- 미국 내 높은 인건비·건설비에 공급망 재편 비용까지⋯"가격 인상 불가피"
- 미국서 칩 만들어도 첨단 패키징은 대만행⋯'완전한 자립'은 아직

세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 기업 TSMC가 미국 애리조나 2팹의 가동 일정을 서두르고 있다. 이르면 2026년 3분기 3나노(nm) 공정 장비 반입을 시작으로 2027년 양산에 돌입할 계획이다.
하지만 공사 기간 단축과 비용 상승으로, 미국에서 생산하는 웨이퍼 가격은 최대 30%까지 대폭 오를 전망이다.
'탈대만' 비용 청구서…미국산 웨이퍼 몸값 급등
지난달 30일(현지시각) 공상시보(工商時報), 로이터통신 등 외신에 따르면, TSMC는 고객 수요를 맞추고 미국 관세 정책에 대응하기 위해 당초 계획보다 공사 일정을 앞당기고 있다.
그러나 여러 업계 소식통은 TSMC가 2025년에서 2026년 사이 애리조나 공장 생산분에 대해 최소 10%에서 최대 30%의 가격 인상을 검토한다고 전했다. 이 같은 인상률은 세계 4나노 칩 가격 인상률(약 10%)을 크게 웃도는 수준이다.
이 밖에도 3나노와 5나노 웨이퍼 가격은 3~5%, CoWoS 등 첨단 패키징 비용은 5~10% 추가로 오를 전망이다. 미국 내 높은 생산비 부담과 공급망 재편, 인공지능(AI)과 고성능 컴퓨팅(HPC) 수요 급증이 주된 원인으로 꼽힌다.
앞서 2024년 말 4나노 생산을 시작한 애리조나 1팹은 최근 애플, 엔비디아, AMD 등 주요 고객사용 첫 웨이퍼를 성공적으로 출하했다. 다만 이 칩들은 첨단 패키징을 위해 다시 대만으로 운송됐다. 주요 고객사들이 비용 일부를 떠안겠지만, 최종적으로 소비자 제품 가격 인상으로 이어질 수 있다는 분석이다.
TSMC의 웨이저자 회장은 앞으로의 로드맵에 대해 "1팹은 4나노, 2팹은 3나노 공정에 집중할 것"이라며 "이후 건설할 3, 4팹에서는 N2(2나노급)와 A16(1.6나노급) 같은 최첨단 공정을 도입해 기술 격차를 벌려나갈 것"이라고 밝혔다.
반도체 자립의 그림자…핵심인 첨단 패키징은 '대만 의존' 여전
그러나 미국 내 반도체 공급망 완성까지는 상당한 시간이 걸릴 전망이다. 핵심 공정인 첨단 패키징 시설 건설이 지연되는 탓이다.
TSMC가 애리조나에 계획 중인 첫 첨단 패키징 공장(AP1)은 2026년 3분기에 착공하며, 본격적인 가동은 2029년쯤으로 예상된다. SoIC(시스템온인티그레이티드칩) 기술에 중점을 둘 이 공장이 완공되기 전까지, CoWoS 등 고성능 칩에 필수적인 첨단 패키징은 전적으로 대만에 의존해야 한다.
한편, TSMC는 미국 총 투자액을 1650억 달러(약 222조 원)로 확대한다. 여기에는 6개의 팹과 2개의 첨단 패키징 공장, R&D 센터 설립이 포함되며, 이를 통해 4만여 개의 건설 일자리와 수만 개의 고급 기술 일자리 창출이 기대된다.
실제로 엔비디아는 지난 1월 자사 4나노 칩이 TSMC 애리조나 1팹에서 생산에 들어갔다고 확인했지만, 로이터 통신은 이 칩들을 패키징을 위해 다시 대만으로 보내야 한다고 보도하며 미국 내 '칩 생산 완결'의 한계를 지적했다.