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삼성전자, 불확실성 속 반도체 사장 전격 교체…전영현 부회장 발탁
- 삼성전자가 반도체 위기 극복 핵심 전략으로 전영현(64) 미래사업기획단장(부회장)으로 반도체 사업 수장으로 전격 발탁했다. 지난해 반도체 업황 악화로 15조원에 육박하는 적자를 낸 가운데 삼성전자는 불확실성이 큰 대내외 환경 속에서 반도체 사업 경쟁력을 강화하기 위해 '원포인트' 인사를 단행한 것으로 보인다. 삼성전자는 21일 전영현 부회장을 디바이스솔루션(DS)부문장에, 전 부회장이 맡고 있던 미래사업기획단장에 기존 DS부문장이었던 경계현 사장을 각각 임명했다고 발표했다. 삼성전자는 "이번 인사는 불확실한 글로벌 경영 환경하에서 대내외 분위기를 일신해 반도체의 미래 경쟁력을 강화하기 위한 선제적 조치"라고 설명했다. '반도체 신화'의 주역인 전 신임 DS부문장은 LG반도체 출신으로, 2000년 삼성전자 메모리사업부로 입사해 D램·낸드플래시 개발, 전략 마케팅 업무를 거쳐 2014년부터 메모리사업부장을 맡아 왔다. 2017년 삼성SDI로 옮긴 전 부회장은 5년간 삼성SDI 대표이사를 맡았으며, 작년 말 인사에서 '귀환', 신설된 미래사업기획단을 맡아 삼성의 미래 먹거리를 발굴하는 데 주력해왔다. 전 부회장은 DS부문을 이끌며 기술 혁신과 조직의 분위기 쇄신을 통해 반도체 기술 초격차와 미래 경쟁력 강화에 집중할 것으로 보인다. 삼성전자는 지난해 주력인 반도체 업황 부진으로 DS부문에서 연간 14조8800억원의 적자를 기록했다. IT 수요 침체 등의 영향이 컸지만, 최근 인공지능(AI) 시장 확대로 급성장한 고대역폭 메모리(HBM) 시장에서도 SK하이닉스에 주도권을 뺏기는 등 차세대 기술 개발이나 시장 선점에 제대로 대응하지 못했다는 지적도 나오고 있다. 올해 1분기에는 전방 수요 회복과 메모리 가격 상승 등에 힘입어 2022년 4분기 이후 5개 분기 만에 흑자 전환로 돌아섰으며, HBM 5세대인 HBM3E 12단 양산 등에 속도를 내고 있다. 삼성전자는 "전 부회장은 삼성전자 메모리 반도체와 배터리 사업을 글로벌 최고 수준으로 성장시킨 주역으로, 그간 축적된 풍부한 경영 노하우를 바탕으로 반도체 위기를 극복할 것으로 기대한다"고 밝혔다. 삼성전자는 내년 정기 주주총회와 이사회를 통해 전 부회장의 사내이사 및 대표이사 선임 절차를 밟을 계획이다. 한편, 경 사장은 최근 반도체 위기 상황에서 새로운 돌파구 마련을 위해 스스로 부문장에서 물러난 것으로 알려졌다. 한종희 디바이스경험(DX)부문장과 협의하고 이사회에도 사전 보고한 것으로 알려졌다. 다만 종전에 맡고 있던 SAIT(옛 삼성종합기술원) 원장은 경 사장이 계속 담당한다. 2020년부터 삼성전기 대표이사를 맡아 적층세라믹커패시터(MLCC) 기술 경쟁력을 끌어올린 경 사장은 2022년부터 삼성전자 DS부문장을 맡아 반도체 사업을 총괄해 왔으며, 향후 미래사업기획단을 이끌며 미래 먹거리 발굴을 주도할 예정이다 삼성전자는 부문장 이하 사업부장 등에 대한 후속 인사는 검토되지 않았다고 말했다. 한편, 삼성전자 주가는 이날 오전 10시 36분 현재 7만8900원으로 보합세를 보이고 있다.
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삼성전자, 불확실성 속 반도체 사장 전격 교체…전영현 부회장 발탁
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2032년 한국 전세계 반도체 생산 점유율 전망, 19%로 역대 최고
- 8년 후인 2032년 한국의 반도체 생산 비중이 전 세계 시장의 약 20%에 육박해 역대 최고치를 기록할 것이라는 전망이 나왔다. 이는 대만을 누르고 중국에 이어 두 번째로 비중이 큰 것이다. 또한 2022년 대비 반도체 생산능력 증가율도 미국에 이어 2위를 차지할 것이라는 예측이다. 미국반도체산업협회(SIA)와 보스턴 컨설팅 그룹(BCG)은 8일(현지시간) '반도체 공급망의 새로운 회복 탄력성' 보고서에서 2032년 전 세계 반도체 시장에서 차지하는 한국의 생산능력은 19%에 달할 것이라고 전망했다. 이는 2022년의 생산비중 17%보다 2%p(포인트) 늘어난 수치로, 역대 가장 높은 수준이 된다. 한국은 중국(21%)에 이어 두 번째로 높고 대만(17%)과 미국(14%)도 앞서는 것으로 나타다. 2022년 기준 우리나라의 반도체 생산 비중은 중국(24%)과 대만(18%)에 이어 일본과 함께 공동 3위로 평가됐다. 그러나 2032년에는 한국의 생산 비중이 19%로 대만을 제칠 것이라는 분석이 나온 것이다. 보고서는 반도체 생산 지역을 한국과 미국, 유럽, 일본, 대만, 중국, 말레이시아와 싱가포르 인도 등을 포함한 기타 등 7개 지역으로 구분했다. 한국의 생산 점유율이 증가하는 것은 반도체 공장 건설을 통해 생산능력이 많이 확대되기 때문이다. 또한 보고서는 이 기간 한국의 반도체 생산능력 증가율을 129%로 추정했다. 이는 미국(203%)에 이어 두 번째로 높은 것으로, 유럽(124%)과 대만(97%), 일본(86%), 중국(86%), 기타(62%) 등을 앞선다. 2012년 대비 2022년 우리나라의 반도체 생산능력 증가율(90%)은 중국(365%)에 이어 두 번째였다. 이 기간 다른 지역의 생산능력 증가율은 대만(67%), 유럽(63%), 일본(36%) 등의 순으로 높았다. 미국은 11%로 가장 낮았다. 이들 지역을 제외한 기타 지역은 72%였다. 다만, 첨단 공정을 포함한 10나노미터(nm·1nm는 10억분의 1m) 이하 한국의 반도체 생산 점유율은 31%에서 9%로 크게 떨어질 것으로 관측됐다. 같은 기간 대만도 69%에서 47%로 하락할 것으로 예상됐다. 이는 미국 정부가 반도체 지원법을 앞세워 미국 내 설비 투자를 장려하면서 첨단 공정을 위한 공장 등을 짓는 등 투자가 많이 늘어난 데 따른 것이다. 미 정부는 반도체 생산 보조금(390억 달러)과 연구개발(R&D) 지원금(132억 달러) 등 모두 527억 달러(75조5000억원)를 지원하고 있다. 이에 따라 2032년 미국의 반도체 생산능력 증가율은 2022년 대비 3배 수준(203%)으로 늘어나고, 생산 점유율도 10%에서 14%로 늘어날 것으로 예상됐다. 보고서는 "반도체 지원법이 없었다면 미국의 점유율은 2032년 8%로 떨어졌을 것"이라고 추정했다. 특히, 미국의 10나노미터 이하 공정의 생산 점유율은 2022년 0%에서 10년 뒤인 2032년에는 28%로 크게 확대 것으로 내다봤다. 보고서는 "한국은 반도체 산업 발전에 일찍 투자해 삼성과 SK하이닉스가 글로벌 반도체 리더로 성장할 수 있도록 지원했다"며 "전 세계 낸드 플래시 메모리와 D램 시장에서 각각 절반 이상의 점유율을 차지하고 있다"고 밝혔다.
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2032년 한국 전세계 반도체 생산 점유율 전망, 19%로 역대 최고
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HBM 전체 D램 매출 비중 내년 30% 이상 전망
- 인공지능(AI) 시장 확대로 고대역폭 메모리(HBM) 수요가 급증하는 가운데 내년에는 HBM이 전체 D램 매출의 30% 이상을 차지할 것이라는 전망이 나왔다. 7일(현지시간) 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전체 D램 비트(bit) 용량에서 HBM이 차지하는 비중은 2023년 2%에서 올해 5%로 상승하고 2025년에는 10%를 넘어설 것으로 전망된다. 트렌드포스는 HBM 비중이 시장 가치(매출) 측면에서는 2023년 전체 D램의 8%에서 올해 21%로 늘어나고, 2025년에는 30%를 넘어설 것으로 예상했다. HBM 판매 단가는 2025년 5∼10% 상승할 것으로 봤다. 트렌드포스는 "HBM의 판매 단가는 기존 D램의 몇배, DDR5의 약 5배에 달한다"며 "이러한 가격 책정은 단일 디바이스 HBM 용량을 증가시키는 AI 칩 기술과 결합해 D램 시장에서 용량과 시장 가치 모두 HBM의 점유율을 크게 높일 것"이라고 말했다. 올해 HBM 수요 성장률은 200%에 육박하며 내년에는 2배로 증가할 전망이다. 트렌드포스는 "2025년 HBM 가격 협상이 이미 올해 2분기에 시작됐다"며 "D램의 전체 생산 능력이 제한돼 있어 공급업체들은 미리 가격을 5∼10% 인상했으며 이는 HBM2E, HBM3, HBM3E에 영향을 미쳤다"고 설명했다. 이는 HBM 구매자들이 AI 수요 전망에 대해 높은 신뢰도를 유지하고 있고 지속적인 가격 인상을 받아들일 의향이 있는 데다, HBM3E의 실리콘관통전극(TSV) 수율이 현재 40∼60%에 불과해 개선의 여지가 있기 때문이라고 봤다. 모든 주요 공급업체가 HBM3E 고객 인증을 통과한 것이 아닌 만큼 구매자는 안정적이고 우수한 품질의 공급을 확보하기 위해 더 높은 가격을 수용하게 됐다고 트렌드포스는 분석했다. 트렌드포스는 "향후 Gb(기가비트)당 가격은 D램 공급업체의 신뢰성과 공급 능력에 따라 달라질 수 있으며, 이는 평균판매단가(ASP)에 불균형을 초래해 결과적으로 수익성에 영향을 미칠 수 있다"고 밝혔다. 현재 SK하이닉스와 삼성전자는 HBM 시장의 주도권을 확보하기 위해 HBM 생산능력을 늘리며 수요 증가에 대응하고 있다. 이에 앞서 곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO)는 지난 2일 기자간담회에서 "HBM은 올해 이미 '솔드아웃'(완판)이고, 내년 역시 대부분 솔드아웃됐다"고 말했다. 여기에는 최근 공급을 시작한 HBM3E 8단 제품뿐 아니라 3분기 양산을 준비 중인 HBM3E 12단 제품도 포함된 것으로 알려졌다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)도 지난달 30일 1분기 실적 콘퍼런스콜에서 "올해 HBM 공급 규모는 비트 기준 전년 대비 3배 이상 지속적으로 늘려가고 있고, 해당 물량은 이미 공급사와 협의를 완료했다"며 "2025년에도 올해 대비 최소 2배 이상의 공급을 계획하고 있으며 고객사와 협의를 원활하게 진행 중"이라고 밝혔다.
