검색
-
-
TSMC, 미국서도 첨단 반도체 양산 체제 갖춰-4나노 생산 돌입
- 세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 대만 TSMC가 미국 애리조나 공장에서 최첨단 4나노(1나노는 10억분의 1) 칩 양산을 시작했다고 지나 러몬도 미 상무장관이 밝혔다. 12일(현지시간) 로이터통신에 따르면 러몬도 상무장관이 인터뷰에서 "미국 역사상 처음으로 미국 땅에서 4나노 칩을 생산하고 있다"며 TSMC의 4나노 칩 양산 소식을 전했다. 러몬도 장관은 이어 "미국 노동자들이 대만과 동일한 수준의 수율과 품질로 첨단 4나노미터 칩을 생산하고 있다"며 "최근 몇 주간 생산이 시작됐다"고 설명했다. 러몬도 장관은 "이것은 큰 성과이자, 이전에는 한 번도 이뤄진 적이 없었고 많은 사람이 불가능하다고 생각했던 일"이라며 "이는 바이든 행정부의 반도체 노력에 이정표가 될 것"이라고 강조했다. 현재 가장 앞선 파운드리 상용 기술은 3나노 공정으로 TSMC와 삼성전자는 대만과 한국에서 각각 3나노 제품을 양산 중이다. 바이든 행정부는 막대한 보조금을 제공하며 글로벌 반도체 업체의 미국 내 공장 건설을 독려해 왔으며 지난해 11월 TSMC에 지급할 반도체 지원금 66억 달러를 확정했다. TSMC는 앞서 지난 4월 미국 내 투자 규모를 650억달러로 확대하고, 2030년까지 애리조나주에 2나노 공정이 활용될 세 번째 팹(fab·반도체 생산공장)을 건설한다는 계획을 발표하기도 했다. 러몬도 장관은 이는 상무부가 TSMC를 설득해 미국 내 계획을 확장하도록 했다고 말했다. 그는 "이 일은 저절로 이뤄진 것이 아니다"라며 "TSMC가 확장을 원하도록 우리가 설득해야 했다"고 밝혔다.
-
- IT/바이오
-
TSMC, 미국서도 첨단 반도체 양산 체제 갖춰-4나노 생산 돌입
-
-
대만 TSMC, 내달 미국 공장서 4나노 공정 제품 첫 정식 생산 예정
- 세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 업체인 대만 TSMC가 오는 12월 미국 애리조나 공장에서 첨단 4㎚(나노미터·10억분의 1m) 공정 기술을 채택한 웨이퍼를 정식 생산할 예정이다. 연합보 등 대만언론들은 4일(현지시간) 소식통을 인용해 TSMC가 내달 초 애리조나 피닉스의 21팹(fab·반도체 생산공장)의 1공장 완공식을 거행한 후 TSMC 4나노 기술을 채택한 12인치(305㎜) 웨이퍼의 정식 생산에 들어가고 양산 시점은 내년 1분기 예정이라고 보도했다. 애리조나 공장은 TSMC가 처음 해외에 설립하는 12인치(300㎜) 웨이퍼 공장으로 클린룸 면적이 일반 로직(시스템) 반도체 공장의 2배에 달하는 메가 팹(Mega Fab) 설계를 채택한 것으로 알려졌다. TSMC는 2020년부터 미국 애리조나주 피닉스에 400억달러를 투자해 두 곳의 생산공장을 짓기 시작했다.TSMC의 애리조나 1공장(Fab 21 P1)은 지난 9월부터 4나노 공정 가동에 들어갔으며 첫 고객사는 애플로 알려졌다. 2공장(Fab 21 P2)은 3나노 공정으로 예정돼 있었으나 4나노 주문이 폭증하자 일단 4나노 공정으로 운영하다가 3나노 공정으로 전환할 계획이다. TSMC에 따르면 애리조나 공장 면적은 약 445㏊(헥타르·1㏊는 1만㎡)로 1기 공정(1공장)은 올해 하반기 4나노 양산 예정이었으나 내년 1분기로 일정이 미뤄졌다. 2기 공정은 2026년부터 3나노 생산 예정이었으나 2028년으로 연기됐다. 3기 공정은 2나노 또는 A16(1.6나노급) 공정을 도입할 예정이며 2030년 양산 계획이 잡혀 있다. 한편 지난 25일 트럼프 전 대통령은 TSMC, 삼성전자 등 미국에 공장을 짓는 반도체 기업에 보조금을 지급하는 반도체법을 정면 비판하며 관세 부과 압박으로 글로벌 기업이 미국에 공장을 짓도록 만들어야 한다고 주장했다. TSMC는 미국에 650억달러를 투자하고 66억달러의 보조금을, 삼성전자는 440억달러를 투자하고 64억달러의 보조금을 받기로 돼 있다. 트럼프 전 대통령이 미국 제조업 육성을 위해 기업의 법인세를 현행 21%에서 15%로 낮추겠다고 했기 때문에 TSMC가 여전히 미국에 공장을 지을 긍정적 유인이 있다는 평가도 나온다. 경제일보는 이와 함께 트럼프의 대선 승리시 TSMC가 미국 애리조나주에 4공장, 심지어 5공장, 6공장 건설계획을 한꺼번에 발표함으로써 차기 대통령의 체면을 세워줄 수 있다고 보도했다. 신문은 정통한 소식통을 인용해 미국 애리조나주에 있는 TSMC 1공장 로비에는 전체 부지 내 6개 생산라인의 모형도가 전시돼 있으며 이는 이미 발표한 1~3공장 외에 4~6공장의 확장 계획까지 준비 중임을 의미한다고 전했다.
