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미국, GAA 최첨단 반도체기술 이용제한 강화 검토
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미국, GAA 최첨단 반도체기술 이용제한 강화 검토
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인텔, 대만TSMC와 손잡고 엔비디아 대대적 반격
- 인텔이 대만 파운드리(반도체 위탁생산) 기업 TSMC와 협력해 차세대 AI(인공지능) 프로세서 생산에 나섰다. 인텔은 엔비디아의 그래픽처리장치(GPU)보다 3분의 1 수준의 낮은 가격에 AI 가속기를 공급하겠다는 구상도 밝히며 엔비디아에 대해 대대적인 반격을 선언했다. 팻 겔싱어 인텔 CEO는 4일(현지시간) 대만 타이베이 난강 전시장에서 열린 ‘컴퓨텍스 2024’ 전시회 기조연설에서 올해 하반기 출시할 AI 프로세서 '루나 레이크'를 처음으로 소개했다. 제품은 인텔 내부가 아닌 TSMC의 3㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m) 공정에서 생산될 예정이다. 루나 레이크는 시스템온칩(SoC) 전력을 전작 대비 최대 40% 줄이고 AI 컴퓨팅 성능은 3배 이상 높인 프로세서다. 겔싱어 CEO는 올해 '루나 레이크'와 '애로우 레이크'를 출시한 데 이어 내년에는 '팬더 레이크'를 내놓겠다고 설명했다. 인텔의 서버용 CPU '제온 6' 칩도 선보였다. 6세대 프로세서 제온 6는 전작 대비 최대 4.2배 성능이 향상됐다. 이날 겔싱어 CEO는 AI칩 선두 기업인 엔비디아에 대응하기 위한 전략도 밝혔다. 뛰어난 가성비를 앞세워 엔비디아의 유일한 대항마로 자리매김한다는 전략이다. 인텔은 AI 시장에서 엔비디아와 AMD에게 빼앗긴 시장점유율을 되찾기 위한 분투하고 있다. 갤싱어 CEO는 "인텔의 AI 가속기 '가우디 2'는 경쟁사 AI용 GPU 가격의 3분의 1, '가우디 3'는 경쟁사 GPU 가격의 3분의 2 수준”이라고 말했다. 그는 "가우디 3는 동급 규모의 엔비디아 H100 GPU에 비해 학습 시간이 최대 40% 빠르다"며 "거대 언어모델(LLM)을 실행할 때 엔비디아 H100 대비 평균 최대 2배 빠른 추론을 제공할 것으로 예상된다"고 밝혔다 겔싱어 CEO는 삼성과의 협업도 언급했다. 그는 "삼성메디슨과 AI를 활용한 초음파 솔루션 관련해 협업하고 있다"며 “의사들은 AI를 활용해 쉽고 빠르게 초음파 이미지를 캡처할 수 있게 됐다"고 설명했다. 인텔은 연내 18A(1.8나노) 공정 양산에 들어가겠다고 한 기존 발표도 계획대로 진행되고 있다고 밝혔다. 겔싱어 CEO는 “다음 주에 18A 웨이퍼에서 나온 첫번째 칩을 구동시킬 예정”이라고 말했다. 이에 앞서 인텔은 18A 공정은 올해 말, 14A(1.4나노)공정은 2027년부터 도입해 TSMC와 삼성전자를 빠르게 따라잡겠다는 포부를 밝혔다. 2030년까지 세계 2위 파운드리가 돼 업계 리더십을 회복하겠다는 구상이다.
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인텔, 대만TSMC와 손잡고 엔비디아 대대적 반격
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'갤S24' 올 1분기 전세계 AI폰시장 절반 이상 차지
- 삼성전자의 최신 스마트폰 '갤럭시S24' 시리즈가 올해 1분기 세계에서 가장 많이 팔린 생성형 인공지능(AI) 스마트폰으로 집계됐다. 30일(현지시간) 홍콩 시장조사기관 카운터포인트리서치에 따르면 갤럭시S24 시리즈의 올해 1분기 세계 생성형 AI 스마트폰 판매량 점유율은 58.4%에 달했다. 세계 첫 AI 내장 스마트폰 출시로 기선을 제압한 선점 효과가 십분 반영된 결과로 분석된다. 모델별 점유율을 보면 S24 울트라 모델은 30.1%, S24 기본은 16.8%, S24 플러스는 11.5%로, S24 시리즈가 1~3위를 석권했다. 카운터포인트리서치는 "갤럭시S24 시리즈가 스마트폰 시장을 지배하고 있다"며 "생성형 AI 기능인 대화·회의 녹음·정리, 서클 투 서치(Circle to Search·화면에 동그라미 친 부분을 구글로 검색하는 기능), 실시간 번역 등이 좋은 반응을 얻고 있다"고 분석했다. 이와 함께 이를 강조한 공격적인 마케팅도 주효했다고 언급했다. S24 시리즈 뒤로는 중국 제조사 제품들이 뒤를 이었다. 샤오미14(7.7%)와 비보 X100(4.9%), 샤오미14 프로(4.0%), 오포 파인드 X7(3.2%), 원플러스12(2.7%), 아너 매직6(2.6%) 순이었다. 구글의 생성형 AI 제미나이가 탑재된 구글 픽셀 8 프로는 2.2%의 판매점유율을 기록해 10위에 그쳤다. 애플은 아직 생성형 AI 스마트폰을 출시하지 않고 있다. 카운터포인트리서치는 "자국 시장에 먼저 집중하려는 중국 브랜드의 전략으로 중국은 세계 최대 규모의 생성형 AI 스마트폰 시장으로 부상했다"며 "이는 전 세계 시장의 3분의 1 수준에 달한다"고 밝혔다. 생성형 AI를 탑재한 스마트폰의 지배력은 더욱 커질 전망이다. 카운터포인트리서치는 "올해 1분기 도매가 600달러(약 83만 원) 이상의 프리미엄 스마트폰 판매량에서 생성형 AI 스마트폰 비중은 70% 이상을 차지했다"며 "앞으로 생성형 AI 스마트폰 비중이 전체 시장의 11%에 달하며 성장을 주도할 것"이라고 분석했다. 이 조사기관은 이어 "생성형 AI를 지원하는 스마트폰 모델이 1분기 16개에서 30여 개로 늘었다"며 "이는 해당 부문에 대한 브랜드의 관심이 높아지고 있다는 방증"이라고 덧붙였다. 애플도 오는 9월 내놓을 차기 모델 '아이폰16'에는 자체 첫 생성형 AI 기능을 탑재할 것으로 보여 AI폰 시장의 주도권 경쟁이 격화될 전망이다. 아이폰16에는 신경망처리장치(NPU)를 탑재한 차세대 AI향 프로세서 ‘A18’이 장착돼 온디바이스 AI 기능을 구현할 것으로 예상되고 있다. 아울러 iOS18로 업데이트를 하면, 구형 아이폰 모델에서도 AI 기능을 활용할 수 있도록 할 것으로 보인다.
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'갤S24' 올 1분기 전세계 AI폰시장 절반 이상 차지
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한국 1∼4월 국세수입 8조원 감소…법인세 13조원 급감 '충격'
- 올해 우리나라 법인세 수입이 급감하면서 4월까지 수입 감소 규모가 8조원을 넘어섰다. 법인세 수입은 지난해 기업 실적 부진의 영향으로 지난 4월까지 약 13조 원 가까이 줄어든 것으로 나타났다. 이에 따라 작년에 이어 올해도 세수 부족이 불가피할 것이라는 전망이 힘을 얻고 있다. 31일 기획재정부가 발표한 '4월 국세수입 현황'에 따르면, 1∼4월 국세수입은 125조 6000억원으로, 작년 같은 기간보다 8조 4000억원 줄었다. 4월 한 달 동안의 국세수입은 6조 2000억원 감소한 40조 7000억원이었다. 올해 누계 국세수입은 3월에 작년 대비 2조 2천억 원 감소한 데 이어, 4월에는 감소 폭이 더 커졌다. 예산 대비 세수 진도율은 34.2%로, 작년(38.9%)이나 최근 5년 평균(38.3%)보다 낮다. 국세수입 감소의 주요 원인은 법인세 감소다. 1∼4월 법인세 수입은 22조 8000억원으로, 작년보다 12조 8000억원 줄었다. 원천분의 증가에도 불구하고 일반·연결 법인의 사업 실적이 저조했던 영향이다. 법인세 수입은 4월에만 7조 2000억원 줄어들면서, 올해 누계 감소분은 3월 누계분(5조 5000억원)보다 두 배 이상 확대됐다. 세수 진도율(29.4%)도 작년 4월 기준(33.9%)보다 낮다. 대기업 영업손실로 법인세 미납 법인세 수입 감소는 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 대기업이 영업 손실로 인해 법인세를 내지 못한 영향이 컸다. 특히 4월에는 금융지주회사의 법인세 실적도 '조 단위'로 감소했다. 작년 회계상 이익은 컸지만, 주식 처분이 이뤄지지 않아 세무상 이익으로 연결되지 않았다는 것이 기획재정부의 설명이다. 1∼4월 소득세는 35조 3000억원으로, 작년보다 4000억원 줄어 3월(-7000억 원)에 이어 감소세를 보였다. 고금리로 이자소득세가 1조 4000억 원 늘었지만, 기업 성과급 감소와 연말정산 환급금 증가 등으로 근로소득세가 1조 5000억 원 줄어든 탓이다. 4월 소득세는 급여 증가 등으로 3000억원 늘었다. 1∼4월 부가가치세는 국내분 납부 실적이 개선되면서 4조 4000억원 늘어난 40조 3000억원을 기록했다. 4월까지 증권거래세는 1조 9000억원이 걷혔다. 거래대금 증가에도 세율 인하 등의 영향으로 작년과 비슷한 수준을 유지했다. 1∼4월 관세는 수입 감소 영향으로 3000억 원 줄어든 2조 1000억원으로 집계됐다. 정부는 최근 종합소득세 수입의 개선세와 작년 해외 증시 호조에 따른 5월 양도소득세 증가 전망 등을 근거로 세수 상황이 다소 나아질 수 있을 것으로 기대하고 있다. 상반기 기업 실적 개선으로 8월 법인세 중간예납분이 늘어날 가능성도 긍정적인 요인이다. 그러나 지금까지의 세수 감소 폭을 고려하면, 앞으로 세수 상황이 극적으로 개선되지 않는 한 작년에 이어 올해도 세수 결손이 불가피할 것이라는 전망이 힘을 얻고 있다. 4월 기준 세수 감소 규모가 올해와 비슷했던 2013년, 2014년, 2020년에는 모두 연간 기준으로 6조∼13조 원 규모의 세수 결손을 기록한 것으로 나타났다. 윤수현 기획재정부 조세분석과장은 "법인세 수입이 많이 줄었고 나머지 세수가 이를 보완하는 상황"이라며 "과거 자료와 비교해 보면, 올해는 예산만큼 세금이 들어오기는 어려울 것 같다"라고 말했다. 올해 총선을 앞두고 재정 집행이 집중된 상황에서 세수 부진까지 겹치면서 재정 수지는 악화일로다. 정부의 실질적인 재정 상태를 보여주는 관리재정수지는 3월까지 75조 3000억원 적자를 기록하며 같은 달 기준 역대 최대치였다. 올해도 작년에 이어 세수 부족 가능성이 커지면서, 9차례 인하 조치가 연장된 유류세율의 환원 가능성에도 관심이 쏠리고 있다. 기획재정부도 오는 6월 유류세 인하 조치 종료를 앞두고 환원 여부를 검토 중이다. 그러나 최근 국제유가 하락세에도 이스라엘-하마스 전쟁 등으로 불확실성이 여전한 만큼, 아직 환원 여부를 결정하지 못한 것으로 전해졌다.