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HBM 전체 D램 매출 비중 내년 30% 이상 전망
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애플, 기록적 자사주 매입과 성장 전망에 주가 7% 급등
- 3일(현지시간) 아이폰 제조업체 애플의 주가가 7% 급등했다. 이는 SK하이닉스 시총보다 많은 1100억 달러(약 149조4900억 원) 자사주 매입 계획과 향후 매출 성장에 대한 낙관적인 전망에 따른 투자자들의 적극적인 매수 때문이다. 애플은 지난 2일 늦게 발표한 3분기 실적에서 월가의 예상치를 뛰어넘는 매출을 기록했다. 또한 미국 기업 사상 최대 규모인 1100억 달러(약 149조4900억 원) 규모의 자사주 매입 계획을 승인했다고 발표했다. 이는 투자자들에게 회사가 향후 성장에 대한 확신을 가지고 있으며, 주주 가치를 높이겠다는 의지를 보여주는 조치로 해석된다. 2조 달러 시가총액 돌파, AI 투자에도 적극적인 자세 3일 주가 상승으로 애플의 시가총액은 2000억 달러(약 271조8000억 원) 가까이 증가하여 2조8600억 달러(약 3886조7400억 원)를 돌파했다. 마이크로소프트에 이어 두 번째로 높은 시가총액이며, 애플이 여전히 글로벌 시장에서 가장 가치 있는 기업 중 하나임을 보여준다. 또한, 애플은 이번 자사주 매입을 통해 최근 실적 발표를 앞두고 투자자들에게 현금을 배당한 다른 미국 거대 기술 기업들과 보조를 맞추었다. 이는 애플이 투자자들의 수익 창출에 적극적임을 보여주는 지표로 해석된다. 성장 둔화 우려에도 AI 투자로 성장세 지속 기대 일부 투자자들은 최근 애플의 성장 둔화를 우려하기도 했다. 하지만 애플은 이번 자사주 매입과 더불어 AI 분야에 대한 투자를 확대할 계획을 밝혔다. 특히, 팀 쿡 CEO는 다가오는 연례 개발자 컨퍼런스에서 AI 통합을 발표할 것으로 예상된다. 투자자들은 AI 기능이 강화된 아이폰 16 출시와 이를 통한 강력한 매출 성장을 기대하고 있다. 실제로, 번스타인 애널리스트들은 "AI 기능에 힘입어 아이폰 16의 강력한 사이클과 교체 주기가 길어질 것"이라고 전망했다. 최근 애플의 주가는 12개월 선행 수익 추정치의 25배에 거래되고 있다. 이는 경쟁사 마이크로소프트의 30.5배 가격 대비 저평가된 수준으로 평가된다. 투자자들은 애플이 기록적인 자사주 매입, 낙관적인 성장 전망, 그리고 적극적인 AI 투자를 통해 최고의 성장 기업으로서의 위상을 유지할 것으로 기대하고 있다. 실제로, 최소 13명의 애널리스트들은 애플의 목표 주가를 상향 조정하여 중간값을 200달러로 잡았다. 현재 주가보다 15% 높은 수치이다.
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애플, 기록적 자사주 매입과 성장 전망에 주가 7% 급등
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SK하이닉스 "3분기, HBM3E 12단 양산…내년 생산 HBM도 완판"
- 곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO)는 2일 "고대역폭 메모리(HBM) 시장의 리더십을 강화하기 위해 세계 최고 성능을 자랑하는 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 공급하고 3분기에는 양산을 시작한 분비가 되어 있다"고 발표했다. 곽 CEO는 "올해 HBM 생산은 이미 '솔드아웃(완판)'된 상태이며, 내년에도 대부분의 제품이 솔드아웃 상태다"라고 덧붙였다. 곽 CEO는 이날 경기도 이천에 위치한 본사에서 'AI 시대, SK하이닉스의 비전과 전략'을 주제로 열린 기자간담회에서 '앞으로 글로벌 파트너사들과의 전략적 협력을 통해 세계 최고의 맞춤형 메모리 솔루션을 제공하겠다'고 말했다. SK하이닉스가 이천 본사에서 기자간담회를 연 것은 이번이 처음이라고 연합뉴스가 전했다. 용인 클러스터 첫 팹(fab·반도체 생산공장) 준공(2027년 5월)을 3년 앞두고 열린 이날 행사에는 곽 CEO와 함께 AI 인프라 담당 김주선 사장 등 주요 경영진이 참석했다. 2027년 5월에 준공 예정인 용인 클러스터의 첫 반도체 생산공장(팹·fab) 개소를 3년 앞둔 이날 행사에는 곽 CEO와 AI 인프라 담당 김주선 사장을 포함한 주요 경영진이 참석했다. 곽 CEO는 "현재 AI는 주로 데이터센터 중심으로 구축되어 있지만, 앞으로는 스마트폰, PC, 자동차 등 다양한 디바이스에서 활용되는 온디바이스 AI로의 확산이 예상된다"며 "이러한 변화는 AI에 최적화된 고속, 대용량, 저전력 메모리의 수요를 급증시킬 것"이라고 전망했다. 지난해 전체 메모리 시장에서 약 5%를 차지했던 HBM과 고용량 D램 모듈 등 AI 전용 메모리의 시장 점유율은 2028년에는 61%에 이를 것으로 보인다. 특히 HBM 시장은 중장기적으로 연평균 약 60%의 수요 성장률을 보일 것으로 예상된다. 곽 CEO는 "올해 이후 HBM 시장은 AI 성능 향상을 위한 파라미터 증가, AI 서비스 공급자의 확대와 같은 요인으로 인해 지속적인 성장이 예상된다"며 "올해는 지난해에 비해 수요 가시성이 훨씬 높아졌다"고 설명했다. HBM 과잉 공급 우려에 대해, 곽 CEO는 "올해 증가하는 HBM 공급 능력은 이미 고객과의 협의를 마친 상태에서 고객의 수요에 맞추어 조절되므로, 과잉 공급의 위험은 줄어들 것"이라고 밝혔다. 또한 "HBM4 이후에는 맞춤형(커스터마이징) 요구가 증가하면서, 제품이 트렌드화되고 주문형 비즈니스로 전환될 것"이라고 예측했다. 김주선 사장은 "프리미엄 제품인 HBM의 생산 캐파 할당이 증가함에 따라 일반 D램 생산이 줄어들 가능성이 있으며, 하반기부터는 전통적인 응용처의 수요 개선을 통해 메모리 시장이 더욱 안정적인 성장을 이룰 것"이라고 전망했다. HBM 후발주자인 삼성전자는 지난달 30일 1분기 실적 콘퍼런스콜에서 업계 최초로 개발한 HBM3E 12단 제품을 올해 2분기 내 양산한다고 발표하며 SK하이닉스를 바짝 추격하고 있다. 이에 대해 곽 CEO는 "고객의 요구에 맞는 기술을 적시에 개발하고, 그에 따른 생산능력도 고객의 요구에 맞춰 조절할 것"이라며 "자만하지 않고, 고객과 긴밀히 협력하여 시장의 요구에 부합하는 제품을 공급할 수 있도록 할 것"이라고 강조했다. 곽 CEO는 2016년부터 올해까지 예상되는 HBM 누적 매출에 대해서는 "하반기 시장 변화 등으로 해 정확히 말할 수는 없지만, 백수십억달러 정도가 될 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스는 HBM 핵심 패키지 기술 중 하나인 MR-MUF 기술의 우수성도 강조했다. 최우진 패키징&테스트(P&T) 담당 부사장은 "일각에서 MR-MUF 기술이 고단 적층에서의 한계를 지적하나, 실제로는 이 기술이 칩의 휨 현상을 효과적으로 제어하는 고온·저압 방식으로, 고단 적층에 가장 적합하다"고 밝혔다. 최 부사장은 이어 "현재 16단 구현을 위한 기술 개발이 순조롭게 진행 중이며, HBM4에도 고급 MR-MUF 기술을 적용하여 16단 제품을 구현할 계획이다. 하이브리드 본딩 기술도 선제적으로 검토 중이다"고 덧붙였다. HBM 리더십 확보를 위한 노력에 대해서는 최태원 회장과 SK그룹 차원에서의 선제적 투자를 강조했다. 곽 CEO는 "AI 반도체의 경쟁력은 단기간 내에 확보하기 어렵다. SK그룹에 2012년 편입된 이후, 메모리 시장이 어려운 상황에서 대부분의 반도체 기업이 투자를 줄였지만, SK그룹은 오히려 투자를 늘렸다"고 설명했다. 또한 "당시 모든 분야에 걸쳐 투자 확대 결정은 시장 개방 시기의 불확실성을 포함하는 HBM 투자도 포함하고 있었다"며 "최태원 회장의 글로벌 네트워킹은 고객사 및 협력사와의 긴밀한 관계 구축을 통해 AI 반도체 리더십 확보에 크게 기여했다"고 말했다. SK하이닉스는 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터 첫 팹 가동 전에 청주에 M15X를 짓기로 했다. M15X는 연면적 6만3천평 규모의 복층 팹으로 EUV를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정이다. SK하이닉스는 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터의 첫 팹 가동 전에 청주에 위치한 M15X 팹을 건설하기로 결정했다. M15X는 6만3000평 규모의 복층 팹으로, EUV를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정이다. M15X는 내년 11월에 준공되어 2026년 3분기부터 본격적으로 양산을 시작할 계획이다. 용인 클러스터의 부지 조성 작업도 순조롭게 진행되고 있다. 또한 미국 인디애나주에 38억7000만달러(약 5조2000억원)를 투자해 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 시설을 짓고 2028년부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산할 계획이다.