-
- IT/바이오
-
대만 TSMC, 내달 미국 공장서 4나노 공정 제품 첫 정식 생산 예정
-
-
엔비디아, 인도 최대 재벌에 차세대 AI 반도체 '블랙웰' 공급
- 미국 엔비디아는 24일(현지시간) 인도 최대재벌 릴라이언스 인더스트리에 차세대 인공지능(AI) 반도체 '블랙웰'을 공급할 방침이라고 밝혔다. 이날 로이터통신 등 외신들에 따르면 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 이날 뭄바이에서 개최된 'AI서미트'에서 릴라이언스의 무케시 암바니 회장과 대담을 갖고 이같은 방침을 밝혔다. 엔비디아의 이같은 방침은 성장중인 인도시장에서 기반을 굳히기 위해 릴라이언스 등 인도기업과의 제휴관계를 강화하는 대응의 일환으로 분석된다. 블랙웰은 릴라이언스가 서부 구자라트 주에 건설중인 소비전력이 1기가와트(GW)의 대형 데이터센터에 탑재된다. 1기가와트 규모의 데이터 센터는 원자력 발전소 1기의 용량과 맞먹는 엄청난 크기다. 1기가와트 규모의 데이터센터는 축구장 140개를 합친 면적인 약 100만㎡에 달하며, 여의도 면적 3븐의 1에 달하는 엄청난 규모다. 양사는 지난해 9월 인도에서 AI 슈퍼컴퓨터를 개발해 인도의 언어로 훈련된 '대규모언어모델(LMM)'을 구축하는 협력계약을 체결했다. 인도에서는 요타 데이터서비시스와 타타 커뮤니케이션스 등 데이터센터 프로파이터가 확장계획을 이끌고 있다. 엔비디아는 이날 이같은 기업들이 건설하는 대형 데이터센터용으로 AI반도체 '호퍼'를 수만개 공급하는 것을 검토하고 있는 사실도 공개했다. 이와 함께 엔비디아는 이날 새로운 힌디어 AI 기반을 발표했다. 인도 IT서비스업체 테크 마힌드라가 처음으로 활용하는 기업이 됐으며 힌디어와 인도 국내에서 사용되고 있는 수십개의 언어를 대상으로 한 '인더스 2.0'으로 불리는 엔비디아제 AI기반을 구축할 계획이다. 엔비디아는 테크 마힌드라 이외에도 인포시스와 위프로 등 IT서비스대기업과 제휴하고 있으며 모두 50만명의 개발자에 대해 엔비디아의 소프트웨어를 사용해 AI가 자율적 판단으로 정보수집과 작업계획 등을 하는 'AI에이전트'의 설계와 실용화 훈련을 벌이고 있다. 황 CEO는 "인도는 앞으로 AI수출국이 될 것이다. 인도에는 AI와 데이터, AI인프라라는 구체적 요소가 있으며 유저 인구도 대규모다"라고 말했다. 게다가 "현재는 엔비디아의 매출액에서 차지하는 인도의 비율이 적지만 우리의 기대는 크다"고 포부를 말했다. 한편, 엔비디아는 20년 전 인도 방갈로르에 첫 사무실을 개설한 이후 꾸준히 투자를 확대해왔다. 현재 인도 내 4개 도시에 개발 센터를 운영하며 4000여 명의 엔지니어를 고용하고 있으며, 이는 미국 본사 다음으로 큰 규모다. 인도 정부 역시 AI 인프라 구축에 12억 달러의 예산을 투입하는 등 적극적인 지원 정책을 펼치고 있어, 인도는 글로벌 AI 시장의 새로운 중심지로 떠오르고 있다. 블랙웰 칩이란? 블랙웰은 엔비디아의 차세대 AI 슈퍼칩으로, 2022년에 발표된 호퍼 아키텍처의 후속작이다. 엄청난 성능 향상과 함께 전력 효율을 높인 것이 가장 큰 특징이다. 2080억 개의 트랜지스터를 탑재하여 이전 세대인 H100보다 데이터 연산 속도가 2.5배 빠르다. H100 36개로 구성된 시스템과 비교했을 때 거대 언어 모델(LLM) 처리 속도가 최대 30배 향상되었다. 10TB/s의 칩 간 상호 연결을 통해 GPU 다이 2개의 성능을 단일 GPU 슈퍼칩에서 제공한다. 또한 향상된 전력 효율로 H100보다 성능이 30배 높으면서도 비용과 에너지 소비는 최대 25배 낮췄다. 대만 TSMC의 4나노미터(nm) 공정으로 제조됐다. 첨단 패키징 기술인 CoWoS를 사용하여 패키징 면적을 줄이고 칩 간 연결성을 높였다. HBM3E(5세대 고대역폭 메모리) 8단 제품이 탑재되어 메모리 대역폭을 획기적으로 늘렸다. 블랙웰은 이러한 뛰어난 특징을 바탕으로 AI 학습 및 추론, 고성능 컴퓨팅, 데이터 분석 등 다양한 분야에서 혁신을 가져올 것으로 기대된다.
-
- IT/바이오
-
엔비디아, 인도 최대 재벌에 차세대 AI 반도체 '블랙웰' 공급
-
-
샤오미, 중국 최초 3나노 모바일 AP 자체 개발…내년 양산 전망
- 중국 스마트폰 제조사 샤오미(小米)가 중국 기업 최초로 3나노 공정의 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)를 자체 개발하여 내년부터 양산할 것으로 예상된다. 23일 업계에 따르면 샤오미는 최근 3나노 공정의 모바일 AP 개발을 완료하고 곧 양산 단계에 진입할 것으로 알려졌다. 모바일 AP는 스마트폰의 성능을 좌우하는 핵심 부품으로, 샤오미는 중국 기업 최초로 3나노 공정 AP의 시제품 양산 단계인 '테이프아웃'을 마친 것으로 전해졌다. 테이프아웃은 칩 설계 등을 마친 뒤 대량 양산으로 넘어가기 전 단계를 말한다. 당초 샤오미는 내년 상반기 4나노 공정 AP를 생산할 계획이었으나, 기술 수준을 높여 3나노 공정 제품에 집중하는 것으로 보인다. 샤오미가 3나노 AP 양산에 성공하면 화웨이 등 중국 스마트폰 제조사에 공급할 가능성이 높다. 하지만 3나노 공정이 가능한 파운드리(반도체 위탁생산) 업체는 TSMC와 삼성전자뿐이어서, 샤오미가 어느 업체에 생산을 맡길지는 아직 결정되지 않았다. 미디어텍·퀄컴 주도 모바일 AP 시장, 중국발 변수 등장 현재 미디어텍과 퀄컴이 주도하는 글로벌 모바일 AP 시장에 중국 업체들이 빠르게 진입하면서, 내년부터 시장 판도 변화가 예상된다. 특히 화웨이의 자회사 하이실리콘은 미국의 제재에도 불구하고 7나노 AP '기린9000s'를 출시하며 시장 점유율을 확대하고 있다. 이 업체의 점유율은 지난해 2분기 0%에서 올해 4%로 증가했다. 삼성전자, 엑시노스 경쟁력 확보 어려움…고객사 확보 차질 우려 현재 글로벌 모바일 AP 시장 점유율은 미디어텍 31%, 퀄컴 29%, 애플 19%, 삼성전자 6% 순이다. 아직 중국 업체들의 영향력이 크지 않지만 자국 스마트폰 제조사들의 대량 주문을 기반으로 AP 성능 수준을 빠르게 높일 것으로 예상된다. 삼성전자는 3나노 공정의 '엑시노스 2500'을 양산할 예정이지만, 수율(양품 비율) 문제 등으로 어려움을 겪고 있다. 이러한 상황에서 중국 업체들이 가격 경쟁력을 앞세워 시장에 진출하면 삼성전자의 엑시노스 고객사 확보는 더욱 어려워질 수 있다는 전망이다. 업계 관계자는 "중국 업체들의 기술 추격이 예상보다 빠르다"며 "삼성전자는 3나노 수율을 높이지 못하면 AP 시장에서 입지가 더욱 좁아질 수 있다"고 우려했다.