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한국 1∼4월 국세수입 8조원 감소…법인세 13조원 급감 '충격'
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대만 TSMC, 올해 공장 7개 신설로 반도체 역량 대폭 강화
- 세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 업체인 대만 TSMC가 올해 공장 7개를 추가로 신설하는 등 반도체 생산역량을 대폭 강화한다. 24일 중국시보 등 대만언론에 따르면 남부 타이난 TSMC 18B 팹(fab·반도체 생산공장)의 황위안궈 수석 공장장은 전날 대만 타이베이에서 열린 기술 심포지엄에서 고객사 수요 충족을 위해 올해 2곳의 해외 팹을 포함해 국내외에 첨단 패키징 공정 등 총 7개 공장을 건설할 예정이라고 밝혔다. 황 수석 공장장은 "올해 자사의 3㎚(나노미터·10억분의 1m) 공정 생산능력이 지난해에 비해 3배 증가했지만, 여전히 공급이 수요를 따라가지 못하고 있다"고 말했다. 그는 패키징 공장인 타이중 5공장(AP5)은 2025년부터 '칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트'(CoWos)라는 첨단 공정을 이용한 양산에 들어가고, 자이 7공장(AP7)은 2026년부터 CoWos와 SoIC(System On Intergrated Chips)를 이용한 양산에 나설 예정이라고 밝혔다. 또 다른 한 관계자는 올해 착공하는 해외 공장은 일본 구마모토 2공장과 독일 드레스덴 공장이라고 전했다. 또 한 관계자는 고성능컴퓨팅(HPC)과 플래그십 스마트폰의 수요 확대로 인해 3나노 제품이 공급 부족에 직면했다고 밝혔다. 그는 미국 애플의 A18 프로세서, 퀄컴의 스냅드래곤8 4세대, 미디어텍 디멘시티 9400 등이 TSMC 3나노 2세대 공정인 N3E 제품을 채택할 가능성이 크다며 "이로 인해 공급 부족이 더욱 심해질 것"이라고 말했다. TSMC 측도 이번 심포지엄에서 2030년 세계 반도체 생산액이 1조달러(약 1369조원)에 달하며 이 가운데 파운드리 생산액이 2천500억달러(약 342조원)에 이를 것으로 기대된다고 밝혔다. 또한 인공지능(AI) 가속기의 올해 수요가 지난해보다 2.5배 성장할 것이라고 전망했다. 장샤오창 TSMC 비즈니스 개발 선임부사장은 2나노 공정의 건설 진척도 순조롭다면서 2025년부터 양산이 가능할 것이라고 밝혔다. TSMC는 2020년부터 6개의 공장을 신설한 데 이어 2021년부터 지난해까지 매년 각각 7개, 3개, 4개의 공장을 건설해왔다. 나노(nm)는 반도체 회로 선폭을 의미하는 단위로, 선폭이 좁을수록 소비전력이 줄고 처리 속도가 빨라진다. 현재 세계에서 가장 앞선 양산 기술은 3나노다. 전문가들은 2나노 부문에서는 TSMC가 대체로 우세한 것으로 평가하고 있다. 한편, 한국의 삼성전자와 TSMC는 올해 하반기 나란히 3나노미터 공정의 모바일 애플리케이션프로세서(AP)를 내놓으며 정면 승부를 펼칠 예정이다. 액시노스 2500은 내년 초 출시될 '갤럭시 25' 시리즈에 탑재될 것으로 알려졌다.
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대만 TSMC, 올해 공장 7개 신설로 반도체 역량 대폭 강화
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"삼성전자 HBM칩, 엔비디아 테스트 통과 지연…발열 등 문제"
- 삼성전자의 현재 고대역폭 메모리(HBM) 기술이 엔비디아의 기준에 부적합한 것으로 알려졌다. 삼성전자가 미국 반도체업체 엔비디아에 고대역폭 메모리(HBM)를 납품하기 위한 테스트를 아직 통과하지 못했다고 로이터통신이 3명의 익명 소식통을 인용해 24일 보도했다고 연합뉴스가 전했다. 소식통들은 삼성전자 HBM의 발열과 전력 소비 등이 문제가 됐다고 전했다. 현재 인공지능(AI)용 그래픽처리장치(GPU)에 주력으로 쓰이는 4세대 제품 HBM3을 비롯해 5세대 제품 HBM3E에 이러한 문제가 있었다는 것. 삼성전자는 지난해부터 엔비디아의 HBM3와 HBM3E 테스트 통과를 위해 노력해왔으며, 지난달 HBM3E 8단 및 12단 제품 테스트 결과가 나왔다. 지난 3월 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 엔비디아 연례 개발자 콘퍼런스 'GTC 2024'의 삼성전자 부스를 찾아 HBM3E 12단 제품에 '젠슨 승인'(JENSEN APPROVED)이라고 사인을 해서 시장에서는 테스트 통과 기대감이 높아졌지만, 결과는 다르게 나왔다. 지적된 문제를 쉽게 수정 가능할지는 아직 명확하지 않지만, 소식통들은 투자자들 사이에 삼성전자가 HBM 분야에서 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론테크놀로지에 더 뒤처질 수 있다는 우려가 나온다고 전했다. 삼성전자는 세계 D램 시장 1위업체다. 그러나 HBM 시장 주도권은 10년 전부터 HBM에 적극적으로 '투입'해온 경쟁사 SK하이닉스가 쥐고 있다. SK하이닉스는 GPU 시장의 80% 이상을 장악한 엔비디아에 HBM3를 사실상 독점 공급해왔으며, 지난 3월에는 HBM3E(8단)를 양산해 엔비디아에 공급하기 시작했다. HBM 경쟁에서 주도권을 놓친 삼성전자는 지난 21일 반도체 사업부 수장을 전격 교체했다. 삼성전자는 전영현 미래사업기획단장(부회장)을 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)부문장에 임명했다. 로이터는 삼성전자는 구체적인 언급을 피하면서도 HBM에는 고객사의 필요에 맞춰 최적화 과정이 필요하다면서 고객사들과 긴밀히 협조하고 있다고 밝혔다고 전했다. 엔비디아는 로이터의 논평 요청에 입장을 밝히지 않았다. 삼성전자는 이날 공식 입장을 내고 HBM의 공급을 위한 태스트를 순조롭게 진행중이라고 밝혔다. 삼성전자는 "현재 다수의 업체와 긴밀하게 협력하며 지속적으로 기술과 성능을 테스트하고 있다"며 "HBM의 품질과 성능을 철저하게 검증하기 위해 다양한 테스트를 수행하고 있다"고 설명했다. 이어 "삼성전자는 모든 제품에 대해 지속적인 품질 개선과 신뢰성 강화를 위해 노력하고 있으며, 이를 통해 고객들에게 최상의 설루션을 제공할 예정"이라고 덧붙였다. 한편, 고대역폭 메모리 (HBM)는 인공지능(AI) 분야에서 핵심적인 역할을 하는 기술이다. 기존 메모리에 비해 훨씬 빠른 데이터 처리 속도와 높은 효율성을 제공하기 때문에 AI 애플리케이션의 성능 향상에 크게 기여한다. AI는 방대한 양의 데이터를 처리하고 분석해야 하는 특성을 가지고 있다. HBM은 기존 메모리보다 훨씬 빠른 데이터 전송 속도를 제공하여 AI 모델의 학습 및 추론 속도를 대폭 향상시킬 수 있다. 특히, 이미지 인식, 자연어 처리, 머신러닝 분야에서 HBM의 빠른 처리 속도는 모델의 정확성을 높이고 처리 시간을 단축하는 데 중요한 역할을 한다. 또한 HBM은 기존 메모리에 비해 낮은 전력 소비로 작동한다. 이는 데이터 센터 환경에서 AI 모델을 운영할 때 중요한 요소다. 낮은 전력 소비는 운영 비용 절감뿐만 아니라 발열량 감소에도 기여해 시스템의 안정성을 높일 수 있다. HBM은 앞으로 더욱 발전할 AI 기술의 요구 사항을 충족시킬 수 있는 잠재력을 가지고 있다. 예를 들어, 인공지능 기반의 자율주행, 스마트 시티, 첨단 의료 시스템 등의 분야에서 HBM은 핵심적인 역할을 할 것으로 예상된다.