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SK하이닉스 "3분기, HBM3E 12단 양산…내년 생산 HBM도 완판"
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SK하이닉스, 청주 M15X서 차세대 D램 생산…20조 이상 투자
- SK하이닉스는 인공지능(AI) 반도체에 대한 수요 급증에 대응하여 고대역폭 메모리(HBM)와 같은 차세대 D램의 생산능력(캐파)을 확장하기로 했다. 24일 SK하이닉스는 이사회 결정을 통해 충북 청주시에 건설될 신규 팹(fab·반도체 생산공장)인 M15X를 D램 생산 기지로 확정하고, 팹 건설에 총 5조 3000억 원을 투자하기로 결정했다고 밝혔다. 팹 건설 공사는 이달 말부터 시작되며, 2025년 11월에 공장을 준공하고 이후 본격적인 양산에 들어갈 계획이다. 또한, SK하이닉스는 M15X에 장비 투자를 순차적으로 진행하여, 장기적으로 총 20조 원 이상을 투자해 생산 기반을 강화할 방침이다. SK하이닉스는 지난 2022년에 M15 팹의 확장 공장인 M15X의 건설 및 생산 설비 구축을 위해 향후 5년 동안 15조 원을 투자할 것이라고 발표했으나, 지난해 4월 반도체 업황 악화로 인해 일시적으로 공사를 중단한 적이 있다. 당초 업계에서는 M15X에서 낸드 메모리를 생산할 것으로 예상했었다. 그동안 SK하이닉스는 M15X 공사 재개 시점에 대해 "시황을 예의주시하겠다"고 밝혀왔지만, 최근 AI 시대의 도래와 함께 D램 수요가 급증함에 따라, M15X의 용도를 변경하고 투자 규모를 확대하기로 결정했다. 연평균 60% 이상의 성장이 예상되는 HBM은 일반 D램 제품에 비해 최소 2배 이상의 생산능력이 요구된다. 이에 따라 SK하이닉스는 2027년 상반기에 용인 반도체 클러스터에서 첫 번째 팹을 준공하기 전에 청주 M15X에서 신규 D램 생산을 시작할 계획이다. M15X는 실리콘 관통 전극(TSV) 생산 능력을 확장 중인 M15와 인접하여 HBM 생산을 최적화할 수 있는 위치에 있다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 "M15X는 전 세계 AI 메모리 시장에 핵심적인 역할을 하게 될 것이며, 회사의 현재와 미래를 잇는 중요한 다리 역할을 할 것"이라고 말했다. 그는 또한 "이번 투자가 단순히 회사의 성장을 넘어 국가 경제에도 긍정적인 영향을 미칠 것으로 확신한다"고 덧붙였다. SK하이닉스는 M15X 외에도 앞으로 증가할 메모리 수요에 대비해 추가 투자의 필요성을 검토하며 수요 상황을 면밀히 점검하고 있다. 이와 함께, 약 120조 원이 투입되는 용인 클러스터를 포함한 국내 투자 계획은 차질 없이 진행한다는 방침이다. 현재 용인 클러스터의 부지 조성 공정률은 약 26%로, 목표치보다 3% 포인트 빠른 진척을 보이고 있다. 또한, SK하이닉스가 들어설 예정인 부지에 대한 보상 절차와 문화재 조사는 이미 완료되었으며, 전력과 용수, 도로 등의 인프라 구축도 계획보다 빠르게 진행되고 있다고 회사 측은 밝혔다. SK하이닉스는 용인의 첫 팹을 2025년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 예정이다. SK하이닉스가 진행하는 국내 투자는 SK그룹 차원의 전체 국내 투자에서도 중요한 부분을 차지하고 있다. 2012년 SK그룹에 편입된 이래, SK하이닉스는 2014년부터 총 46조원을 투자하여 이천 M14를 시작으로 총 세 개의 공장을 추가로 건설하는 '미래비전'을 중심으로 국내 투자를 이어왔다. 이 계획에 따라 2018년 청주 M15와 2021년 이천 M16을 차례로 준공하며 미래비전을 조기에 완성했다. SK하이닉스는 "M15X와 용인 클러스터에 대한 투자는 대한민국을 AI 반도체 강국으로 이끄는 데 중요한 역할을 하며 국가경제를 활성화하는 계기가 될 것"이라고 밝혔다. 회사는 이어 "AI 메모리 시장에서 글로벌 리더로서의 위치를 강화하고, 국내 생산기지에 대한 투자를 확대함으로써 국가경제에 기여할 뿐만 아니라 반도체 강국으로서 대한민국의 위상을 높이는 데 일조할 것"이라고 덧붙였다.
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SK하이닉스, 청주 M15X서 차세대 D램 생산…20조 이상 투자
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삼성전자, 업계 최초 '9세대 V낸드' 양산…290단 적층 구현
- 삼성전자가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작해 메모리 기술에서 리더십을 강화했다. 이 기술은 인공지능(AI) 시대의 고용량 및 고성능 낸드에 대한 수요 증가에 대응하기 위한 것이다. 삼성전자는 23일, '더블 스택' 구조를 적용한 최고 단수 제품인 9세대 V낸드를 양산한다고 발표했다. 이 제품은 현재 주력 제품인 236단 8세대 V낸드를 뒤이어, 약 290단 수준의 기술로 구현되었다고 한다. 더블 스택 기술은 낸드플래시 메모리의 각 레이어를 두 번의 '채널 홀 에칭' 과정을 통해 나누고 이를 단일 칩으로 결합하는 고난도의 제조 방식을 의미한다. 삼성전자는 이 채널 홀 에칭 기술을 통해 한 번의 공정으로 업계 최대의 단수를 달성하는 생산 효율성을 크게 향상시켰다고 설명했다. 채널 홀 에칭 기술은 몰드층을 순차적으로 쌓은 후 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 형성하는 방식으로, 적층 단수가 높아질수록 한 번에 더 많은 채널을 생성할 수 있어 생산 효율이 증가한다. 이 과정은 높은 정밀도와 고도의 기술이 요구된다. 낸드 메모리의 적층 경쟁이 치열해지면서 적층 공정의 기술력이 더욱 중요해지고 있다. V낸드에서 원가 경쟁력은 가능한 적은 공정 단계로 높은 적층 단수를 달성하는 데 있어, 스택 수가 적으면 거쳐야 하는 공정 수도 줄어들어 시간과 비용을 절감할 수 있어 경쟁력을 높인다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell), 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도(단위 면적당 저장되는 비트의 수)를 이전 세대에 비해 약 1.5배 증가시켰다. 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole) 제거 기술로 셀의 평면적을 줄이고, 셀 크기 축소로 인한 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술과 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품의 품질과 신뢰성을 향상시켰다. 9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 '토글(Toggle) 5.1'을 적용해 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps(초당 기가비트)의 데이터 전송 속도를 구현했다. 삼성전자는 이를 토대로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하며 고성능 SSD 시장을 확대하여 낸드플래시 기술의 리더십을 강화할 계획이다. 또한, 9세대 V낸드는 저전력 설계 기술을 적용해 이전 세대 제품에 비해 전력 소비를 약 10% 줄였다. 삼성전자는 올해 하반기에 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'의 양산을 시작하는 등 AI 시대의 요구에 부응하는 고용량, 고성능 낸드 개발에 박차를 가할 예정이다. 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장 허성회 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화함에 따라 고용량, 고성능 제품에 대한 고객의 요구가 증가하고 있다"며 "극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 향상시켰다. 9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 적합한 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도할 것"이라고 말했다. 시장조사기관 옴디아의 보고에 따르면, 낸드플래시 매출은 2023년 387억 달러에서 2028년에는 1148억 달러로 성장할 것으로 예상되며, 이는 연평균 약 24%의 성장률을 보일 전망이다. 이러한 성장은 AI 서버 시장의 확대와 직결되어 있으며, 높은 데이터 전송 속도와 성능을 요구하는 신규 AI 서버 설치가 증가함에 따라 SSD에 대한 수요도 증가하고 있다. 옴디아는 "AI 관련 작업에서의 훈련 및 추론 수요 증가와 함께, 대규모 언어 모델(LLM)과 추론 모델에 필요한 데이터 저장을 위해 더 큰 저장 용량이 요구되고 있다"고 말했다. 이러한 시장 수요 증가로 인해 낸드 적층 기술의 경쟁도 치열해지고 있다. 삼성전자는 작년 3분기 실적 발표에서 2030년까지 1,000단 V낸드 개발 계획을 발표했다. SK하이닉스는 작년 8월 미국에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2023'에서 업계 최초로 300단을 넘는 '1Tb TLC 321단 4D 낸드' 샘플을 공개하며, 이를 2025년 상반기부터 양산할 계획임을 밝혔다. 마이크론은 2022년에 세계 최초로 232단 낸드를 양산하기 시작했다. 후발주자인 중국의 YMTC(양쯔메모리테크놀로지)도 지난해 232단 낸드 생산을 시작한 데 이어 올해 하반기에는 300단 이상의 제품 출시를 계획하고 있다. 한편, 삼성전자 주식은 이날 '9세대 V낸드' 양산 발표 이후 소폭 상승했다. 이날 23일 11시 27분 현재 삼성전자 주가는 전일 대비 0.26% 올라 7만6300원에 거래됐다.
