사용하여 이번 실험을 진행했다. 이는 일반적인 대학 연구실에서 만들어진 배터리보다 10~20배 정도 크며, 실제 사용 환경에서의 데이터 수집에 충분한 크기라고 할 수 있다. 버로우스는 이 배터리의 내구성에 대해서도 언급했다. 그녀는 "배터리가 6000사이클을 거친 후에도 초기 용량의 80%를 유지하며, 이는 현재 시장에 나와 있는 다른 파우치 셀 배터리보다 우수한 성능을 나타낸다"고 말했다. 한편, 아덴 에너지는 2022년에 하버드 대학교의 기술개발실(Office of Technology Development)로부터 이 기술에 대한 독점 라이선스를 획득했다. 또한, 회사는 515만 달러(한화 약 68억원)의 시드 자금을 조달하는 데 성공했다. 이 자금은 창업 아이템을 구체화하고 개발하여 시제품을 생산하는 과정에 사용될 예정이다. 회사 측은 라이선스 획득과 벤처 자금 조달을 통해 하버드 대학의 실험실 프로토타입을 상업적 규모로 확장할 수 있게 되었다고 설명했다. 이를 통해 아덴 에너지는 전기자동차(EV) 시장에 빠르게 충전되고 안정적인 고체 리튬-금속 배터리를 제공할 수 있게 될 것으로 기대된다. 아덴 에너지는 2022년에 손바닥 크기의 파우치 셀을 개발하는 것을 첫 단계로 삼고, 향후 3~5년 이내에 전기자동차(EV)용 풀사이즈의 전고체 배터리 개발을 목표로 하고 있다. 이 회사는 2030년 이전에 이러한 배터리를 시장에 출시될 것으로 예상하고 있다. 리 부교수는 전기차의 중요성에 대해 강조하며, "전기차가 말 그대로 도로 위의 1%에 불과한 단순한 고급 패션 아이템으로 여겨져서는 안 된다"고 말했다. 그는 "청정에너지 미래를 향해 나아가기 위해서는 전기차가 일반 대중에게도 접근 가능해야 한다"고 강조했다. 그는 또한 "만약 전기차 배터리가 3년에서 5년만 지속된다면, 미국은 중고차 시장을 갖지 못할 것"이라고 지적했다. 이어 "기술은 모든 사람이 접근할 수 있어야 하며, 우리가 하고 있는 것처럼 배터리 수명을 연장하는 것은 그 과정에서 매우 중요한 부분이다"라고 덧붙였다.
- 산업
2024-01-18