-
- IT/바이오
-
샤오미, 중국 최초 3나노 모바일 AP 자체 개발…내년 양산 전망
-
-
TSMC, 2나노 웨이퍼 가격 3만 달러…4·5나노의 2배 "초격차 전략"
- 세계 최대 파운드리(반도체 수탁 기업) 기업인 대만 TSMC가 차세대 2나노미터(nm) 공정 웨이퍼 가격을 장당 3만 달러(약 4039만 원)로 책정하며 반도체 업계에 파란을 일으켰다. 8일 공상시보 등 대만 언론은 소식통을 인용하여 TSMC가 2025년 양산 예정인 2나노 공정 제품에 대해 이와 같은 가격 정책을 확정했다고 보도했다. 이는 기존 4나노 및 5나노 웨이퍼 가격(약 1만5000달러)의 두 배에 달하는 수준으로, TSMC의 압도적인 기술력에 대한 자신감을 여실히 드러낸 것으로 풀이된다. 업계 전문가들은 TSMC의 이러한 가격 책정이 첨단 웨이퍼 시장에서의 독점적 지위를 공고히 하고, 기술 리더십을 더욱 강화하려는 전략의 일환으로 분석하고 있다. 실제로 TSMC는 2나노 공정 개발에서 경쟁사들을 압도하며 기술적 우위를 확보한 것으로 평가받고 있다. 이에 앞서 TSMC는 지난 8월, 전 세계적인 인공지능(AI) 열풍에 힘입어 주력 제품인 3나노 및 5나노 공정 제품 가격을 8% 인상했다. 이번 2나노 웨이퍼 가격 책정은 AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야의 폭발적인 성장과 맞물려 TSMC의 매출 증대에 크게 기여할 것으로 전망된다. 대만 언론은 AI와 HPC가 첨단 공정 및 패키징 기술 수요를 견인하며 향후 5년간 파운드리 산업 성장의 핵심 동력이 될 것으로 내다봤다. 올해 전 세계 파운드리 시장 규모는 전년 대비 14% 증가한 1591억 달러(약 214조2000억원)에 이를 것으로 예상되며, 2025년에는 1840억 달러(약 247조7000억원), 2029년에는 2700억 달러(약 363조 5000억 원)까지 성장할 것으로 전망했다. nm(나노미터)는 반도체 회로 선폭을 나타내는 단위로, 선폭이 좁을수록 소비 전력이 감소하고 처리 속도는 향상된다. 현재 양산 기술의 최첨단은 3나노 공정이며, TSMC는 2나노 공정에서도 선두 자리를 굳건히 지키며 반도체 업계의 '초격차'를 이어갈 것으로 기대된다.
-
- IT/바이오
-
TSMC, 2나노 웨이퍼 가격 3만 달러…4·5나노의 2배 "초격차 전략"
-
-
TSMC, '2나노' 가오슝 공장 내년 가동⋯차세대 노광장비도 곧 도입
- 세계 최대 파운드리 기업인 대만 TSMC가 남부 가오슝(高雄)에 건설하고 있는 첨단 2나노 1·2 공장이 내년 가동될 예정인 것으로 알려졌다. 자유시보 등 대만언론들은 18일(현지시간) 소식통을 인용해 이같이 보도했다. 보도에 따르면 TSMC는 오슝 난쯔 과학단지에 2나노 공장 3곳을 건설할 계획으로, 해당 1·2공장(PI, P2)이 각각 2025년 1분기와 3분기에 운영을 시작할 예정인 것으로 전해졌다. 아울러 해당 단지에 4공장과 5공장 증설 여부를 평가 중이고, 해당 공장에서 1.4나노 공정이 배치될 가능성이 높다고 덧붙였다. 또 내년 상반기 4나노 공정 제품을 양산할 예정인 미국 애리조나주 피닉스 1공장의 수율이 지난달 말까지 70%를 넘어서면서 남부 타이난의 남부과학단지 내 18 팹(fab·반도체 생산공장)과 비슷한 수준에 도달한 것으로도 전해졌다. TSMC는 글로벌 파운드리 시장 1위 자리를 굳건히 하고 있는 상황에서 최선단공정 제조에 필요한 '하이 NA EUV' 노광장비도 이달 말 도입하기로 했다. 당초 예정했던 시기보다 1분기 이상 빠르게 앞당기면서 초미세공정 두고 주도권을 다투는 삼성전자보다 한 발 빠른 행보를 보이고 있다. 인텔이 파운드리 사업에서 극심한 부진을 겪으면서 TSMC가 경쟁에서 발 빠르게 치고 나갈 수 있는 환경도 갖춰진다. 반면 삼성전자는 3년 뒤에나 해당 장비를 확보할 것으로 전해져 설치부터 가동까지 최적화 작업에 상당한 시간이 소요된다는 점에서 도입 시기를 앞당기는데 주력할 것으로 보인다.
-
- IT/바이오
-
TSMC, '2나노' 가오슝 공장 내년 가동⋯차세대 노광장비도 곧 도입
-
-
[기후의 역습(57)] 과학자들, 기후 변화 대응에 기여할 새로운 목재 유형 발견
- 올 여름 역대급 폭염이 이어진 가운데 튤립나무가 기후 변화에 직접적인 영향을 미치는 탄소 포집 효과가 탁월하다는 연구 결과가 나왔다. 한국 기상청에 따르면 지난 8월 폭염일수는 16일로, 2016년 16.6일에 이어 관련 통계를 집계한 1973년 이래 두 번째로 많았다. 또한 지난달 열대야 수는 11.3일로 통계 집계 이후 처음으로 두자릿수를 기록했다. 오래된 나무와 숲이 이산화탄소를 더 많이 흡수하고, 저장한다는 것은 이전의 여러 연구에서 확인됐다. 튤립나무에 대한 연구에서 탄소포집 잠재력이 큰 새로운 목재 구조가 확인됐다고 사이테크데일리가 11일(현지시간) 보도했다. 폴란드 야기에우워 대학교(Jagiellonian University)와 영국 케임브리지 대학교 연구진은 세계적으로 유명한 나무와 관목들의 목재 미세 구조를 진화적으로 조사하던 중 튤립나무에 대한 연구에서 탄소 포집 잠재력이 큰 새로운 목재 구조가 확인됐다고 사이테크데일리가 11일(현지시간) 보도했다. 연구팀은 목련과의 친척이자 30미터 이상 자라는 튤립나무가 활엽수와 침엽수 어느 쪽에도 속하지 않는 독특한 목재를 가지고 있음을 확인한 것이다. 이 획기적인 발견은 빠르게 성장하는 튤립나무를 조림지에 심어 탄소 격리 효율을 높이는 새로운 가능성을 제시한다. 목재 구조의 새로운 발견 최근 국제학술지 '신식물학자(New Phytologist)'에 발표된 연구에서 연구진은 저온 주사 전자 현미경(cryo-SEM)을 사용하여 수분이 함유된 상태의 목재 세포벽 나노 구조를 이미지화했다. 