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삼성전자, 업계 최초 '9세대 V낸드' 양산…290단 적층 구현
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TSMC 전망 하향 조정에 반도체 주식 급락세...글로벌 불확실성 심화
- 글로벌 불확실성과 TSMC의 성장 전망 하향 조정으로 인해 전 세계 반도체 주식 시장이 급락세를 보이고 있다. 이번 주 초까지 급등했던 칩 관련 주가는 투자자들의 이익 실현으로 인해 하락세를 걷고 있다고 닛케이 아시아가 20일(현지시간) 보도했다. 이스라엘의 이란 보복 공격 소식과 함께 TSMC의 성장 전망 하향 조정이 전해지면서 19일 도쿄, 서울 등 아시아 시장에서 칩 관련 주가가 급락했다. 미국 필라델피아 반도체 지수(SOX)도 지난 18일 약 2개월 만에 최저치를 기록했고, 19일 오전 현재 하락세를 보이고 있다. TSMC 주가 하락, 시장 정서 악화 1~3월 기간 TSMC의 실적이 시장 기대치를 뛰어넘었음에도 불구하고, 성장 전망 하향 조정으로 인해 TSMC 주가 하락이 이어졌다. 이는 다른 업계 주식에도 영향을 미쳐 미국 증시는 5%, 대만 증시는 7% 하락했다. TSMC가 올해 글로벌 로직 반도체 산업 전망을 10% 이상에서 10% 성장으로 하향 조정한 것이 반도체 주가 하락의 주요 원인으로 분석된다. 이러한 변화는 전기차, 컴퓨터, 스마트폰 등에 사용되는 칩 수요 회복에 대한 우려를 증폭시켰다. 리소나자산운용의 수석 펀드 매니저 토다 코지는 "시장은 TSMC의 강력한 분기별 실적이 대부분의 가격에 반영됐다"고 지적하며 시장 상황을 분석했다. 이와이코스모 증권의 수석 애널리스트 카이즈요 사이토는 "AI 분야의 성장으로 인해 칩주가 주목받고 있었던 상황에서 전망에 대한 미묘한 우려조차 큰 매도세를 촉발했다"고 강조했다. AI 칩주 주목도 감소 한편, 최근 AI 칩주에 대한 투자자들의 관심이 감소하고 있다. 이는 AI 붐의 핵심 동인인 엔비디아와 경쟁사인 AMD의 주가가 3월 초부터 상승세가 둔화된 데 따른 것이다. 투자자들은 엔비디아용 반도체를 만드는 TSMC와 TSMC에 장비를 공급하는 일본 기업에 더욱 주목하고 있다. 반면, 메모리 칩 제조업체들은 이익을 얻고 있다. 마이크론 테크놀로지는 엔비디아의 AI 그래픽 처리 장치에 사용되는 고대역폭 메모리(HBM)의 2024년 공급량을 모두 매진했으며 2025년 공급량도 대부분 판매했다고 밝혔다. 단기 투자자들의 이익 실현 최근의 칩주 시장 침체는 부분적으로 단기 투자자들이 단기적인 이익을 얻기 위해 매도한 결과라고 분석된다. 페이스북 모회사인 메타 플랫폼, 마이크로소프트, 알파벳, SK하이닉스 및 아드반테스트를 포함한 주요 업계 업체들은 다음 주 분기별 결과를 발표할 예정이다.
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TSMC 전망 하향 조정에 반도체 주식 급락세...글로벌 불확실성 심화
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SK하이닉스·TSMC, 파운드리-메모리 협력으로 HBM 시장 선점
- SK하이닉스가 세계적인 파운드리(반도체 수탁생산) 기업인 대만 TSMC와 협력해 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 생산과 첨단 패키징 기술 역량을 강화할 계획이다. SK하이닉스는 19일, 최근 대만 타이베이에서 TSMC와 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결하고 TSMC와 협업해 오는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM)를 개발할 계획이라고 발표했다. 특히, 인공지능(AI) 반도체 시장을 이끄는 기업인 엔비디아는 SK하이닉스로부터 AI 연산작업의 핵심인 그래픽처리장치(GPU)용 HBM을 공급받아 TSMC에 패키징 하도록 맡겨 이를 조달하고 있다. SK하이닉스는 "AI 메모리 분야의 글로벌 리더로서, 세계 최대 파운드리 업체인 TSMC와의 협력을 통해 HBM 기술의 새로운 혁신을 이끌어낼 것"이라며, "고객, 파운드리, 메모리 간의 협력을 통해 메모리 성능의 한계를 넘어설 것"이라고 강조했다. 양사는 HBM 패키지의 베이스 다이(base die) 성능 향상을 위해 노력하고 있다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리다. 방대한 데이터를 신속하고 끊임없이 처리해야 하는 생성형 AI를 구동하려면 HBM과 같은 고성능 메모리가 반드시 필요한 것으로 알려졌다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(core die)를 쌓고, 이를 실리콘관통전극(TSV) 기술로 수직 연결해 제조한다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 통제 기능을 수행한다. SK하이닉스는 HBM 4세대인 HBM3 시장의 90%를 점유하고 있다. SK하이닉스는 지난 3월 18일 HBM 5세대인 HBM3E도 이달 말부터 AI 칩 선두 주자인 엔비디아에 공급한다고 밝혔다 SK하이닉스는 5세대 HBM인 HBM3E까지는 자체 D램 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 TSMC가 보유한 로직 초미세 선단공정을 활용해 베이스 다이에 다양한 시스템 기능을 추가할 계획이다. SK하이닉스의 HBM3E는 초당 최대 1.18테라바이트(TB)의 데이터를 처리한다. 이는 풀-HD급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. HBM4는 HBM3에 비해 두 배 가까운 고속과 고용량 성능을 구현해야 한다. 이를 위해 베이스 다이는 단순히 D램 칩과 GPU를 연결하는 기능을 넘어 시스템반도체에서 요구하는 다양한 기능을 수행할 필요가 있으며, 이는 기존의 일반 D램 공정으로는 제작이 어려운 것으로 알려져 있다. SK하이닉스는 이를 통해 성능, 전력 효율 등에 대한 고객들의 폭넓은 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산할 계획이다. 또한, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 첨단 패키징 공정인 '칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트'(CoWoS) 기술을 결합하여 최적화하는 데 협력하며, HBM 관련 고객의 요청에 공동으로 대응하기로 했다. 김주선 SK하이닉스 AI 인프라 담당 사장은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것뿐만 아니라, 글로벌 고객들과의 개방형 협업을 가속화할 것"이라며, "앞으로 맞춤형 메모리 플랫폼의 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'로서의 위상을 확립하겠다"고 밝혔ek. 케빈 장 TSMC 수석부사장은 "TSMC와 SK하이닉스는 수년 동안 견고한 파트너십을 유지해 왔으며, 세계 최고의 AI 솔루션을 시장에 공급해 왔다"며 "HBM4에서도 긴밀한 협력을 통해 AI 기반의 혁신을 지원할 최고의 통합 제품을 제공할 것"이라고 말했다.
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SK하이닉스·TSMC, 파운드리-메모리 협력으로 HBM 시장 선점
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SK하이닉스, 미국 인디애나에 5.2조원 투자 차세대 HBM 공장 건설
- SK하이닉스가 5조2000억원을 투자해 미국 인디애나주에 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 생산 기지를 짓는다. SK하이닉스는 4일 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하고, 퍼듀대학교 등 현지 연구기관과 반도체 연구·개발에 협력하기로 했다고 밝혔다. SK하이닉스는 2028년 하반기 양산을 목표로 하고 있으며 인공지능(AI) 반도체 핵심인 HBM의 생산 공장을 해외에 짓는 것은 이번이 처음이다. 미국에 AI용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 짓는 것은 반도체 업계 최초다. SK하이닉스는 3일(현지시간) 웨스트라피엣에 소재한 퍼듀대에서 인디애나주와 퍼듀대, 미 정부 관계자들과 함께 투자협약식을 열고 이 같은 계획을 공식 발표했다. SK하이닉스는 이 사업에 38억7000만 달러(약 5조2000억 원)를 투자할 계획이다. 이날 행사에는 에릭 홀콤 인디애나 주지사, 토드 영 상원의원, 아라티 프라바카 백악관 과학기술정책실장, 아룬 벤카타라만 상무부 차관보, 멍 치앙 퍼듀대 총장 등 미국 측 인사와 조현동 주미 대사, 김정한 주시카고 총영사가 참석했다. SK에서는 유정준 미주 대외협력 총괄 부회장, 곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO) 등 경영진이 참석했다. SK하이닉스는 인디애나 공장에서 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정이다. SK하이닉스 측은 "이를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장설 것"이라며 "인디애나에 건설하는 생산기지와 연구개발(R&D) 시설을 바탕으로 현지에서 1000개 이상의 일자리를 창출해 지역사회 발전에도 기여하겠다"고 밝혔다. 현재 SK하이닉스는 HBM 시장 점유율 1위를 차지하고 있다. HBM 4세대인 HBM3를 AI 칩 선두 주자인 엔비디아에 사실상 독점 공급하고 있으며, 5세대인 HBM3E도 지난달 말부터 고객사 공급을 시작한다고 밝힌 바 있다. AI 시장 확대로 HBM 등 초고성능 메모리 수요가 급증하고 어드밴스드 패키징의 중요성이 커지는 가운데 SK하이닉스는 기술 리더십을 강화하기 위해 미국에 대한 첨단 후공정 분야 투자를 결정하고 부지를 물색해 왔다. 그동안 다양한 후보지를 검토했으나 인디애나 주 정부가 투자 유치에 적극 나선 데다 지역 내 반도체 생산에 필요한 제조 인프라가 풍부해 인디애나주를 최종 투자지로 선정했다. 반도체 등 첨단 공학 연구로 유명한 퍼듀대가 있다는 점도 영향을 미쳤다고 SK하이닉스는 설명했다. 미국 정부에 반도체 생산 보조금 신청서도 이미 제출한 것으로 알려졌다. 조 바이든 행정부는 2022년 반도체 지원법을 제정, 자국에 반도체 공장을 짓는 기업에 생산 보조금 총 390억 달러(약 52조2000억 원), 연구개발(R&D) 지원금으로 총 132억 달러(약 17조7000억 원) 등 5년간 총 527억 달러(약 70조5000억 원)를 지원하기로 했다. 170억달러를 투자해 텍사스주 테일러에 신규 공장을 짓고 있는 삼성전자의 경우 60억 달러(약 7조9000억 원) 이상의 보조금을 받을 것이라는 외신 보도가 나오기도 했다. 에릭 홀콤 인디애나 주지사는 "인디애나주는 미래 경제의 원동력이 될 혁신적인 제품을 창출하는 글로벌 선두주자"라며 "SK하이닉스와의 새로운 파트너십이 장기적으로 인디애나주와 퍼듀대를 비롯한 지역사회를 발전시킬 것으로 확신한다"고 밝혔다. 토드 영 상원의원은 "SK하이닉스는 곧 미국에서 유명 기업이 될 것"이라며 "미 정부의 반도체 지원법을 통해 인디애나는 발전의 계기를 마련했고, SK하이닉스가 우리의 첨단기술 미래를 구축하는 데 도움을 줄 것"이라고 감사의 뜻을 전했다. 멍 치앙 퍼듀대 총장은 "SK하이닉스는 AI용 메모리 분야의 글로벌 개척자이자 지배적인 시장 리더"라며 "이 혁신적인 투자는 인디애나주와 퍼듀대가 가진 첨단 반도체 분야 경쟁력을 보여주면서 미국 내 디지털 공급망을 완성하는 기념비적인 일"이라고 말했다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 "반도체 업계 최초로 AI용 어드밴스드 패키징 생산시설을 미국에 건설하게 돼 기쁘다"라며 "이번 투자를 통해 갈수록 고도화되는 고객의 요구와 기대에 부응해 맞춤형(Customized) 메모리 제품을 공급해 나갈 것"이라고 말했다. SK하이닉스는 인디애나 주와 지역사회 발전을 위한 파트너십을 구축하는 한편 퍼듀 연구재단, 지역 비영리단체, 자선단체의 활동도 지원할 예정이다.