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"삼성전자 HBM칩, 엔비디아 테스트 통과 지연…발열 등 문제"
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최상목 부총리 "반도체 지원 26조, 세계 최고 수준"
- 최상목 부총리 겸 기획재정부 장관이 23일 발표한 반도체 지원 프로그램에 대해 "세계 어느 나라보다도 인센티브로서 손색이 없다고 자부할 수 있을 것 같다"고 말했다. 최 부총리는 이날 정부서울청사에서 안덕근 산업통상자원부 장관, 박상우 국토교통부 장관, 이종호 과학기술정보통신부 장관, 한화진 환경부 장관, 김주현 금융위원장 등 관계부처 장관들과 함께 '반도체 생태계 종합지원 방안'을 발표라며 이렇게 말했다. 이날 정부는 26조원 규모의 반도체 분야 지원 방안을 발표했다. 반도체 금융지원 프로그램으로 18조1000억원, 연구개발(R&D)·인력양성 등에 5조원 이상, 도로·용수·전력 공급 등 인프라에 2조원 이상을 각각 투입한다는 계획이다. 정부가 이날 발표한 26조원 규모의 반도체 산업 지원 계획의 70%는 우대금리 대출 등 금융 지원으로 채워졌다. 반도체 클러스터 조성을 위한 전력·용수 등 인프라 지원과 연구개발(R&D) 인력 양성을 위한 투자도 기존보다 대폭 확대하기로 했다. 산업 경쟁력을 높여 반도체 패권 경쟁이 심화하는 글로벌 시장에서 주도권을 확보하기 위한 취지다. 이는 윤석열 정부의 남은 임기인 3년간의 투자 규모다. 최 부총리는 "어떤 나라는 국가나 지방자치단체에서 지원해주는 경우들이 많이 있는 걸로 아는데 우리도 거기에 뒤떨어지지 않도록 인프라 지원을 확실히 하겠다는 것을 이번에 밝혔다"며 "산단을 조성하는 인프라 시간을 절반으로 단축하는 것도 어떻게 말하면 시간 보조금이라고 할 수 있을 것 같다"고 설명했다. 이중 재정지원은 산업은행 출자분 18조원 등을 뺀 8조원가량이다. 반도체 생태계 펀드 출자, 인프라 확충, R&D, 인력 양성 등이다. 최 부총리는 직접 보조금을 지급하는 방안이 제외된 점에 대해서 "제조 시설이 없고 새로 만들어야 하는 나라들이 인센티브를 주기 위해 투자 보조금이 있는 것"이라며 "제조 시설에 있어 세제지원은 보조금과 같은 성격이고 어느 나라보다 인센티브율이 높다"고 강조했다. 그러면서 "좀 더 인센티브가 될 수 있도록 (세제지원) 적용 범위를 확대했다"며 "저리 대출을 해서 지원을 받을 수 있게 됐기 때문에 투자 보조금까지는 아니더라도 유동성 등을 지원받을 수 있다"고 말했다. 앞으로 삼성전자, SK하이닉스와 같은 대기업에 대한 대규모 지원 여부에 대해서는 "지금 용인에 반도체 클러스터를 하고 있는데 가장 많이 요청하는 것이 인프라 지원"이라며 "(업계와) 소통을 해나가고 있고 현재로는 어느 정도 충족이 되지 않을까 생각한다"고 말했다. 최 부총리는 "R&D, 인력양성 등 5조원 이상의 재정 지원은 대부분 중소·중견기업한테 간다"고 설명했다. 박상우 국토교통부 장관은 "(용인 국가산업단지 관련) 특단의 조치를 가동해서 보상 기간과 협의 기간을 반으로 줄여서 2026년 말이면 부지 조성 공사에 착수하고 2028년 말이면 '팹(Fab) 1'의 부지 조성이 다 완료돼 공장 건설이 시작되도록 하겠다"며 "2030년 말에는 팹 1공장이 가동되도록 빠른 속도로 진행해 나가겠다"고 말했다. 한화진 환경부 장관은 "용인의 국가산단과 일반산단, 2개의 산단에서 용수를 함께 공급할 수 있는 복선화된 공동사용관로를 사용하려고 한다"며 "관로가 파손되거나 누수되는 비상사태가 발생할 경우에도 안정적으로 용수를 공급하는 강점이 있다"고 설명했다. 안덕근 산업통상자원부 장관은 용인 산단의 송전망과 관련해 "지금 가평까지 오는 1차 선로는 현재 인허가를 다 마쳤다"며 "나머지 용인 산단에 들어가고 있는 내륙 3개 선로와 서해안에서 올라오는 선로가 있는데, 비용 문제 등을 가지고 면밀히 검토하면서 태스크포스를 구성해 효율적인 방법을 모색하는 중"이라고 밝혔다. 안 장관은 향후 구체적 목표에 대해 "전 세계 반도체 분야에서 3분의 2 정도를 차지하는 시스템 반도체 분야에 우리가 특히 취약하다"며 "2030년까지 시스템 반도체 분야의 시장 점유율을 현재 2% 조금 넘는 수준에서 10% 정도로 키우는 목표치를 갖고 성장 전략을 만들어서 조만간 공개하겠다"고 말했다. 정부는 산업단지 착공에 드는 기간을 기존 7년에서 절반으로 단축할 방침이다. 특히 용인 반도체 메가클러스터의 국도 45호선 확장과 용수·전력 공급 문제는 사전 절차 간소화, 관계기관 비용 분담 등을 통해 적극적으로 해결하겠다고 약속했다. R&D 인력 양성 투자는 직전(2022∼2024년) 3년간 3조원 수준에서 향후 3년간(2025∼2027년) 5조원 이상으로 늘리기로 했다. 반도체 설계용 소프트웨어 구입비 등 R&D 세액공제 적용 범위를 확대하고 올해 말로 종료되는 국가전략기술 세액공제 적용기한 연장, 대상 범위 확대 등도 추진한다. 또한 정부는 반도체 관련 첨단 패키징, 미니팹 구축 등에 대한 R&D 사업 예비타당성 조사를 조속히 마무리해 내년 예산안에 반영할 계획이다. 반도체 특성화 대학·대학원 과정을 확대해 현장 수요에 맞는 전문 인력도 양성한다. 정부는 이번 계획의 70% 이상을 중소·중견기업에 지원한다는 방침이다. 윤 대통령이 지시한 시스템 반도체 성장 전략은 오는 8월까지 마련하기로 했다. 최부총리는 "오늘 발표한 반도체 생태계 지원 방은을 보다 구체화해 6월 중 확정하고 신속히 추진해 나가겠다"라고 말했다.
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최상목 부총리 "반도체 지원 26조, 세계 최고 수준"
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'AI 서울 정상회의' 장관 세션, 미국·일본 등 21개국 참석
- 22일 오후 서울 성북구 한국과학기술연구원(KIST)에서 열린 'AI 서울 정상회의' 장관 세션에는 21개국 장관급 인사들과 국내외 주요 기업 19곳 고위 관계자 등이 참석했다. 이종호 과학기술정보통신부 장관과 미셸 도넬란 영국 과학혁신기술부 장관은 공동의장으로 나서 '인공지능(AI) 안전성 확립 역량 강화'와 '지속 가능한 AI 발전 촉진'이라는 두 가지 주제를 심층적으로 논의했다. 이번 회의는 지난해 11월 영국 블레츨리 파크에서 열린 "AI 안정성 정상회의'에 이은 후속 회의다. 이 장관은 개회사에서 지난 6개월 동안 생성형 AI가 예상보다 훨씬 빠른 속도로 발전하며 우리 일상과 경제, 사회 전반에 새로운 혁신을 가져오고 있다고 강조했다. 또한, "AI 위험과 부작용에 대한 우려가 증가하고 있으며, 국제 사회는 관련 규범 정립을 위한 노력을 본격화하고 있다"고 지적했다. 그는 전날 정상급 합의 문서인 '서울 선언'에서 제시된 비전을 바탕으로 오늘 세션에서는 AI 안전 확보와 지속 가능한 발전을 논의하고자 한다고 밝혔다. 미셸 도넬란 장관은 "AI 발달 속도 자체가 매우 빠르기 때문에 우리도 더 신속하게 행동해야 AI 안전성을 담보할 수 있다"고 강조했다. 도넬란 장관은 "국제 사회가 AI 리스크에 대한 회복 탄력성을 갖춰야 한다"며 "지식을 모으는 속도가 사회가 그것을 알아가는 속도보다 빠르기 때문에 과학계 리더들이 앞으로 구체적인 활동 계획을 합의해 내놓기를 바란다"며 노력을 지속할 것을 촉구했다. 첫 번째 장관 세션에서는 각국의 'AI 안전 연구소' 설립 현황을 공유하고 글로벌 공조 방안을 논의했다. 특히 1차 회의 후속 조치인 'AI 안전 국제 과학 보고서'를 토대로 현재와 가까운 미래의 AI 위험 요인을 진단하고 안전성 강화 방안을 모색했다. 두 번째 세션에서는 에너지·환경·일자리 등 AI가 초래하는 부작용에 대해 회복 탄력성을 확보하기 위한 방안을 논의했다. AI 개발과 운영 확대에 따른 막대한 전력 소모에 대응할 필요성이 높아지면서, 저전력 반도체 등 우리나라의 AI 반도체 비전을 중심으로 새로운 글로벌 의제를 논의했다. 이날 장관 세션에는 정부 인사로 공동의장들을 비롯해 세스 센터 미국 국무부 핵심·신흥기술 부특사, 슈테판 슈노르 독일 연방 디지털교통부 장관, 니시다 시오지 일본 국회 총무성 차관 등 20개국 고위 인사들이 참여했다. 유엔에서는 아만딥 싱 길 사무총장 기술특사가 참석했다. 해외업계에서는 에이단 고메즈 코히어 대표이사와 앤드루 잭슨 코어42 최고책임자, 크리스티나 몽고메리 IBM 최고신뢰임원, 잭 클라크 앤트로픽 공동 설립자, 링게 텐센트 유럽 대표, 나타샤 크램튼 마이크로소프트 최고 AI 책임자, 롭 셔먼 메타 부사장 겸 최고 개인정보보호책임자, 샌디 쿤바타나간 오픈AI APAC 정책실장, 톰 루 구글 딥마인드 부사장 등이 자리에 함께 했다. 또 국내에서는 전경훈 삼성전자 사장, 유영상 SK텔레콤 대표, 배경훈 LG AI 연구원장 등이 참석했다. 학계·시민사회 인사로는 카네기 국제평화기금의 아서 넬슨 부이사관과 루먼 차우더리 휴메인 인텔리전스 대표, 오혜연 카이스트 교수, 이경무 서울대 교수 등이 참가했다. 앞서 윤석열 대통령은 21일 리시 수낵 영국 총리와 함께 'AI 서울 정상회의'를 주재하고 안전·혁신·포용의 3대 원칙을 담은 합의를 도출했다. 대통령실은 이날 윤 대통령은 청와대 영빈관에서 화상으로 주재한 AI 서울 정상회의 개회사에서 "대한민국은 국제사회의 책임 있는 일원으로서 인공지능(AI) 안전, 혁신, 포용을 조화롭게 추진해 나가겠다"고 밝혔다고 전했다. 윤 대통령은 "생성형 AI 등장 이후 AI 기술이 전례 없는 속도로 발전하면서 인류 사회에 막대한 파급 효과를 가져올 것으로 전망된다"고 말했다. 또한 "이번 회의는 한국 정부가 수립한 디지털 권리장전, 유엔 총회의 AI 결의안, 주요 7개국(G7) 차원의 히로시마 AI 프로세스 등 그간의 노력을 결집해 글로벌 차원의 AI 규범과 거버넌스를 진전시키는 계기가 될 것"이라고 강조했다. 회의에 참석한 정상과 글로벌 기업 대표들은 AI가 갖는 위험 요소는 최소화하면서, 자유로운 연구개발을 통해 잠재력은 최대한 구현하고, 이를 통해 창출된 혜택은 인류 모두가 누릴 수 있는 방안을 논의했다고 대통령실은 전했다. 회의에 참여한 정상들은 '안전하고 혁신적이며 포용적인 AI를 위한 서울선언'과 그 부속서인 'AI 안전 과학에 대한 국제 협력을 위한 서울 의향서'를 채택했다. 회의에 참석한 정상들은 '서울선언'에서 "AI의 안전·혁신·포용성은 상호 연계된 목표로서 AI 거버넌스에 대한 국제 논의에 이들 우선순위를 포함하는 것이 중요하다고 인식한다"는데 동의했다. 글로벌 AI 선도 기업들은 자발적으로 AI 위험을 에방하고 책임 있는 AI를 개발하겠다는 안전 서약을 했다. 차기 회의는 프랑스가 'AI 행동 정상회의(AI Action Summit)라는 명칭으로 개최할 예정이다.