그 결과, 튤립나무(Liriodendron tulipifera)와 중국 튤립나무(Liriodendron chinense) 두 종의 고대 리리오덴드론(Liriodendron) 속 나무들이 활엽수 친척들보다 훨씬 더 큰 마크로피브릴을 가지고 있음을 발견했다. 마크로피브릴은 2차 세포벽 내 층에 정렬된 긴 섬유를 말한다. 탄소 포집에 대한 함의 연구 책임자인 야기에우워 대학교의 얀 우이차코프스키(Jan Łyczakowski) 박사는 "튤립나무는 침엽수나 할엽수와는 구별되는 중간적인 마크로피브릴 구조를 가지고 있다"며 "튤립나무는 약 300만~5000만년 전 목련나무에서 분기되었는데, 이 시기는 대기 중 이산화탄소 농도가 급격히 감소하던 시기와 일치한다. 이는 튤립나무가 탄소 저장에 매우 효율적인 이유를 설명하는 데 더움이 될 수 있다"고 말했다. 연구팀은 이 '중간 목재' 또는 '축적 목재'의 더 큰 마크로피브릴이 튤립나무의 빠른 성장 뒤에 있는 원인이라고 추측한다. 우이차코프스키는 " 두 종의 툴립나무는 탄소를 매우 효율적으로 포집하는 것으로 알려져 있으며, 확대된 마크로피브릴 구조는 대기 중 탄소 이용 가능성이 감소했을 때 더 많은 양의 탄소를 쉽게 포집하고 저장하도록 돕는 적응일 수 있다"며 "튤립나무는 탄소 포집 조림에 유용하게 활용될 수 있을 것이다. 일부 동남아 국가에서는 이미 튤립나무 조림을 통해 효율적으로 탄소를 포집하고 있으며, 이제 우리는 이것이 튤립나무의 새로운 목재 구조와 관련이 있을 수 있다고 생각한다"고 덧붙였다. 케임브리지 대학교 식물원에서 얻은 진화적 통찰 이 발견은 케임브리지 대학교 식물원의 살아있는 컬렉션에서 33종의 나무를 조사하여 침엽수(소나무, 침엽수 등 겉씨식물)와 활엽수(참나무, 물푸레나무, 자작나무, 유칼립투스 등 속씨식물)에서 목재 초미세구조가 어떻게 진화했는지 탐구하는 과정에서 이루어졌다. 우이차코프스키는 "목재 구조가 어떻게 진화하고 외부 환경에 적응하는지에 대해서는 알려진 바가 거의 없다"며 "이번 조사에서 우리는 이전에 관찰된 적이 없는 완전히 새로운 목재 초미세구조외 전형적인 겉씨식물 침엽수 대신 속씨식물과 유사한 활엽수를 가진 겉씨식물 계통을 발견하는 등 몇 가지 중요한 새로운 발견을 했다"고 말했다. 그는 이어 "목재의 주요 구성 요소는 2차 세포벽이, 건축에 의존하는 목재의 밀도와 강도를 부여하는 것은 바로 이 세포벽의 구조다. 2차 세포벽은 또한 샐물권에서 가장 큰 탄소 저장소이므로, 기후 변화 완화를 돕는 탄소 포집 프로그램을 발전시키기 위해서는 2차 세포벽의 다양성을 이해하는 것이 중요하다"고 덧붙였다. 목재 초미세 구조 목재 초미세구조는 목재의 미세한 구조, 즉 재료 구성 요소의 배열과 조직을 의미한다. 저온 주사 현미경을 사용한 이번 목재 조사는 2차 세포벽, 마크로피브릴 등에 초점을 맞췄다. 2차 세포벽은 주로 셀룰로오스와 기타 복합 당으로 구성되며, 리그닌이 함침되어 전체 구조를 단단하게 만든다. 이러한 구성 요소들은 마크로피브릴을 형성하며. 2차 세포벽 내에 뚜렷한 층으로 배열된 긴 정렬 섬유를 만든다. 마크로피브릴은 현재 저온 주사 현미경으로 측정할 수 있는 가장 작은 구조이며, 두께는 약 10~40나노미터이다. 셀룰로오스 마크로피브릴(3~4나노미터)과 기타 구성 요소로 이루어져 있다. 목재 초미세 구조 연구는 목재 가공, 재료 과학, 나무의 생태 및 진화적 측면 이해 등 다양한 분야에 중요하다. 나무 성장과 목재 침착 뒤에 숨은 생물학적 메커니즘을 이해하는 것은 탄소 포집량 계산에도 유용한 정보를 제공한다. 목재 샘플은 케임브리지 대학교 식물원 컬렉션 코디네이터 마르고 애플(Margeaux Apple)과 협력하여 식물원 내 나무에서 채취했다. 겉씨식물과 속씨식물 개체군이 분기하고 진화함에 따라 그 진화 역사를 반영하기 위해 선별된 나무에서 지난 봄 성장기에 침착된 신선한 목재 샘플을 수집했다. 저온 전자 현미경 사용한 역대 최대 목본 식물 조사 케임브리지 대학교 세인즈버리 연구소 현미경 핵심 시설 관리자인 레이먼드 와이트먼(Raymond Wightman) 박사는 "우리는 자이언트 세쿼이아, 울레미 소나무, 그리고 모든 꽃 피는 식물과 분리되어 진화한 가장 오래된 현존 식물군의 유일한 생존 종인 암보렐라 트리코포다(Amborella trichopoda)와 같은 '살아있는 화석'을 비롯하여 세계에서 가장 상징적인 나무들을 분석했다"고 말했다. 와이트만 박사는 "우리의 조사 데이터는 목재 나노 구조와 세포벽 구성 사이의 진화적 관계에 대한 새로운 통찰력을 제공했으며, 이는 속씨식물과 겉씨식물 계통에 따라 다르다. 속씨식물 세포벽은 겉씨식물에 비해 마크로피브릴이라고 불리는 더 좁은 기본 단위를 가지고 있으며, 이 작은 마크로피브릴은 암보렐라 트리코포다 조상에서 분기된 후 등장했다"고 덧붙였다. 우이차코프스키와 와이트먼은 또한 마황류(Gnetophytes) 계통의 두 겉씨식물인 그네툼속(Gnetum gnemon, 그네툼 그네몬)과 그네툼 에둘레(Gnetum edule)의 세포벽 마크로피브릴을 분석하여 둘 다 속씨식물의 활엽수 세포벽 구조와 동일한 2차 세포벽 초미세 구조를 가지고 있음을 확인했다. 이는 마황류가 일반적으로 속씨식물에서만 볼 수 있는 활엽수 유형 구조를 독립적으로 진화시킨 수렴 진화의 한 예이다. 이 조사는 2022년 영국에서 네 번째로 더운 여름으로 기록된 기간 동안 진행됐다. 와이트먼은 "저온 전자 현미경을 사용한 목본 식물 조사 중 역대 최대 규모일 것"이라며, "세인즈버리 연구소가 케임브리지 대학교 식물원 부지 내에 위치하고 있기 때문에 이처럼 많은 신선한 수화된 목재에 대해 대규모 조사를 할 수 있었다. 우리는 2022년에 모든 샘플을 수집했다. 이른 아침에 샘플을 수집하고, 샘플을 초저온 슬러시 질소에 동결시킨 다음 자정까지 샘플을 이미징했다"고 설명했다. 그는 "이 연구는 식물원이 현대 연구에 기여하는 데 지속적인 가치와 영향을 보여준다. 이 연구는 케임브리지 대학교 식물원 컬렉션에서 같은 장소에서 함께 자라는 진화적 시간을 통해 표현된 다양한 식물이 없었다면 불가능했을 것이다"라고 말했다. 참고문헌: Jan J. Lyczakowski와 Raymond Wightman의 「수렴 및 적응 진화가 종자 식물의 현존 계통에서 2차 세포벽 미세 구조의 변화를 주도했다」, New Phytologist .DOI: 10.1111/nph.19983