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SK하이닉스, 미국 인디애나에 5.2조원 투자 차세대 HBM 공장 건설
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MS·오픈AI, 130조원 투자로 AI 초격차 노려⋯데이터센터 건설
- 마이크로소프트(MS)와 오픈AI는 사업규모 최대 1000억 달러(약 130조 원)를 투입해 데이터센터를 건설할 계획을 세우고 있다. 로이터통신은 3월 31일(현지시간) 정보통신(IT) 전문매체 디인포메이션을 인용해 투자규모면에서 현재 가장 큰 데이터센터의 100배에 달하는 데이터센터 건설을 계획하고 있다고 보도했다. MS와 오픈AI가 이를 통해 인공지능(AI) 분야 초격차 만들기에 돌입한 것으로 분석된다. '스타게이트'로 불리는 이 프로젝트는 MS가 자금을 마련할 가능성이 높으며 MS와 오픈AI 양사는 앞으로 6년에 걸쳐 데이터센터를 건설할 계획인 슈퍼컴퓨터중에서 최대 규모다. MS와 오픈AI는 슈퍼컴퓨터 개발을 5단계로 나누어 진행할 계획이며 현재는 이중 3단계에 도달한 상황이다. MS가 개발중인 4단계째 오픈AI용 슈퍼컴퓨터가 오는 2026년에 투입될 것으로 예상되면 스타게이트는 5단계째가 된다. 4, 5단계의 개발비용 대부분은 필요한 AI칩의 확보와 연관된다. 이 프로젝트는 복수의 공급망의 반도체칩을 사용할 수 있도록 설계되고 있다. 데이터센터의 핵심인 슈퍼컴퓨터에는 오픈AI의 AI모델을 구동하기 위한 수 백만개의 AI칩이 들어갈 예정이다. 엔디비아의 AI칩 이외에도 MS가 지난해 개발한 AI칩(마이어100) 등을 활용할 것으로 보이는데, 두 회사의 이번 프로젝트로 AI칩에 필수적인 고대역메모리칩(HBM)을 생산하는 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 기업들이 수혜를 볼 가능성도 있다. MS·오픈AI 연합의 데이터센터가 완성되면 양사는 외부 의존 없이 자체 AI 인프라를 바탕으로 AI 서비스를 판매할 수 있게 된다. 막강한 AI 인프라를 바탕으로 오픈 AI의 기술 개발도 탄력을 받을 것으로 보인다. 오픈 AI는 하반기 차기 생성AI 모델인 ‘GPT-5’를 공개할 예정이다. MS측은 이와 관련, "우리는 AI능력의 프론티어를 계속 추진하기 위해 필요한 차세대 인프라혁신을 늘 꾀하고 있다"고 말했다. AI 신드롬 속 MS와 경쟁하는 아마존과 구글도 바삐 움직이고 있다. 아마존은 향후 15년간 데이터센터에 약 1500억달러(약 202조원)를 투자하기로 했고, 구글도 영국에 10억 달러(1조3444억원)를 들여 데이터센터를 설립할 예정이다.
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MS·오픈AI, 130조원 투자로 AI 초격차 노려⋯데이터센터 건설
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삼성전자, 이르면 9월부터 엔비디아에 12단 HBM3E 단독 공급
- 삼성전자가 빠르면 9월부터 엔비디아에 12단 고대역폭 메모리(HBM) 제품을 단독 공급하게 될 것이라는 소식이 전해졌다. 디지타임스가 26일(현지시간) 삼성전자는 HBM 시장에서 빠르게 입지를 다지고 있다며 최근 12단 D램을 탑재한 HBM3E 개발에 성공했다고 발표한 이후 현재 선두주자인 SK하이닉스와 마이크론을 제치고 엔비디아의 유일한 12단 HBM3E 공급업체가 될 수 있다는 보도가 나왔다고 전했다. 업계 소식통에 따르면, 삼성은 12단 HBM3E 개발에서 경쟁사를 앞질러 이르면 2024년 9월부터 엔비디아의 독점 공급업체가 될 것으로 보인다. 이에 대해 삼성은 고객 정보를 공개할 수 없다고 밝혔다. 마이크론은 2024년 2월 말, 8단 HBM3E 양산 개시를 발표했다. 삼성도 36GB 12단 HBM3E 제품 개발에 성공했다고 공개했다. 삼성은 12단 HBM3E가 8단 HBM3E와 동일한 높이를 유지하면서 더 많은 레이어 수를 자랑한다고 강조했다. 최대 1280GB/s의 대역폭을 제공하는 12단 HBM3E는 8단 HBM3에 비해 50% 이상의 성능과 용량을 제공한다. 삼성은 2024년 후반에 12단 HBM3E의 양산을 시작할 것으로 예상된다. 한편, 인공지능(AI) 칩 선두주자인 미국 반도체 기업 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)는 최근 'GTC 2024'에서 삼성이 아직 HBM3E의 양산에 대해 발표하지 않았음에도 삼성의 HBM이 현재 검증 단계를 거치고 있다고 확인했다. 젠슨 황 CEO는 삼성의 12단 HBM3E 디스플레이 옆에 '젠슨 승인'이라고 서명까지 해 삼성의 HBM3E가 검증 과정을 통과할 가능성이 높다는 추측을 불러일으켰다. 젠슨 황 CEO는 지난 3월 19일 엔비디아의 연례 개발자 콘퍼런스 'GTC 24' 둘째 날 삼성전자의 고대역폭 메모리(HBM)를 테스트하고 있다고 밝혔다. 황 CEO는 '삼성의 HBM을 사용하고 있느냐'라는 질문에 "아직 사용하고 있지 않다"면서도 "현재 테스트하고(qualifying) 있으며 기대가 크다"고 말했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 크게 높인 제품으로 고성능 컴퓨팅 시스템에 사용되는 차세대 메모리 기술이다. 방대한 데이터를 신속하고 끊임없이 처리해야 하는 생성 AI를 구동하려면 HBM과 같은 고성능 메모리가 반드시 필요한 것으로 알려져 있다. 고성능 컴퓨팅 시스템에서는 대규모 시뮬레이션과 데이터 분석 과정에 HBM을 사용한다. 아울러 고성능 그래픽 카드에서는 게임, 가상현실(VR), 증강현실(AR) 등의 그래픽 데이터를 빨리 처리하기 위해 HBM이 사용된다. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있으며, HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다. HBM3 시장의 90% 이상을 점유하고 있는 SK하이닉스는 메모리 업체 중 가장 먼저 5세대인 HBM3E D램을 엔비디아에 납품한다고 밝혔다. SK하이닉스는 2024년 3월부터 엔비디아에 8단 HBM3E를 공식 공급하기 시작했다. SK하이닉스는 GTC 2024에서 12단 HBM3E를 선보였으며, 이르면 2024년 2월에 엔비디아에 샘플을 제공할 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 HBM4의 성능을 향상시키기 위해 하이브리드 본딩 기술을 활용할 것이라고 밝혔다. 16단 D램을 적층해 48GB 용량을 구현할 계획이며, 데이터 처리 속도는 HBM3E 대비 40%, 전력 소비는 70% 수준에 불과할 것으로 예상된다. 삼성은 지난 2월 18일부터 21일까지 열린 '2024 국제 반도체 회로 학회(ISSCC 2024)'에서 곧 출시될 HBM4가 초당 2TB의 대역폭을 자랑하며 5세대 HBM(HBM3E) 대비 66% 대폭 증가했다고 발표했다. 또한 입출력(I/O) 수도 두 배로 증가했다.