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'AI 서울 정상회의' 장관 세션, 미국·일본 등 21개국 참석
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삼성전자, 불확실성 속 반도체 사장 전격 교체…전영현 부회장 발탁
- 삼성전자가 반도체 위기 극복 핵심 전략으로 전영현(64) 미래사업기획단장(부회장)으로 반도체 사업 수장으로 전격 발탁했다. 지난해 반도체 업황 악화로 15조원에 육박하는 적자를 낸 가운데 삼성전자는 불확실성이 큰 대내외 환경 속에서 반도체 사업 경쟁력을 강화하기 위해 '원포인트' 인사를 단행한 것으로 보인다. 삼성전자는 21일 전영현 부회장을 디바이스솔루션(DS)부문장에, 전 부회장이 맡고 있던 미래사업기획단장에 기존 DS부문장이었던 경계현 사장을 각각 임명했다고 발표했다. 삼성전자는 "이번 인사는 불확실한 글로벌 경영 환경하에서 대내외 분위기를 일신해 반도체의 미래 경쟁력을 강화하기 위한 선제적 조치"라고 설명했다. '반도체 신화'의 주역인 전 신임 DS부문장은 LG반도체 출신으로, 2000년 삼성전자 메모리사업부로 입사해 D램·낸드플래시 개발, 전략 마케팅 업무를 거쳐 2014년부터 메모리사업부장을 맡아 왔다. 2017년 삼성SDI로 옮긴 전 부회장은 5년간 삼성SDI 대표이사를 맡았으며, 작년 말 인사에서 '귀환', 신설된 미래사업기획단을 맡아 삼성의 미래 먹거리를 발굴하는 데 주력해왔다. 전 부회장은 DS부문을 이끌며 기술 혁신과 조직의 분위기 쇄신을 통해 반도체 기술 초격차와 미래 경쟁력 강화에 집중할 것으로 보인다. 삼성전자는 지난해 주력인 반도체 업황 부진으로 DS부문에서 연간 14조8800억원의 적자를 기록했다. IT 수요 침체 등의 영향이 컸지만, 최근 인공지능(AI) 시장 확대로 급성장한 고대역폭 메모리(HBM) 시장에서도 SK하이닉스에 주도권을 뺏기는 등 차세대 기술 개발이나 시장 선점에 제대로 대응하지 못했다는 지적도 나오고 있다. 올해 1분기에는 전방 수요 회복과 메모리 가격 상승 등에 힘입어 2022년 4분기 이후 5개 분기 만에 흑자 전환로 돌아섰으며, HBM 5세대인 HBM3E 12단 양산 등에 속도를 내고 있다. 삼성전자는 "전 부회장은 삼성전자 메모리 반도체와 배터리 사업을 글로벌 최고 수준으로 성장시킨 주역으로, 그간 축적된 풍부한 경영 노하우를 바탕으로 반도체 위기를 극복할 것으로 기대한다"고 밝혔다. 삼성전자는 내년 정기 주주총회와 이사회를 통해 전 부회장의 사내이사 및 대표이사 선임 절차를 밟을 계획이다. 한편, 경 사장은 최근 반도체 위기 상황에서 새로운 돌파구 마련을 위해 스스로 부문장에서 물러난 것으로 알려졌다. 한종희 디바이스경험(DX)부문장과 협의하고 이사회에도 사전 보고한 것으로 알려졌다. 다만 종전에 맡고 있던 SAIT(옛 삼성종합기술원) 원장은 경 사장이 계속 담당한다. 2020년부터 삼성전기 대표이사를 맡아 적층세라믹커패시터(MLCC) 기술 경쟁력을 끌어올린 경 사장은 2022년부터 삼성전자 DS부문장을 맡아 반도체 사업을 총괄해 왔으며, 향후 미래사업기획단을 이끌며 미래 먹거리 발굴을 주도할 예정이다 삼성전자는 부문장 이하 사업부장 등에 대한 후속 인사는 검토되지 않았다고 말했다. 한편, 삼성전자 주가는 이날 오전 10시 36분 현재 7만8900원으로 보합세를 보이고 있다.
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삼성전자, 불확실성 속 반도체 사장 전격 교체…전영현 부회장 발탁
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삼성전자, 글로벌 시장서 점유율 16%로 1위 유지
- 삼성전자가 글로벌 TV시장 불황에도 시잠점유율에서 1위를 지킨 것으로 나타났다. LG전자는 점유율에서 4위를 차지했다. 17일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 삼성전자는 출하량 기준 점유율 16%로 1위를 유지했다. 매출액 기준으로도 1위를 차지했다. LG전자는 출하량 기준으로 중국 하이센스(10%)와 TCL(10%)에 이은 4위를 기록했다. 다만 LG전자는 유기발광다이오드(OLED) TV 시장에서는 49%의 점유율을 기록하며 1위를 지켰다. 특히 동유럽 OLED TV 시장에서는 90% 이상의 점유율을 기록했다. 카운터포인트리서치는 올해 1분기 글로벌 TV 출하량은 전년 동기 대비 4% 감소한 것으로 나타났다고 지적했다. 전 지역에 걸쳐 약세가 이어지는 가운데 특히 중국과 일본에서의 하락 폭이 두드러졌다. 화면 크기별로 보면 70인치 이상 대형 TV 출하량이 전년 동기 대비 28% 급성장했다. 삼성전자는 70인치 이상 대형 TV 시장에서 22%의 점유율로 1위를 차지했다. 퀀텀닷(QD)-LCD, QD-OLED, 미니 LED 등 고사양 프리미엄 TV 출하량도 전년 동기 대비 15% 늘었다. 특히 미니 LED LCD TV 출하량이 전년 동기 대비 24% 늘며 성장세를 이끌었다. 고사양 프리미엄 TV 시장에서는 삼성전자(42%)와 LG전자(18%)가 나란히 1·2위를 차지하며 시장을 이끌었다. 임수정 카운터포인트리서치 연구원은 "올해 1분기 TV 시장이 전년 동기 대비 하락세를 보이긴 했지만 작년 하반기에 겪었던 약세에 비해서는 상대적으로 개선된 결과"라며 "고급화, 대형화 트렌드가 TV 시장을 이끌고 있고 삼성전자가 유리한 고지를 점했다"고 분석했다.
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삼성전자, 글로벌 시장서 점유율 16%로 1위 유지
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삼성전자, 올레드 모니터 출시 1년만에 세계 1위 올라
- 삼성전자가 글로벌 올레드(OLED·유기발광다이오드) 모니터 시장에서 처음으로 판매 1위 달성했다. 8일 시장조사업체 IDC에 따르면 삼성전자는 지난해 글로벌 올레드 모니터 시장에서 금액 기준 34.7%, 수량 기준 28.3% 점유율을 기록하며 1위를 차지했다. 삼성전자가 2022년 10월 첫 올레드 모니터 34형 오디세이 'OLED G8(G85SB)'를 출시한 지 1년 만이다. 삼성전자는 LCD(액정표시장치) 모니터를 포함한 2023년 글로벌 게이밍 모니터 시장에서도 금액 기준 시장 점유율 20.8%를 보였다. 2019년 이후 5년 연속 게이밍 모니터 업계 1위 자리를 굳혔다. 글로벌 IT 매체들도 일제히 호평했다. 북미 IT매체인 PC월드(PC World)는 "오디세이 OLED G8(G80SD)은 높은 명암비와 풍부한 색상을 묘사하는 디스플레이 기술력과 인체공학적 디자인"이라 평했다. 디지털 트렌드(digital trends)는 "AI(인공지능) 프로세서가 탑재된 OLED G8(G80SD)은 콘텐츠에 따라 자동으로 화질을 설정해 준다"고 전했다. 삼성전자는 지난해 49형 오디세이 'OLED G9 (G95SC)'를 출시한 데 이어 올해도 올레드 모니터 라인업을 강화하며 글로벌 판매 1위 수성에 나선다. 삼성전자의 올해 신제품은 ▲32형 '오디세이 OLED G8(G80SD)' ▲27형 '오디세이 OLED G6(G60SD)' ▲기존 모델에 신규 기능을 탑재한 2024년형 '오디세이 OLED G9(G95SD)' 등이다. 정훈 삼성전자 영상디스플레이사업부 부사장은 "삼성 오디세이 게이밍 모니터가 게이머들에게 최고의 게이밍 기기로 인정 받을 수 있도록 기술 혁신을 거듭하겠다"고 말했다.