-
- IT/바이오
-
[기후의 역습(57)] 과학자들, 기후 변화 대응에 기여할 새로운 목재 유형 발견
-
-
삼성전자, AI칩 '원스톱' 솔루션 제공…2027년 첨단 파운드리 기술 도입
- 삼성전자가 2027년 첨단 파운드리(반도체 위탁생산) 기술을 도입해 인공지능(AI) 칩 개발에서부터 위탁생산, 조립에 이르기까지 AI 칩 생산을 위한 원스톱 서비스를 강화한다고 12일(현지시간) 발표했다. 삼성전자는 이날 미국 실리콘밸리에서 '삼성 파운드리 포럼 2024'를 개최, AI 시대를 주도할 반도체 부문의 기술 전략을 공개했다. 종합 반도체 기업으로서의 장점을 극대화해 AI 열풍에 따른 AI 칩 수요에 적극적으로 대응하고, 세계 최대 파운드리 업체인 대만의 TSMC를 추격할 계획이다. 삼성전자는 현재 파운드리와 메모리, 어드밴스드 패키지(첨단 조립)를 '원팀'으로 제공하고 있는 AI 칩 생산을 위한 원스톱 턴키(일괄) 서비스를 2027년 더욱 강화할 계획이라고 밝혔다. 삼성전자는 현재 파운드리의 시스템 반도체와 메모리의 고대역폭(HBM), 이를 패키징하는 통합 'AI 솔루션'을 통해 고성능 저전력 AI 칩 제품을 출시 해오고 있다. 이를 통해 기존 공정 대비 칩 개발에서부터 생산에 걸리는 시간을 약 20% 단축하고 있다고 삼성전자는 설명했다. 2027년에는 새로운 파운드리 기술을 도입해 이를 더욱 강화한다는 방침이다. 먼저 2027년까지 2나노(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 공정에 '후면전력공급(BSPDN)' 기술을 도입(SF2Z)하기로 했다. 삼성전자는 이미 내년부터 2나노 공정을 시작한다고 밝혔다. 여기에 '후면전력공급' 기술을 탑재한다는 것이다. '후면전력공급'은 전력선을 웨이퍼 후면에 배치해 전력과 신호 라인의 병목 현상을 개선하는 고난도 기술로, 전세계적으로 아직 상용화 사례가 없다. 그동안 반도체 전력선은 웨이퍼 앞면에 회로를 그렸지만, 후면전력공급에 의해 후면에도 회로를 그리게 되면 초미세화 공정을 구현할 수 있는 '게임 체인저'로 평가됐다. 대만 TSMC는 2026년 말 2나노 이하 1.6공정에 '후면전력공급' 기술을 도입하겠다고 밝힌 바 있다. 삼성전자는 후면전력공급 기술을 통해 기존 2나노 공정 대비 소비전력·성능·면적의 개선 효과와 함께 전류의 흐름을 불안정하게 만드는 전압 강하 현상을 대폭 줄여 고성능 컴퓨팅 설계 성능을 향상할 것으로 기대하고 있다. 또한 삼성전자는 2027년에는 AI 솔루션에 적은 전력 소비로도 고속 데이터 처리가 가능한, 빛을 이용한 광학 소자 기술까지 통합할 계획이다. 게다가 2025년에는 기존 4나노 공정에 칩을 더 작게 만들면서 성능을 높이는 '광학적 축소' 기술을 도입(SF4U)해 양산할 예정이라고 말했다. 지난 4월 TSMC가 2026년부터 1.6나노 공정 양산 계획을 발표하자, 업계에서는 삼성전자도 1.4나노 양산 시점을 앞당길 수 있을 것이라고 전망했다. 삼성전자는 그러나 이날 2027년 1.4나노 공정 양산 계획을 재확인하며 "목표한 성능과 수율을 확보하고 있다"고 밝혔다. 수율은 웨이퍼 1장에 설계된 최대 칩 개수 대비 실제로 생산된 정상 칩의 개수를 백분율로 나타낸 수치이다. 수율이 높을 수록 생산성이 좋아지고, 수율이 낮으면 불량품이 많아져 손실이 커지고, 생산 비용도 증가하게 된다. 삼성전자 파운드리 사업부 최시영 사장은 이날 기조연설에서 "AI 시대 가장 중요한 건 AI 구현을 가능케 하는 고성능·저전력 반도체"라며 "AI 반도체에 최적화된 게이트올어라운드(GAA) 공정 기술과 광학 소자 기술 등을 통해 AI 시대 고객들이 필요로 하는 원스톱 AI 솔루션을 제공할 것"이라고 말했다. 이날 행사에는 영국 반도체 설계 기업인 암(Arm) 르네 하스 최고경영자(CEO)와 캐나다 AI 반도체 기업 그로크의 조나단 로스 CEO 등이 각각 협력사가 참여했다. 이들은 고객사 자격으로 무대에 올라 'AI 시대에 가속화되는 컴퓨트 플랫폼'과 '생성형 AI를 위한 그로크의 전환'을 주제로 연설했다. 한편, 올해 1분기 파운드리(반도체 위탁생산) 세계 1위 업체인 대만 TSMC와 삼성전자의 시장 점유율 격차가 더 커진 것으로 나타났다. 12일 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 글로벌 10대 파운드리 업체의 올해 1분기 합산 매출은 291억7200만달러로, 전 분기 대비 4.3% 감소했다. TSMC의 1분기 매출은 188억4700만달러로 전 분기 대비 4.1% 감소했다. AI 관련 고성능컴퓨터(HPC) 수요 강세에도 스마트폰 등 소비재 재고 비수기에 따른 것으로 해석된다. 다만 다른 경쟁사들의 부진으로 TSMC의 시장 점유율은 61.7%로 전 분기(61.2%)보다 0.5%포인트 증가했다. 업계 2위인 삼성전자의 1분기 매출은 33억5700만달러로, 7.2% 감소했다. 시장 점유율은 11.0%로 전 분기(11.3%)보다 0.3%포인트 감소했다. 이에 따라 TSMC와 삼성전자 간 점유율 격차는 2023년 4분기 49.9%포인트에서 2024년 1분기에 50.7%포인트로 확대됐다.