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삼성전자, 이르면 9월부터 엔비디아에 12단 HBM3E 단독 공급
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지난해 500대 기업 영업익 25%이상 감소…삼성전자, 최대 하락
- 지난해 500대 기업의 영업이익이 25% 이상 감소했다. 삼성전자와 SK하이닉스 등 전기전자 대표 기업의 부진이 전체 영업이익 하락세를 주도했다. 27일 CEO스코어가 500대 기업 중 사업보고서 및 감사보고서를 제출한 265곳을 대상으로 지난해 연간 실적을 조사한 결과, 이들 기업의 전체 매출액은 2506조165억원으로 집계됐다. 이는 지난 2022년 2543조6015억원 대비 1.5%(37조5851억원) 줄어든 수치다. 특히 지난해 영업이익은 104조7081억원으로 전년 141조2024억원에 비해 25.8%(36조4943억원) 축소됐다. 업종별로는 전체 18개 중 13개 업종에서 영업이익이 감소했다. 이 중 IT 전기전자 업종의 지난해 영업이익은 6조5203억원으로 전년(59조986억원)에 비해 89%(52조5783억원) 줄어, 실적 하락이 두드러졌다. 글로벌 경기 둔화로 반도체와 TV, 생활가전 등의 판매 부진이 심화됐기 때문이다. 반면 공기업의 영업이익은 큰 폭으로 개선됐다. 2022년 30조4651억원의 영업 적자를 기록했지만 지난해 2조4741억원으로 손실을 크게 줄였다. 재무 건전성 제고에 주력한 결과다. 기업별로는 삼성전자의 영업이익이 가장 크게 줄었다. 지난해 삼성전자의 영업이익은 6조5670억원으로 전년(43조3766억원) 대비 84.9%(36조8096억원) 급감했다. 반도체(DS)부문의 실적 부진이 큰 영향을 미쳤다. SK하이닉스도 두 번째로 실적 감소가 컸다. 2022년 영업이익이 6조8094억원이었지만, 지난해 7조7303억원 손실을 기록, 적자전환했다. 코로나 팬데믹 기간 호황을 누렸던 HMM도 지난해 영업익이 94.1% 급감했다. 이밖에 GS칼텍스(57.7%↓), SK에너지(84.3%↓), HD현대오일뱅크(77.9%↓), 에쓰오일(60.2%↓), 대한항공(36.8%↓) 등도 1조원 이상 영업이익이 감소했다. 반면 한국전력은 영업적자 규모를 지난 2022년 32조6552억원에서 지난해 4조5416억원으로 대폭 줄였다. 지난해 3차례에 걸친 전기요금 인상과 국제 연료 가격 하락 등이 맞물렸기 때문으로 보인다. 현대차와 기아의 실적도 큰 폭으로 개선됐다. 지난해 현대차의 영업이익은 54.0% 늘어난 15조1269억원을 기록했다. 같은 기간 기아의 영업이익도 60.5% 증가한 11조6079억원에 달했다. 특히 현대차와 기아의 지난해 연간 영업이익 합산액(26조7348억원)은 연료 가격 하락 등이 맞물렸기 때문으로 보인다.
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지난해 500대 기업 영업익 25%이상 감소…삼성전자, 최대 하락
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SK하이닉스, 5조3천억원 투자 미국 인디애나주 반도체 패키징공장 건설
- SK하이닉스가 미국 인디애나주 서부 웨스트 라피엣에 첨단 반도체 패키징 공장을 건설할 계획이다. 월스트리트저널(WSJ)은 26일(현지시간) 소식통을 인용해 SK하이닉스가 반도체공장 건설을 위해 40억 달러(약 5조3000억 원)를 투자하며 2028년 가동을 개시할 계획이라고 보도했다. SK하이닉스 이사회는 조만간 이 결정을 승인할 것으로 알려졌다. 소식통은 이 공장 건설로 800∼1000개의 일자리가 창출되며 미국 연방정부와 주 정부의 세금 인센티브 등 지원이 프로젝트 자금 조달에 도움이 될 것이라고 설명했다. 공장이 들어서는 인디애나주 웨스트 라피엣에는 미국 최대 반도체 및 마이크로 전자공학 프로그램을 운영하는 대학 중 한 곳인 퍼듀대학이 있다. SK하이닉스는 대만 반도체 기업 TSMC와 인텔 공장이 들어서는 등 반도체 산업이 급성장하고 있는 애리조나주도 고려했으나 퍼듀대를 통해 엔지니어 풀을 확보할 수 있다는 이점을 감안해 인디애나주를 최종 선택했다고 소식통은 지적했다. 패키징은 웨이퍼 형태로 생산된 반도체를 자르고 전기 배선 등을 연결해 전자 기기에 탑재할 수 있는 형태로 조립(패키징)하는 반도체 생산의 마지막 단계다. 이에 앞서 지난 1일 영국 파이낸셜타임스(FT)는 SK하이닉스가 인디애나주를 반도체 패키징 공장 부지로 선정했으며, 이 공장은 엔비디아의 그래픽처리장치(GPU)에 들어갈 고대역폭 메모리(HBM) 제조를 위한 D램 적층에 특화한 시설이 될 것이라고 복수의 소식통을 인용해 보도했다. 세미애널리틱스의 딜런 파텔 수석 애널리스트는 "SK하이닉스 공장은 미국에서 대규모 HBM(고대역폭 메모리) 패키징을 위한 첫 번째 주요 시설이 될 것"이라고 예상했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리다. 방대한 데이터를 신속하고 끊임없이 처리해야 하는 생성형 AI를 구동하려면 HBM과 같은 고성능 메모리가 반드시 필요한 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 HBM 4세대인 HBM3 시장의 90%를 점유하고 있다. SK하이닉스는 HBM 5세대인 HBM3E도 이달 말부터 AI 칩 선두 주자인 엔비디아에 공급한다고 지난 18일 밝혔다. SK하이닉스의 HBM3E는 초당 최대 1.18테라바이트(TB)의 데이터를 처리한다. 이는 풀-HD급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. SK하이닉스는 현재 국내에서 HBM 칩을 생산해 패키징하고 있는데, 이 중 일부를 새로 들어서게 되는 공장에서 처리하게 되며, 이 시설에서는 또 다른 유형의 첨단 패키징도 처리될 예정이라고 소식통은 전했다.
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SK하이닉스, 5조3천억원 투자 미국 인디애나주 반도체 패키징공장 건설
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한국 3월 중순까지 수출 11% 증가…반도체 46% 급증
- 한국 수출량이 3월 중반까지 반도체 등 일부 품목의 강세에 힘입어 10% 이상 증가했다. 중국으로의 수출은 상승세를 기록했으나, 승용차 수출은 계속해서 감소했다. 관세청은 21일 24년 3월 1일 ~ 3월 20일 수출입 현황 보고서를 통해, 3월 1일부터 20일까지의 수출액(통관 기준 예비치)은 341억 2500만 달러로, 전년 동기 대비 11.2% 상승했다고 발표했다. 관세청에 따르면 수출은 341억 달러로 전년 동기 대비 11.2%증가했으며, 수입은 348억달러로 전년 동기 대비 6.3% 감소했다. 수역 수지는 7억 달러 적자를 기록했다. 일별 평균 수출액 역시 11.2% 증가했으며, 이 기간동안의 조업일수는 14.5일로, 전년과 동일했다. 월별 수출액은 지난해 10월부터 5개월 연속 증가 추세를 유지했으며, 이번 달에도 증가할 것으로 예상된다. 품목별 세부 내용을 살펴보면, 반도체 수출은 46.5% 증가했다. 월간 반도체 수출액은 작년 11월(10.8%)과 12월(19.0%), 올해 1월(52.8%), 2월(63.0%) 등 4개월 연속 두 자릿수 증가율을 보이고 있다. 선박 수출은 주문이 계속되면서 370.8% 급증했다. 그러나 승용차 수출은 7.7% 줄었다. 승용차 수출은 지난달 8.2% 줄어든 데 이어 두 달 연속 감소세를 이어가고 있다. 국가별로 살펴보면, 중국으로의 수출이 7.5% 증가했으며, 지난달 중국의 춘제 영향으로 한 달 만에 감소세를 보였던 대중 수출이 다시 증가세로 전환했다. 그밖에 미국(18.2%), 유럽연합(EU·4.9%), 베트남(16.6%), 홍콩(94.9%) 등으로의 수출도 좋은 성과를 보였다. 한편 3월 1∼20일 수입액은 348억3600만달러로 6.3% 감소한 것으로 나타났다. 원유(-5.5%), 가스(-37.5%), 석탄(-36.0%), 승용차(-14.2%) 등의 수입이 줄었다. 반면 석유제품(32.1%), 반도체(8.8%)의 수입은 증가했다. 국가별 수입 감소국은 중국(-9.0%), 일본(-5.8%), 호주(-22.8%) 등이었다. 이 기간 동안 무역수지는 7억1100만달러 적자를 기록했다. 이는 지난달 같은 기간 12억3100만달러 적자보다 감소한 수치다. 월간 무역수지는 지난달까지 9개월 연속 흑자를 나타냈다. 대중 무역수지는 9억8000만달러 적자였다. 대중 수출 호조에도 수입액이 수출액을 초과했기 때문이다. 조익노 산업통상자원부 무역정책관은 "반도체와 조선 분야의 강세 덕분에 수출이 두 자릿수 상승하는 견고한 성장률을 유지했다"며, "이번 달에 남은 근무일이 지난해보다 1.5일 적어 3월 말까지의 수출 성장률이 약간 조정될 수 있으나, 정보기술(IT) 관련 제품의 지속적인 강세를 바탕으로 수출 증가세와 무역 흑자 추세는 계속될 것"이라고 예측했다. 한편, 일본의 무역 수지는 2개월 연속 적자를 기록했다. 일본 재무성이 21일 발표한 2월 무역통계(속보치)에 따르면 지난달 무역수지 적자액은 3794억엔(약 3조3500억원)으로 집계됐다. 적자 규모는 전월(1조7603억엔)보다 78.4% 줄고 작년 동월(9289억엔)보다는 59.2% 감소한 수준이다. 적자 규모 축소는 지난달 수출이 8조2492억엔(약 72조7513억원)으로 자동차 등의 선전에 힘입어 작년 같은 달보다 7.8% 늘어난 데 따른 것이다. 수입은 8조6286억엔으로 작년 동월보다 0.5% 늘었다. 참고로 2월 한국 수출액은 524억1000만달러(약 69조5166억원)로 지난해 같은 달보다 4.8% 증가했다. 한국의 2월 수입액은 481억1000만달러(약 63조8275억원)로 지난해 같은 달보다 13.1% 감소했다.