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삼성전자, 올레드 모니터 출시 1년만에 세계 1위 올라
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HBM 전체 D램 매출 비중 내년 30% 이상 전망
- 인공지능(AI) 시장 확대로 고대역폭 메모리(HBM) 수요가 급증하는 가운데 내년에는 HBM이 전체 D램 매출의 30% 이상을 차지할 것이라는 전망이 나왔다. 7일(현지시간) 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전체 D램 비트(bit) 용량에서 HBM이 차지하는 비중은 2023년 2%에서 올해 5%로 상승하고 2025년에는 10%를 넘어설 것으로 전망된다. 트렌드포스는 HBM 비중이 시장 가치(매출) 측면에서는 2023년 전체 D램의 8%에서 올해 21%로 늘어나고, 2025년에는 30%를 넘어설 것으로 예상했다. HBM 판매 단가는 2025년 5∼10% 상승할 것으로 봤다. 트렌드포스는 "HBM의 판매 단가는 기존 D램의 몇배, DDR5의 약 5배에 달한다"며 "이러한 가격 책정은 단일 디바이스 HBM 용량을 증가시키는 AI 칩 기술과 결합해 D램 시장에서 용량과 시장 가치 모두 HBM의 점유율을 크게 높일 것"이라고 말했다. 올해 HBM 수요 성장률은 200%에 육박하며 내년에는 2배로 증가할 전망이다. 트렌드포스는 "2025년 HBM 가격 협상이 이미 올해 2분기에 시작됐다"며 "D램의 전체 생산 능력이 제한돼 있어 공급업체들은 미리 가격을 5∼10% 인상했으며 이는 HBM2E, HBM3, HBM3E에 영향을 미쳤다"고 설명했다. 이는 HBM 구매자들이 AI 수요 전망에 대해 높은 신뢰도를 유지하고 있고 지속적인 가격 인상을 받아들일 의향이 있는 데다, HBM3E의 실리콘관통전극(TSV) 수율이 현재 40∼60%에 불과해 개선의 여지가 있기 때문이라고 봤다. 모든 주요 공급업체가 HBM3E 고객 인증을 통과한 것이 아닌 만큼 구매자는 안정적이고 우수한 품질의 공급을 확보하기 위해 더 높은 가격을 수용하게 됐다고 트렌드포스는 분석했다. 트렌드포스는 "향후 Gb(기가비트)당 가격은 D램 공급업체의 신뢰성과 공급 능력에 따라 달라질 수 있으며, 이는 평균판매단가(ASP)에 불균형을 초래해 결과적으로 수익성에 영향을 미칠 수 있다"고 밝혔다. 현재 SK하이닉스와 삼성전자는 HBM 시장의 주도권을 확보하기 위해 HBM 생산능력을 늘리며 수요 증가에 대응하고 있다. 이에 앞서 곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO)는 지난 2일 기자간담회에서 "HBM은 올해 이미 '솔드아웃'(완판)이고, 내년 역시 대부분 솔드아웃됐다"고 말했다. 여기에는 최근 공급을 시작한 HBM3E 8단 제품뿐 아니라 3분기 양산을 준비 중인 HBM3E 12단 제품도 포함된 것으로 알려졌다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)도 지난달 30일 1분기 실적 콘퍼런스콜에서 "올해 HBM 공급 규모는 비트 기준 전년 대비 3배 이상 지속적으로 늘려가고 있고, 해당 물량은 이미 공급사와 협의를 완료했다"며 "2025년에도 올해 대비 최소 2배 이상의 공급을 계획하고 있으며 고객사와 협의를 원활하게 진행 중"이라고 밝혔다.
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- 산업
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HBM 전체 D램 매출 비중 내년 30% 이상 전망
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SK하이닉스 "3분기, HBM3E 12단 양산…내년 생산 HBM도 완판"
- 곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO)는 2일 "고대역폭 메모리(HBM) 시장의 리더십을 강화하기 위해 세계 최고 성능을 자랑하는 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 공급하고 3분기에는 양산을 시작한 분비가 되어 있다"고 발표했다. 곽 CEO는 "올해 HBM 생산은 이미 '솔드아웃(완판)'된 상태이며, 내년에도 대부분의 제품이 솔드아웃 상태다"라고 덧붙였다. 곽 CEO는 이날 경기도 이천에 위치한 본사에서 'AI 시대, SK하이닉스의 비전과 전략'을 주제로 열린 기자간담회에서 '앞으로 글로벌 파트너사들과의 전략적 협력을 통해 세계 최고의 맞춤형 메모리 솔루션을 제공하겠다'고 말했다. SK하이닉스가 이천 본사에서 기자간담회를 연 것은 이번이 처음이라고 연합뉴스가 전했다. 용인 클러스터 첫 팹(fab·반도체 생산공장) 준공(2027년 5월)을 3년 앞두고 열린 이날 행사에는 곽 CEO와 함께 AI 인프라 담당 김주선 사장 등 주요 경영진이 참석했다. 2027년 5월에 준공 예정인 용인 클러스터의 첫 반도체 생산공장(팹·fab) 개소를 3년 앞둔 이날 행사에는 곽 CEO와 AI 인프라 담당 김주선 사장을 포함한 주요 경영진이 참석했다. 곽 CEO는 "현재 AI는 주로 데이터센터 중심으로 구축되어 있지만, 앞으로는 스마트폰, PC, 자동차 등 다양한 디바이스에서 활용되는 온디바이스 AI로의 확산이 예상된다"며 "이러한 변화는 AI에 최적화된 고속, 대용량, 저전력 메모리의 수요를 급증시킬 것"이라고 전망했다. 지난해 전체 메모리 시장에서 약 5%를 차지했던 HBM과 고용량 D램 모듈 등 AI 전용 메모리의 시장 점유율은 2028년에는 61%에 이를 것으로 보인다. 특히 HBM 시장은 중장기적으로 연평균 약 60%의 수요 성장률을 보일 것으로 예상된다. 곽 CEO는 "올해 이후 HBM 시장은 AI 성능 향상을 위한 파라미터 증가, AI 서비스 공급자의 확대와 같은 요인으로 인해 지속적인 성장이 예상된다"며 "올해는 지난해에 비해 수요 가시성이 훨씬 높아졌다"고 설명했다. HBM 과잉 공급 우려에 대해, 곽 CEO는 "올해 증가하는 HBM 공급 능력은 이미 고객과의 협의를 마친 상태에서 고객의 수요에 맞추어 조절되므로, 과잉 공급의 위험은 줄어들 것"이라고 밝혔다. 또한 "HBM4 이후에는 맞춤형(커스터마이징) 요구가 증가하면서, 제품이 트렌드화되고 주문형 비즈니스로 전환될 것"이라고 예측했다. 김주선 사장은 "프리미엄 제품인 HBM의 생산 캐파 할당이 증가함에 따라 일반 D램 생산이 줄어들 가능성이 있으며, 하반기부터는 전통적인 응용처의 수요 개선을 통해 메모리 시장이 더욱 안정적인 성장을 이룰 것"이라고 전망했다. HBM 후발주자인 삼성전자는 지난달 30일 1분기 실적 콘퍼런스콜에서 업계 최초로 개발한 HBM3E 12단 제품을 올해 2분기 내 양산한다고 발표하며 SK하이닉스를 바짝 추격하고 있다. 이에 대해 곽 CEO는 "고객의 요구에 맞는 기술을 적시에 개발하고, 그에 따른 생산능력도 고객의 요구에 맞춰 조절할 것"이라며 "자만하지 않고, 고객과 긴밀히 협력하여 시장의 요구에 부합하는 제품을 공급할 수 있도록 할 것"이라고 강조했다. 곽 CEO는 2016년부터 올해까지 예상되는 HBM 누적 매출에 대해서는 "하반기 시장 변화 등으로 해 정확히 말할 수는 없지만, 백수십억달러 정도가 될 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스는 HBM 핵심 패키지 기술 중 하나인 MR-MUF 기술의 우수성도 강조했다. 최우진 패키징&테스트(P&T) 담당 부사장은 "일각에서 MR-MUF 기술이 고단 적층에서의 한계를 지적하나, 실제로는 이 기술이 칩의 휨 현상을 효과적으로 제어하는 고온·저압 방식으로, 고단 적층에 가장 적합하다"고 밝혔다. 최 부사장은 이어 "현재 16단 구현을 위한 기술 개발이 순조롭게 진행 중이며, HBM4에도 고급 MR-MUF 기술을 적용하여 16단 제품을 구현할 계획이다. 하이브리드 본딩 기술도 선제적으로 검토 중이다"고 덧붙였다. HBM 리더십 확보를 위한 노력에 대해서는 최태원 회장과 SK그룹 차원에서의 선제적 투자를 강조했다. 곽 CEO는 "AI 반도체의 경쟁력은 단기간 내에 확보하기 어렵다. SK그룹에 2012년 편입된 이후, 메모리 시장이 어려운 상황에서 대부분의 반도체 기업이 투자를 줄였지만, SK그룹은 오히려 투자를 늘렸다"고 설명했다. 또한 "당시 모든 분야에 걸쳐 투자 확대 결정은 시장 개방 시기의 불확실성을 포함하는 HBM 투자도 포함하고 있었다"며 "최태원 회장의 글로벌 네트워킹은 고객사 및 협력사와의 긴밀한 관계 구축을 통해 AI 반도체 리더십 확보에 크게 기여했다"고 말했다. SK하이닉스는 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터 첫 팹 가동 전에 청주에 M15X를 짓기로 했다. M15X는 연면적 6만3천평 규모의 복층 팹으로 EUV를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정이다. SK하이닉스는 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터의 첫 팹 가동 전에 청주에 위치한 M15X 팹을 건설하기로 결정했다. M15X는 6만3000평 규모의 복층 팹으로, EUV를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정이다. M15X는 내년 11월에 준공되어 2026년 3분기부터 본격적으로 양산을 시작할 계획이다. 용인 클러스터의 부지 조성 작업도 순조롭게 진행되고 있다. 또한 미국 인디애나주에 38억7000만달러(약 5조2000억원)를 투자해 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 시설을 짓고 2028년부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산할 계획이다.