-
- IT/바이오
-
삼성전자, AI칩 '원스톱' 솔루션 제공…2027년 첨단 파운드리 기술 도입
-
-
인텔, 대만TSMC와 손잡고 엔비디아 대대적 반격
- 인텔이 대만 파운드리(반도체 위탁생산) 기업 TSMC와 협력해 차세대 AI(인공지능) 프로세서 생산에 나섰다. 인텔은 엔비디아의 그래픽처리장치(GPU)보다 3분의 1 수준의 낮은 가격에 AI 가속기를 공급하겠다는 구상도 밝히며 엔비디아에 대해 대대적인 반격을 선언했다. 팻 겔싱어 인텔 CEO는 4일(현지시간) 대만 타이베이 난강 전시장에서 열린 ‘컴퓨텍스 2024’ 전시회 기조연설에서 올해 하반기 출시할 AI 프로세서 '루나 레이크'를 처음으로 소개했다. 제품은 인텔 내부가 아닌 TSMC의 3㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m) 공정에서 생산될 예정이다. 루나 레이크는 시스템온칩(SoC) 전력을 전작 대비 최대 40% 줄이고 AI 컴퓨팅 성능은 3배 이상 높인 프로세서다. 겔싱어 CEO는 올해 '루나 레이크'와 '애로우 레이크'를 출시한 데 이어 내년에는 '팬더 레이크'를 내놓겠다고 설명했다. 인텔의 서버용 CPU '제온 6' 칩도 선보였다. 6세대 프로세서 제온 6는 전작 대비 최대 4.2배 성능이 향상됐다. 이날 겔싱어 CEO는 AI칩 선두 기업인 엔비디아에 대응하기 위한 전략도 밝혔다. 뛰어난 가성비를 앞세워 엔비디아의 유일한 대항마로 자리매김한다는 전략이다. 인텔은 AI 시장에서 엔비디아와 AMD에게 빼앗긴 시장점유율을 되찾기 위한 분투하고 있다. 갤싱어 CEO는 "인텔의 AI 가속기 '가우디 2'는 경쟁사 AI용 GPU 가격의 3분의 1, '가우디 3'는 경쟁사 GPU 가격의 3분의 2 수준”이라고 말했다. 그는 "가우디 3는 동급 규모의 엔비디아 H100 GPU에 비해 학습 시간이 최대 40% 빠르다"며 "거대 언어모델(LLM)을 실행할 때 엔비디아 H100 대비 평균 최대 2배 빠른 추론을 제공할 것으로 예상된다"고 밝혔다 겔싱어 CEO는 삼성과의 협업도 언급했다. 그는 "삼성메디슨과 AI를 활용한 초음파 솔루션 관련해 협업하고 있다"며 “의사들은 AI를 활용해 쉽고 빠르게 초음파 이미지를 캡처할 수 있게 됐다"고 설명했다. 인텔은 연내 18A(1.8나노) 공정 양산에 들어가겠다고 한 기존 발표도 계획대로 진행되고 있다고 밝혔다. 겔싱어 CEO는 “다음 주에 18A 웨이퍼에서 나온 첫번째 칩을 구동시킬 예정”이라고 말했다. 이에 앞서 인텔은 18A 공정은 올해 말, 14A(1.4나노)공정은 2027년부터 도입해 TSMC와 삼성전자를 빠르게 따라잡겠다는 포부를 밝혔다. 2030년까지 세계 2위 파운드리가 돼 업계 리더십을 회복하겠다는 구상이다.
-
- IT/바이오
-
인텔, 대만TSMC와 손잡고 엔비디아 대대적 반격
-
-
미국, 삼성전자에 64억 달러 반도체 보조금 지급⋯역대 3번째 규모
- 미국 정부가 15일(현지시간) 삼성전자의 미국내 반도체 생산시설 투자에 64억 달러(약 8조8800억 원)의 보조금을 지급한고 발표했다. 로이터통신 등 외신들에 따르면 미국 상무부는 이날 보도자료를 통해 삼성전자와 미국 반도체법에 따라 최대 64억달러의 직접 자금을 지원한다는 내용의 구속력 없는 예비거래각서(PMT)를 체결했다고 밝혔다. 미국 정부 보조금은 삼성전자가 미국 내 반도체 생산 시설 투자를 촉진하기 위한 조치다. 조 바이든 대통령은 미국의 첨단 반도체 생산 능력 확보를 위해 2022년 반도체법에 서명했다. 삼성전자에 대한 지원금 규모는 현재까지 미국 정부가 발표한 자금 가운데 인텔(85억달러)·TSMC(66억달러)에 이어 세번째로 많다. 사업 투자금(450억 달러) 대비 비율은 TSMC나 인텔보다 높은 것으로 전해졌다. 상무부는 삼성전자를 "첨단 메모리와 첨단 로직 기술 모두를 선도하는 유일한 첨단반도체 기업"이라고 표현하며, 향후 400억달러(약 55조 5200억원) 이상을 미국에 투자할 예정이라고 설명했다. 구체적으로 삼성전자는 텍사스주에 있는 기존 사업장을 미국 내 첨단반도체 개발 및 생산을 위한 종합적인 단지로 전환하겠다고 상무부에 제안했다고 알려졌다. 테일러 지역에 4나노미터와 2나노미터 반도체 공장을 만들고, 연구개발(R&D)과 첨단 패키징 시설을 구축하며 오스틴 지역 기존 시설은 확장한다는 계획이다. 테일러의 첫 공장은 2026년 생산을 시작하고, 두 번째 공장은 2027년 생산을 시작할 예정이다. 지나 러몬도 상무장관은 "제안된 계획은 텍사스를 최첨단 반도체 생태계로 이끌 것이다. 미국은 이를 통해 10년 안에 세계 최첨단 칩의 20%를 생산한다는 목표를 달성할 것으로 전망된다"고 말했다. 아울러 삼성전자의 이번 투자로 1만7000개의 건설 일자리와 4500개 이상의 제조업 일자리가 만들어질 것으로 보고있다. 경계현 삼성전자 대표이사 사장(DS부문장)은 "단순히 생산시설을 확장하는 것이 아니라, 현지 반도체 생태계를 강화하고 미국을 글로벌 반도체 생산 거점으로 자리매김시키는 것"이라며 "AI 반도체와 같은 미래 제품에 대한 고객 수요 급증에 대응하기 위해 최첨단 공정 기술을 갖춘 공장을 갖추고 미국 반도체 공급망 안보 강화를 도울 것"이라고 전했다. 미국은 중국 등과 경쟁하는 상황에서 첨단기술에 대한 접근성이 국가안보에 직결된다고 보고있다. 레이얼 브레이너드 백악관 국가경제위원회(NEC) 위원장은 직접 관련 브리핑에 나서 "결과적으로 삼성전자가 오스틴에서 국방부를 위해 직접 반도체를 제조할 수 있게 될 것"이라고 말했다. 한편 TSMC의 경우 보조금에 더해 50억달러(약 6조9475억원) 규모의 대출지원을 받기로 했지만 삼성전자는 별도의 저리 대출 없이 순수 보조금만 받을 예정이다. 다만 보조금과 별도로 미 재무부에 투자세액 공제를 신청할 예정이며, 투자액의 최대 25%에 대한 세금을 감면받을 수 있다고 상무부는 설명했다. 삼성전자는 이날 미 텍사스주 테일러에서 관련 투자 발표 행사를 열었고, 해당 행사는 경 사장과 러몬도 장관이 직접 참석했다.