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한국 3월 중순까지 수출 11% 증가…반도체 46% 급증
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외신 "삼성, 칩 생산에 MUF 기술 도입 계획"…삼성, 부인
- 삼성전자가 SK하이닉스가 사용하는 반도체 제조 기술을 도입할 계획이라는 외신 보도를 부인했다. 연합뉴스는 로이터통신을 인용해 인공지능(AI) 붐에 따른 수요 급증에 대응해 반도체 업계의 고성능 반도체 경쟁이 가열되는 가운데, 삼성전자가 경쟁사인 SK하이닉스가 사용하는 반도체 제조 기술을 도입할 계획이라고 13일 보도했다. 로이터통신은 여러 익명 소식통을 인용해 삼성전자가 최근 '몰디드 언더필(MUF)' 기술과 관련된 반도체 제조 장비를 구매 주문했다고 전했다. 하지만 삼성전자는 반도체 칩 생산에 '매스 리플로우(MR)-MUF' 기술을 도입할 계획이 없다며 이 보도를 부인했다. AI 시장의 확대로 고대역폭 메모리(HBM)에 대한 수요가 증가함에 따라, 삼성전자는 이 분야에서 SK하이닉스나 마이크론과는 달리 선두 업체인 엔비디아와 HBM 칩 공급 계약을 체결하지 못한 상황이다. 이에 로이터는 애널리스트들을 인용해, 삼성전자가 경쟁에서 뒤처진 이유 중 하나로 비전도성 필름(NCF) 방식을 고수하고 있음에 따른 생산상의 문제점을 지적했다. HBM(High Bandwidth Memory) 칩은 고대역폭 메모리 기술로, 특히 고성능 컴퓨팅, 서버, 그래픽 처리 장치(GPU) 등에서 데이터 처리 속도를 향상시키기 위해 설계된 반도체 메모리다. HBM은 기존의 DDR(Dual Data Rate) 메모리보다 더 많은 데이터를 빠르게 전송할 수 있는 것이 특징이며, 이를 통해 시스템의 전반적인 성능을 크게 개선할 수 있다. HBM 기술은 여러 개의 메모리 레이어를 수직으로 적층하여 3D 패키징을 구현한다. 이러한 구조는 메모리 칩 사이의 거리를 단축시켜 데이터 전송 속도를 높이고, 전력 소모를 줄이며, 공간 효율성을 개선하는 장점이 있다. HBM 메모리는 그래픽 카드나 고성능 컴퓨팅 분야에서 요구되는 고대역폭과 낮은 전력 소모 요구 사항을 충족시키기 위해 널리 사용되고 있다. 반대로, SK하이닉스는 NCF 방식의 문제점을 해결하기 위해 MR-MUF 방식으로 전환했으며, 결과적으로 엔비디아에 HBM3 칩을 공급하는 성과를 이루었다. 현재 시장에서는 삼성전자의 HBM3 칩 수율이 약 10∼20% 정도인 반면, SK하이닉스의 수율은 60∼70%에 달한다고 추산된다. 삼성전자는 MUF 재료 공급을 위해 일본의 나가세 등 관련 업체와 협상 중인 것으로 알려졌다. 한 소식통에 따르면, 삼성전자가 추가적인 테스트를 진행해야 하기 때문에 MUF를 사용한 고성능 칩의 대량 생산이 내년까지는 어려울 것으로 예상했다. 또 다른 소식통은 삼성전자의 HBM3 칩이 엔비디아에 공급되기 위한 과정을 아직 통과하지 못했다고 밝혔다. 소식통에 따르면 삼성전자가 HBM 칩 생산에 기존 NCF 기술과 MUF 기술을 모두 사용할 계획이라고 전하기도 했다. 한편, MUF(Molded Underfill) 기술은 반도체 칩과 기판 사이의 공간을 채우기 위해 사용되는 고급 패키징 기술이다. 이 기술은 반도체 칩을 기판에 장착한 후, 칩과 기판 사이의 미세한 공간에 특정 물질을 주입하여 경화시키는 과정을 포함한다. MUF 기술은 칩의 열 관리를 개선하고, 기계적 강도를 증가시키며, 전기적 성능을 향상시키는 데 도움을 준다. 또한, 이 기술은 칩의 신뢰성을 높이고, 고밀도 패키징이 요구되는 반도체 제품에서 특히 유용하게 사용된다. NCF(Non-Conductive Film) 기술은 반도체 칩과 기판 사이의 연결 공정에서 사용되는 비전도성 필름을 말한다. 이 기술은 반도체 칩의 미세한 배선 패턴과 기판 사이를 연결할 때 사용되는데, 특히 고밀도 패키징 어셈블리에서 중요한 역할을 한다. NCF는 전기적으로는 비전도성이면서 열적, 기계적 성질을 개선해주어 칩의 신뢰성과 성능을 높이는 데 기여한다. 플립 칩(Flip-chip) 기술과 같은 패키징 공정에서 사용되며, 칩과 기판 사이의 미세한 불균일을 채우고, 열 확산을 도와주며, 기계적인 스트레스를 줄여주는 역할을 한다.
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- IT/바이오
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외신 "삼성, 칩 생산에 MUF 기술 도입 계획"…삼성, 부인
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2023년 4분기 글로벌 낸드 매출, 전분기 대비 24% 급증
- 글로벌 낸드플래시 매출이 지난해 4분기에 전 분기 대비 24% 이상 대폭 증가한 것으로 나타났다. 낸드플래시(NAND Flash)는 비휘발성 플래시 메모리의 한 유형으로, 전원이 꺼져도 데이터를 유지할 수 있는 저장 매체다. 낸드플래시는 빠른 읽기와 쓰기 속도, 높은 밀도, 낮은 전력 소비 등의 특성으로 인해 다양한 전자기기에 널리 사용된다. 예를 들어, 스마트폰, 태블릿, USB 메모리 스틱, SSD(Solid State Drive)와 같은 저장 장치, 디지털 카메라 등에서 데이터 저장용으로 활용된다. 낸드플래시는 여러 개의 메모리 셀을 포함하며, 이 셀들이 전기적으로 데이터를 저장한다. 각 메모리 셀은 1비트에서부터 멀티 레벨 셀(MLC), 트리플 레벨 셀(TLC), 심지어 쿼드 레벨 셀(QLC)과 같이 여러 비트를 저장할 수 있도록 진화해왔다. 이러한 기술의 발달은 저장 용량을 크게 향상시키는 동시에 생산 비용을 줄이는 데 기여했다. 시장조사업체 트렌드포스는 6일 작년 4분기 전 세계 낸드 매출은 직전 3분기보다 24.5% 증가한 114억8580만달러를 기록했다고 발표했다. 트렌드포스는 "연말 프로모션에 따른 최종 수요 안정화와 부품 시장의 주문 확대로 전년 동기 대비 출하량이 호조를 보였다"며 "2024년 수요에 대한 기업 부문의 긍정적인 전망과 전력적 비축도 출하량 증가를 촉진했다"고 설명했다. 업체별로 보면 삼성전자의 작년 4분기 낸드 매출은 42억달러로 전 분기보다 44.8% 증가했다. 서버, 노트북, 스마트폰 전반에 걸쳐 수요가 급증한 영향이다. 삼성전자의 낸드 시장 점유율도 전 분기 31.4%에서 36.6%로 오르며 1위를 유지했다. SK하이닉스와 자회사 솔리다임의 작년 4분기 매출은 24억8040만달러로 전 분기보다 33.1% 상승했다. 시장 점유율도 20.2%에서 21.6%로 소폭 올라 2위를 유지했다. 3위 웨스턴디지털(WD)의 지난해 4분기 매출은 7.0% 증가한 16억6500만달러, 4위 키옥시아의 매출은 8.0% 증가한 14억4300만달러로 각각 집계됐다. 5위 마이크론은 수익성 개선을 위해 공급량을 대폭 줄여 비트 출하량은 전분기 대비 10% 이상 감소했고 매출은 1.1% 감소한 11억3750만 달러를 기록했다. 트렌드포스는 "공급망 재고 수준의 개선과 잠재적인 공급 부족을 피하려는 고객들의 주문 확대로 전통적인 비수기임에도 불구하고 2024년 1분기는 낸드 매출이 추가로 20% 더 증가할 것"이라고 전망했다. 아울러 지속적인 주문 규모 확대로 낸드 플래시 고정 가격은 평균 25% 상승할 것으로 예상했다.