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SK하이닉스 "3분기, HBM3E 12단 양산…내년 생산 HBM도 완판"
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삼성전자, 업계 최초 '9세대 V낸드' 양산…290단 적층 구현
- 삼성전자가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작해 메모리 기술에서 리더십을 강화했다. 이 기술은 인공지능(AI) 시대의 고용량 및 고성능 낸드에 대한 수요 증가에 대응하기 위한 것이다. 삼성전자는 23일, '더블 스택' 구조를 적용한 최고 단수 제품인 9세대 V낸드를 양산한다고 발표했다. 이 제품은 현재 주력 제품인 236단 8세대 V낸드를 뒤이어, 약 290단 수준의 기술로 구현되었다고 한다. 더블 스택 기술은 낸드플래시 메모리의 각 레이어를 두 번의 '채널 홀 에칭' 과정을 통해 나누고 이를 단일 칩으로 결합하는 고난도의 제조 방식을 의미한다. 삼성전자는 이 채널 홀 에칭 기술을 통해 한 번의 공정으로 업계 최대의 단수를 달성하는 생산 효율성을 크게 향상시켰다고 설명했다. 채널 홀 에칭 기술은 몰드층을 순차적으로 쌓은 후 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 형성하는 방식으로, 적층 단수가 높아질수록 한 번에 더 많은 채널을 생성할 수 있어 생산 효율이 증가한다. 이 과정은 높은 정밀도와 고도의 기술이 요구된다. 낸드 메모리의 적층 경쟁이 치열해지면서 적층 공정의 기술력이 더욱 중요해지고 있다. V낸드에서 원가 경쟁력은 가능한 적은 공정 단계로 높은 적층 단수를 달성하는 데 있어, 스택 수가 적으면 거쳐야 하는 공정 수도 줄어들어 시간과 비용을 절감할 수 있어 경쟁력을 높인다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell), 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도(단위 면적당 저장되는 비트의 수)를 이전 세대에 비해 약 1.5배 증가시켰다. 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole) 제거 기술로 셀의 평면적을 줄이고, 셀 크기 축소로 인한 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술과 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품의 품질과 신뢰성을 향상시켰다. 9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 '토글(Toggle) 5.1'을 적용해 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps(초당 기가비트)의 데이터 전송 속도를 구현했다. 삼성전자는 이를 토대로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하며 고성능 SSD 시장을 확대하여 낸드플래시 기술의 리더십을 강화할 계획이다. 또한, 9세대 V낸드는 저전력 설계 기술을 적용해 이전 세대 제품에 비해 전력 소비를 약 10% 줄였다. 삼성전자는 올해 하반기에 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'의 양산을 시작하는 등 AI 시대의 요구에 부응하는 고용량, 고성능 낸드 개발에 박차를 가할 예정이다. 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장 허성회 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화함에 따라 고용량, 고성능 제품에 대한 고객의 요구가 증가하고 있다"며 "극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 향상시켰다. 9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 적합한 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도할 것"이라고 말했다. 시장조사기관 옴디아의 보고에 따르면, 낸드플래시 매출은 2023년 387억 달러에서 2028년에는 1148억 달러로 성장할 것으로 예상되며, 이는 연평균 약 24%의 성장률을 보일 전망이다. 이러한 성장은 AI 서버 시장의 확대와 직결되어 있으며, 높은 데이터 전송 속도와 성능을 요구하는 신규 AI 서버 설치가 증가함에 따라 SSD에 대한 수요도 증가하고 있다. 옴디아는 "AI 관련 작업에서의 훈련 및 추론 수요 증가와 함께, 대규모 언어 모델(LLM)과 추론 모델에 필요한 데이터 저장을 위해 더 큰 저장 용량이 요구되고 있다"고 말했다. 이러한 시장 수요 증가로 인해 낸드 적층 기술의 경쟁도 치열해지고 있다. 삼성전자는 작년 3분기 실적 발표에서 2030년까지 1,000단 V낸드 개발 계획을 발표했다. SK하이닉스는 작년 8월 미국에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2023'에서 업계 최초로 300단을 넘는 '1Tb TLC 321단 4D 낸드' 샘플을 공개하며, 이를 2025년 상반기부터 양산할 계획임을 밝혔다. 마이크론은 2022년에 세계 최초로 232단 낸드를 양산하기 시작했다. 후발주자인 중국의 YMTC(양쯔메모리테크놀로지)도 지난해 232단 낸드 생산을 시작한 데 이어 올해 하반기에는 300단 이상의 제품 출시를 계획하고 있다. 한편, 삼성전자 주식은 이날 '9세대 V낸드' 양산 발표 이후 소폭 상승했다. 이날 23일 11시 27분 현재 삼성전자 주가는 전일 대비 0.26% 올라 7만6300원에 거래됐다.
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삼성전자, 업계 최초 '9세대 V낸드' 양산…290단 적층 구현
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인텔, ASML 차세대 노광장비 첫 도입…삼성·TSMC와 경쟁 신호탄
- 미국 반도체 기업 인텔이 네덜란드의 반도체 장비 기업 ASML의 첨단 장비를 도입했다. 삼성과 TSMC보다 첨단 장비를 먼지 도입했다는 점에서 이들 회사와의 경쟁이 가속화할 전망이다. 19일(현지시간) 로이터 통신 등에 따르면 인텔은 지난 18일 미국 오리건주 연구개발(R&D) 센터에 ASML의 차세대 노광장비(하이 NA EUV)를 설치했다고 밝혔다. 기존 장비의 업그레이드 버전인 '하이 NA EUV'는 반도체 회로를 더 세밀하게 그릴 수 있는 차세대 장비다. 이를 통해 동일한 면적의 웨이퍼에서 같은 성능의 반도체를 기존 장비보다 2.9배 더 만들 수 있다. 이 장비는 2nm(나노미터·10억분의 1m) 이하 공정부터 적용될 것으로 예상된다. 파운드리 업체 중 '하이 NA EUV' 장비를 도입한 것은 인텔이 처음이다. 전 세계 파운드리 1, 2위 업체인 대만의 TSMC, 삼성전자보다 빠르다. 인텔은 2021년 3월 파운드리 사업 재진출을 선언하며 TSMC와 삼성전자 따라잡기에 나서고 있다. 지난 2월에는 1.8나노 공정(18A)을 올 연말부터 양산에 들어간다고 밝혔다. 당초 밝힌 2025년 양산 시점보다 앞당겨진 것이다. 새로 도입한 '하이 NA EUV'가 1.8나노 공정에 투입될지는 알려지지 않았지만, 내년 2나노급 공정 양산을 목표로 하는 TSMC와 삼성전자보다 빠르다. 인텔은 올해 1분기 실적부터 새로운 회계 방식을 적용해 바뀌는 회계 기준을 적용한 2022년과 2023년 매출을 이달 초 공개한 바 있다. 인텔의 2022년과 2023년 파운드리 매출은 시장조사기관 트랜드포스가 추정한 삼성전자 파운드리의 매출을 각각 넘었다. 다만 매출 중 95%가 내부 물량이어서 외부 물량이 많은 삼성전자와 단순 비교가 어렵다는 분석이 나왔다.
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인텔, ASML 차세대 노광장비 첫 도입…삼성·TSMC와 경쟁 신호탄
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미국, 삼성전자에 64억 달러 반도체 보조금 지급⋯역대 3번째 규모
- 미국 정부가 15일(현지시간) 삼성전자의 미국내 반도체 생산시설 투자에 64억 달러(약 8조8800억 원)의 보조금을 지급한고 발표했다. 로이터통신 등 외신들에 따르면 미국 상무부는 이날 보도자료를 통해 삼성전자와 미국 반도체법에 따라 최대 64억달러의 직접 자금을 지원한다는 내용의 구속력 없는 예비거래각서(PMT)를 체결했다고 밝혔다. 미국 정부 보조금은 삼성전자가 미국 내 반도체 생산 시설 투자를 촉진하기 위한 조치다. 조 바이든 대통령은 미국의 첨단 반도체 생산 능력 확보를 위해 2022년 반도체법에 서명했다. 삼성전자에 대한 지원금 규모는 현재까지 미국 정부가 발표한 자금 가운데 인텔(85억달러)·TSMC(66억달러)에 이어 세번째로 많다. 사업 투자금(450억 달러) 대비 비율은 TSMC나 인텔보다 높은 것으로 전해졌다. 상무부는 삼성전자를 "첨단 메모리와 첨단 로직 기술 모두를 선도하는 유일한 첨단반도체 기업"이라고 표현하며, 향후 400억달러(약 55조 5200억원) 이상을 미국에 투자할 예정이라고 설명했다. 구체적으로 삼성전자는 텍사스주에 있는 기존 사업장을 미국 내 첨단반도체 개발 및 생산을 위한 종합적인 단지로 전환하겠다고 상무부에 제안했다고 알려졌다. 테일러 지역에 4나노미터와 2나노미터 반도체 공장을 만들고, 연구개발(R&D)과 첨단 패키징 시설을 구축하며 오스틴 지역 기존 시설은 확장한다는 계획이다. 테일러의 첫 공장은 2026년 생산을 시작하고, 두 번째 공장은 2027년 생산을 시작할 예정이다. 지나 러몬도 상무장관은 "제안된 계획은 텍사스를 최첨단 반도체 생태계로 이끌 것이다. 미국은 이를 통해 10년 안에 세계 최첨단 칩의 20%를 생산한다는 목표를 달성할 것으로 전망된다"고 말했다. 아울러 삼성전자의 이번 투자로 1만7000개의 건설 일자리와 4500개 이상의 제조업 일자리가 만들어질 것으로 보고있다. 경계현 삼성전자 대표이사 사장(DS부문장)은 "단순히 생산시설을 확장하는 것이 아니라, 현지 반도체 생태계를 강화하고 미국을 글로벌 반도체 생산 거점으로 자리매김시키는 것"이라며 "AI 반도체와 같은 미래 제품에 대한 고객 수요 급증에 대응하기 위해 최첨단 공정 기술을 갖춘 공장을 갖추고 미국 반도체 공급망 안보 강화를 도울 것"이라고 전했다. 미국은 중국 등과 경쟁하는 상황에서 첨단기술에 대한 접근성이 국가안보에 직결된다고 보고있다. 레이얼 브레이너드 백악관 국가경제위원회(NEC) 위원장은 직접 관련 브리핑에 나서 "결과적으로 삼성전자가 오스틴에서 국방부를 위해 직접 반도체를 제조할 수 있게 될 것"이라고 말했다. 한편 TSMC의 경우 보조금에 더해 50억달러(약 6조9475억원) 규모의 대출지원을 받기로 했지만 삼성전자는 별도의 저리 대출 없이 순수 보조금만 받을 예정이다. 다만 보조금과 별도로 미 재무부에 투자세액 공제를 신청할 예정이며, 투자액의 최대 25%에 대한 세금을 감면받을 수 있다고 상무부는 설명했다. 삼성전자는 이날 미 텍사스주 테일러에서 관련 투자 발표 행사를 열었고, 해당 행사는 경 사장과 러몬도 장관이 직접 참석했다.