-
- 산업
-
미국, 삼성전자에 64억 달러 반도체 보조금 지급⋯역대 3번째 규모
-
-
미국 인텔, 1.8나노 연말 양산⋯3년 뒤 1.4나노 공정 도입
- 미국 반도체 기업 인텔이 올 연말부터 1.8나노(㎚·10억분의 1m) 공정(18A)의 양산에 들어간다. 인텔은 이와함께 2027년에는 1.4나노 공정을 도입할 계획이다. 인텔은 또한 마이크로소프트(MS)가 자체 개발한 AI칩을 생산키로 했다. 인텔은 21일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이 맥에너리 컨벤션센터에서 'IFS(인텔 파운드리 서비스) 다이렉트 커넥트' 행사를 열고 파운드리(반도체 수탁생산) 사업을 본격 출범한다고 밝혔다. 이날 행사는 인텔이 2021년 3월 파운드리 사업 진출을 선언한 이후 개최한 첫 협력사 행사다. 인텔은 당시 '향후 4년간 5개 공정을 개발하겠다'며 인텔 7나노부터 1.8나노까지 로드맵을 제시했다. 인텔은 이날 1.8나노 공정(18A)을 올 연말부터 양산에 들어간다고 밝혔다. 당초 양산 시작시점은 2025년부터라고 계획을 밝혔는데, 앞당겨진 것이다. 특히 5나노 이하 파운드리 양산은 TSMC와 삼성전자만 가능한데 이들 두 회사가 내년 2나노급 공정의 양산을 목표로 하고 있다. 인텔의 계획대로라면 삼성전자와 TSMC를 앞지르는 것이다. 인텔은 파운드리 후발 주자이지만, 지난해 9월 1.8나노급인 18A 공정 반도체 웨이퍼 시제품을 깜짝 공개하며 삼성전자와 TSMC를 긴장시켰다. 인텔은 1.8나노 공정에서는 MS의 칩을 생산한다고 밝혔다. 구체적인 칩 종류는 밝히지 않았지만 MS가 지난해 발표한 '마이아'라는 AI 칩으로 추정된다. 사티아 나델라 MS 최고경영자(CEO)는 이날 "가장 진보되고 고성능이며 고품질 반도체의 안정적인 공급이 필요하다"며 "그것이 우리가 인텔과 함께 일하는 것에 매우 흥분하는 이유"라고 말했다. 팻 겔싱어 인텔 CEO도 "전 세계에서 이것을 할 수 있는 기업은 단 몇 개뿐"이라며 "인텔의 18A 칩은 TSMC의 처리 속도를 능가할 것"이라고 강조했다. 인텔은 이날 이에 더해 2027년에는 1.4 나노 공정을 도입하겠다는 계획을 밝혔다. 1.4 나노 공정은 최첨단 반도체 공정으로, 삼성전자도 2027년부터 1.4 나노 공정을 통해 양산에 들어갈 것이라고 2022년 10월 발표했다. 세계 최대 파운드리 업체 대만 TSMC도 2027년 1.4나노 공정 상용화를 목표로 하고 있어 경쟁이 치열해질 전망이다. 겔싱어 CEO는 "인텔은 2030년까지 세계에서 두 번째로 큰 반도체 파운드리 기업을 목표로 하고 있다"고 재확인했다. 인텔은 앞서 2나노 이하 공정 양산을 기반으로 현재 파운드리 2위 기업인 삼성전자를 따라잡겠다는 목표를 밝혔다. 인텔은 또 영국 반도체 설계 기업 Arm(암) 기반 시스템-온-칩(SoC)을 위한 최첨단 파운드리 서비스를 제공하기 위해 Arm과 파트너십을 체결했다. Arm·시놉시스·케이던스·지멘스·엔시스 등 반도체 설계 자산(IP) 설계 자동화(EDA) 기업과 협력을 통해 AI 시대에 맞는 맞춤형 시스템즈 파운드리가 되겠다는 계획도 밝혔다. 겔싱어 CEO는 "AI는 세계를 변화시키고 있다"며 "이는 혁신적인 칩 디자이너들과 우리 파운드리에 전례 없는 기회가 될 것"이라고 지적했다.
-
- IT/바이오
-
미국 인텔, 1.8나노 연말 양산⋯3년 뒤 1.4나노 공정 도입
-
-
삼성 파운드리, 1.4나노·2나노 공정 대형고객 확보 전망
- 삼성이 여러 회사들과 1.4나노와 2나노 공정을 통해 대형 칩 고객 확보에 있어 긍정적인 전망을 가지고 있다고 미국 기술 매체 샘모바일(SAMMOBILE)이 보도했다. 삼성 파운드리는 현재 대형 고객들과 협상 중이며, 2025년까지 2나노 공정, 2027년까지 1.4나노 공정 제품을 양산할 계획이다. 삼성 파운드리는 세계 최초로 3나노 공정을 상용화했으나, AMD, 엔비디아(Nvidia), 퀄컴과 같은 대형 칩 고객 확보에는 성공하지 못했다. 하지만 삼성 파운드리는 상대적으로 저렴한 암호화폐 기업의 ASIC(주문형 집적 회로) 칩 공급을 통해 시장에 입지를 확보했다. 관계자에 따르면 GAA(Gate All Around) 기술을 도입한 1.4나노와 2나노 공정은 성능과 전력 효율성 면에서 큰 개선이 이루어질 것으로 예상되고 있다. 삼성 파운드리 정기태 CTO는 이미 1.4나노미터와 2나노미터 프로세스를 위한 대형 칩 고객들과 협상이 진행중이라고 밝혔다. 정 CTO는 "삼성 파운드리는 현재 2세대 3나노미터 칩 제조 공정의 개발을 진행 중이며, 이는 2024년 말까지 엑시노스 2500(Exynos 2500)과 스냅드래곤 8 Gen 4의 제조에 활용될 것으로 예상된다"고 전했다. 또한, 정 CTO는 한국 COEX에서 열린 2023년 반도체 엑스포에서 고객이 제품을 입수하는데 대략 3년이 걸린다고 언급했다. 그는 이미 대형 고객들과의 협상이 진행 중이므로 이러한 계획이 몇 년 안에 실현될 것으로 보인다고 말했다. 그는 "파운드리 사업은 고객사에게 '안정성'이 가장 중요하다"고 강조하며, 새로운 기술을 처음부터 채택하는 것은 쉽지 않을 것이라고 말했다. 칩 제조사에서 문제가 발생할 경우, 고객사 역시 피해를 입을 수 있기 때문에 공급 업체 선정 시 신중을 기해야 한다는 설명이다. 또한, 정 CTO는 "GAA 공정은 지속 가능한 기술로 보이지만, 핀펫 기술에서는 더 이상 개선의 여지가 적다"고 말하며, "앞으로 2나노, 1.4나노 공정 등에서는 대형 고객사와 협상이 진행 중이다"고 덧붙였다. 그는 후공정 분야에서도 삼성전자, TSMC, 인텔 간의 경쟁이 계속될 것으로 예상했다. 그는 "후공정 분야는 전공정에 비해 중국 기업의 진입이 상대적으로 용이하지만, TSMC처럼 다양한 고객으로부터 피드백을 받거나, 삼성이나 인텔처럼 설계와 제조를 모두 수행하는 종합 반도체 회사(IDM)가 아닌 이상, 새로운 참여자들이 경쟁에 참여하는 것은 쉽지 않을 것"이라고 밝혔다. 삼성전자 파운드리는 1.4나노와 2나노 공정을 활용해 대형 고객을 확보하는 방향으로 추진할 것으로 보이며, GAA 기술의 강점을 활용하여 대형 고객사들을 확보할 수 있을지 관심이 집중되고 있다.