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2023년 4분기 글로벌 낸드 매출, 전분기 대비 24% 급증
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한국 주도 무탄소연합 "올해부터 해외 기업 참여 확대"
- 한국 주도의 '무탄소 에너지(Carbon-Free Energy, CFE) 이니셔티브'를 지원하는 비정부기구인 무탄소 연합(Carbon-Free, CF Alliance)이 올해부터 해외 기업을 회원으로 적극 포함시키며 국제적 확장을 모색하기로 결정했다. CF 연합은 28일 서울 중구에 위치한 대한상공회의소에서 개최된 정기 총회에서, 2023년을 CFE 이니셔티브의 글로벌 확산을 위한 기념비적인 해로 설정하고, 이를 위한 전략적 사업 계획을 승인했다고 발표했다. 이 연합체는 올해 중 주요 국가들이 참여하는 '글로벌 작업반'을 출범시키고, 하반기에는 국제 기관 및 기업들에게도 회원 자격을 개방할 계획임을 밝혔다. CF 연합은 윤석열 대통령이 지난해 9월 유엔 총회 기조 연설에서 'CFE 이니셔티브'의 전 세계적 확산을 강조한 이후, 민간 기업 및 기관의 참여와 정부의 지원을 받는 사단법인 형태로 설립됐다. 현재 CF연합에는 삼성전자, SK하이닉스, 포스코, LG화학, 한화솔루션, 한국전력, 한전원자력연료, 한국산업기술시험원 등 20개의 국내 기업과 기관이 참여하고 있다. 아직 해외 기업 및 기관의 참여는 이루어지지 않았으며, RE100(재생 가능 에너지 100% 사용을 목표로 하는 글로벌 이니셔티브)과 같은 국제적으로 인지도가 높고 영향력 있는 이니셔티브에 비해 CF 연합은 상대적으로 인지도가 낮다. 정부와 산업계는 RE100 운동이 청정 전력으로의 전환에 초점을 맞추고 있지만, 이는 주로 전력 사용에 한정되어 있다고 지적했다. 이에 비해, 에너지 사용이 많은 산업 부문 전체를 아우르는 국제적인 탈탄소 규범의 필요성을 강조하며, 이를 통해 한국 기업들이 글로벌 시장에서의 경쟁력을 유지할 수 있을 것으로 전망했다. CF 연합 측은 이날 총회를 통해 한국데이터센터에너지효율협회, 한국생산기술연구원, FITI시험연구원 등 3개의 국내 기관이 CF 연합에 새롭게 가입하기로 했다고 전했다. 이번 행사에 참석한 강경성 산업통상자원부 1차관은 "국제 표준에 부합하는 CFE 이행 기준을 설정하기 위해, 올해 상반기 중 주요 국가들이 참여하는 '글로벌 작업반' 출범을 목표로 하고 있다"고 밝혔다. 또한, "우리 기업들이 전력 사용 및 생산 공정 등의 영역에서 겪는 문제들이 글로벌 이행 기준에 적극적으로 반영될 수 있도록 노력할 것이며, 주요 국가 정부들 뿐만 아니라 국제에너지기구(IEA)와 같은 해외 주요 기관들과의 협력도 강화할 계획"이라고 덧붙였다. 탄소제로(Carbon Zero) 또는 탄소 중립(Carbon Neutrality)은 특정 활동, 기업, 지역, 또는 국가가 발생시키는 온실가스 배출량을 측정하고, 이를 줄이거나 상쇄하여 실질적인 탄소 배출량을 '제로(0)'로 만드는 환경 정책이나 실천 방안을 말한다. 우리나라 정부가 주도하는 무탄소 운동도 이같은 취지에 부합하는 것이다. 이 개념은 기후 변화를 완화하고 궁극적으로 지구 온난화를 제한하는 데 중요한 역할을 한다. 한편, RE100은 'Renewable Energy 100%(신재셍 에너지 100%)'의 약자로, 기업이 사용하는 전력을 100% 재생 가능 에너지로 전환하겠다는 글로벌 이니셔티브다. 이 운동은 기후 변화에 대응하고 지속 가능한 미래를 위해 기업들이 선도적인 역할을 하도록 독려하기 위해 2014년 시작됐다. RE100은 비영리 단체인 국제기후변화 대응 단체 '더 클라이미트 그룹(The Climate Group)'이 국제 비영리 단체 'CDP'(Carbon Disclosure Project·카본 디스클로저 프로젝트, 기후 변화 대응을 위한 기업의 탄소 배출 정보 공개 플랫폼)와 협력해서 운영한다. RE100에 가입한 기업들은 설정된 시간 내에 자신들의 전력 소비를 100% 재생 가능 에너지로 충족시키겠다고 약속한다. 이 목표는 태양광, 풍력, 수력 및 기타 재생 가능 에너지 소스를 통해 달성할 수 있으며, 자체적으로 에너지를 생산하거나, 재생 가능 에너지 공급자로부터 에너지를 구매하거나, 재생 가능 에너지 인증서(RECs)를 구입하여 목표를 달성할 수 있다.
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한국 주도 무탄소연합 "올해부터 해외 기업 참여 확대"
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한은, 작년 12월 경상수지 흑자 74억달러…수출 회복에 8개월째 흑자
- 작년 12월 한국의 경상수지가 반도체 등의 수출 회복으로 8개월 연속 흑자를 기록했다. 한국은행이 7일 발표한 국제수지 잠정통계에 따르면 작년 12월 경상수지는 74억1000만달러(9조8553억원) 흑자로 집계됐다. 작년 5월 이후 여덟 달째 흑자가 이어지면서 지난해 연간 경상수지(354억9000만달러)는 2022년(258억3000만달러)보다 37.4% 늘었다. 한은의 전망치(300억달러)보다도 50억달러 이상 많다. 작년 12월 경상수지를 항목별로 나눠보면, 상품수지(80억4000만달러)가 작년 4월 이후 9개월 연속 흑자를 유지했다. 11월(68억8000만달러)과 비교해 흑자 폭도 늘어났다. 수출(590억달러)은 1년 전 같은 달보다 5.8% 증가하며 석 달째 증가세를 유지했다. 승용차(19.2%), 반도체(19.1%) 등 주요 수출 품목의 성장세가 두드러졌으며, 지역별로는 유럽연합(EU)와 중국 수출은 줄었지만 미국(20.7%), 동남아(15.4%)로의 수출이 특히 회복세를 나타냈다. 반대로 수입(509억7000만달러)은 9.3% 줄었다. 에너지 수입가격 하락의 영향으로 원자재 수입이 1년 전 같은 달보다 14.0% 감소했다. 원자재 중 가스, 석탄, 화학공업제품, 원유 수입액 감소율은 각 30.6%, 30.4%, 17.0%, 4.7%를 기록했다. 반도체 제조장비(-24.4%)와 반도체(-7.7%) 등 자본재 수입도 7.9% 감소했으며, 곡물(-17.9%)과 승용차(-3.1%) 등 소비재 수입 또한 5.8% 줄었다. 한편, 상품수지와는 달리 서비스수지는 25억 4000만 달러의 적자로 나타났다. 직전 달인 11월(-22억 1000만 달러) 대비해 적자 폭이 더욱 증가했다. 세부적으로, 일본인 방한 관광객 감소로 인해 여행수지 적자(-13억 4000만 달러)가 직전 달인 11월(-12억 8000만 달러) 대비 소폭 확대됐다. 지적재산권수지의 경우, 작년 11월 2억 4000만 달러의 흑자에서 한달 사이에 2억 5000만 달러의 적자로 변동했다. 한은에 따르면 이는 국내 기업이 해외 자회사로부터 받은 특허권 사용료 수입이 감소한 결과다. 반면, 작년 11월에 1억 2000만 달러의 적자였던 본원소득수지는 한 달 만에 24억 6000만 달러의 흑자로 전환했다. 국내 기업의 해외 자회사 배당 수입이 증가하고, 이전 분기에 지급되던 배당의 영향이 사라져 배당소득수지가 22억 5000만 달러의 흑자를 기록했다. 금융계정 순자산(자산-부채)은 12월 중 56억8000만달러 늘었다. 직접투자 부문에서는 내국인의 해외투자가 2차전지 업종을 중심으로 58억 3000만 달러 증가했으며, 외국인의 국내 투자도 14억 1000만 달러 증가했다. 증권투자 부문에서는 내국인의 해외투자가 30억 4000만 달러로, 외국인의 국내 투자도 28억 3000만 달러로 각각 주식을 중심으로 확대됐다.
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한은, 작년 12월 경상수지 흑자 74억달러…수출 회복에 8개월째 흑자
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일본 키옥시아, 7천억엔 투자로 최첨단 반도체 양산 본격화
- 일본의 낸드플래시 메모리반도체 생산업체인 키옥시아(옛 도시바메모리)가 이르면 내년 가을 미에(三重)현과 이와테(岩手)현 공장에서 최첨단 반도체 양산에 나선다. 닛케이(日本經濟新聞) 등 일본 언론에 따르면 일본경제산업성은 6일(현지시간) 키옥시아 홀딩스와 웨스턴디지털(WD)의 최첨단반도체 메모리의 양산을 위해 2400억엔(약 2조1507억원)을 지원한다고 발표했다. 키옥시아는 일본정부의 자금지원과 자체 자금 등 모두 7000억엔을 투입해 미에현의 욧카이치(四日市) 공장과 이와테현의 기타카미(北上)공장에서 각각 '8세대', '9세대'로 불리는 최첨단 낸드 메모리를 예정보다 앞당긴 내년 9월 생산할 계획이다. 키옥시아는 두 공장에서 각각 월간 6만장, 2만5000장을 생산하는 것을 목표로 한다. 키옥시아는 낸드 플래시 투자를 지속적으로 강화하고 있다. 이 공장과 별도로 키옥시아는 반도체 경기 불황으로 연기된 욧카이치 공장장 설비 투자도 최첨단 제품 양산을 앞당기는 방향으로 다시 검토키로했다. 당초 6세대 생산을 계획했지만 8세대로 전환해 2026년 4월 이후 월 10만5000장을 생산하겠다는 목표다. 요미우리 신문은 "데이터 처리 대용량화와 고속화에 맞춰 최첨단 제품 수요가 커지고 있는 데 따른 것"이라고 분석했다. 앞서 지난해 글로벌 낸드플래시 2, 4위 업체인 일본 키옥시아와 미국 웨스턴디지털(WD) 간의 합병은 난항을 겪다가 무산됐다. 웨스턴디지털은 반도체 메모리 사업을 분리해 키옥시아홀딩스와 지주사를 설립해 경영을 통합하는 방안을 논의했으나 키옥시아에 간접 출자한 SK하이닉스가 동의하지 않은 것으로 알려졌다. 낸드플래시 시장은 삼성전자·SK하이닉스·미국 마이크론이 독과점하고 있는 D램과 달리 삼성(점유율 31.1%), 키옥시아(19.6%), SK하이닉스(17.8%), 웨스턴디지털(14.7%), 마이크론(13%) 등 다섯 업체가 고루 시장을 나눠 갖고 있어 경쟁이 치열하다. 키옥시아는 도시바의 낸드 플래시메모리사업 부문이 분사돼 2019년 자회사로 설립됐다. 미국 사모펀드 배인 케피탈을 필두로 미국의 애플, 델, 씨게이트, 킹스톤 테크놀로지, 한국의 SK하이닉스가 참여하는 컨소시엄이 49.9%의 지분을 보유하고 있는 일본의 호야가 9.9% 갖고 있다. 도시바는 나머지 40.2% 지분을 유지하고 있다.
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일본 키옥시아, 7천억엔 투자로 최첨단 반도체 양산 본격화