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미국, 삼성전자에 64억 달러 반도체 보조금 지급⋯역대 3번째 규모
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"미국, 다음 주 삼성전자 반도체 보조금 발표"…60억~70억 달러 추정
- 미국 정부가 반도체지원법에 따라 대만 TSMC에 보조금 66억달러(약 8조9000억원)를 지원한다고 발표한 가운데 삼성전자에 대한 미국 정부의 보조금 규모가 TSMC 다음이 될 것이라고 연합뉴스가 8일(현지시간) 로이터통신을 인용해 9일 보도했다. 한 소식통은 이 매체에 삼성전자의 보조금 규모가 미국 반도체업체 인텔과 대만의 TSMC에 이어 세번째로 큰 규모가 될 것이라고 전했다. 다른 2명의 소식통은 미국 정부가 다음 주에 삼성전자에 대한 60억(약 8조1234억원)~70억달러(약 9조4773억원) 사이의 반도체법 보조금을 발표할 것이라고 말했다고 로이터통신은 보도했다. 소식통에 따르면, 지나 러먼도 상무부 장관이 공개할 보조금은 삼성이 지난 2021년 발표한 텍사스주 테일러시에 짓고 있는 170억 달러(약23조 163억원) 규모의 칩 제조 공장 한 곳과 또 다른 공장 한 곳, 첨단 패키징 시설, 연구개발센터 등 테일러에 4개 시설을 건설하는 데 사용될 예정이다. 대만의 TSMC는 8일 보조금으로 66억 달러(약 8조 9357억원)를 지급받았다. 투자 규모는 250억 달러(약 33조 8475억원)에서 650억 달러(약 88조 35억원)로 확대하고 2030년까지 세 번째 애리조나 공장을 추가하기로 미 정부와 합의했다. 미 상무부는 이날 TSMC에 반도체법 보조금 66억달러를 지원할 예정이라고 발표했다. 반도체 보조금과 관련한 TSMC의 투자 금액도 기존 400억 달러(약 54조1640억원)에서 650억달러로 늘어났다. 투자 금액 대비 보조금 비율은 10.1% 정도이다. TSMC는 반도체법상 보조금과 별도로 투자금에 대한 일부 세액 공제 혜택도 받을 것으로 알려졌다. 월스트리트저널(WSJ)은 지난 5일 삼성전자는 텍사스주 테일러에 170억달러를 투자해 반도체 공장을 건설 중이며 15일에 추가 투자 계획을 발표할 예정이라고 보도했다. 추가 투자 규모까지 포함해 삼성전자의 텍사스주 공장 관련 전체 투자 금액은 440억달러(약 59조 5584억원)가 될 전망이다. 외신은 여기에는 텍사스주 테일러의 새 반도체 공장, 패키징 시설, 연구개발(R&D) 센터에 더해 알려지지 않은 장소에 대한 투자도 포함된다고 전했다. 미국 의회는 지난 2022년 자국내 반도체 생산을 증가시키기 위해 연구 및 제조 분야에 527억 달러(약 71조 3600억원)의 보조금을 제공하는 '반도체 및 과학 법안'을 통과시켰다. 더불어, 의회는 이 보조금 외에도 정부 대출에 750억 달러(약 101조 5575억원)의 권한을 추가로 승인했다. 하지만 삼성은 별도의 대출 지원을 받지 않을 예정이라는 소식이 전해졌다. 미국 반도체산업협회(SIA)에 따르면, 반도체 법안의 주된 목적은 글로벌 시장 내에서 미국의 반도체 제조 분야 점유율이 1990년의 37%에서 2020년에는 12%로 하락한 상태를 개선해 자국내 제조 비율을 증가시키고, 이로 인해 중국 및 대만에 대한 의존도를 감소시키는 것이다. 이날 연합뉴스는 블룸버그통신을 인용해 삼성전자에 이어 미국 반도체 업체인 마이크론도 수주 내 수십억달러의 지원을 받을 것으로 전망된다고 전했다. 한편, 디지타임스는 8일(현지시간) 삼성전자의 첨단 패키징 사업부인 AVP가 엔비디아의 주문을 받았다고 보도했다. 외신에 따르면 AVP는 엔비디아의 차세대 그래픽 카드용으로 인터포저와 2.5D 패키징(I-Cube) 솔루션을 공급할 것으로 예상된다. 이번 주문 확보는 삼성이 TSMC와의 치열한 경쟁 속에서 고급 패키징 기술력을 인정받은 것으로 평가된다. 인터포저는 다수의 칩을 연결하는 다이 간 연결(Interconnect) 기판으로, 칩 사이의 데이터 전송 속도를 높이고 전력 소비를 줄이는 데 도움이 된다. 2.5D 패키징은 인터포저 위에 칩을 쌓아 3D 구조를 만드는 기술로, 더욱 높은 성능과 효율성을 제공한다.
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"미국, 다음 주 삼성전자 반도체 보조금 발표"…60억~70억 달러 추정
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대만 TSMC, 미국내 반도체공장 건설에 116억 달러 보조금·대출 지원 받아
- 미국 정부는 8일(현지시간) 세계 1위 파운드리(반도체 위탁생산) 기업인 대만 TSMC에 보조금 66억 달러(약 8조9000억 원)를 포함해 모두 116억 달러(약 15조7000억 원)를 지원한다고 공식 발표했다. 로이터통신 등 외신들에 따르면 미국 상무부는 이날 TSMC에 반도체 공장 설립 보조금 66억 달러를 지원한다고 발표했다. 보조금 66억 달러는 당초 예상됐던 50억 달러(약 6조8000억원)보다 30% 이상 늘어난 규모다. 상무부는 보조금에 더해 50억 달러 규모의 저리 대출도 TSMC에 제공키로 했다. TSMC는 이 같은 지원에 화답해 당초 400억 달러(약 54조2000억 원)로 계획했던 투자 규모를 650억 달러(약 88조1000억 원)로 확대하고 2030년까지 애리조나주에 세 번째 반도체 생산공장(fab)을 건설한다는 계획을 발표했다. TSMC는 이미 400억 달러를 투자해 애리조나에 반도체 공장 2개를 짓고 있다. 지나 러몬도 상무부 장관은 TSMC의 650억달러 투자는 미국 사상 외국인 직접 투자로는 최대 규모라고 말했다. 러몬드 장관은 또한 TSMC가 생산하게 되는 반도체들이 “모든 인공지능과 우리 경제를 지탱하는 데 필요한 기술을 지탱하는 필수적인 부품이며, 21세기 군사 및 국가 안보(에 필요한) 장치”라고 강조했다. 이날 발표된 잠정합의에 따르면 TSMC는 애리조나주 피닉스에 제 3공장을 건설할 것으로 전망된다. 애리조나주의 제 1, 2공장은 각각 2025년, 2028년에 생산을 돌입할 것으로 예상된다. 미국 정부의 이번 지원패키지는 미국 애플과 엔비디아용으로 반도체를 공급하는 TSMC가 예정하는 3공장의 투자(650억 달러 이상)를 지원하게 된다. TSMC의 3공장은 차세대 회로선폭 2나노미터 프로세스기술을 바탕으로 20년대 후반보다 이전에 가동을 목표로 하고 있다. TSMC는 2025년에 대만에서 우선 2나노 반도체제품을 생산할 계획이다. TSMC의 류더인(劉德音) 회장은 발표문에서 "반도체투자법에 근거한 자금을 받을 수 있게 된다면 TSMC는 전례없는 투자를 벌여 최첨단 제조기술을 가진 우리의 파운드리 서비스를 미국에 제공할 기회를 얻게 된다"고 설명했다. 미 정부의 지원 자금은 2022년 조 바이든 대통령이 미국의 반도체 제조를 되살리기 위해 내놓은 반도체 지원법에 연계된 것이다. 이에 앞서 미 정부는 자국 기업인 인텔에 대해선 195억달러의 파격적인 반도체 보조금을 지급하겠다는 계획을 지난달 발표했다. 글로벌 반도체 공급망을 미국 중심으로 재편하겠다는 계획에 따라 천문학적인 지원금을 해외 기업에도 지급하기로 한 것이다. 당초 반도체 업계에선 TSMC가 50억 달러 정도를 받게 될 것이라고 전망했지만, 투자 금액이 늘면서 최종 보조금 규모도 30% 이상 증가했다. 삼성전자의 경우 지원금이 20억~30억 달러 수준이 되리라는 전망이 많았다. 그러나 블룸버그는 지난달 미 정부 소식통을 인용해 "60억달러 이상을 받게 될 예정"이라고 보도했다. 이후 미 텍사스주 테일러에 반도체 생산 공장을 짓고 있는 삼성전자가 기존 투자액(170억달러)을 440억달러 수준으로 확대할 계획이라는 월스트리트저널(WSJ) 보도가 이어졌다.