-
- IT/바이오
-
삼성 파운드리, 1.4나노·2나노 공정 대형고객 확보 전망
-
-
미국, 삼성-SK 하이닉스 중국 공장에 반도체 장비 공급 허용
- 미국 정부가 삼성전자와 SK하이닉스가 별도의 승인 없이 중국 현지 공장에 미국산 반도체 장비를 공급할 수 있도록 결정했다고 차이나 데일리가 10일 보도했다. 이번 조치는 미국 상무부가 2022년 10월 18나노미터 이하 D램 칩, 128단 이상 낸드 칩, 14나노미터 이하 로직 칩 제조 장비와 지원을 포함한 품목을 중국으로 수출, 재수출 또는 이전할 때 허가를 받도록 하는 규정을 발표한 이후 나온 최신 조치다. 최상목 경제수석은 9일 용산 대통령실에서 브리핑을 통해 "미국 정부가 삼성전자와 SK하이닉스의 중국 현지 공장에 대한 미국산 반도체 장비 반입 규제를 사실상 무기한 유예하겠다고 우리 측에 최종 통보했다"고 밝혔다. 최 경제수석은 "미국 정부는 최근 수출통제 당국과 NSC(국가안전보장회의) 경제안보대화 채널을 통해 삼성전자와 SK하이닉스의 중국 내 반도체공장을 미 수출관리 규정에 따른 '검증된 최종 사용자(VEU)'로 지정해 앞으로 별도 허가 절차나 기간 제한 없이 미국산 장비를 공급하겠다는 최종 결정을 전해왔다"고 말했다. VEU는 특정 품목에 대해 사전에 승인된 기업만이 수출을 허용하는 일종의 포괄적 허가 체계다. VEU에 포함되면 개별적인 수출 허가를 따로 받을 필요가 없으묘 이로 인해 미국의 수출통제사 사실상 무기한 면제되는 효과가 있다. 미국, 삼성·SK 中공장 VEU 지정 미국 상무부는 안보 전략 차원에서 중국 반도체 산업의 성장과 기술 유출 등을 방지하기 위해 지난해 10월 7일 미국 기업이 중국 반도체 제조 업체에 반도체 장비를 수출을 제한하는 수출통제 조치를 내놓았다. 그러나 미국 정부는 삼성전자와 SK하이닉스의 중국내 공장에 대해서는 1년간 별도의 허가를 신청하지 않고도 장비 수입을 허용하도록 하는 특별 조치를 취했다. 이에 대통령실과 산업부는 이달 유예 기간 종료를 앞두고 미국 정부와 협상을 이어 왔다. 최 수석은 "이번 결정으로 우리 반도체 기업에 대한 주요 통상 이슈가 잠정적으로 해결되었다"며 "우리의 반도체 기업이 중국에서의 공장 운영과 투자에 대한 불확실성이 크게 줄었고, 앞으로 안정적으로 글로벌 경영 전략을 구축할 수 있게 됐다"고 밝혔다. 대통령실은 "이는 강화된 한미동맹의 바탕 위에서 정부와 기업이 합협력해서 이룩한 결과"라고 강조하며 미국의 이번 결정이 새 정부 들어 강화된 한미동맹의 성과가는 점을 부각시켰다. 최 수석은 "세계 메모리 반도체 생산의 60.5%를 차지하는 핵심 공급자이자 장비 수요자로서 우리 기업의 안정적 생산은 반도체 글로벌 공급망 안정과 직결된다"며 "우리 기업이 반도체 공급망에서 차지하는 중요성에 대한 한미 양국의 공감대도 이번 미 정부의 결정에 큰 영향을 미친 것으로 판단한다"고 전했다. 또 최 수석은 대중(對中) 수출통제 조치와 함께 우리 반도체 업계의 최대 현안이었던 미 반도체법 가드레일 규정이 지난달 말 발표된 점에 대해 "투자 관련 불확실성이 상당부분 해소됐다"고 밝혔다. 그러나 노광장비 반입이 여전히 어려운 상황이며 대중 투자규제 해소를 위한 추가 조치가 필요하다는 지적에 "당분간 우리 기업에 크게 부담될 추가 조치나 내용은 포함되지 않을 것으로 기대하고 있다"면서도 "앞으로 불확실성이 크기 때문에 새로운 통상 이슈가 발생할 가능성이 있어 상황을 예의주시하며 기업과 소통하고 긴밀히 협력하겠다"고 말했다. IRA 시행 후 한국 신차 판매 성장세 최 수석은 또 미국 인플레이션 감축법(IRA) 시행 이후에도 미국 시장에서 한국 친환경차 판매는 높은 성장세를 이어가고 있다고 전했다. 그는 "IRA 시행으로 미국 시장에서 한국 친환경차가 보조금을 받지 못해 큰 타격을 받지 않을까 하는 우려가 컸다"며 "현재 미국 시장에서 우리 기업들의 친환경차 판매는 높은 성장세를 이어가며 세간의 우려를 완전히 불식시키고 있다"고 밝혔다. 정부에 따르면 지난 8월 기준 미국 내 우리 기업의 친환경차 판매는 역대 최고치인 1만4000대를 기록했다. 시장 점유율은 10.9%까지 증가해 업계 2위를 달성했다. 최 수석은 "실제 IRA 시행 직후 3개월간은 우리 친환경차 판매가 감소세를 보였다"면서도 "정부는 미국 측에 우리 업계 우려를 지속적으로 제기하는 한편, 렌트와 리스 등 상업용 친환경차는 북미 조립과 배터리 요건에 관계 없이 보조금을 받을 수 있게 관철했고 이후 친환경차 판매는 역대 최고 수준의 호조세를 보이고 있다"고 밝혔다. 그는 또 내년 하반기에 현대차그룹의 조지아주 전기차 전용 공장이 차량 생산에 들어간다는 점을 언급하며 "이로 인해 미 정부 보조금을 수령하기 위한 최종 조립 요건을 충족하게 되는 것"이라고 말했다. 삼성·SK하이닉스 환영 한편, 삼성전자와 SK하이닉스는 이번 조치로 중국 공장 운영에 불확실성이 걷히자 일제히 환영한다는 입장을 밝혔다. 삼성전자 측은 "각국 정부 간 긴밀한 협의를 통해 중국 반도체 생산라인 운영에 대한 불확실성이 상당 부분 해소됐다"며 "앞으로도 각국 정부와 긴밀히 협의해 글로벌 반도체 산업의 공급망 안전을 위해 최선의 노력을 다할 것"이라고 말했다. SK하이닉스는 성명서를 통해 "미국 정부의 수출 통제 규제에 대한 면제 연장 결정을 환영한다. 이번 결정이 글로벌 반도체 공급망 안정화에 기여할 것으로 믿는다"고 말했다.
-
- IT/바이오
-
미국, 삼성-SK 하이닉스 중국 공장에 반도체 장비 공급 허용