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대만 TSMC, 미국내 반도체공장 건설에 116억 달러 보조금·대출 지원 받아
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삼성전자, 1분기 실적 '역대급' 6조6천억원 영업이익…5분기 만에 매출 70조원대
- 삼성전자가 메모리 반도체 시장의 회복과 갤럭시 S24 판매 호조 덕분에 2024년 1분기에 예상을 뛰어넘는 '깜짝 실적(어닝 서프라이즈)'을 올렸다고 발표했다. 삼성전자는 올해 1분기 연결 기준 영업이익이 6조6000억원으로 지난해 같은 기간보다 931.25% 증가한 것으로 잠정 집계됐다고 5일 공시했다. 이는 삼성전자의 지난해 전체 연간 영업이익(6조 5700억 원)을 초과하는 금액이다. 매출액은 71조 원으로 전년 동기 대비 11.37% 상승했다. 삼성전자의 분기별 매출이 70조 원을 넘은 것은 2022년 4분기(70조4646억원) 이후 처음이다. 이번 실적은 시장 예상을 20% 이상 크게 웃도는 수준이다. 최근 1개월 내에 보고서를 낸 18개 증권사의 평균 예측치를 토대로 한 연합인포맥스의 집계에 따르면, 삼성전자의 1분기 매출은 전년 동기 대비 12.88% 증가한 71조 9541억 원, 영업이익은 755.3% 증가한 5조 4756억 원으로 예상됐었다. 올해 초에는 영업이익이 4조원 대 중반을 기록할 것으로 보였으나, 메모리 감산으로 인한 가격 상승 등의 시장 상황이 개선되면서 최근 예측이 상향 조정됐다. 삼성전자의 부문별 성과는 구체적으로 발표되지 않았지만, 증권업계 분석에 따르면 삼성전자의 디바이스솔루션(DS) 부문이 7000억원에서 1조 원 사이의 영업이익을 기록, 2022년 4분기 이후 5분기 만에 흑자로 전환한 것으로 추정된다. SK증권은 DS 부문 영업이익을 1조원으로, 모바일경험(MX)·네트워크와 디스플레이(SDC)는 각각 3조7000억원, 3000억원으로 예상했다. 유진투자증권은 DS 부문의 영업이익을 9000억 원, SDC 부문을 3000억 원, MX와 네트워크를 3조 8000억 원, 영상디스플레이(VD)와 소비자가전(CE)을 3천억 원, 하만을 1천억 원으로 예측했다. 현대차증권은 DS 부문을 7000억 원, SDC 부문을 3500억 원, MX와 네트워크 부문을 3조 9000억 원, VD와 가전 부문을 3800억 원으로 추산했다. 이번 DS 부문의 성공은 D램과 낸드 가격 상승에 따른 것으로, 고부가가치 제품의 집중 판매 전략이 주효했다고 보인다. 삼성전자 메모리사업부의 김재준 부사장은 지난해 4분기 실적 발표에서 생성형 인공지능(AI)에 대응하는 고대역폭 메모리(HBM) 서버와 SSD 수요 증가에 적극 대응하여 수익성 개선에 집중하겠다고 언급한 바 있다. 한동희 SK증권 연구원은 메모리 부문의 수익성 중심 전략과 낸드 가격의 기저 효과로 인해 1분기 가격 상승이 예상을 뛰어넘을 것이라고 전망했다. 이에 따라 재고평가손실 충당금 환입의 효과가 크게 나타날 것으로 기대된다. 모바일 사업 분야에서도 인공지능(AI) 기능을 탑재한 갤럭시 S24의 뛰어난 판매 성과와 함께 스마트폰 출하량 증가로 수익성이 향상된 것으로 파악된다. 지난해 4분기에 영업 손실 500억 원을 기록했던 영상디스플레이(VD) 및 생활가전(DA) 사업부는 프리미엄 TV 및 고부가가치 가전제품의 판매 확대를 통해 수익성이 약간 개선되었다고 볼 수 있다. 이러한 상황에서 메모리 가격의 상승 추세가 지속되면서 삼성전자의 실적 개선 추세가 앞으로도 이어질 것으로 보인다. 대만의 시장조사업체 트렌드포스에 따르면, 1분기 D램의 평균 판매가격(ASP)이 전 분기 대비 최대 20% 상승한 뒤, 2분기에는 3%에서 8% 사이로 추가 상승할 것으로 전망된다. 낸드 가격 역시 1분기에 23%에서 28% 상승한 후, 2분기에는 13%에서 18% 상승할 것으로 예상된다. 연합인포맥스가 집계한 바에 따르면, 삼성전자의 2분기 영업이익 예상치는 전년 동기 대비 약 10배 증가한 7조 3634억 원에 달한다. 또한, 2분기 매출 전망치는 전년 동기 대비 20.73% 증가한 72조4469억 원으로 추정된다. HBM 수요 증가로 실적 개선 기대 HBM(고대역폭 메모리)의 수요 증가가 실적 개선에 기여할 것으로 예상된다. 생성형 AI 서비스의 확장에 힘입어 그래픽 처리 장치(GPU)와 신경망 처리 장치(NPU)의 출하량이 증가하면서, HBM 시장은 2026년까지 빠른 성장세를 유지할 것으로 보인다. 삼성전자는 업계에서 처음으로 D램 칩을 12단까지 쌓는 5세대 HBM, HBM3E를 올해 상반기부터 생산할 계획이며, 올해 HBM 출하량을 지난해 대비 최대 2.9배 증가시킬 예정이다. 김광진 한화투자증권 연구원은 "경쟁사와의 HBM 개발 로드맵 차이를 줄이는 것이 중요하다"며 "삼성전자가 여전히 후발 주자이긴 하지만, 과거 대비 경쟁사와의 기술 격차가 줄어든 것은 긍정적인 신호"라고 평가했다. 파운드리 사업 역시 수주 증가와 수율 개선에 힘입어 4분기에는 흑자 전환될 것으로 전망된다. 대신증권의 신석환 연구원은 "지난해 파운드리 사업이 큰 적자를 기록했지만, 올해는 최대 수주 기록과 함께 하반기 흑자 전환이 기대된다"며 "하반기 HBM 공급 확대와 레거시 제품에 대한 수요 증가로 인해 실적 성장이 예상보다 빠를 것"이라고 내다봤다. 엎서 인공지능(AI) 칩 선두주자인 미국 반도체 기업 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)는 지난 3월 19일 엔비디아의 연례 개발자 회의인 'GTC 2024' 둘째날 삼성이 아직 HBM3E의 양산에 대해 발표하지 않았음에도 삼성의 HBM이 현재 검증 단계를 거치고 있다고 확인했다. 젠슨 황 CEO는 삼성의 12단 HBM3E 디스플레이 옆에 '젠슨 승인'이라고 서명까지 해 삼성의 HBM3E가 검증 과정을 통과할 가능성이 높다는 추측을 불러일으켰다. 황 CEO는 '삼성의 HBM을 사용하고 있느냐'라는 질문에 "아직 사용하고 있지 않다"면서도 "현재 테스트하고(qualifying) 있으며 기대가 크다"고 말했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 크게 높인 제품으로 고성능 컴퓨팅 시스템에 사용되는 차세대 메모리 기술이다. 방대한 데이터를 신속하고 끊임없이 처리해야 하는 생성 AI를 구동하려면 HBM과 같은 고성능 메모리가 반드시 필요한 것으로 알려져 있다.
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삼성전자, 1분기 실적 '역대급' 6조6천억원 영업이익…5분기 만에 매출 70조원대
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SK하이닉스, 미국 인디애나에 5.2조원 투자 차세대 HBM 공장 건설
- SK하이닉스가 5조2000억원을 투자해 미국 인디애나주에 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 생산 기지를 짓는다. SK하이닉스는 4일 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하고, 퍼듀대학교 등 현지 연구기관과 반도체 연구·개발에 협력하기로 했다고 밝혔다. SK하이닉스는 2028년 하반기 양산을 목표로 하고 있으며 인공지능(AI) 반도체 핵심인 HBM의 생산 공장을 해외에 짓는 것은 이번이 처음이다. 미국에 AI용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 짓는 것은 반도체 업계 최초다. SK하이닉스는 3일(현지시간) 웨스트라피엣에 소재한 퍼듀대에서 인디애나주와 퍼듀대, 미 정부 관계자들과 함께 투자협약식을 열고 이 같은 계획을 공식 발표했다. SK하이닉스는 이 사업에 38억7000만 달러(약 5조2000억 원)를 투자할 계획이다. 이날 행사에는 에릭 홀콤 인디애나 주지사, 토드 영 상원의원, 아라티 프라바카 백악관 과학기술정책실장, 아룬 벤카타라만 상무부 차관보, 멍 치앙 퍼듀대 총장 등 미국 측 인사와 조현동 주미 대사, 김정한 주시카고 총영사가 참석했다. SK에서는 유정준 미주 대외협력 총괄 부회장, 곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO) 등 경영진이 참석했다. SK하이닉스는 인디애나 공장에서 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정이다. SK하이닉스 측은 "이를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장설 것"이라며 "인디애나에 건설하는 생산기지와 연구개발(R&D) 시설을 바탕으로 현지에서 1000개 이상의 일자리를 창출해 지역사회 발전에도 기여하겠다"고 밝혔다. 현재 SK하이닉스는 HBM 시장 점유율 1위를 차지하고 있다. HBM 4세대인 HBM3를 AI 칩 선두 주자인 엔비디아에 사실상 독점 공급하고 있으며, 5세대인 HBM3E도 지난달 말부터 고객사 공급을 시작한다고 밝힌 바 있다. AI 시장 확대로 HBM 등 초고성능 메모리 수요가 급증하고 어드밴스드 패키징의 중요성이 커지는 가운데 SK하이닉스는 기술 리더십을 강화하기 위해 미국에 대한 첨단 후공정 분야 투자를 결정하고 부지를 물색해 왔다. 그동안 다양한 후보지를 검토했으나 인디애나 주 정부가 투자 유치에 적극 나선 데다 지역 내 반도체 생산에 필요한 제조 인프라가 풍부해 인디애나주를 최종 투자지로 선정했다. 반도체 등 첨단 공학 연구로 유명한 퍼듀대가 있다는 점도 영향을 미쳤다고 SK하이닉스는 설명했다. 미국 정부에 반도체 생산 보조금 신청서도 이미 제출한 것으로 알려졌다. 조 바이든 행정부는 2022년 반도체 지원법을 제정, 자국에 반도체 공장을 짓는 기업에 생산 보조금 총 390억 달러(약 52조2000억 원), 연구개발(R&D) 지원금으로 총 132억 달러(약 17조7000억 원) 등 5년간 총 527억 달러(약 70조5000억 원)를 지원하기로 했다. 170억달러를 투자해 텍사스주 테일러에 신규 공장을 짓고 있는 삼성전자의 경우 60억 달러(약 7조9000억 원) 이상의 보조금을 받을 것이라는 외신 보도가 나오기도 했다. 에릭 홀콤 인디애나 주지사는 "인디애나주는 미래 경제의 원동력이 될 혁신적인 제품을 창출하는 글로벌 선두주자"라며 "SK하이닉스와의 새로운 파트너십이 장기적으로 인디애나주와 퍼듀대를 비롯한 지역사회를 발전시킬 것으로 확신한다"고 밝혔다. 토드 영 상원의원은 "SK하이닉스는 곧 미국에서 유명 기업이 될 것"이라며 "미 정부의 반도체 지원법을 통해 인디애나는 발전의 계기를 마련했고, SK하이닉스가 우리의 첨단기술 미래를 구축하는 데 도움을 줄 것"이라고 감사의 뜻을 전했다. 멍 치앙 퍼듀대 총장은 "SK하이닉스는 AI용 메모리 분야의 글로벌 개척자이자 지배적인 시장 리더"라며 "이 혁신적인 투자는 인디애나주와 퍼듀대가 가진 첨단 반도체 분야 경쟁력을 보여주면서 미국 내 디지털 공급망을 완성하는 기념비적인 일"이라고 말했다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 "반도체 업계 최초로 AI용 어드밴스드 패키징 생산시설을 미국에 건설하게 돼 기쁘다"라며 "이번 투자를 통해 갈수록 고도화되는 고객의 요구와 기대에 부응해 맞춤형(Customized) 메모리 제품을 공급해 나갈 것"이라고 말했다. SK하이닉스는 인디애나 주와 지역사회 발전을 위한 파트너십을 구축하는 한편 퍼듀 연구재단, 지역 비영리단체, 자선단체의 활동도 지원할 예정이다.
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SK하이닉스, 미국 인디애나에 5.2조원 투자 차세대 HBM 공장 건설